JP7360004B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 168
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 210
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 133
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 131
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 106
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 90
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 55
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 53
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 52
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 claims description 40
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 29
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 5
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 769
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 183
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 64
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 42
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 37
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 20
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 13
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 13
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 12
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 10
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 9
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 9
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002064 alloy oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019311 (Ba,Sr)TiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N bismuth lanthanum Chemical compound [La].[Bi] RZEADQZDBXGRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 their oxides Chemical compound 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/57—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material comprising a barrier layer to prevent diffusion of hydrogen or oxygen
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- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
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- H10B51/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors
- H10B51/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory transistors characterised by the memory core region
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Description
強誘電体キャパシタを備えた半導体装置では、強誘電体キャパシタに含まれる強誘電体膜が、それに侵入又は付着する水素や水分等の還元性物質によって還元されると、強誘電体キャパシタの特性が低下し得ることが知られている。強誘電体キャパシタを還元性物質から保護する技術として、例えば、強誘電体キャパシタの表面を酸化アルミニウム膜で覆う技術、強誘電体キャパシタの表面を覆うように酸化シリコン膜と酸化アルミニウム膜とを交互に積層する技術が知られている。このほか、上部電極上に、水素遮断性を有するTaSiN等のアモルファス構造のバリア層を設ける技術、上部電極を上下2層構造とし、強誘電体膜との界面に存在する吸着水を上層側電極膜形成前の熱処理で下層側電極膜を通して除去する技術が知られている。
図1は第1の実施の形態に係る半導体装置の形成方法の第1の例について説明する図である。図1(A)~図1(E)にはそれぞれ、強誘電体キャパシタを備える半導体装置の形成方法の一例の各工程の要部断面図を模式的に示している。
下部電極21には、イリジウム(Ir)等の材料が用いられる。下部電極21には、イリジウムのほか、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、ルテニウム(Ru)等の材料が用いられてもよい。
酸化性雰囲気での熱処理では、強誘電体キャパシタ20を覆う1層目の絶縁膜31の外側(熱処理雰囲気中)に存在する酸素が、それに対して透過性を有する1層目の絶縁膜31を通じて内側の強誘電体膜23に供給される。強誘電体膜23に、1層目の絶縁膜31を通じて外側から酸素が供給されることで、強誘電体膜23が酸化され、その酸素欠陥が補填され、酸素欠陥に起因した強誘電体キャパシタ20の特性の低下が抑えられる。
ここでは、上記第1の実施の形態で述べたような構成を採用した半導体装置の第1の例を、第2の実施の形態として説明する。
図3に示す半導体装置100Aは、半導体基板110、及び半導体基板110上に形成されたトランジスタ120を含む。トランジスタ120が形成された半導体基板110上に、カバー膜131、層間絶縁膜130、プラグ140、エッチストップ膜150を含む構造部が設けられる。この構造部上に更に、層間絶縁膜160、配線170、酸化防止膜180、緩衝膜190、プラグ200、強誘電体キャパシタ210、保護膜220A、層間絶縁膜230、プラグ240、配線250を含む構造部が設けられる。
層間絶縁膜160は、エッチストップ膜150上に設けられる。層間絶縁膜160には、例えば、酸化シリコンが用いられる。層間絶縁膜160は、単層構造のほか、2層以上の積層構造であってもよい。
保護膜220Aの2層目の絶縁膜222は、1層目の絶縁膜221を覆い、1層目の絶縁膜221よりも、水素及び水分に対して低い透過性を有する。2層目の絶縁膜222の、水素及び水分に対する透過性は、2層目の絶縁膜222に用いる材料、2層目の絶縁膜222の膜厚等によって調整される。2層目の絶縁膜222には、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム等、金属の酸化物、窒化物、酸化窒化物が用いられる。酸化物、窒化物、酸化窒化物の2層目の絶縁膜222の金属には、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、タンタル等が用いられてもよい。また、2層目の絶縁膜222には、酸化シリコン、窒化シリコン、炭化窒化シリコン、酸化窒化シリコン、炭化シリコン等、半金属の酸化物、窒化物、酸化窒化物が用いられてもよい。また、2層目の絶縁膜222には、ランタノイドを含む金属又は合金の酸化物が用いられてもよい。2層目の絶縁膜222の膜厚は、例えば、数原子層~10nm程度の範囲に設定される。
保護膜220Aの3層目の絶縁膜223は、2層目の絶縁膜222を覆い、保護膜220A上に設けられる層間絶縁膜230よりも、水素及び水分に対して低い透過性を有する。3層目の絶縁膜223の、水素及び水分に対する透過性は、3層目の絶縁膜223に用いる材料、3層目の絶縁膜223の膜厚等によって調整される。3層目の絶縁膜223には、例えば、酸化アルミニウム等の金属の酸化物、窒化シリコン等の半金属の窒化物が用いられる。3層目の絶縁膜223の膜厚は、例えば、10nm~50nm程度の範囲に設定される。
層間絶縁膜230は、保護膜220A上に設けられる。層間絶縁膜230には、例えば、酸化シリコンが用いられる。層間絶縁膜230は、単層構造のほか、2層以上の積層構造であってもよい。
図4は第2の実施の形態に係る半導体装置の第1の形成工程について説明する図である。図4には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
これにより、半導体基板110上にトランジスタ120が形成される。
図5は第2の実施の形態に係る半導体装置の第2の形成工程について説明する図である。図5には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、層間絶縁膜160及びエッチストップ膜150の、配線170を形成する領域を貫通し、その配線170と接続されるプラグ140に達する溝が形成される。
図6は第2の実施の形態に係る半導体装置の第3の形成工程について説明する図である。図6には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
図7及び図8は第2の実施の形態に係る半導体装置の第4の形成工程について説明する図である。図7には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図8(A)~(D)には、強誘電体キャパシタの形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
図9は第2の実施の形態に係る半導体装置の第5の形成工程について説明する図である。図9には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
図10~図12は第2の実施の形態に係る半導体装置の第6の形成工程について説明する図である。図10には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。図10には、X部の拡大図を併せて示している。図11(A)及び図11(B)にはそれぞれ、図10のX部に対応する比較例を示している。図12には、保護膜の1層目の絶縁膜の膜厚と強誘電体キャパシタの残留分極との関係を、強誘電体キャパシタのアレイ配置が異なるモニタについて評価した結果の一例を示している。
ここで、強誘電体キャパシタ210を覆う保護膜220Aの1層目の絶縁膜221の、強誘電体膜213の所定元素に対する遮蔽性、及び熱処理雰囲気中の酸素の透過性について、図10並びに図11(A)及び図11(B)を参照して更に説明する。
ここで、1層目の絶縁膜221の膜厚が厚過ぎると、緩衝膜190内及び強誘電体キャパシタ210内に存在する水素や水分が、1層目の絶縁膜221を通じて熱処理雰囲気中に排出されず、強誘電体膜213が、いわゆる蒸し焼きのような状態になり、その劣化が進行する。このような強誘電体膜213の劣化の進行は、強誘電体キャパシタ210の周囲に存在する層間絶縁膜の体積、即ち、強誘電体キャパシタ210下の緩衝膜190や強誘電体キャパシタ210上の層間絶縁膜230の体積が大きくなるほど、顕著になる傾向がある。例えば、複数の強誘電体キャパシタ210が平面視で縦横に並ぶセルアレイの場合には、周囲に存在する層間絶縁膜の体積が相対的に大きくなるセルアレイ端部の強誘電体キャパシタ210ほど、特性の低下が起こり易くなる。
図12の例では、3つのモニタa、モニタb及びモニタcを用いている。モニタaは、強誘電体キャパシタ210xが、平面視で横方向に84個並べられ縦方向に257個並べられた構造のモニタである。モニタbは、強誘電体キャパシタ210xが、平面視で横方向に84個並べられ縦方向に32個並べられた構造のモニタである。モニタcは、強誘電体キャパシタ210xが、平面視で横方向に6個並べられ縦方向に8個並べられた構造のモニタである。モニタa、モニタb及びモニタcは、酸化シリコンの層間絶縁膜上に所定数の強誘電体キャパシタ210xを形成し、それらを酸化アルミニウムの1層目の絶縁膜で覆い、酸化性雰囲気で熱処理を行い、更に酸化アルミニウムの2層目の絶縁膜で覆うことで、準備している。セルアレイ端部付近の強誘電体キャパシタ210xの周囲に存在する層間絶縁膜の体積は、モニタaが最も小さく、モニタcが最も大きく、モニタbがそれらの中間になる。セルアレイ端部付近の強誘電体キャパシタ210xの周囲に存在する層間絶縁膜の体積が最も大きいモニタcが、層間絶縁膜内の水素や水分の影響を最も受け易い構造となっている。
上記のように、先に形成された1層目の絶縁膜221は、強誘電体キャパシタ210内及びその下に設けられる緩衝膜190内の水素や水分を熱処理によって排出するために、水素及び水分に対して比較的高い透過性を有している。そのため、2層目の絶縁膜222の形成時に、その雰囲気中(原料中やキャリア中)に還元性物質である水素や水分が含有されていると、それが1層目の絶縁膜221を透過して強誘電体キャパシタ210内や緩衝膜190内に侵入、拡散し、強誘電体膜213を還元してしまう恐れがある。
図15に示す工程では、2層目の絶縁膜222の形成後、所定絶縁材料が所定膜厚で堆積され、保護膜220Aの一部となる3層目の絶縁膜223が形成される。一例として、酸化アルミニウムが用いられた、膜厚が10nm~50nm程度の3層目の絶縁膜223が形成される。3層目の絶縁膜223は、例えば、トリメチルアルミニウム(TMA)を原料とするALD法を用いて形成される。その際は、酸化性ガスとして酸素及びオゾンの混合ガスが用いられる。ALD法では、PVD法に比べて、カバレッジの高い絶縁膜が形成され易い。そのため、2層目の絶縁膜222の表面が、3層目の絶縁膜223により、良好なカバレッジで覆われる。ALD法を用いた3層目の絶縁膜223の形成では、その原料のTMA中に還元性物質である水素が含有され、この水素が、強誘電体キャパシタ210の強誘電体膜213を還元する還元性物質となり得る。但し、強誘電体キャパシタ210は、水素及び水分に対する透過性が比較的低い2層目の絶縁膜222によって既に覆われているため、3層目の絶縁膜223の形成時の雰囲気中に含有される水素及び水分による強誘電体膜213の還元は抑えられる。
図16は第2の実施の形態に係る半導体装置の第9の形成工程について説明する図である。図16には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
例えば、以上のような工程により、半導体装置100Aが形成される。半導体装置100Aでは、上記のように、強誘電体キャパシタ210上に、その強誘電体膜213に含有される鉛等の所定元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する1層目の絶縁膜221が形成される。この1層目の絶縁膜221上に、非還元性雰囲気で、水素及び水分に対して1層目の絶縁膜221よりも低い透過性を有する2層目の絶縁膜222が形成される。この2層目の絶縁膜222上に、水素及び水分に対して層間絶縁膜230よりも低い透過性を有する3層目の絶縁膜223が形成される。このような3層の絶縁膜221、絶縁膜222及び絶縁膜223を含む保護膜220Aが形成されることで、半導体装置100Aの形成過程及び形成後の強誘電体膜213の劣化が抑えられ、強誘電体キャパシタ210の特性の低下が抑えられる。優れた特性を有する強誘電体キャパシタ210を備えた、高性能及び高品質の半導体装置100Aが実現される。
ここでは、上記第1の実施の形態で述べたような構成を採用した半導体装置の第2の例を、第3の実施の形態として説明する。
図17に示す半導体装置100Bは、強誘電体キャパシタ210が、2層の絶縁膜221a及び絶縁膜223を含む保護膜220Bで覆われた構造を有する点で、上記第2の実施の形態で述べた半導体装置100Aと相違する。保護膜220Bの1層目の絶縁膜221aは、上記第2の実施の形態で述べた1層目の絶縁膜221を、非還元性雰囲気での処理で変性することによって、形成される。
図18は第3の実施の形態に係る半導体装置の第1の形成工程について説明する図である。図18には、半導体装置の形成工程の一例の要部断面図を模式的に示している。
図19に示す工程では、上記のような変性された絶縁膜221aの形成後、上記図15に示した工程について述べたのと同様に、所定絶縁材料が所定膜厚で堆積され、保護膜220Bの一部となる2層目の絶縁膜223が形成される。この2層目の絶縁膜223は、その上に形成される層間絶縁膜230よりも、水素及び水分に対して低い透過性を有するように、用いる絶縁材料及び膜厚が調整される。これにより、強誘電体キャパシタ210が、2層の絶縁膜221a及び絶縁膜223を含む保護膜220Bで覆われた、図19に示すような構造が形成される。
例えば、以上のような工程により、図17に示すような半導体装置100Bが形成される。上記のような2層の絶縁膜221a及び絶縁膜223を含む保護膜220Bが形成されることで、半導体装置100Bの形成過程及び形成後の強誘電体膜213の劣化が抑えられ、強誘電体キャパシタ210の特性の低下が抑えられる。優れた特性を有する強誘電体キャパシタ210を備えた、高性能及び高品質の半導体装置100Bが実現される。
図20は第4の実施の形態に係る半導体装置の一例について説明する図である。図20には、半導体装置の一例の要部断面図を模式的に示している。
このようなプレーナ型の構造を有する半導体装置100Cの強誘電体キャパシタ210上にも、上記第2の実施の形態で述べたような3層の絶縁膜221、絶縁膜222及び絶縁膜223を含む保護膜220Aが形成されてもよい。これにより、半導体装置100Cの形成過程及び形成後の強誘電体膜213の劣化が抑えられ、強誘電体キャパシタ210の特性の低下が抑えられる。優れた特性を有する強誘電体キャパシタ210を備えた、高性能及び高品質の半導体装置100Cが実現される。
上記第1~第4の実施の形態で述べた半導体装置1A,1B,100A,100B,100C等は、回路基板や他の半導体装置等、各種電子部品に搭載することができる。
図21に示す電子装置300は、例えば、上記第2の実施の形態で述べたような構成を有する半導体装置100A(図3又は図16)が、回路基板400上に搭載された構成を有する。
上記第1~第4の実施の形態で述べた半導体装置1A,1B,100A,100B,100C等、及び上記第5の実施の形態で述べた電子装置300等は、各種電子機器(電子装置とも言う)に搭載することができる。例えば、コンピュータ(パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等)、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
図22に示すように、例えば、上記第5の実施の形態で述べたような電子装置300(図21)が、各種電子機器500の筐体500aの内部に搭載(内蔵)される。尚、電子装置300は、電子機器500が備えるラックやスロットに収容されてもよい。
(付記1) 基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタの表面に、前記強誘電体キャパシタに含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の形成後、酸化性雰囲気で熱処理を行う工程と、
前記熱処理後、前記第1絶縁膜の表面に、非還元性雰囲気で、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の表面に、第3絶縁膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記3) 前記第2絶縁膜を形成する工程では、窒素を含有する雰囲気での熱処理により、前記第1絶縁膜の表層部を窒化することによって、前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする付記1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
前記強誘電体キャパシタの表面に、前記強誘電体キャパシタに含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の形成後、酸化性雰囲気で熱処理を行う工程と、
前記熱処理後、非還元性雰囲気で前記第1絶縁膜を変性することによって、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の表面に、第3絶縁膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記7) 前記第2絶縁膜を形成する工程では、窒素を含有する雰囲気での熱処理により、前記第1絶縁膜を窒化することによって変性し、前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする付記5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
前記基板上に設けられた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタの表面に設けられ、前記強誘電体キャパシタに含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の表面に設けられ、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の表面に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜の表面に設けられ、水素及び水分に対して前記第3絶縁膜よりも高い透過性を有する層間絶縁膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。
(付記11) 基板と、
前記基板上に設けられた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタの表面に設けられ、窒素又は炭素を含有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の表面に設けられた第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の表面に設けられ、水素及び水分に対して前記第2絶縁膜よりも高い透過性を有する層間絶縁膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。
10 基板
20,210,210x 強誘電体キャパシタ
20a,210a 表面
21,211 下部電極
22,212 上部電極
23,213 強誘電体膜
23a 所定元素
31,31a,32,33,221,221a,222,223 絶縁膜
110 半導体基板
111 素子分離領域
120 トランジスタ
121 ゲート絶縁膜
122 ゲート電極
123 不純物領域
124 サイドウォール
125 シリサイド層
130,160,230 層間絶縁膜
131 カバー膜
140,200,240 プラグ
150 エッチストップ膜
170,250 配線
180 酸化防止膜
190 緩衝膜
211a 窒化チタン膜
211b 窒化チタンアルミニウム膜
211c,212b イリジウム膜
212a 酸化イリジウム膜
214 結晶粒界
215 部分
220A,220B 保護膜
221b 導電膜
250a,250c バリア膜
250b アルミニウム銅合金膜
260,410 端子
300 電子装置
310 接合材
400 回路基板
500 電子機器
500a 筐体
Claims (8)
- 基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタの表面に、前記強誘電体キャパシタの強誘電体膜に含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の形成後、酸化性雰囲気で熱処理を行う工程と、
前記熱処理後、前記第1絶縁膜の表面に、非還元性雰囲気で、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の表面に、第3絶縁膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜を形成する工程では、窒素を含有する雰囲気での熱処理により、前記第1絶縁膜の表層部を窒化することによって、前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜の表面に、水素及び水分に対して前記第3絶縁膜よりも高い透過性を有する層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板上に強誘電体キャパシタを形成する工程と、
前記強誘電体キャパシタの表面に、前記強誘電体キャパシタの強誘電体膜に含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜を形成する工程と、
前記第1絶縁膜の形成後、酸化性雰囲気で熱処理を行う工程と、
前記熱処理後、非還元性雰囲気で前記第1絶縁膜を変性することによって、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の表面に、第3絶縁膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2絶縁膜を形成する工程では、窒素を含有する雰囲気での熱処理により、前記第1絶縁膜を窒化することによって変性し、前記第2絶縁膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第3絶縁膜の表面に、水素及び水分に対して前記第3絶縁膜よりも高い透過性を有する層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられた強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタの表面に設けられ、前記強誘電体キャパシタの強誘電体膜に含有される第1元素に対して遮蔽性を有し、酸素、水素及び水分に対して透過性を有する第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の表面に設けられ、水素及び水分に対して前記第1絶縁膜よりも低い透過性を有する第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の表面に設けられた第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜の表面に設けられ、水素及び水分に対して前記第3絶縁膜よりも高い透過性を有する層間絶縁膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第2絶縁膜は、窒素又は炭素を含有することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019016606A JP7360004B2 (ja) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US16/733,542 US11164936B2 (en) | 2019-02-01 | 2020-01-03 | Semiconductor device fabrication method and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019016606A JP7360004B2 (ja) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020126866A JP2020126866A (ja) | 2020-08-20 |
JP7360004B2 true JP7360004B2 (ja) | 2023-10-12 |
Family
ID=71837831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019016606A Active JP7360004B2 (ja) | 2019-02-01 | 2019-02-01 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11164936B2 (ja) |
JP (1) | JP7360004B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20220278115A1 (en) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Ferroelectric Memory Device and Method of Manufacturing the Same |
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2019
- 2019-02-01 JP JP2019016606A patent/JP7360004B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-03 US US16/733,542 patent/US11164936B2/en active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200251551A1 (en) | 2020-08-06 |
US11164936B2 (en) | 2021-11-02 |
JP2020126866A (ja) | 2020-08-20 |
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