JP7469295B2 - 複合部材、及び放熱部材 - Google Patents
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Description
純マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを含む複合材料で構成される基板と、
前記基板の表面に設けられた被覆層とを備え、
前記被覆層は、
最表面に設けられた最表面層と、
前記最表面層の直下に設けられた中間層とを有し、
前記最表面層は、ニッケルとリンとを含み、
前記中間層は、銅を主成分とし、
前記中間層の厚みは、30μm以上である。
基板の耐食性に優れる上に、放熱性に優れる複合部材の開発が望まれている。
本開示に係る複合部材及び本開示に係る放熱部材は、基板の耐食性に優れる上に、放熱性に優れる。
本発明者らは、ニッケルで構成された最表面層と最表面層の直下に設けられて銅で構成された中間層とを有する上述の複合部材において、基板の耐食性について調べた。一般的に、ニッケルのイオン化傾向は銅のイオン化傾向よりも大きい。そのため、本発明者らは、塩水中などの腐食環境下において、次の結果が得られると考えていた。銅で構成される中間層ではなく、ニッケルで構成された最表面層が優先的に腐食する犠牲層となる。その結果、従来の複合部材は、中間層の腐食を抑制できて基板の腐食を抑制できる。
純マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを含む複合材料で構成される基板と、
前記基板の表面に設けられた被覆層とを備え、
前記被覆層は、
最表面に設けられた最表面層と、
前記最表面層の直下に設けられた中間層とを有し、
前記最表面層は、ニッケルとリンとを含み、
前記中間層は、銅を主成分とし、
前記中間層の厚みは、30μm以上である。
前記被覆層は、前記中間層の直下に設けられた内側層を有し、
前記内側層は、ニッケルとリンとを含むことが挙げられる。
前記中間層の厚みは、200μm以下であることが挙げられる。
上記(1)から上記(3)のいずれか一つに記載の複合部材で構成される。
本開示の実施形態の詳細を、以下に説明する。図中の同一符号は同一名称物を示す。
〔複合部材〕
実施形態1の複合部材1を、図1から図3を参照して説明する。本形態の複合部材1は、基板2と被覆層3とを備える。基板2は、純マグネシウム(Mg)又はMg合金とSiC(炭化ケイ素)とを含む複合材料で構成される。被覆層3は、基板2の表面に設けられている。本形態における複合部材1の特徴の一つは、被覆層3が最表面に設けられた特定の最表面層32と最表面層32の直下に設けられた特定の中間層31とを有する点にある(図3)。以下、各構成を詳細に説明する。図2は、図1の基板2上に示す破線の円で囲まれた領域を拡大して示す。図3は、図1の基板2と被覆層3との境界付近に示す破線の楕円で囲まれた領域を拡大して示す。
基板2は、金属20と非金属22とを含む複合材料で構成されている(図2)。基板2は、公知のものを利用できる。
金属20は、純Mg又はMg合金で構成されている。純Mgは、99.8質量%以上のMgを含み、残部が不可避的不純物からなる。Mg合金は、添加元素を含有し、残部がMg及び不可避的不純物からなる。添加元素は、例えば、Li(リチウム),Ag(銀),Ni(ニッケル),Ca(カルシウム),Al(アルミニウム),Zn(亜鉛),Mn(マンガン),Si(ケイ素),Cu(銅),Zr(ジルコニウム),Be(ベリリウム),Sr(ストロンチウム),Y(イットリウム),Sn(スズ),Ce(セリウム),及び希土類元素(Y,Ceを除く)からなる群より選択される少なくとも一種の元素が挙げられる。これらの元素の合計含有量は、Mg合金全体を100質量%とするとき、20質量%以下が好ましい。上記合計含有量が20質量%以下の基板2は、添加元素の含有量が多すぎないため、熱伝導率の低下を抑制できる。Mg合金は、公知の規格合金などを利用できる。金属20が純Mgで構成された基板2は、金属20がMg合金で構成された基板2に比較して、熱伝導率に優れる傾向にある。一方、金属20がMg合金で構成された基板2は、金属20が純Mgで構成された基板2に比較して、耐食性などに優れる傾向にある。
非金属22は、SiCで構成されている。SiCは、熱伝導率が高い。そのため、この基板2は、放熱部材に好適に利用できる。また、SiCは、Mgよりも熱膨張係数が小さい。そのため、この基板2は、例えば、半導体装置(図示略)の半導体素子や半導体素子が搭載される絶縁基板などの相手部材との熱膨張係数の整合性に優れる。よって、この基板2は、半導体素子などの放熱部材に好適である。
非金属22の存在状態は、代表的には、粉末形態やネットワーク形態が挙げられる。粉末形態は、金属20のマトリクス中に非金属22が粉末粒子として存在する。ネットワーク形態は、非金属22同士を結合するネットワーク部により連結され、非金属22の間に金属20が充填された形態をいう。基板2中の非金属22は、代表的には原料に用いた組成、形状、大きさなどが実質的に維持されて存在する。非金属22の存在状態は、原料にSiC粉末を用いれば、上記粉末形態となる。また、非金属22の存在状態は、原料に網目状のSiC多孔体などの成形体を用いれば、上記ネットワーク形態となる。
基板2中のSiCの含有量は、基板2を100体積%とするとき、50体積%以上が好ましい。SiCの含有量が50体積%以上であることで、熱伝導率が高くなり易い上に、熱膨張係数が小さくなり易い。基板2中のSiCの含有量が多いほど、基板2の熱伝導率が高くなり易い上に、基板2の熱膨張係数が小さくなり易い。基板2中のSiCの含有量は、更に60体積%以上が好ましく、特に65体積%以上が好ましい。基板2中のSiCの含有量は、例えば、90体積%以下が好ましい。その理由は、SiCの含有量が90体積%以下であることで、基板2の製造性に優れるからである。基板2中のSiCの含有量は、更に85体積%以下が好ましい。
基板2は、SiCに加えて、以下の非金属を含むことができる。非金属は、例えば、Si3N4、Si、MgO、Mg2Si、MgB2、Al2O3、AlN、SiO2、ダイヤモンド、及びグラファイトから選択される少なくとも1種が挙げられる。これらの非金属は、熱膨張係数がMgよりも小さく、熱伝導性に優れ、かつMgと反応し難い。
基板2の平面形状は、特に限定されず、複合部材1の用途に応じて適宜選択できる。基板2の平面形状は、代表的には、矩形状が挙げられる。その他、基板2の平面形状は、円形、楕円形、矩形以外の種々の多角形などが挙げられる。
基板2の厚みは、特に限定されず、複合部材1の用途に応じて適宜選択できる。複合部材1を例えば半導体素子などの放熱部材として用いる場合、基板2の厚みは、例えば、10mm以下が挙げられ、更には6mm以下が挙げられる。
被覆層3は、基板2の表面に設けられている(図1)。被覆層3の被覆領域は、複合部材1の用途に応じて適宜選択できる。複合部材1を半導体素子などの放熱部材に利用する場合、基板2の対向する一対の面のうち、一方の面は半導体素子が実装される実装面に利用される。他方の面は冷却装置に接触する冷却面として利用される。通常、上記実装面に半田が塗布される。そのため、被覆層3の被覆領域は、実装面の少なくとも半田が塗布される領域が挙げられる。被覆層3の被覆領域は、基板2の実装面の全域にわたる領域としてもよいし、基板2の実装面と冷却面の全域にわたる領域としてもよいし、基板2の表面の全域にわたる領域としてもよい。被覆層3は、本形態では基板2側から順に中間層31、最表面層32を有する二層構造である(図3)。図3の中間層31の厚み及び最表面層32の厚みは、模式的に示されたものであり、必ずしも実際の厚みに対応しているわけではない。
中間層31は、最表面層32の直下に設けられている。この中間層31は、本形態では基板2の直上に設けられている。
最表面層32は、被覆層3のうち最表面に設けられる。この最表面層32は、中間層31の直上に設けられている。最表面層32の組成は、NiとP(リン)とを含有する。Niを含む最表面層32は、半田とのなじみ性に優れるため、半田との密着性に優れる。そのため、最表面層32は、半田によって接合される半導体素子などの相手部材との密着性に優れる。また、Niに加えてPを含む最表面層32は、その直下に中間層31が設けられていても、腐食環境下でも優先的に腐食する犠牲層としての機能を有する。そのため、最表面層32は、中間層31の腐食を抑制できる。よって、最表面層32は、基板2の腐食を抑制できる。
本形態の複合部材1は、基板2の表面に基板2側から順に、中間層31、最表面層32を形成することで製造できる。基板2は、公知の溶浸法、加圧溶浸法、粉末冶金法、溶融法などにより製造することで用意してもよいし、市販品を購入するなどして用意してもよい。中間層31の形成は、ダイレクトプレーティングにより行える。ダイレクトプレーティングは、基板2に対して触媒を付着させて行う。触媒としては、例えば、パラジウムやカーボンが挙げられる。その他、中間層31は、無電解Cuめっき後に電気Cuめっきを行うことで形成できる。また、中間層31は、Cuをスパッタリングした後に電気Cuめっきを行うことで形成できる。最表面層32の形成は、めっき法などで行える。めっき法としては、電気めっき、無電解めっきなどが挙げられる。
本形態の複合部材1は、基板2の耐食性と放熱性とに優れる。そのため、本形態の複合部材1は、腐食環境下において使用される放熱部材に好適に利用できる。更に、本形態の複合部材1は、半田との密着性に優れる上に、半導体などとの熱膨張係数の整合性に優れる。そのため、本形態の複合部材1は、半田によって接合される半導体素子などの放熱部材に好適である。
〔複合部材〕
実施形態2の複合部材1を、図4を参照して説明する。本形態の複合部材1は、被覆層3が中間層31の直下に特定の内側層30を有する点が、実施形態1の複合部材1と相違する。即ち、被覆層3は、基板2側から順に、内側層30、中間層31、最表面層32を有する三層構造である。図4は、図3に示す断面図と同様の位置を拡大して示す断面図である。以下の説明は、実施形態1との相違点を中心に行う。実施形態1と同様の構成の説明は省略する。
(内側層)
内側層30は、中間層31の直下に設けられている。この内側層30は、本形態では基板2の直上に設けられている。
本形態の複合部材1は、基板2の表面に基板2側から順に、内側層30、中間層31、最表面層32を形成することで製造できる。基板2の準備は、上述の通りである。内側層30の形成は、上述した最表面層32の形成と同様、めっき法などで行える。中間層31及び最表面層32の形成は、上述の通りである。
本形態の複合部材1は、実施形態1の複合部材1と同様の効果を奏することができる。その上、本形態の複合部材1は、実施形態1の複合部材1に比較して、被覆層3が内側層30を有するため、基板2と被覆層3との密着性に優れる。
基板の表面に種々の被覆層を形成した複合部材を作製し、複合部材における基板の耐食性と、複合部材の熱膨張係数(ppm/K)及び熱伝導率(W/m・K)とを調べた。基板は、純MgとSiCとを含む複合材料からなるものを用いた。基板中のSiCの含有量は、70体積%とした。基板の厚みは5mmである。
試料No.1~No.4の複合部材は、基板の直上に基板側から順に、第一層、及び第二層を有する二層構造の被覆層を形成して作製した。即ち、第二層が最表面層である。また、第一層が最表面層の直下に設けられた層である。第一層は、実質的にCuのみで構成されるCuめっき層を形成した。第一層の形成は、ダイレクトプレーティングにより行った。ダイレクトプレーティングは、基板に付着させる触媒の粉末にパラジウムを用いて行った。その際、処理時間を種々変更して、第一層の厚みを異ならせた。第二層は、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層を形成した。第二層の形成は、無電解めっきにより行った。無電解めっきのめっき液は、奥野製薬工業株式会社製のトップニコロンLPH-LFを用いた。めっき液の温度は85℃とした。処理時間は15minとした。第二層におけるPの濃度は2質量%であった。Pの濃度は、上述したように、EDXにより求めた。
試料No.5,No.6の複合部材は、第二層のPの含有量を異ならせた点を除き、試料No.2と同様にして作製した。即ち、試料No.5,No.6の複合部材では、第二層が最表面層である。また、試料No.5,No.6の複合部材では、第一層が最表面層の直下に設けられた層である。試料No.5,No.6において、第二層の形成に用いた無電解めっきのめっき液の種類と、めっき液の温度と、処理時間とが、試料No.2と異なる。具体的には、試料No.5において、めっき液は、奥野製薬工業株式会社製のICPニコロンGM(NP)を用いた。めっき液の温度は80℃とした。処理時間は13minとした。試料No.6において、めっき液は、奥野製薬工業株式会社製のトップニコロンSA-98-LFを用いた。めっき液の温度は90℃とした。処理時間は13minとした。試料No.5の複合部材の第二層におけるPの濃度は6質量%であった。試料No.6の複合部材の第二層におけるPの濃度は11質量%であった。各第二層のPの濃度は、上述と同様、EDXにより求めた。
試料No.7~No.10の複合部材は、基板の直上に基板側から順に、第一層、第二層、及び第三層を有する三層構造の被覆層を形成して作製した。即ち、第三層が最表面層である。また、第二層が最表面層の直下に設けられた層である。更に、第一層が第二層の直下に設けられた層である。第一層と第三層はいずれも、試料No.1の第二層と同様にして、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層(Pの含有量が2質量%)を形成した。第一層と第三層とは、処理時間を変更して、厚みを異ならせた。第二層は、試料No.1などの第一層と同様にして、実質的にCuのみで構成されるCuめっき層を形成した。
試料No.101の複合部材は、第一層の厚みを異ならせた点を除き、試料No.1と同様にして作製した。試料No.101の複合部材では、第二層が最表面層である。また、試料No.101の複合部材では、第一層が最表面層の直下に設けられた層である。試料No.102の複合部材は、第二層の厚みを異ならせた点を除き、試料No.7と同様にして作製した。試料No.102の複合部材では、第三層が最表面層である。また、試料No.102の複合部材では、第二層が最表面層の直下に設けられた層である。更に、試料No.102の複合部材では、第一層が第二層の直下に設けられた層である。
試料No.103の複合部材は、基板の直上に基板側から順に、第一層、及び第二層を有する二層構造の被覆層を形成して作製した。即ち、第二層が最表面層である。また、第一層が最表面層の直下に設けられた層である。第一層は、実質的にZrからなる層を形成した。第一層の形成は、化成処理により行った。第二層は、試料No.1の第二層と同様にして、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層を形成した。
試料No.104の複合部材は、基板の直上に第一層のみからなる被覆層を形成して作製した。第一層は、試料No.1の第二層と同様にして、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層を形成した。
試料No.105の複合部材は、基板の直上に基板側から順に、第一層、及び第二層を有する二層構造の被覆層を形成して作製した。即ち、第二層が最表面層である。また、第一層が最表面層の直下に設けられた層である。第一層は、試料No.1の第二層と同様にして、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層を形成した。第二層は、Niめっき層を形成した。第二層の形成は、電気めっきにより行った。
試料No.106~No.110の複合部材は、基板の直上に基板側から順に、第一層、第二層、及び第三層を有する三層構造の被覆層を形成して作製した。即ち、第三層が最表面層である。また、第二層が最表面層の直下に設けられた層である。更に、第一層が第二層の直下に設けられた層である。第一層は、試料No.1の第二層と同様にして、実質的にNiとPのみで構成されるNi-Pめっき層を形成した。第二層は、試料No.1などの第一層と同様にして、実質的にCuのみで構成されるCuめっき層を形成した。第三層は、試料No.105の第二層と同様にして、Niめっき層を形成した。
各層の厚みは、次のようにして求めた。各試料にCP(Cross-section Polisher)加工を施して厚み方向の断面をとる。この断面において、走査型電子顕微鏡により10以上の観察視野をとる。各視野の倍率及び各視野のサイズは、同一視野内に、各層における厚み方向の全域が含まれるサイズとする。各観察視野において、厚み方向に沿った各層の長さを10箇所以上測定する。各層において、測定した全ての長さの平均値をとる。各平均値を各層の厚みとする。各層の厚みを表1に示す。
耐食性の評価は、塩水噴霧試験をJIS Z 2371(2015)に準拠して行い、孔食の発生時間と、168時間(hr)後の腐食状態とを調べることで行った。塩水噴霧試験は、5質量パーセント濃度の塩化ナトリウム水溶液を用いた。試験温度は、35℃とした。試験時間は、168hrとした。
熱膨張係数及び熱伝導率の測定は、各試料から測定用の試験片を切り出し、市販の測定器(NETZSCH JAPAN製 TMA4000SE)を用いて行った。熱伝導率は、室温(20℃程度)で測定した。熱膨張係数は、30℃~120℃の範囲について測定した平均値である。それら結果を表1に示す。
Claims (4)
- 純マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCとを含む複合材料で構成される基板と、
前記基板の表面に設けられた被覆層とを備え、
前記被覆層は、
最表面に設けられた最表面層と、
前記最表面層の直下に設けられた中間層とを有し、
前記最表面層は、ニッケルとリンとを含み、
前記最表面層における前記ニッケルの含有量は、前記最表面層の全構成元素を100質量%とするとき、98質量%以上99質量%以下であり、
前記最表面層における前記リンの含有量は、前記最表面層の全構成元素を100質量%とするとき、1質量%以上2質量%以下であり、
前記中間層は、銅を主成分とし、
前記中間層の厚みは、30μm以上であり、
前記最表面層は、前記中間層よりも優先的に腐食する犠牲層として作用する、
複合部材。 - 前記被覆層は、前記中間層の直下に設けられた内側層を有し、
前記内側層は、ニッケルとリンとを含む請求項1に記載の複合部材。 - 前記中間層の厚みは、200μm以下である請求項1又は請求項2に記載の複合部材。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の複合部材で構成される、
放熱部材。
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