JP2008017453A - 高周波増幅回路及びそれを用いた移動体通信端末 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】バイアス回路12を、入力されるベース電流に応じたバイアス電流を増幅器11に供給するトランジスタQ5と、基準電圧Vrefに応じた電流を流すトランジスタQ3と、トランジスタQ3に流れる電流に応じて、トランジスタQ5のベース電流を補正することにより、トランジスタQ5の温度特性を補償するトランジスタQ2と、トランジスタQ5のベースに接続され、制御電圧VSWの切り替えに応じてトランジスタQ5のベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部(トランジスタQ4及び抵抗R5〜R7)とで構成する。増幅器11は、バイアス回路12から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する。
【選択図】図2
Description
図23は、従来の携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図である。図23において、従来の携帯電話端末の無線部は、送信部200、受信部400、シンセサイザ部300、及び共用器500で構成される。送信部200は、変調器201と、高周波増幅回路202と、バンドパスフィルタ203と、高出力高周波増幅回路204と、アイソレータ205とを備える。共用器500は、アンテナ501と、デュプレクサ502とを備える。受信部400は、高周波増幅回路401と、バンドパスフィルタ402及び404と、復調器403とを備える。シンセサイザ部300は、温度制御水晶発振器(TCXO)301と、フェーズロックドループ回路(PLL)302と、電圧制御発振器(VCO)303とを備える。
近年、移動体通信端末の高周波回路ブロックで使用される高出力高周波増幅回路では、電界効果トランジスタ(FET)に代わって、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)を用いるようになってきている。HBTを用いれば、ディプレッション形のFETと異なりゲートバイアス用の負電圧を必要としないため、正電圧の電源だけで増幅動作が可能であり周辺回路を簡素化することができる、という利点がある。しかしながら、温度依存性や電源電圧依存性を補償するためのバイアス回路が必要となることが、HBT利用の欠点としてあげられる。従って、このバイアス回路の設計が、安定な特性を得るための重要なポイントとなっている。
従来の高周波増幅回路としては、例えば図24に示す増幅器100が存在する(特許文献1を参照)。図24において、増幅器100は、バイアス回路102と、基準電圧供給部103と、トランジスタQ101とを備える。バイアス回路102は、抵抗R102及びR103と、トランジスタQ102〜Q104とで構成される。基準電圧供給部103は、抵抗R101からなる。
第1の課題は、電源電圧Vdc用と基準電圧Vref用とに、複数の高精度電源を準備しなければならないということである。
その理由は、増幅器100が高電力出力時に基準電圧Vrefの値が変動すると、トランジスタQ104から流れ出す電流、すなわちトランジスタQ101のベース電流が変動し、トランジスタQ101の動作電流が大きく変動してしまうからである。また、増幅器100が低電力出力時に電源電圧Vdcの値が変動すると、トランジスタQ101のベース電流が変動し、トランジスタQ101の動作電流が大きく変動してしまうからである。さらに、電圧回路によりレギュレータされた電源を、切替電圧Vmod用と電源電圧Vdc用とに、複数個準備する必要があるため回路規模が増大してしまうという問題もある。
その理由は、移動体通信端末において、高電力出力動作と低電力出力動作との切り替えを行う制御論理が、増幅器100で定義された論理と異なる場合(高電力出力動作:基準電圧Vref=2.7V、低電力出力動作:基準電圧Vref=0V)、制御回路に制御信号を反転させる論理回路を追加しなければならず、回路規模が増大してしまう。
その理由は、高電力出力動作時と低電力出力動作時とで、トランジスタQ101のコレクタを流れる電流が変化するためである。一般的に、トランジスタを用いた高周波増幅回路では、動作電流の増加に伴って電力利得が増加する。そのため、それぞれの動作時で電力利得が異なってしまい、移動体通信端末の高周波回路ブロックにおいて、制御パラメータが増加し、制御回路が複雑化してしまう。
上記構成1〜構成3のバイアス切り替え部は、ベースに制御電圧又は電源電圧に基づいた電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、構成1及び構成3ではバイアス供給用トランジスタのベース電流量を減少させ、構成2ではバイアス供給用トランジスタのベース電流量を増加させることが好ましい。さらに、制御信号が電源電圧である場合には、ベースに基準電圧が印加され、コレクタに電源電圧が印加され、エミッタがバイアス切り替え用トランジスタのベースに接続される第2のバイアス切り替え用トランジスタを構成に含んでもよい。
また、バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成してもよい。さらに、制御電圧と高周波信号とが同一の端子から入力されてもよい。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る高周波増幅回路10の構成を示すブロック図である。図2は、高周波増幅回路10の増幅器11及びバイアス回路12の詳細な回路構成を示す図である。図3は、高周波増幅回路10を含む携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図である。
図1において、高周波増幅回路10は、増幅器11と、バイアス回路12と、整合回路13及び14とを備えている。整合回路13及び14は、入力信号に対してインピーダンス変換を行うインピーダンス整合回路である。バイアス回路12は、高周波増幅回路10のバイアス電流を制御するために与えられる制御信号に基づいて、増幅器11へ供給するバイアス電流を変化させる。この第1の実施形態では、外部の回路で生成された制御電圧VSWを制御信号として用いる。増幅器11は、整合回路13を通して入力される高周波信号を、バイアス回路12から供給されるバイアス電流に従って増幅し、増幅した高周波信号を整合回路14を通して出力する。これにより、増幅器11から出力される信号レベルを変化させることができる。
トランジスタQ2、Q3、及びQ5は、各ベース−エミッタ間にターン・オン電圧を超える電圧(約1.3V)が印加されるため、オン状態となる。よって、トランジスタQ1が動作する。また、トランジスタQ4は、ベース−エミッタ間の電圧が0Vとなり、オフ状態となる。このトランジスタQ4がオフ状態のとき、トランジスタQ5のベースに接続されている抵抗R6、トランジスタQ4、及び抵抗R7からなる回路は、無視することができる。また、トランジスタQ3は、基準電圧Vrefに応じた電流を流す。トランジスタQ2は、トランジスタQ3に流れる電流に応じて、トランジスタQ5からトランジスタQ1に供給されるバイアス電流を補正することにより、温度特性を補償する。トランジスタQ1のコレクタ電流は、トランジスタQ5のエミッタ電流により決定され、そのエミッタ電流は主に抵抗R2の値により決定される。また、基準電圧Vrefの値変動が想定される場合、その変動値に応じてトランジスタQ5のエミッタ電流の変動を抑えるように抵抗R3の値を決定する。
トランジスタQ2、Q3、及びQ5の動作は、上述した動作モード1と同じである。この動作モード2では、トランジスタQ4が、ベース−エミッタ間の電圧が3Vとなり、オン状態となる。よって、トランジスタQ5のベースに接続されている抵抗R6、トランジスタQ4、及び抵抗R7からなる回路が動作して、トランジスタQ5のベースに供給される電流の一部が、バイアス切り替え部(抵抗R6、R7、及びトランジスタQ4の回路)に流れることになる。結果、トランジスタQ5のベースに供給される電流は動作モード1よりも減少し、トランジスタQ1の動作電流も減少する。
図4は、高周波増幅回路10に与えられる制御電圧VSWと増幅用トランジスタのコレクタに流れる電流の関係を示した図である。図4に示すように、制御電圧VSWの変化により、増幅用トランジスタのコレクタに流れる電流が変化していることがわかる。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る高周波増幅回路20の増幅器11及びバイアス回路22の詳細な回路構成を示す図である。この第2の実施形態に係る高周波増幅回路20は、上記第1の実施形態に係る高周波増幅回路10のバイアス回路12をバイアス回路22に代えた構成である。よって、高周波増幅回路20の構成を示すブロック図は図1と同様であるので、図示及び説明を省略する。また、高周波増幅回路20を高出力高周波増幅回路124に用いた携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図は図3と同様であるので、図示及び説明を省略する。
以下、この接続構成によるバイアス回路22の動作を説明する。バイアス回路22の基本的な動作は、バイアス回路12と同様である。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る高周波増幅回路30の構成を示すブロック図である。図11は、高周波増幅回路30の増幅器11及びバイアス回路32の詳細な回路構成を示す図である。図12は、高周波増幅回路30を含む携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図である。
図10において、高周波増幅回路30は、増幅器11と、バイアス回路32と、整合回路13及び14とを備えている。バイアス回路32は、高周波増幅回路30のバイアス電流を制御するために与えられる制御信号に基づいて、増幅器11へ供給するバイアス電流を変化させる。この第3の実施形態では、増幅器11に供給される電源電圧Vccを制御信号として用いる。増幅器11は、整合回路13を通して入力される高周波信号を、バイアス回路32から供給されるバイアス電流に従って増幅し、増幅した高周波信号を整合回路14を通して出力する。これにより、増幅器11から出力される信号レベルを変化させることができる。なお、増幅器11、整合回路13、及び14の構成は、上記第1及び第2の実施形態と同様であるので、基本的な説明は省略する。
トランジスタQ2、Q3、及びQ5は、各ベース−エミッタ間にターン・オン電圧を超える電圧(約1.3V)が印加されるため、オン状態となる。よって、トランジスタQ1が動作する。この動作モード1では、トランジスタQ6のコレクタ電圧は、電源電圧Vccの1Vよりも低い電圧となる。そのため、トランジスタQ4は、ベース−エミッタ間の電圧がターン・オン電圧以下となり、オフ状態となる。このトランジスタQ4がオフ状態のとき、トランジスタQ5のベースに接続されている抵抗R6、トランジスタQ4、及び抵抗R7からなる回路は、無視することができる。
トランジスタQ2、Q3、及びQ5の動作は、上述した動作モード1と同じである。トランジスタQ4及びQ6は、各ベース−エミッタ間にターン・オン電圧を超える電圧(約1.3V)が印加されるため、オン状態となる。よって、トランジスタQ5のベースに接続されている抵抗R6、トランジスタQ4、及び抵抗R7からなる回路が動作して、トランジスタQ5のベースに供給される電流の一部が、バイアス切り替え部(抵抗R6、R7、及びトランジスタQ4の回路)に流れることになる。結果、トランジスタQ5のベースに供給される電流は動作モード1よりも減少し、トランジスタQ1の動作電流も減少する。
この第3の実施形態では、基準電圧Vrefを2.8Vに、電源電圧Vdcを3.6Vに、それぞれ設定した。抵抗R2〜R7の値は、第1の実施形態で説明した通りである。抵抗R8は、1kΩ〜10kΩ程度である。抵抗R9は、1kΩ〜100kΩ程度である。抵抗R10は、1Ω〜100kΩ程度である。
図14は、本発明の第4の実施形態に係る高周波増幅回路40の増幅器11及びバイアス回路42の詳細な回路構成を示す図である。この第4の実施形態に係る高周波増幅回路40は、上記第3の実施形態に係る高周波増幅回路30のバイアス回路32をバイアス回路42に代えた構成である。よって、高周波増幅回路40の構成を示すブロック図は図10と同様であるので、図示及び説明を省略する。また、高周波増幅回路40を高出力高周波増幅回路124に用いた携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図は図12と同様であるので、図示及び説明を省略する。
以下、この接続構成によるバイアス回路42の動作を説明する。バイアス回路42の基本的な動作は、バイアス回路32と同様である。
図16は、本発明の第5の実施形態に係る高周波増幅回路50の構成を示すブロック図である。図17は、高周波増幅回路50の増幅器11及びバイアス回路52の詳細な回路構成を示す図である。
この第5の実施形態に係る高周波増幅回路50は、上記第1の実施形態に係る高周波増幅回路10のバイアス回路12をバイアス回路52に代えた構成である。なお、高周波増幅回路50を高出力高周波増幅回路124に用いた携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図は図3と同様である。
以下、この接続構成によるバイアス回路52の動作を説明する。バイアス回路52の基本的な動作は、バイアス回路12及び22と同様である。
図19は、本発明の第6の実施形態に係る高周波増幅回路60の構成を示すブロック図である。図19で示すように、第6の実施形態に係る高周波増幅回路60は、上述した第1又は第2の実施形態に係る高周波増幅回路10又は20を、多段化した構成である。よって、高周波増幅回路60を構成する増幅器及びバイアス回路の基本構成は図2又は図8と同様であるので、図示及び説明を省略する。また、高周波増幅回路60を高出力高周波増幅回路124に用いた携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図は図3と同様であるので、図示及び説明を省略する。
整合回路13〜15は、入力信号に対してインピーダンス変換を行うインピーダンス整合回路である。バイアス回路12aは、制御電圧VSWに基づいて、増幅器11aへ供給するバイアス電流を変化させる。バイアス回路12bは、制御電圧VSWに基づいて、増幅器11bへ供給するバイアス電流を変化させる。増幅器11aは、整合回路13を通して入力される高周波信号を、バイアス回路12aから供給されるバイアス電流に従って増幅し、増幅した高周波信号を整合回路15を通して出力する。増幅器11bは、整合回路15を通して入力される高周波信号を、バイアス回路12bから供給されるバイアス電流に従って増幅し、増幅した高周波信号を整合回路14を通して出力する。これにより、増幅器11a及び11bから出力される信号レベルを変化させることができる。
しかし、一般的に、制御電圧VSWにより高周波増幅回路を流れるバイアス電流を変化させたとき、動作電流の変化に伴い電力利得も変化する。また、移動体通信端末の高周波回路ブロックにおいて、動作モードを切り替えた場合に高周波増幅回路の利得が変化すると、電力利得の補正テーブルのパラメータが増加して制御が複雑化する。そのため、各動作モード間の電力利得の差を低減する必要がある。第6の実施形態では、各動作モード間の電力利得の差を、次のように低減させている。
図20は、高周波増幅回路60における高周波信号の入出力電力の関係を示した図である。図21は、高周波増幅回路60から出力される高周波信号の電力と増幅用トランジスタのコレクタに流れる電流との関係を示した図である。この図20及び図21では、動作モード1及び動作モード2の電力特性を表している。
図22は、本発明の第7の実施形態に係る高周波増幅回路70の構成を示すブロック図である。図22で示すように、第7の実施形態に係る高周波増幅回路70は、上述した第3又は第4の実施形態に係る高周波増幅回路30又は40を、多段化した構成である。よって、高周波増幅回路70を構成する増幅器及びバイアス回路の基本構成は図11又は図14と同様であるので、図示及び説明を省略する。また、高周波増幅回路70を高出力高周波増幅回路124に用いた携帯電話端末の無線部の構成を示すブロック図は図12と同様であるので、図示及び説明を省略する。
また、バイアス回路及び増幅器に用いられる各トランジスタのベース−エミッタ間電圧は、略同一であることが望ましい。
さらに、第3及び第4の実施形態において、トランジスタQ6、抵抗R9、及び抵抗R10の構成を用いずに、トランジスタQ4のベースを抵抗R5を介して電源電圧Vccに接続する構成にしても、同様の制御が可能である。
11、11a、11b、100 増幅器
12、12a、12b、22、32、32a、32b、42、52、102 バイアス回路
13〜15 整合回路
103 基準電圧供給部
120、200 送信部
121、201 変調器
123、142、144、203、402、404 バンドパスフィルタ
125、205 アイソレータ
130、300 シンセサイザ部
131、301 温度制御水晶発振器(TCXO)
132、302 フェーズロックドループ(PLL)
133、303 電圧制御発振器(VCO)
140、400 受信部
143、403 復調器
150、500 共用器
151、501 アンテナ
152、502 デュプレクサ
160 制御信号出力部
170 送信制御回路
Q1〜Q7、Q101〜104 トランジスタ
R1〜R12、R101〜R103 抵抗
Claims (34)
- 高周波信号を増幅する高周波増幅回路であって、
制御信号の切り替えに応じて電流量を可変させたバイアス電流を生成するバイアス回路と、
前記バイアス回路から供給されるバイアス電流を用いて、入力される高周波信号を増幅する増幅器とを備える、高周波増幅回路。 - 前記バイアス回路は、
入力されるベース電流に応じたバイアス電流を前記増幅器に供給するバイアス供給用トランジスタと、
基準電圧に応じた電流を流す第1の温度補償用トランジスタと、
前記第1の温度補償用トランジスタに流れる電流に応じて、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流を補正することにより、前記バイアス供給用トランジスタの温度特性を補償する第2の温度補償用トランジスタと、
前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、前記制御信号の切り替えに応じて前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部とを備える、請求項1に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス回路は、
入力されるベース電流に応じたバイアス電流を前記増幅器に供給するバイアス供給用トランジスタと、
基準電圧に応じた電流を流す第1の温度補償用トランジスタと、
前記第1の温度補償用トランジスタに流れる電流に応じて、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流を補正することにより、前記バイアス供給用トランジスタの温度特性を補償する第2の温度補償用トランジスタと、
前記第2の温度補償用トランジスタのベースに接続され、前記制御信号の切り替えに応じて前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部とを備える、請求項1に記載の高周波増幅回路。 - 前記制御信号の切り替えに応じて電流量を可変させた第2のバイアス電流を生成する第2のバイアス回路と、
前記第2のバイアス回路から供給される第2のバイアス電流を用いて、前記増幅器で増幅された高周波信号を増幅する第2の増幅器とをさらに備え、
前記バイアス電流と前記第2のバイアス電流とが反比例の関係で変化することを特徴とする、請求項1に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス回路及び前記第2のバイアス回路は、それぞれ
入力されるベース電流に応じたバイアス電流又は第2のバイアス電流を前記増幅器又は前記第2の増幅器に供給するバイアス供給用トランジスタと、
基準電圧に応じた電流を流す第1の温度補償用トランジスタと、
前記第1の温度補償用トランジスタに流れる電流に応じて、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流を補正することにより、前記バイアス供給用トランジスタの温度特性を補償する第2の温度補償用トランジスタとを備え、
一方の回路が、前記バイアス供給用トランジスタのベースに接続され、前記制御信号の切り替えに応じて前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部を備え、
他方の回路が、前記第2の温度補償用トランジスタのベースに接続され、前記制御信号の切り替えに応じて前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を切り替えるバイアス切り替え部を備える、請求項4に記載の高周波増幅回路。 - 前記制御信号は、外部から与えられる制御電圧であることを特徴とする、請求項2に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号は、外部から与えられる制御電圧であることを特徴とする、請求項3に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号は、外部から与えられる制御電圧であることを特徴とする、請求項5に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号は、前記増幅器に供給される電源電圧であることを特徴とする、請求項2に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号は、前記増幅器に供給される電源電圧であることを特徴とする、請求項3に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号は、前記増幅器に供給される電源電圧であることを特徴とする、請求項5に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記制御電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を減少させることを特徴とする、請求項6に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記制御電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を増加させることを特徴とする、請求項7に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記制御電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を増加させることを特徴とする、請求項8に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記電源電圧に基づいた電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を減少させることを特徴とする、請求項9に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記電源電圧に基づいた電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を増加させることを特徴とする、請求項10に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、
ベースに前記電源電圧に基づいた電圧が印加されるバイアス切り替え用トランジスタと、
前記バイアス切り替え用トランジスタのコレクタ又はエミッタの少なくともいずれかに挿入される抵抗とで構成され、
前記バイアス切り替え用トランジスタが動作した時に、前記バイアス供給用トランジスタのベース電流量を増加させることを特徴とする、請求項11に記載の高周波増幅回路。 - 前記バイアス切り替え部は、ベースに前記基準電圧が印加され、コレクタに前記電源電圧が印加され、エミッタが前記バイアス切り替え用トランジスタのベースに接続される第2のバイアス切り替え用トランジスタをさらに構成に含むことを特徴とする、請求項15に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え部は、ベースに前記基準電圧が印加され、コレクタに前記電源電圧が印加され、エミッタが前記バイアス切り替え用トランジスタのベースに接続される第2のバイアス切り替え用トランジスタをさらに構成に含むことを特徴とする、請求項16に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え部は、ベースに前記基準電圧が印加され、コレクタに前記電源電圧が印加され、エミッタが前記バイアス切り替え用トランジスタのベースに接続される第2のバイアス切り替え用トランジスタをさらに構成に含むことを特徴とする、請求項17に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項12に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項13に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項14に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項15に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項16に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス回路に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧と、前記増幅器に用いられるトランジスタのベース−エミッタ間電圧とが、略同一であることを特徴とする、請求項17に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項12に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項13に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項14に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項15に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項16に記載の高周波増幅回路。
- 前記バイアス切り替え用トランジスタが電界効果トランジスタで構成されていることを特徴とする、請求項17に記載の高周波増幅回路。
- 前記制御信号と高周波信号とが同一の端子から入力されることを特徴とする、請求項1に記載の高周波増幅回路。
- シンセサイザ部、送信部、受信部、共用器、及び制御信号出力部を含む高周波回路ブロックを備えた移動体通信端末であって、
前記送信部は、
入力された変調信号を所定の送信周波数の送信信号に変換する変調器と、
前記変調器で変換された送信信号を増幅する可変利得の高周波増幅回路と、
前記高周波増幅回路で増幅された送信信号から所定帯域の信号を抽出するバンドパスフィルタと、
前記バンドパスフィルタで抽出された信号を増幅する請求項1に記載の固定利得の高周波増幅回路と、
前記固定利得の高周波増幅回路と前記共用器との間に設けられ、前記固定利得の高周波増幅回路から前記共用器に向けて一方向に信号を通過させるアイソレータとを含む、移動体通信端末。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011250126A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | トランスインピーダンスアンプ及び光レシーバ |
JP2012249231A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
CN111313842A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 三星电机株式会社 | 偏置电路以及放大器 |
JP2020178335A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | デュアル補償機能を有するバイアス回路及び増幅装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004236173A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Toshiba Corp | 電力増幅回路 |
US20050030105A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Temperature-insensitive bias circuit for high-power amplifiers |
JP2005101734A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 高出力増幅回路 |
JP2005244442A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅回路 |
-
2007
- 2007-05-17 JP JP2007131684A patent/JP2008017453A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004236173A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Toshiba Corp | 電力増幅回路 |
US20050030105A1 (en) * | 2003-08-08 | 2005-02-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Temperature-insensitive bias circuit for high-power amplifiers |
JP2005101734A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | 高出力増幅回路 |
JP2005244442A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波増幅回路 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011250126A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | トランスインピーダンスアンプ及び光レシーバ |
JP2012249231A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
CN111313842A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 三星电机株式会社 | 偏置电路以及放大器 |
CN111313842B (zh) * | 2018-12-11 | 2024-04-02 | 三星电机株式会社 | 偏置电路以及放大器 |
JP2020178335A (ja) * | 2019-04-18 | 2020-10-29 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | デュアル補償機能を有するバイアス回路及び増幅装置 |
JP7477074B2 (ja) | 2019-04-18 | 2024-05-01 | サムソン エレクトロ-メカニックス カンパニーリミテッド. | バイアス回路及び増幅装置 |
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