JP7411702B2 - 半導体水溶性組成物およびその使用 - Google Patents
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Description
例えば特許文献1ではパーフルオロ界面活性剤をリソグラフィー用途に用いることで欠陥を減少させることが試みられている。
本発明は、上述のような技術背景に基づいてなされたものであり、半導体水溶性組成物を提供する。
式(I):
Chain1-X1-N--X2-Chain2 (I)
(式中、
X1は、-C(=O)-または-S(=O)2-であり、
X2は、-C(=O)-または-S(=O)2-であり、
Chain1は、直鎖または分岐の、C1-20アルキルであり、前記C1-20アルキルに存在する1以上のHがFに置換されており、Chain1に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されていてもよく、
Chain2は、直鎖または分岐の、C1-20アルキルであり、前記C1-20アルキルに存在する1以上のHがFに置換されており、Chain1に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されていてもよく、
ただし、Chain1とChain2とが結合されて、環構造が形成されていてもよい)で表される1価のアニオン部と、水素イオンを除く1価のカチオン部とを有する、1または複数の界面活性剤、および
水
を含んでなる。
「および/または」は、要素の全ての組み合わせを含み、また単体での使用も含む。
本明細書において、「~」または「―」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。例えば、5~25モル%は、5モル%以上25モル%以下を意味する。
本明細書において、「Cx~y」、「Cx~Cy」および「Cx」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、C1~6アルキルは、1以上6以下の炭素を有するアルキル鎖(メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等)を意味する。
本明細書において、ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。特に限定されて言及されない限り、これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。
本明細書において、特に限定されて言及されない限り、温度の単位は摂氏(Celsius)を使用する。例えば、20度とは摂氏20度を意味する。
本発明による半導体水溶性組成物(以下、組成物ということがある)は、(1)特定の界面活性剤および(2)水を含んでなるものである。
ここで、本発明における半導体水溶性組成物とは、半導体製造工程において使用される水溶性組成物を意味し、より好ましくはリソグラフィー工程で使用される。また、本発明において、「界面活性剤」とは、界面活性作用を有する化合物そのものをいう。界面活性作用を有する化合物が溶媒に溶解または分散されて、組成物に含有される場合もあるが、このような溶媒は「水またはその他の溶媒」として本半導体水溶性組成物に含有される。以降、詳述する。
ここで、レジストパターンは、レジスト膜を露光・現像したものだけではなく、他の層や膜をさらに被せることでレジストパターンを太らせたもの(例えば、スペース幅が更に微細化したもの)を含む。他の層や膜をさらに被せることで壁を太らせる技術としては公知のものを使用可能であり、例えば特許第5069494号では樹脂組成物によってレジストパターンを更に微細化している。
本発明に用いられる界面活性剤は、アニオン部とカチオン部との組み合わせから構成される化合物であって
式(I):
Chain1-X1-N--X2-Chain2 (I)
(式中、
X1は、-C(=O)-または-S(=O)2-であり、
X2は、-C(=O)-または-S(=O)2-であり、
Chain1は、直鎖または分岐の、C1-20アルキルであり、前記C1-20アルキルに存在する1以上のHがFに置換されており、Chain1に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されていてもよく、
Chain2は、直鎖または分岐の、C1-20アルキルであり、前記C1-20アルキルに存在する1以上のHがFに置換されており、Chain2に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されていてもよく、
ただし、Chain1とChain2とが結合されて、環構造が形成されていてもよい)で表される1価のアニオン部と、水素イオンを除く1価のカチオン部とを有するものである。
ここで、本発明において、Chain1またはChain2のアルキル末端のメチルは-O-で置換されない。つまりChain1またはChain2は末端にヒドロキシを有さない。
Chain1は、好適には直鎖または分岐のC1-15アルキル、より好適にはC1-10アルキル、さらに好適にはC2-10アルキルである。好適には、Chain1のC1-20アルキルに存在するHは全てFに置換される。Chain1に存在するメチレンの中で、-O-で置換されるメチレンの数は、好適には0~5つであり、より好適には0~3つであり、さらに好適には0~2つである。Chain1に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されない(置換されるメチレンの数が0)ことも、好適な一態様である。
Chain2は、好適には直鎖または分岐のC1-8アルキル、より好適にはC1-6アルキル、さらに好適にはC1-4アルキルである。好適には、Chain2は直鎖のC1-8アルキルである。好適には、Chain2のC1-20アルキルに存在するHは全てFに置換される。Chain2に存在するメチレンの中で、-O-で置換されるメチレンの数は、好適には0~5つであり、より好適には0~3つであり、さらに好適には0~2つである。Chain2に存在する1以上のメチレンは-O-で置換されない(置換されるメチレンの数が0)ことも、好適な一態様である。
L1は、Chain2に結合する単結合を示し、
a1は0、1、2、3、4、または5であり、b1は1以上の整数であり、c1は0以上の整数であり、d1は0または1であり、かつb1+c1+d1=2(a1)+1を満たすものであり、
R1は、それぞれ独立に、-F、-CF3、-CF2H、-CFH2、または-CH3であり、e1≧2の場合、R1はそれぞれ同一でも異なっていてもよく
e1は、0、1、2、または3であり、
f1は、0、1、2、または3である)
で表されるものであることが好ましい。
Chain2は、式(I)に定義されるもののうち、式(Ia)-2:
L2は、Chain1に結合する単結合を示し、
a2は0~5の整数であり、b2は1以上の整数であり、c2は0以上の整数であり、d2は0または1であり、かつb2+c2+d2=2(a2)+1を満たすものであり、
R2は、それぞれ独立に、-F、-CF3、-CF2H、-CFH2、または-CH3であり、e2≧2の場合、R2はそれぞれ同一でも異なっていてもよく
e2は、0、1、2、または3であり、
f2は、0、1、2、または3である)
で表されるものであることが好ましい。
なお、Chain1が式(Ia)-1で表され、かつd1が1のときは、Chain2は式(Ia)-2で表され、d2も1である。逆も同様である。この際、Chain1のL1とChain2のL2がひとつの単結合を構成し、Chain1とChain2とが結合されて、-X1-N--X2-含む環構造を形成する。d1=d2=1のとき、L1はChain1の末端に、L2はChain2の末端に位置することが好ましい。
例えば、下記1価のアニオン部は式(I)で表され、Chain1は式(Ia)-1、Chain2は式(Ia)-2で表すことができる。a1=2、b1=4、c1=0、d1=1、f1=0であり、a2=1、b2=2、c2=0、d2=1、f2=0である。Chain1のL1とChain2のL2がひとつの単結合を構成し、Chain1とChain2を連結して環構造を形成する。
e1は、好ましくは0、1または2であり、より好ましくは1または2である。e1≧2の場合、R1はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。f1は、好ましくは0、1または2であり、より好ましくは1または2である。f1=0も好ましい一態様である。f1≧2の場合、-O-(CFR1)e1-はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。好ましくはR1は、それぞれ独立に-Fまたは-CF3である。
例えば下記1価のアニオン部の-C(=O)-から左の構造は、Chain1で表すことができ、さらに式(Ia)-1で表すことができる。その際、a1=3、b1=7、c1=0、d1=0、f1=2である。[ ]で囲まれた-O-(CFR1)e1-において、e1=2であり、-(CFR1)e1-は左からそれぞれ―CF(-CF3)-であり、-CF2-である。つまり、左からR1はそれぞれ―CF3、―Fに該当する。また、( )で囲まれた-O-(CFR1)e1-において、e1=1であり、-(CFR1)e1-は―CF(-CF3)-である。つまり、R1は―CF3に該当する。
e2は、好ましくは0、1または2であり、より好ましくは1または2である。e2≧2の場合、R2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。f2は、好ましくは0、1または2であり、より好ましくは1または2である。f2=0はさらに好ましい一態様である。f2≧2の場合、-O-(CFR2)e2-はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。好ましくはR2は、それぞれ独立に-Fまたは-CF3である。
より好ましくは、本発明に用いられる1価のカチオン部は、金属カチオン、無機アンモニウムカチオン、または有機アンモニウムカチオンであり、さらに好ましくは、無機アンモニウムイオンおよび有機アンモニウムイオンである。
さらに好ましくは、1価のカチオン部が、式(Ib):
+NHpRb 4-p (Ib)
(式中、
Rbは、それぞれ独立に、C1~3直鎖アルキルであり、前記C1~3直鎖アルキルの1以上の水素がヒドロキシで置換されていてもよく、
pは、0、1、2、3、または4である)
で表されるものである。
前記C1~3直鎖アルキルの1以上の水素がヒドロキシで置換される場合、末端メチルの水素がヒドロキシで置換されていることが好ましい。本発明の一態様として、1~2の末端メチルがヒドロキシで置換されることが好ましい。
本発明の別の態様として、前記C1~3直鎖アルキルの1以下の水素がヒドロキシ置換されていることが好ましく、より好ましくは非置換である。
また、ホスホニウム(PH4 +)、トロピリウム(C7H7 +)なども用いることができる。
例えば、界面活性作用を有する化合物を水またはその他の溶媒に溶解または分散して、組成物に添加した場合、これら水またはその他の溶媒の量は、上述の界面活性剤の含有量に含まれない。これらの量は、水またはその他の溶媒の含有量に含まれる。
水は、本発明による組成物全体に対して、最も多くの質量比を占める物質である。水の占める量は組成物全体と比して90~99.995質量%が好適であり、95~99.995質量%がより好適であり、98~99.99質量%がさらに好適である。水は好適には純水、DW、脱イオン水が挙げられる。
本発明による組成物は水以外の溶媒を含むことも可能である。水以外の溶媒については後述する。
本発明による組成物は、ヒドロキシを1~3有し、フッ素置換されていてもよい、C3~30のアルコール化合物をさらに含んでなることが好ましい。このアルコール化合物を含む組成物を用いることで、倒れない限界サイズ(後に詳述)をさらに小さくすることができる。フッ素置換は、前記アルコール化合物のHをFで置換するが、この置換はヒドロキシ(OH)中のHを置換しない。
式中、
それぞれ独立にR31、R32、R33、およびR34は、水素、フッ素、またはC1~5のアルキルであり、好ましくは水素、フッ素、メチル、エチル、t-ブチル、またはイソプロピルであり、より好ましくは水素、メチル、またはエチルである。
L31およびL32は、それぞれ独立に、C1~20のアルキレン、C1~20のシクロアルキレン、C2~4のアルケニレン、C2~4のアルキニレン、またはC6~20のアリーレンである。これらの基はフッ素、C1~5アルキルまたはヒドロキシで置換されていてもよい。ここで、アルケニレンとは、1以上の二重結合を有する二価の炭化水素を意味し、アルキニレンとは、1以上の三重結合を有する二価の炭化水素基を意味するものとする。好ましくはL31およびL32はそれぞれ独立に、フッ素置換されていてもよい、C1~5のアルキレン、C2~4のアルキニレン、またはフェニレン(C6のアリーレン)である。L31およびL32はそれぞれ独立に、より好ましくはフッ素置換されたC2~4のアルキレン、アセチレン(C2のアルキニレン)またはフェニレンであり、よりさらに好ましくはフッ素置換されたC2~4のアルキレン、アセチレンである。
hは、0、1、または2であり、好ましくは0または1、より好ましくは0である。
式(III)で示される化合物は、より好ましくはジオール化合物である。
本発明による、半導体水溶性組成物は、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、抗真菌剤、前記界面活性剤以外の界面活性剤、酸、塩基、有機溶媒、またはこれらの混合物をさらに含んでなることもできる。
抗菌剤等(複数の場合はその和)の含有量は、本発明による組成物の総質量に対して、好ましくは0.0001~1質量%であり、より好ましくは0.0001~0.01質量%である。
他の界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル及びポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル及びポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル化合物、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー化合物、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタントリオレエート及びソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート及びポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル化合物が挙げられる。また、商品名エフトップEF301,EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製)、商品名メガファックF171、F173、R-08、R-30、R-2011(大日本インキ(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、商品名アサヒガードAG710,サーフロンS-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(旭硝子(株)製)等のフッ素系界面活性剤及びオルガノシロキサンポリマ-KP341(信越化学工業(株)製)等を挙げることができる。
他の界面活性剤の含有量は、本発明による組成物の総質量に対して、0.01~5質量%であることが好ましく、0.05~3質量%であることがより好ましく、0.005~0.5質量%であることがさらに好ましく、0.01~0.4質量%であることがよりさらに好ましい。
酸の含有量は、本発明による組成物の総質量に対して、0.005~0.1質量%であることが好ましい。また塩基の量は、本発明による組成物の総質量に対して、0.01~0.3質量%であることが好ましい。
例えば、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、γ-ブチロラクトン、乳酸エチル、またはこれらの混合液が好適である。これらは溶液の保存安定性の点で好ましい。
有機溶媒(複数の場合はその和)の含有量は、本発明による半導体水溶性組成物の総質量に対して、0~9.995質量%であることが好ましく、0~5質量%であることがより好ましく、0~1質量%であることがよりさらに好ましい。有機溶媒は含有しない(0.0質量%)ことも、本発明の好ましい一態様である。
本発明によるレジストパターンの製造方法は、本発明による半導体水溶性組成物を使用するものである。同方法におけるリソグラフィー工程は、ポジ型またはネガ型の感光性樹脂組成物(レジスト組成物)を用いてレジストパターンを製造する方法の何れのものであってもよい。本発明の半導体水溶性組成物が適用される代表的なレジストパターン製造方法は、
(1)1以上の中間層を介し又は中間層を介さずに、感光性樹脂組成物を基板に積層し、感光性樹脂層を形成し、
(2)前記感光性樹脂層を放射線に露光し、
(3)露光された感光性樹脂層を現像し、
(4)本発明による半導体水溶性組成物で、現像された層を洗浄する
ことを含んでなるものである。
まず、必要に応じて前処理された、シリコン基板、ガラス基板等の基板の上方に、感光性樹脂組成物を積層して、感光性樹脂層を形成させる。積層は公知の手法を用いることができるが、スピンコーティング等の塗布法が好適である。基板の上に感光性樹脂組成物を直接積層することもでき、また1又は複数の中間層(例えばBARC層)を介して積層することもできる。また、感光性樹脂層の上方(基板と逆側)に反射防止膜(例えばTARC層)を積層してもよい。感光性樹脂層以外の層については、後述する。感光性樹脂膜の上方または下方に反射防止膜を形成しておくことにより、断面形状および露光マージンを改善することができる。
基板/下層膜/フォトレジスト膜
基板/平坦化膜/BARC層/フォトレジスト膜
基板/平坦化膜/BARC層/フォトレジスト膜/TARC層
基板/平坦化膜/無機ハードマスク中間層/フォトレジスト膜/TARC層
基板/平坦化膜/無機ハードマスク中間層/BARC層/フォトレジスト膜/TARC層
基板/平坦化膜/密着膜/BARC層/フォトレジスト膜/TARC層
基板/基板改質層/平坦化膜/BARC層/フォトレジスト膜/TARC層
基板/基板改質層/平坦化膜/密着膜/BARC層/フォトレジスト膜/TARC層
これらの層は、塗布後に加熱および/または露光することで硬化したり、CVD法等の公知の手法を用いて成膜することができる。これらの層は公知の手法(エッチング等)で除去可能であり、それぞれ上方の層をマスクとしてパターン化することができる。
先述の通り、本発明のレジストパターンは、レジスト膜を露光・現像したものだけではなく、他の層や膜をさらに被せることで壁を太らせたものを含む。
同半導体水溶性組成物による洗浄は、公知の方法によって行われてよい。
例えばレジスト基板を同半導体水溶性組成物に浸漬したり、回転しているレジスト基板表面に同半導体水溶性組成物を滴下することにより行うことができる。これらの方法は適宜組み合わせて行われてもよい。
スペース幅が狭くなると、レジストパターン間のトレンチ(溝)にブリッジが生じやすくなるため、集積度の高い半導体を製造するために問題である。
本発明において、1つの回路単位におけるレジストパターンの最小スペースサイズが10~30nmであることが好ましく、15~25nmであることがより好ましく、18~22nmであることがさらに好ましい。
本発明の製造方法で製造したレジストパターンをマスクにして、中間層および又は基板をパターン化することができる。パターン形成には、エッチング(ドライエッチング、ウェットエッチング)等の公知の手法を用いることができる。例えば、レジストパターンをエッチングマスクにして中間層をエッチングし、得られた中間層パターンをエッチングマスクにして基板をエッチングして基板にパターンを形成することができる。また、フォトレジストパターンをエッチングマスクにして、フォトレジスト層から下方の層(例えば中間層)をエッチングしつつ、そのまま基板をエッチングすることもできる。形成されたパターンを利用して基板に配線を形成することができる。
これらの層は好適にはO2、CF4、CHF3、Cl2またはBCl3でドライエッチングすることで除去でき、好適にはO2またはCF4が使用できる。
48質量%の水酸化カリウム水溶液200gとペルフルオロエタンスルホンアミド150gとをフラスコ中で混合させる。この溶液を蒸留し、水を除去し、濃縮固体を得る。この濃縮固体50gと以下の化合物a65gとをアセトニトリル200gに溶解させ、50℃で20時間撹拌する。得られた溶液をろ過および蒸留し、アセトニトリルを除去し、固体を得る。得られた固体を水200gに溶解させ、その溶液に、36質量%の塩酸水溶液100gおよびNovec(商標名)7300(3M製)を加える。Novecの液相を採取し、蒸留して、界面活性剤S-201を得る。収率は20%である。
合成例1において、トリエチルアミンに代えてアンモニアを用いた以外は同様にして、界面活性剤S-102を合成する。
<界面活性剤の合成例3>
フラスコ中で、テトラヒドロフラン(以下、THF)45gに5gの界面活性剤S-102を溶解させる。これに、THF90gに塩化テトラエチルアンモニウム10gを溶解させた溶液を25℃で2時間滴下する。滴下が完了した後、その溶液を25℃で16時間撹拌する。そして、その溶液をろ過し、蒸留し、界面活性剤S-103を得る。収率は65%である。
濃度が1000ppmになるように、脱イオン水に界面活性剤S-101を添加し、これを撹拌して、完全に溶解させ、実施例組成物101を調製する。
表1に記載の通りのアニオン部とカチオン部を有する界面活性剤を用いて、表1に記載の濃度となるように、上記と同様にして、実施例組成物102~112を調製する。さらに、表1に記載の界面活性剤を用いて、上記と同様にして、比較例組成物201~211を調製する。ここで、表1に記載の界面活性剤は、カチオン部を水素(C1)からC2~7のものに変更することで得る。
シリコン基板(SUMCO製、12インチ)の表面を1,1,1,3,3,3-ヘキサメチルジシラザン溶液を用いて、90℃で30秒間処理する。その上に化学増幅型PHS-アクリレートハイブリッド系EUVレジスト組成物をスピン塗布し、110℃で60秒ソフトベークして、膜厚45nmのレジスト膜を同基板上に形成する。これをEUV露光装置NXE:3300(ASML社製)にて20nm(ライン:スペース=1:1)のサイズのマスクを通して露光する。露光量は、複数設定し、それぞれの条件の基板を得る。なお、露光量が増えると、後に現像することで形成されるレジストパターンのスペース幅が大きくなる。
この基板を100℃で60秒間のPEBを行う。その後、同レジスト膜を2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて、30秒間パドル現像する。パドル現像液が基板上にパドルされている状態で脱イオン水を基板上に流し始め、回転させながらパドル現像液を脱イオン水に置換し、脱イオン水でパドルさせた状態で停止する。これに、実施例組成物101~112および比較例組成物201~211の各組成物を流し入れ、基板を高速回転させスピンドライする。
上記の評価基板上にて、20nmのマスクに対しラインサイズ19nmで形成されているレジストパターンを、SEM装置CG5000(日立ハイテクノロジーズ社製)を用いて観察し、パターン倒れの有無を観察する。
実施例組成物および比較例組成物のどの組成物を用いた場合にも、パターン倒れが確認されない。
上記の評価基板上にて、20nmのマスクに対しスペースサイズ15nmの形成されているレジストパターンを、CG5000を用いて観察し、パターンブリッジの有無を観察する。
実施例組成物を用いた場合は、それぞれパターンブリッジが確認されない。一方、比較例組成物を用いた場合は、それぞれパターンブリッジが確認される。
使用される組成物は以下の表2に記載する。調整は上述同様に行う。
評価基板の調整は、15~24nm(ライン:スペース=1:1)のサイズのマスクを通して露光する以外は、上述同様に行う。調整した組成物を、上記と同様に基板に流し入れ、基板を高速回転させスピンドライする。
使用される組成物は以下の表2に記載する。
評価基板の調整は、18nm(ライン:スペース=1:1)のサイズのマスクを通して露光する以外は、上述同様に行う。調整した組成物を、上記と同様に基板に流し入れ、基板を高速回転させスピンドライする。
使用される実施例組成物は以下の表2に記載する。
評価基板の調整は、15~24nm(ライン:スペース=1:1)のサイズのマスクを通して露光する以外は、上述同様に行う。実施例組成物を、上記と同様に基板に流し入れ、基板を高速回転させスピンドライする。
Claims (15)
- 前記アルコール化合物が、3-ヘキシン-2,5-ジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、1,4-ブチンジオール、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール、1,4-ブタンジオール、2,2,3,3-テトラフルオロ-1,4-ブタンジオール、2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ-1,6-ヘキサンジオール、シス-1,4-ジヒドロキシ-2-ブテン、1,4-ベンゼンジメタノール、およびそれらの組み合わせである、請求項1または2に記載の組成物。
- 前記組成物の総質量に対して、前記界面活性剤の含有率が、0.005~2.0質量%である、請求項1~3のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記組成物の総質量に対して、前記アルコール化合物の含有率が、0.005~2.0質量%である、請求項1~4のいずれか一項に記載の組成物。
- 前記組成物の総質量に対して、前記水の含有率が、90~99.995質量%である、請求項1~5のいずれか一項に記載の組成物。
- 抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、抗真菌剤、前記界面活性剤以外の界面活性剤、酸、塩基、有機溶媒、またはこれらの混合物をさらに含んでなる、請求項1~6のいずれか一項に記載の組成物。
- 抗菌剤、防腐剤、殺菌剤、抗真菌剤またはこれらの混合物をさらに含んでなり、前記組成物の総質量に対して、前記抗菌剤、防腐剤、殺菌剤、抗真菌剤またはこれらの混合物の含有率が0.0001~1質量%である、請求項1~7のいずれか一項に記載の組成物。
- 請求項1~8のいずれか一項に記載のレジストパターン洗浄組成物を使用するレジストパターンの製造方法。
- (1)1以上の中間層を介し又は中間層を介さずに、感光性樹脂組成物を基板に積層し、感光性樹脂層を形成し、
(2)前記感光性樹脂層を放射線に露光し、
(3)露光された感光性樹脂層を現像し、
(4)請求項1~8のいずれか一項に記載のレジストパターン洗浄組成物で、現像された層を洗浄する
ことを含んでなるレジストパターンの製造方法。 - 前記感光性樹脂組成物が化学増幅型感光性樹脂組成物である、請求項10に記載のレジストパターンの製造方法。
- 1つの回路単位におけるレジストパターンの最小スペースサイズが10~30nmである、請求項9~11のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法。
- 請求項9~11のいずれか一項に記載のレジストパターンの製造方法を含んでなる、半導体の製造方法。
- 請求項9~11のいずれか一項に記載の方法で製造したレジストパターンをマスクとしてエッチングし、基板を加工することを含んでなる、半導体の製造方法。
- 加工された基板に配線を形成することを含んでなる、請求項13または14に記載の半導体の製造方法。
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