JP2006352202A - 電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【課題】周波数依存性が極力少ないRF接地回路を有し、かつ、チップ面積を増加させることのない電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅用バイポーラトランジスタ1へベースバイアス電流をエミッタフォロワにより供給する第2のバイポーラトランジスタ2のベースとアースとの間には、第1及び第2のダイオード5,6が、各々のアノードが第2のバイポーラトランジスタ2のベース側に位置するように直列接続されると共に、当該ベースには、エミッタ接地された第3のバイポーラトランジスタ3のコレクタが接続される一方、第3のバイポーラトランジスタ3のベースは、第1及び第2のダイオード5,6の段間に接続されており、第3のバイポーラトランジスタ3により周波数依存性が極めて小さなRF接地効果が得られるようになっている。
【選択図】図1
【解決手段】電力増幅用バイポーラトランジスタ1へベースバイアス電流をエミッタフォロワにより供給する第2のバイポーラトランジスタ2のベースとアースとの間には、第1及び第2のダイオード5,6が、各々のアノードが第2のバイポーラトランジスタ2のベース側に位置するように直列接続されると共に、当該ベースには、エミッタ接地された第3のバイポーラトランジスタ3のコレクタが接続される一方、第3のバイポーラトランジスタ3のベースは、第1及び第2のダイオード5,6の段間に接続されており、第3のバイポーラトランジスタ3により周波数依存性が極めて小さなRF接地効果が得られるようになっている。
【選択図】図1
Description
本発明は、バイポーラトランジスタを使用した電力増幅器に係り、特に、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)で構成された無線通信装置用の電力増幅器のさらなる小型化と共に線形出力特性の向上等を図ったものに関する。
近年、携帯電話や無線データ通信装置が一般家庭で大きく普及した理由の一つとして、無線通信装置の生産コスト削減及び小型化を挙げることができる。今後のさらなる普及、発展のため、これら携帯電話等の無線回路の構成に多く用いられているマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)についても、その他の部品同様、生産コストの削減、小型化をさらに進める必要がある。
また、近年のデータ通信量の増大により、直交振幅変調(QAM)に代表される多値変調が導入されつつあり、無線送信回路は変調精度を確保するため、平均送信出力を基点とした線形出力範囲が従来と比べてより高出力となるよう、すなわち、より大きな出力バックオフを有することが所望されている。
また、近年のデータ通信量の増大により、直交振幅変調(QAM)に代表される多値変調が導入されつつあり、無線送信回路は変調精度を確保するため、平均送信出力を基点とした線形出力範囲が従来と比べてより高出力となるよう、すなわち、より大きな出力バックオフを有することが所望されている。
このような要請に対して、小型で、かつ、線形出力特性を改善した電力増幅回路が種々提案されている。
図6には、そのような線形出力特性の改善を図った従来の電力増幅器の一回路構成が示されており、以下、同図を参照しつつ、この従来回路について説明する。
この電力増幅器は、AB級あるいはB級動作で用いられるもので、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bを中心に構成されたものとなっている。そして、この電力増幅器のベースバイアス回路は、バイポーラトランジスタ2Bと対地キャパシタ16を有してなるエミッタフォロワ部と、ダイオード5B,6B及び抵抗器11Bを有してなる温度補償部とから構成されたものとなっており、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電流IBE1Bを供給するようになっている。
図6には、そのような線形出力特性の改善を図った従来の電力増幅器の一回路構成が示されており、以下、同図を参照しつつ、この従来回路について説明する。
この電力増幅器は、AB級あるいはB級動作で用いられるもので、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bを中心に構成されたものとなっている。そして、この電力増幅器のベースバイアス回路は、バイポーラトランジスタ2Bと対地キャパシタ16を有してなるエミッタフォロワ部と、ダイオード5B,6B及び抵抗器11Bを有してなる温度補償部とから構成されたものとなっており、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電流IBE1Bを供給するようになっている。
また、この回路には、電力増幅回路の動作のオン、オフ制御のため、シャットダウン制御端子25Bが設けられており、当該端子25Bへの電圧印加の有無によってオン・オフ制御が可能となっている。なお、このシャットダウン制御端子25Bとバイポーラトランジスタ2Bのコレクタが接続されるコレクタ端子24Bとは、必要に応じて相互に接続されて用いられることもある。なお、この場合、シャットダウン制御端子25Bへの印加電圧にバイポーラトランジスタ2Bのコレクタから漏洩する無線周波数(RF)信号が重畳され、回路動作に悪影響を与える可能性があるために、必要に応じてRF接地回路がシャットダウン制御端子25Bとコレクタ端子24B間に接続されて用いられる。
かかる構成における回路動作を説明すれば、まず、一般に、AB級あるいはB級電力増幅器は、信号入力端子21Bから入力されるRF信号の増大に伴って、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電流IBE1Bも増加する動作特性を有している。
ベース・エミッタ間電流IBE1Bの増加は、入力されるRF信号の増大に伴って電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1Bの電圧振幅が増大する結果、電圧振幅最小値がベース・エミッタ間ダイオードをオフさせる領域まで達することにより、IBE1Bの電流振幅特性が上下非対称となることに起因するものである。
ベース・エミッタ間電流IBE1Bの増加は、入力されるRF信号の増大に伴って電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1Bの電圧振幅が増大する結果、電圧振幅最小値がベース・エミッタ間ダイオードをオフさせる領域まで達することにより、IBE1Bの電流振幅特性が上下非対称となることに起因するものである。
このため、エミッタフォロワ部を構成するバイポーラトランジスタ2Bは、IBE1Bの増加に対応して、そのコレクタ・エミッタ間電流ICE2B及びベース・エミッタ間電流IBE2Bを増加させようとする。このICE2B 及びIBE2Bの増加、すなわち、換言すれば、ベースバイアス回路供給電流の増加には、バイポーラトランジスタ2Bのベース・エミッタ間電圧VBE2Bの上昇が必要となる。なお、この場合、シャットダウン制御端子25Bへの印加電圧は、入力されるRF信号の増大に対して常に一定であるとする。
ここで、この場合のエミッタフォロワ部を構成するバイポーラトランジスタ2Bの動作に着目し、特に、直流動作と、RF動作について見てみる。
最初に、直流動作について見ると、上述したVBE2Bの上昇のためには、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1Bの降下が必要となり、それに対応するべく電力増幅用バイポーラトランジスタ1BのIBE1Bが減少し、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bの動作点が降下する。
これは、入力されるRF信号の増大に伴うベースバイアス回路供給電流の増加が制限されることを意味しており、その結果、線形出力特性の劣化が予想される。
最初に、直流動作について見ると、上述したVBE2Bの上昇のためには、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1Bの降下が必要となり、それに対応するべく電力増幅用バイポーラトランジスタ1BのIBE1Bが減少し、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bの動作点が降下する。
これは、入力されるRF信号の増大に伴うベースバイアス回路供給電流の増加が制限されることを意味しており、その結果、線形出力特性の劣化が予想される。
次に、RF動作について見ると、エミッタフォロワ部のバイポーラトランジスタ2Bのベースは、対地キャパシタ16によってRF接地され、そのエミッタには信号入力端子21Bから入力されるRF信号が印加される。したがって、バイポーラトランジスタ2Bのベース・エミッタ間電圧VBE2Bも、電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1B同様に、入力されるRF信号の増大に伴って電圧振幅が増大することとなる。このとき、エミッタフォロワ部のバイポーラトランジスタ2Bのエミッタ面積及び動作点を適切に設定することにより、ベースバイアス回路供給電流と電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電流IBE1BのRF特性を一致させることができる。この結果、直流動作で述べたような電力増幅用バイポーラトランジスタ1Bのベース・エミッタ間電圧VBE1Bの降下は発生せず、結局、先に述べたような線形出力特性劣化が防止されることとなる。
このように、この従来回路において、対地キャパシタ16は、線形出力特性の良否を決定する重要な要素であり、一方、温度補償部の対地2段直列のダイオード5B,6Bの安定動作のためにも充分なRF接地効果を確保する必要がある。なお、ベースバイアス回路内部の電圧は、0.01V単位の時間平均電圧の変動でもエミッタフォロワ出力電流に大きな影響を与える。
上述のような従来回路については、非特許文献1などにおいて公知となっている。
上述のような従来回路については、非特許文献1などにおいて公知となっている。
Youn Sub Noh and Chul Soon Park,「PCS/W-CDMA Dual-Band MMIC Power Amplifier With a Newly Proposed Liniearizing Bias Circuit」,IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUIT,2002年9月,Vol.37、No.9、p.1096-1099
しかしながら、上記従来回路においては、対地キャパシタによるRF接地効果に周波数依存性があるため、例えば、携帯電話などで使用される800MHz帯などの比較的低い周波数でRF接地効果を得るために必要な容量値が大きくなり、チップ面積が増加する問題があった。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、比較的低い周波数においてもRF接地効果を保持し、かつ、チップ面積を増加させることのない電力増幅器を提供するものである。
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、比較的低い周波数においてもRF接地効果を保持し、かつ、チップ面積を増加させることのない電力増幅器を提供するものである。
上記本発明の目的を達成するため、本発明に係る電力増幅器は、
電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタを有し、当該第1のバイポーラトランジスタが第2のバイポーラトランジスタを用いたエミッタフォロワ回路の出力によってベースバイアス電流の供給を受けて増幅動作がなされるよう構成されてなる電力増幅器であって、
前記第2のバイポーラトランジスタのコレクタにはコレクタ端子が接続される一方、前記第2のバイポーラトランジスタのベースは、第1の抵抗器を介して外部からの制御電圧が印加される制御端子に接続され、
前記第2のバイポーラトランジスタのベースとアースとの間には、第1及び第2のダイオードが、各々のアノードが前記第2のバイポーラトランジスタのベース側に位置するように直列接続されて設けられると共に、第2のバイポーラトランジスタのベースには、エミッタ接地された第3のバイポーラトランジスタのコレクタが接続され、当該第3のバイポーラトランジスタのベースは前記第1及び第2のダイオードの段間に接続されてなるものである。
上記構成において、前記第2のバイポーラトランジスタのベースと前記第1の抵抗器との間に、第2の抵抗器を接続し、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器との間に、前記第3のバイポーラトランジスタのコレクタ及び前記第1のダイオードのアノードを接続しても好適である。
また、電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタは、第3の抵抗器を介してベースバイアス電流が供給される構成としても好適である。
また、第2のバイポーラトランジスタのコレクタとアースとの間に第1のキャパシタを接続した構成としても好適である。
さらに、第2のバイポーラトランジスタのコレクタとコレクタ端子との間に第4の抵抗器を接続した構成としても好適である。
またさらに、制御端子とコレクタ端子とを接続した構成としてもよい。
電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタを有し、当該第1のバイポーラトランジスタが第2のバイポーラトランジスタを用いたエミッタフォロワ回路の出力によってベースバイアス電流の供給を受けて増幅動作がなされるよう構成されてなる電力増幅器であって、
前記第2のバイポーラトランジスタのコレクタにはコレクタ端子が接続される一方、前記第2のバイポーラトランジスタのベースは、第1の抵抗器を介して外部からの制御電圧が印加される制御端子に接続され、
前記第2のバイポーラトランジスタのベースとアースとの間には、第1及び第2のダイオードが、各々のアノードが前記第2のバイポーラトランジスタのベース側に位置するように直列接続されて設けられると共に、第2のバイポーラトランジスタのベースには、エミッタ接地された第3のバイポーラトランジスタのコレクタが接続され、当該第3のバイポーラトランジスタのベースは前記第1及び第2のダイオードの段間に接続されてなるものである。
上記構成において、前記第2のバイポーラトランジスタのベースと前記第1の抵抗器との間に、第2の抵抗器を接続し、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器との間に、前記第3のバイポーラトランジスタのコレクタ及び前記第1のダイオードのアノードを接続しても好適である。
また、電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタは、第3の抵抗器を介してベースバイアス電流が供給される構成としても好適である。
また、第2のバイポーラトランジスタのコレクタとアースとの間に第1のキャパシタを接続した構成としても好適である。
さらに、第2のバイポーラトランジスタのコレクタとコレクタ端子との間に第4の抵抗器を接続した構成としても好適である。
またさらに、制御端子とコレクタ端子とを接続した構成としてもよい。
本発明によれば、RF接地素子を従来の容量性から抵抗性のものに代えて回路構成したので、従来のような周波数依存性がなくなり、そのため、従来と異なり、無線通信装置などにおける比較的低い周波数帯、例えば、800MHz帯などにおいてもチップ面積を増加させることなく、十分なRF接地効果を得ることができ、ひいては安定した線形出力特性の電力増幅器を提供することができるという効果を奏するものである。
以下、本発明の実施の形態について、図1乃至図5を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における電力増幅器の第1の構成例について、図1を参照しつつ説明する。
この電力増幅器は、電力増幅用バイポーラトランジスタ(第1のバイポーラトランジスタ)1を有すると共に、第2のバイポーラトランジスタ2を中心としてなるベースバイアス回路が設けられて構成されたものとなっている。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における電力増幅器の第1の構成例について、図1を参照しつつ説明する。
この電力増幅器は、電力増幅用バイポーラトランジスタ(第1のバイポーラトランジスタ)1を有すると共に、第2のバイポーラトランジスタ2を中心としてなるベースバイアス回路が設けられて構成されたものとなっている。
以下、具体的な接続について説明すれば、まず、電力増幅用バイポーラトランジスタ1は、NPN型トランジスタが用いられており、そのベースは信号入力端子21に接続される一方、コレクタは信号出力端子22に接続されると共に、第1のコレクタ端子23にも接続されたものとなっている。そして、電力増幅用バイポーラトランジスタ1のエミッタは、接地されている。
この電力増幅用バイポーラトランジスタ1のベース電流供給のため、NPN型の第2のバイポーラトランジスタ2を中心にベース電流供給手段としてのベースバイアス回路が次述するように構成されたものとなっている。
すなわち、第2のバイポーラトランジスタ2は、そのエミッタが電力増幅用バイポーラトランジスタ1のベースに接続される一方、コレクタは第2のコレクタ端子24に接続されており、さらに、ベースは、第1の抵抗器11を介してシャットダウン制御端子25に接続されている。本発明の実施の形態において、第2のバイポーラトランジスタ2はエミッタフォロワ回路を構成したものとなっている。
なお、第1及び第2のコレクタ端子23,24には、外部から電源電圧が印加されるようになっている。また、シャットダウン制御端子25は、その印加電圧によって電力増幅器のオン、オフ制御に用いられるようになっている。
すなわち、第2のバイポーラトランジスタ2は、そのエミッタが電力増幅用バイポーラトランジスタ1のベースに接続される一方、コレクタは第2のコレクタ端子24に接続されており、さらに、ベースは、第1の抵抗器11を介してシャットダウン制御端子25に接続されている。本発明の実施の形態において、第2のバイポーラトランジスタ2はエミッタフォロワ回路を構成したものとなっている。
なお、第1及び第2のコレクタ端子23,24には、外部から電源電圧が印加されるようになっている。また、シャットダウン制御端子25は、その印加電圧によって電力増幅器のオン、オフ制御に用いられるようになっている。
また、第2のバイポーラトランジスタ2のベースとアースとの間には、ベースバイアスの温度補償のため、第1及び第2のダイオード5,6が、各々のアノードがベース側となるように直列接続されて設けられている。
そして、NPN型の第3のバイポーラトランジスタ3が、そのコレクタと第2のバイポーラトランジスタ2のベースとが接続される一方、エミッタが接地されると共に、ベースが第1及び第2のダイオード5,6の相互の接続点に接続されて設けられている。
なお、上述の回路は、例えば、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)にしたものなどが好適である。
そして、NPN型の第3のバイポーラトランジスタ3が、そのコレクタと第2のバイポーラトランジスタ2のベースとが接続される一方、エミッタが接地されると共に、ベースが第1及び第2のダイオード5,6の相互の接続点に接続されて設けられている。
なお、上述の回路は、例えば、マイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)にしたものなどが好適である。
次に、かかる構成における電力増幅器の動作について説明する。
なお、電力増幅器としての全体的な増幅動作は、従来回路と基本的に同様であるので、特に、第2のバイポーラトランジスタ2のベースに対地キャパシタが接続された従来回路(図6参照)と異なる点を中心に説明することとする。
まず、本発明の実施の形態において、第3のバイポーラトランジスタ3のベースには、第1及び第2のダイオード5,6の段間電圧が印加されることとなり、その大きさは、第2のバイポーラトランジスタ2のベース電圧の約1/2である。
なお、電力増幅器としての全体的な増幅動作は、従来回路と基本的に同様であるので、特に、第2のバイポーラトランジスタ2のベースに対地キャパシタが接続された従来回路(図6参照)と異なる点を中心に説明することとする。
まず、本発明の実施の形態において、第3のバイポーラトランジスタ3のベースには、第1及び第2のダイオード5,6の段間電圧が印加されることとなり、その大きさは、第2のバイポーラトランジスタ2のベース電圧の約1/2である。
この電力増幅器において、電力増幅用バイポーラトランジスタ1のベース・エミッタ間電圧VBE1と第2のバイポーラトランジスタ2のベース・エミッタ間電圧VBE2は、共に各々のトランジスタがAB級あるいはB級で動作するように設定されているため、第3のバイポーラトランジスタ3のベース・エミッタ間電圧VBE3も同様に、AB級あるいはB級で動作するよう設定されることとなる。
また、第3のバイポーラトランジスタ3のエミッタ面積は、電力増幅用バイポーラトランジスタ1のエミッタ面積に比して充分小さくても有効である。したがって、第3のバイポーラトランジスタ3のベース・エミッタ間電流IBE3及びコレクタ・エミッタ間電流ICE3は、電力増幅器全体の消費電力に比して無視できる程度の電流量となる。
また、第3のバイポーラトランジスタ3のエミッタ面積は、電力増幅用バイポーラトランジスタ1のエミッタ面積に比して充分小さくても有効である。したがって、第3のバイポーラトランジスタ3のベース・エミッタ間電流IBE3及びコレクタ・エミッタ間電流ICE3は、電力増幅器全体の消費電力に比して無視できる程度の電流量となる。
さらに、第3のバイポーラトランジスタ3のコレクタインピーダンスは、バイポーラトランジスタ内部のコレクタ抵抗とエミッタ抵抗からなり、図6に示された従来回路における対地キャパシタ16と同様にRF接地効果を有する。
図4には、本発明の実施の形態における第3のバイポーラトランジスタ3のRF接地効果を従来回路と比較するため、RF接地回路のRF通過特性SパラメータS21の計算結果が示されており、以下、同図について説明する。
まず、この図4の特性線図は、本発明の実施の形態の電力増幅器におけるRF接地効果を従来回路と比較するために、特に、図3(a)及び図3(b)に示された回路について周波数変化に対するSパラメータS21を計算した結果である。
まず、この図4の特性線図は、本発明の実施の形態の電力増幅器におけるRF接地効果を従来回路と比較するために、特に、図3(a)及び図3(b)に示された回路について周波数変化に対するSパラメータS21を計算した結果である。
すなわち、図3(a)は、従来回路におけるRF接地回路部分を、また、図3(b)は、本発明の実施の形態の電力増幅器におけるRF接地回路部分を、それぞれ構成したものである。なお、それぞれの構成要素の符号は、図3(a)については、図6に示された従来回路における対応する構成要素と同一の符号とし、また、図3(b)については、図1に示された構成例における対応する構成要素と同一の符号を付したものとなっている。
それぞれの構成については、既に述べた通りであるので、再度の詳細な説明は省略することとする。
それぞれの構成については、既に述べた通りであるので、再度の詳細な説明は省略することとする。
なお、図4におけるSパラメータS21は、図3に示された回路において、第3のトランジスタ3のエミッタ面積を2.6μm×10μmであるとし、また、対地キャパシタ16の容量値C16を、0.5pF、1.0pF及び3.0pFにそれぞれ設定した場合について算出を行ったものである。
ここで、第3のバイポーラトランジスタ3と対地キャパシタ16のチップ面積を比較して見ると、例えば、第3のバイポーラトランジスタ3を30μm×40μmのチップ面積とした場合、対地キャパシタ16は、容量値C16=0.5pFで36μm×40μmとなり、両者ほぼ同等のチップ面積となる。
ここで、第3のバイポーラトランジスタ3と対地キャパシタ16のチップ面積を比較して見ると、例えば、第3のバイポーラトランジスタ3を30μm×40μmのチップ面積とした場合、対地キャパシタ16は、容量値C16=0.5pFで36μm×40μmとなり、両者ほぼ同等のチップ面積となる。
図4において、横軸は周波数であり、縦軸はSパラメータS21の値であり、SパラメータS21は、その値が小さいほどRF減衰量が大、すなわち、RF接地効果が大きいことを意味する。
また、同図において、実線の特性線は、本発明の実施の形態におけるRF接地回路である図3(b)の特性を示している。
さらに、従来のRF接地回路の特性は、対地キャパシタ16の容量値C16=0.5pFの場合を二点鎖線で、容量値C16=1.0pFの場合を一点鎖線で、容量値C16=3.0pFの場合を点線で、それぞれ示されている。
また、同図において、実線の特性線は、本発明の実施の形態におけるRF接地回路である図3(b)の特性を示している。
さらに、従来のRF接地回路の特性は、対地キャパシタ16の容量値C16=0.5pFの場合を二点鎖線で、容量値C16=1.0pFの場合を一点鎖線で、容量値C16=3.0pFの場合を点線で、それぞれ示されている。
この図4によれば、第3のバイポーラトランジスタ3のRF接地効果は、周波数5GHzで対地キャパシタ16の0.5pF相当、2.6GHzで1.0pF相当、900MHzで3.0pF相当のRF接地効果を発揮することが確認できる。したがって、携帯電話で使用される800MHzなどの比較的低い周波数は、対地キャパシタ16の代替えとしての第3のバイポーラトランジスタ3を用いることができ、それによって集積回路化におけるチップ面積が確実に削減されることとなる。
次に、第2の構成例について図2を参照しつつ説明する。なお、図1に示された構成例における構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付してその詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明する。
この第2の構成例においては、まず、第2のバイポーラトランジスタ2の発振防止のために、そのベースと第1の抵抗器11のベース側の端部との間に、第2の抵抗器12が直列接続されて設けられている。
この第2の構成例においては、まず、第2のバイポーラトランジスタ2の発振防止のために、そのベースと第1の抵抗器11のベース側の端部との間に、第2の抵抗器12が直列接続されて設けられている。
また、第2のバイポーラトランジスタ2のエミッタと電力増幅用バイポーラトランジスタ1との間には、第3の抵抗器13が直列接続されて設けられており、かかる第3の抵抗器13を介して電力増幅用バイポーラトランジスタ1のベース・エミッタ間電流IBE1が供給されることにより、電力増幅用バイポーラトランジスタ1の熱暴走の抑圧がなされるようになっている。
この第3の抵抗器13は、さらに、第2のバイポーラトランジスタ2のエミッタへ流入するRF信号量も制限する機能を果たすため、第2のバイポーラトランジスタ2のRF動作を調整する役割を果たすものとなっている。
この第3の抵抗器13は、さらに、第2のバイポーラトランジスタ2のエミッタへ流入するRF信号量も制限する機能を果たすため、第2のバイポーラトランジスタ2のRF動作を調整する役割を果たすものとなっている。
さらに、第2のバイポーラトランジスタ2のコレクタは、第4の抵抗器14を介してシャットダウン制御端子25に接続されると共に、コレクタとアースとの間には、対地キャパシタとしての第1のキャパシタ15が接続されている。
第2のバイポーラトランジスタ2のコレクタをシャットダウン制御端子25へ接続する構成とした場合、第2のバイポーラトランジスタ2のコレクタからシャットダウン制御端子25へのRF信号の漏洩が生ずるため、その影響を低減する観点から、第1のキャパシタ15は、RF接地回路としての役割を果たすものとなっている。また、第1のキャパシタ15は、同時に、電力増幅器を多段に接続構成し、各々のシャットダウン制御端子を一つに束ねた場合に、一方の電力増幅器から他方の電力増幅器へシャットダウン制御端子を経由したRF信号の漏洩を低減する機能も果たすものとなっている。
第2のバイポーラトランジスタ2のコレクタをシャットダウン制御端子25へ接続する構成とした場合、第2のバイポーラトランジスタ2のコレクタからシャットダウン制御端子25へのRF信号の漏洩が生ずるため、その影響を低減する観点から、第1のキャパシタ15は、RF接地回路としての役割を果たすものとなっている。また、第1のキャパシタ15は、同時に、電力増幅器を多段に接続構成し、各々のシャットダウン制御端子を一つに束ねた場合に、一方の電力増幅器から他方の電力増幅器へシャットダウン制御端子を経由したRF信号の漏洩を低減する機能も果たすものとなっている。
また、第4の抵抗器14は、第2のバイポーラトランジスタ2の発振防止の役割を果たし、第2のバイポーラトランジスタ2には、この第4の抵抗器14を介して電圧が印加されることとなる。
図5には、図2に示された構成例における第1のダイオード5のアノードのインピーダンス変化と、図2に示された構成例において、第3のバイポーラトランジスタ3に代えて、従来と同様に第2のバイポーラトランジスタ2とアースとの間に対地キャパシタ16を用いた場合における第1のダイオード5のインピーダンス変化の計算結果がスミスチャートで示されている。以下、同図について説明する。
まず、図5の計算結果を得るにあたり従来回路の対地キャパシタ16の容量値は0.5pFとした。また、周波数の範囲は、10MHz乃至6GHzである。
図5において、図2の構成例における第1のダイオード5のアノードのインピーダンス変化は、符号(b)が付された近傍の太目の実線により、また、対地キャパシタ16を用いた場合の第1のダイオード5のアノードのインピーダンス変化は、符号(a)が付された点線により、それぞれ示されている。
同図によれば、本発明の実施形態における回路は、低周波インピーダンスが従来回路に比して充分低く、RF接地効果に優れていることが確認できる。
図5において、図2の構成例における第1のダイオード5のアノードのインピーダンス変化は、符号(b)が付された近傍の太目の実線により、また、対地キャパシタ16を用いた場合の第1のダイオード5のアノードのインピーダンス変化は、符号(a)が付された点線により、それぞれ示されている。
同図によれば、本発明の実施形態における回路は、低周波インピーダンスが従来回路に比して充分低く、RF接地効果に優れていることが確認できる。
なお、図2に示された構成例においては、図1に示された構成に対して、第2の抵抗器12乃至第4の抵抗器14、及び、第1のキャパシタ15を付加した構成としたが、これらの構成要素は、全て同時に付加されなければならないものではなく、いずれか一つ、又は、任意の複数の構成要素を付加するような構成としても勿論よいものである。
1…電力増幅用バイポーラトランジスタ
2…第2のバイポーラトランジスタ
3…第3のバイポーラトランジスタ
5…第1のダイオード
6…第2のダイオード
15…第1のキャパシタ
21…信号入力端子
22…信号出力端子
25…シャットダウン制御端子
2…第2のバイポーラトランジスタ
3…第3のバイポーラトランジスタ
5…第1のダイオード
6…第2のダイオード
15…第1のキャパシタ
21…信号入力端子
22…信号出力端子
25…シャットダウン制御端子
Claims (6)
- 電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタを有し、当該第1のバイポーラトランジスタが第2のバイポーラトランジスタを用いたエミッタフォロワ回路の出力によってベースバイアス電流の供給を受けて増幅動作がなされるよう構成されてなる電力増幅器であって、
前記第2のバイポーラトランジスタのコレクタにはコレクタ端子が接続される一方、前記第2のバイポーラトランジスタのベースは、第1の抵抗器を介して外部からの制御電圧が印加される制御端子に接続され、
前記第2のバイポーラトランジスタのベースとアースとの間には、第1及び第2のダイオードが、各々のアノードが前記第2のバイポーラトランジスタのベース側に位置するように直列接続されて設けられると共に、第2のバイポーラトランジスタのベースには、エミッタ接地された第3のバイポーラトランジスタのコレクタが接続され、当該第3のバイポーラトランジスタのベースは前記第1及び第2のダイオードの段間に接続されてなることを特徴とする電力増幅器。 - 前記第2のバイポーラトランジスタのベースと前記第1の抵抗器との間に、第2の抵抗器を接続し、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器との間に、前記第3のバイポーラトランジスタのコレクタ及び前記第1のダイオードのアノードを接続したことを特徴とする請求項1記載の電力増幅器。
- 前記電力増幅用の第1のバイポーラトランジスタは、第3の抵抗器を介してベースバイアス電流が供給されることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電力増幅器。
- 前記第2のバイポーラトランジスタのコレクタとアースとの間に第1のキャパシタを接続したことを特徴とする請求項1乃至請求項3いずれか記載の電力増幅器。
- 前記第2のバイポーラトランジスタのコレクタとコレクタ端子との間に第4の抵抗器を接続したことを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれか記載の電力増幅器。
- 前記制御端子と前記コレクタ端子とを接続したことを特徴とする請求項1乃至請求項5いずれか記載の電力増幅器。
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