JP2005101733A - バイアス回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】高周波信号の影響を防止し、且つ回路を小型化する。
【解決手段】第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、コレクタが前記第2トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが第2電源に接続された第3トランジスタと、前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、前記第3トランジスタのコレクタとベースとを接続する第1抵抗器と、前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサとを有する。
【選択図】 図1
【解決手段】第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、コレクタが前記第2トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが第2電源に接続された第3トランジスタと、前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、前記第3トランジスタのコレクタとベースとを接続する第1抵抗器と、前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサとを有する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、高周波信号を増幅する高周波増幅回路に係り、特に高周波増幅トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路に関する。
バイポーラトランジスタを用いた高出力増幅器は、コレクタ電流が温度変化に対して大きく影響を受けることから、例えばトランジスタをダイオード接続したカレントミラー回路で上記高出力増幅器のバイアス電流を供給している。一方、広いダイナミックレンジの出力レベルにおいて線形且つ高効率な増幅器は、バイアス条件をB級(高出力増幅器の入力がゼロの時、コレクタ電流が流れなくなるところまでバイアス電流を供給する方式)にしてバイアス電流を絞ることで実現している。しかし、実際には、素子の相互コンダクタンスの非線形性のため利得の変動による歪みが大きくなるので、バイアス電流をある程度流すAB級のような使い方をして広いダイナミックレンジの出力レベルで利得の線形性を保つようにしている。
バイポーラトランジスタを用いたAB級増幅器は、コレクタ電流が出力レベルに応じて増加するので、バイアス回路もそれに応じてベース電流の増加分を十分に供給しなければならない。よって、バイアス回路の出力インピーダンスを下げるため、エミッタフォロワ等を介してベース電流を供給するようなカレントミラー回路により構成されたバイアス回路が用いられる。
図6は、エミッタフォロワを用いたバイアス回路の一例である。トランジスタQ8のコレクタには、電源電圧Vccが供給されている。トランジスタQ8のベースには、抵抗R6を介してリファレンス電圧Vrefが供給されている。トランジスタQ8のエミッタは、抵抗R7を介して接地電位に接続されている。また、トランジスタQ8のベースと上記接地電位との間には、ダイオード接続されたトランジスタQ6とQ7とが直列に接続されている。
ところが、このようなバイアス回路を用いた高周波増幅回路では、トランジスタが2段積みになるため、トランジスタのオン電圧の2倍の電圧よりリファレンス電圧Vrefをかなり高くしなければ温度変化の影響に対するバイアス電流の変動を十分補償できない。一方、リファレンス電圧Vrefを高くすると、携帯電話のような制御電圧の低いシステムでは大きな問題となる。特に、CDMA(Code Division Multiple Access)のような広いダイナミックレンジの出力レベルで線形に動作しなければならないシステムでは、低出力時における温度変化の影響によるアイドル電流の変動は問題である。
図7及び図8は、バイアス回路の他の一例である。図7に示すバイアス回路は、抵抗R8を介してトランジスタQ10が1段でオンするように構成されている。また、図8に示すバイアス回路は、トランジスタQ11,Q12を付加し、トランジスタQ8の温度補償を行うように構成されている。
しかし、これらのバイアス回路は出力インピーダンスが低いため、高周波信号がバイアス回路に漏れてきてしまう。また、バイアス回路に漏れてきた高周波信号の影響によりバイアス点が変動してしまう。このため、図7及び図8に示したように、バイアス回路と高周波増幅器であるトランジスタQ10との間に高周波信号を阻止するためのチョークのインダクタL1と、デカップリングのためのコンデンサC2とを備える必要がある。上記インダクタL1は回路規模が大きく、また上記コンデンサC2は大きな容量が必要なため、バイアス回路の小型化を困難にしている。
またこの種の関連技術として、バイアス供給量を安定化させる各種バイアス回路が開示されている(特許文献1参照)。
特開2003−58262号公報
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたもので、回路規模の大きな素子を用いることなく高周波信号の影響を防止でき、これにより回路の小型化が可能なバイアス回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の第1の視点に係るバイアス回路は、第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、コレクタが前記第2トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが第2電源に接続された第3トランジスタと、前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、前記第3トランジスタのコレクタとベースとを接続する第1抵抗器と、前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサとを有する。
また本発明の第2の視点に係るバイアス回路は、第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、前記第2トランジスタのエミッタと第2電源との間に接続された第1抵抗器と、前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサとを有する。
本発明によれば、回路規模の大きな素子を用いることなく高周波信号の影響を防止でき、これにより回路の小型化が可能なバイアス回路を提供することができる。
以下、このような知見に基づいて構成された本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るバイアス回路の回路構成を示す図である。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るバイアス回路の回路構成を示す図である。
トランジスタQ5は、例えば高周波入力信号を増幅して高周波出力信号として出力する。トランジスタQ5は、例えばエミッタ接地回路により構成される。トランジスタQ5のコレクタには、電源電圧Vccが供給されている。トランジスタQ5のエミッタには、接地電位が供給されている。トランジスタQ5のベースには、増幅する対象である高周波入力信号が入力される。この高周波入力信号は、増幅されてトランジスタQ5のコレクタに接続された出力端子により出力される。さらに、トランジスタQ5のベースには、バイアス電流が供給される。
トランジスタQ5にバイアス電流を供給するバイアス回路は、以下のように構成される。バイアス電流を供給するトランジスタQ4は、コレクタ接地回路(エミッタフォロワ)により構成される。トランジスタQ4のコレクタには、電源電圧Vccが供給されている。トランジスタQ4のベースには、ベース電圧が供給される。
このベース電圧を供給する電圧供給回路は、トランジスタQ1,Q2と抵抗R1,R2とにより構成される。トランジスタQ4のベースには、抵抗R1の一方の端子が接続されている。抵抗R1のもう一方の端子には、リファレンス電圧Vrefが供給されている。このリファレンス電圧Vrefは、トランジスタの特性であるベース−エミッタ間電圧等に応じて決定される。抵抗R1の上記一方の端子には、トランジスタQ2のベースが接続されている。トランジスタQ2のコレクタには、電源電圧Vccが供給されている。トランジスタQ2のエミッタには、抵抗R2を介して接地電位が供給されている。
トランジスタQ2のベースには、トランジスタQ1のコレクタが接続されている。トランジスタQ1のベースには、トランジスタQ2のエミッタが接続されている。トランジスタQ1のエミッタには、接地電位が供給されている。このようにして、上記電圧供給回路が構成される。なお、上記説明した電圧供給回路は、一例である。これに限定されるものではなく、その他の回路であってもよい。
ところで、トランジスタQ4のエミッタには、トランジスタQ3のコレクタが接続されている。トランジスタQ3は、コレクタとベースがダイオード接続されている。さらに上記ダイオード接続されたコレクタとベース間には、抵抗R3が接続されている。トランジスタQ3のエミッタには、接地電位が供給されている。
また、トランジスタQ4のベースと接地電位との間には、コンデンサC1が接続されている。トランジスタQ4のエミッタとトランジスタQ5のベースとの間には、抵抗R4が接続されている。
次に、上記各素子の構成を説明する。本実施形態で使用した各トランジスタには、エミッタがInGaP、ベースがGaAsで構成されたヘテロ接合バイポーラトランジスタであるInGaP/GaAsHBT(Hetero-junction Bipolar Transister)を用いている。トランジスタQ5は、エミッタサイズが4×30μm2で、48本のマルチエミッタ構造である。バイアス回路において、トランジスタQ1,Q2のエミッタサイズは4×10μm2、トランジスタQ3のエミッタサイズは4×20μm2、トランジスタQ4はエミッタサイズが4×30μm2で48本のマルチエミッタ構造を用いている。抵抗R1は600Ω、抵抗R2は3000Ω、抵抗R3は1000Ω、コンデンサC1は2pFを用いている。なお、これらの値は一例であり、これに限定されるものではない。
また、バイアス回路を構成する各素子及び高周波増幅器であるトランジスタQ5は、各素子を同一の半導体基板上に形成するMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)により形成される。
このように構成されたバイアス回路の動作を説明する。
トランジスタQ4のベースには、上記電圧供給回路によりベース電圧が供給される。このベース電圧は、トランジスタQ1とQ2とのベース−エミッタ接合電圧に基づいて生成されている。よって、電源電圧Vccの変動に依存しないベース電圧を供給することができる。さらに、トランジスタQ1とQ2とにより、トランジスタQ4の温度補償を行うことができる。
トランジスタQ4のベースには、上記電圧供給回路によりベース電圧が供給される。このベース電圧は、トランジスタQ1とQ2とのベース−エミッタ接合電圧に基づいて生成されている。よって、電源電圧Vccの変動に依存しないベース電圧を供給することができる。さらに、トランジスタQ1とQ2とにより、トランジスタQ4の温度補償を行うことができる。
次に、バイアス回路に高周波信号が入力された場合のバイアス回路の動作を説明する。トランジスタQ5のベースに高周波入力信号が入力されると、バイアス回路の出力インピーダンスが低いため、バイアス回路に高周波信号が漏れてくる。ところが、トランジスタQ3側に漏れてきた高周波信号は、抵抗R3によって阻止される。この阻止する原理は後述する。これにより、上記漏れてきた高周波信号がトランジスタQ3により整流された直流電流の影響によって、トランジスタQ5のバイアス点が変動するのを防止することができる。
また、トランジスタQ4側に漏れてきた高周波信号は、コンデンサC1により吸収される。これにより、トランジスタQ1,Q2への上記高周波入力信号の影響を抑制することで、トランジスタQ4に安定したベース電圧を供給することができる。
図2は、図8に示したバイアス回路のインピーダンスを表すスミスチャートである。図3は、図1に示したバイアス回路のインピーダンスを表すスミスチャートである。図2において、m1はバイアス回路に入力される信号の周波数が1MHzの場合のインピーダンスを、m2はバイアス回路に入力される信号の周波数が2GHzの場合のインピーダンスを表している。同様に図3において、n1は1MHzの場合のインピーダンスを、n2は2GHzの場合のインピーダンスを表している。
図2では、m1のインピーダンスが12Ω、m2のインピーダンスが18.5Ωである。よって、信号の周波数が高くなってもインピーダンスが大きくならない。したがって、図8に示したバイアス回路では、高周波信号を扱う場合、チョーク用のインダクタL1とデカップリングのためのコンデンサC2が必要となる。
一方、図3では、n1のインピーダンスが15Ω、n2のインピーダンスが76Ωである。よって、信号の周波数が高くなると、インピーダンスが大きくなっている。したがって、図1に示したバイアス回路では、チョーク用のインダクタを用いることなく、高周波信号を阻止することができる。
この原理は、トランジスタのベータ(エミッタ接地された増幅器の電流増幅率)の周波数特性を利用した効果である。図4は、ベータと周波数との関係を表す図である。例えば直流電流増幅率(hfe)が100のトランジスタを例に説明する。図4の縦軸にはベータ(β)を、横軸には周波数を示す。図4において、直流電流(周波数ゼロ)の場合はベータが100であるが、周波数が10MHz付近からベータが減少している。そして、1GHz付近では約10までベータが減少している。
コレクタとベースとが抵抗R3を介してダイオード接続されたトランジスタQ3においては、抵抗値がR3/βの抵抗と、ダイオード接続されたトランジスタQ3とが直列に接続された回路と等価とみなすことができる。したがって、上記したようにR3が1000Ωの場合、直流ではバイアス回路のインピーダンスが10Ωにしか見えないのが、高周波では100Ω以上に見える。よって、高周波信号を扱うバイアス回路では、インピーダンスを大きくすることができる。
以上詳述したように本実施形態では、高周波入力信号の増幅を行うトランジスタQ5にバイアス電流を供給するためのエミッタフォロワからなるトランジスタQ4を備える。また、トランジスタQ4のエミッタには、コレクタとベースとがダイオード接続されたトランジスタQ3を接続する。また、トランジスタQ3のダイオード接続されたコレクタとベースとの間に抵抗R3を挿入する。さらに、トランジスタQ4のベースと接地電位間にコンデンサC1を備えるようにしている。
したがって本実施形態によれば、バイアス回路に漏れてくる高周波信号を阻止することができる。これにより、高周波信号がバイアス回路に及ぼす影響を排除することができる。
また、インダクタ等の面積が大きい素子を用いず、抵抗とコンデンサという面積が小さい素子により高周波信号を阻止することができる。これにより、バイアス回路或いは高周波増幅回路の回路規模を小さくすることができる。特に、高周波増幅回路を本実施形態のように同一基板上に作成する場合は、インダクタを使用しなくて済むことによる回路規模の縮小の効果は大きい。
また、デカップリングのためのコンデンサを高周波増幅器であるトランジスタQ5のベースに接続する場合、コンデンサの容量を大きくしなければならない。ところが、本実施形態のようにトランジスタQ4のベースにコンデンサC1を接続する場合、コンデンサの容量が小さくて済む。これは、トランジスタQ5のベースの位置に比べて、コンデンサC1を接続する位置のインピーダンスの方が高いためである。これにより、コンデンサの面積を小さくできるため、バイアス回路或いは高周波増幅回路の回路規模を小さくすることができる。
また、トランジスタQ3を備えたことで、トランジスタQ5の温度補償を行うことができる。
また、トランジスタQ4のエミッタとトランジスタQ5のベースとの間に抵抗R4を挿入することで、バイアス回路のインピーダンスを高くすることができる。これにより、バイアス回路に漏れてくる高周波信号を抑制することができる。
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係るバイアス回路の回路構成を示す図である。
図5は、本発明の第2の実施形態に係るバイアス回路の回路構成を示す図である。
図5において、トランジスタQ4のエミッタと接地電位との間には、抵抗R5が接続されている。
このように構成されたバイアス回路の動作を説明する。トランジスタQ5のベースに高周波入力信号が入力されると、バイアス回路の出力インピーダンスが低いため、バイアス回路に高周波信号が漏れてくる。ところが、抵抗R5側に漏れてきた高周波信号は、当該抵抗R5によって阻止される。また、トランジスタQ3を無くしたので、上記漏れてきた高周波信号が整流されて直流電流が発生するのを防止することができる。
また、トランジスタQ4側に漏れてきた高周波信号は、コンデンサC1により吸収される。これにより、トランジスタQ1,Q2への上記高周波入力信号の影響を抑制することで、トランジスタQ4に安定したベース電圧を供給することができる。
以上詳述したように本実施形態では、上記第1の実施形態で示したトランジスタQ3に替えて、抵抗R5を挿入するようにしている。
したがって本実施形態によれば、バイアス回路に漏れてくる高周波信号を阻止することができる。これにより、高周波信号がバイアス回路に及ぼす影響を排除することができる。
また、上記第1の実施形態に比べて、より簡単な構成でバイアス回路を構成することができる。
また、上記第1の実施形態に比べて回路素子が削減できるため、回路規模の縮小が可能となる。
なお、上記第1及び第2の実施形態は、図6や図7に示したバイアス回路に適用しても同様の効果を得ることができる。
この発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その他、本発明の要旨を変更しない範囲において種々変形して実施可能である。
Q1〜8…トランジスタ、R1〜8…抵抗、C1,C2…コンデンサ、L1…インダクタ、Vcc…電源電圧、Vref…リファレンス電圧。
Claims (6)
- 第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、
コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、
コレクタが前記第2トランジスタのエミッタに接続され、エミッタが第2電源に接続された第3トランジスタと、
前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、
前記第3トランジスタのコレクタとベースとを接続する第1抵抗器と、
前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサと、
を具備することを特徴とするバイアス回路。 - 第1トランジスタにバイアス電流を供給するバイアス回路であって、
コレクタが第1電源に接続され、エミッタが前記第1トランジスタのベースに接続された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタのベースにベース電圧を供給する電圧供給回路と、
前記第2トランジスタのエミッタと第2電源との間に接続された第1抵抗器と、
前記第2トランジスタのベースと前記第2電源との間に接続されたコンデンサと、
を具備することを特徴とするバイアス回路。 - 前記第1トランジスタのベースと前記第2トランジスタのエミッタとの間に接続された第2抵抗器をさらに具備することを特徴とする請求項1又は2記載のバイアス回路。
- 前記電圧供給回路は、コレクタが前記第1電源に接続され、ベースが第3抵抗器を介して定電圧源に接続され、エミッタが第4抵抗器を介して前記第2電源に接続された第4トランジスタと、コレクタが前記第4トランジスタのベースに接続され、ベースが前記第4トランジスタのコレクタに接続され、エミッタが前記第2電源に接続された第5トランジスタとを有することを特徴とする請求項1又は2記載のバイアス回路。
- 前記第2電源は、接地電位を供給することを特徴とする請求項1又は2記載のバイアス回路。
- 前記第1トランジスタは、高周波信号を増幅することを特徴とする請求項1又は2記載のバイアス回路。
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