JP7337198B2 - 発光装置 - Google Patents

Description

本開示は、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode；ＯＬＥＤ）および有機エレクトロルミネッセンス（Organic Electro Luminescence：ＯＥＬ）素子等の発光素子を備える発光装置に関する。

従来技術の発光装置は、例えば特許文献１に記載されている。

特開２０１７－２１６１５０号公報

本開示の発光装置は、基板と、
前記基板上の第１領域に位置し、所定方向に延びている、第１信号配線および第２信号配線と、
前記基板上の第２領域に位置し、第１スイッチング素子とその出力部に接続される第１発光部と、
前記第２領域に位置し、前記所定方向において第１スイッチング素子および第１発光部に隣接する、第２スイッチング素子およびその出力部に接続される第２発光部と、
前記第１スイッチング素子の入力部に接続され、前記所定方向と交差する方向に延びる複数の第１引出配線と、
前記第２スイッチング素子の入力部に接続され、前記所定方向と交差する方向に延びる第２引出配線と、
前記第１信号配線に接続される、前記第１引出配線の第１接続部と、
前記第２信号配線に接続される、前記第２引出配線の第２接続部と、を備え、
複数の前記第１接続部の隣接間距離よりも、前記第２接続部とそれに隣接する前記第１接続部間の距離が大きい、構成である。

本開示の発光装置は、長尺板状の基板と、
前記基板上に、該基板の長手方向と平行に延びて設けられる第１電源配線と、
前記基板上に、前記第１電源配線と平行に設けられる第２電源配線と、
前記基板上の前記第１電源配線と前記第２電源配線との間の第１領域に、前記第１電源配線と平行に配設された第１信号配線と、
前記基板上の、前記第２電源配線に関して前記第１領域とは反対側の第２領域に設けられる、第１スイッチング素子およびそれに接続される第１発光部と、
前記第２領域に、前記第１スイッチング素子および前記第１発光部に前記長手方向に隣接して設けられる、第２スイッチング素子およびそれに接続される第２発光部と、
前記第１領域の前記第１信号配線と前記第１電源配線との間に設けられる第２信号配線と、
前記第１電源配線と前記第２電源配線とを接続する第１接続配線と、
前記基板上に前記第１接続配線に前記長手方向に隣接して設けられ、前記第１信号配線と前記第１スイッチング素子とを接続する第１引出配線と、
前記基板上に、前記長手方向に前記第１接続配線に関して前記第１引出配線とは反対側に設けられ、前記第２信号配線と前記第２スイッチング素子とを接続する第２引出配線と、
前記第１引出配線は、複数が並行して配置されるとともに、それぞれが前記第１信号配線に接続される先端に第１接続部を有し、
前記第２引出配線は、前記第２信号配線に接続される先端に第２接続部を有し、
複数の前記第１接続部の隣接間距離よりも、前記第２接続部とそれに隣接する前記第１接続部間の距離が大きい、構成である。

本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。

本開示の一実施形態の発光装置の構成を模式的に示す一部の平面図である。 発光装置の全体を模式的に示す平面図である。 図２のIII部および駆動素子の回路図である。 図２の一部の発光部と発光部に接続されるスイッチング素子とスイッチング素子に接続される配線を拡大して示す部分拡大平面図である。 図４の切断面線Ｖ１－Ｖ２における断面図である。 図１の切断面線Ｖ３－Ｖ４から見た断面図である。 発光装置の配線構造を示す部分拡大平面図である。 本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す部分拡大平面図である。 本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す部分拡大平面図である。 本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す部分拡大平面図である。

まず、本開示に係る表示装置が基礎とする構成について述べる。

例えば、前述の特許文献１に記載される発光装置は、ガラス基板等の長尺板状の基板と、基板の一方面に、基板の長手方向に沿って整列して配置された複数の発光素子と、複数の発光素子をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロックと、駆動回路ブロックと発光素子とを接続する複数の配線とが形成されている。複数の配線は、駆動素子と駆動回路ブロックを接続するデータ配線等である。各駆動回路ブロックは、複数の発光素子の列に沿って並んで配置されており、例えば１つの駆動回路ブロックが４００個の発光素子を駆動し、そのような駆動回路ブロックが２０個設けられ、発光素子は合計で８０００個あり、これらの発光素子が前述の配線によって各駆動回路ブロックに接続されている。

また基板の長手方向の一端部には、各駆動回路ブロックおよび各発光素子を駆動し、各発光素子の発光を制御する駆動装置が、例えばチップオングラス（Chip On Glass：ＣＯＧ）方式等の実装方法によって実装されている。基板の一方面における各駆動素子の設置部の近傍の縁部には、各駆動素子との間で駆動信号、制御信号等を入出力するためのフレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）が設置されている。

各駆動回路は、シフトレジスタ、論理和否定（ＮＯＲ）回路、インバータ、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）トランスファゲート素子、および駆動用薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を有している。駆動用ＴＦＴのドレイン電極には、有機ＬＥＤ素子等から成る発光素子が接続されている。各駆動用ＴＦＴのゲート電極にゲート電位が配線毎にデータ信号として与えられると、各発光素子は、データ信号に応じた電源電圧による電源電流が各発光素子に供給され、異なる輝度で発光するように構成されている。

上記の特許文献１に記載される表示装置では、基板上に複数の絶縁層の層間に各種配線が配置された多層積層型配線構造体が形成されており、その多層積層型配線構造体において、各駆動用ＴＦＴのゲート電極に電気的に接続される下層側ゲート電位供給配線は、基板の長手方向と平行に各発光素子が配置されている発光点まで延び、そこからコンタクトホール等の層間接続導体によって上層側ゲート電位供給配線に持ち上げられる。それぞれの上層側ゲート電位供給配線は、基板の長手方向に垂直な方向に延びて駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続される。また、上層側ゲート電位供給配線は基板の長手方向に垂直な方向に延びるとともに、基板の長手方向に平行な方向に延びる複数の他の下層側ゲート電位供給配線を跨いで、各駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続される。このような配線経路では、１本の上層側ゲート電位供給配線は、複数の他の下層側ゲート電位供給配線のそれぞれとの間に寄生容量が発生し、この寄生容量によって各駆動用ＴＦＴのゲート電極に印加されるゲート電位に電位差が生じてしまう。

また、上層側ゲート電位供給配線と層間接続導体との接続部である接続部は、基板の長手方向の端部にある電源に近い近位の発光点から電源から遠い遠位の発光点に向かって、発光点から見て順次離れていく（または順次近づく）ように配置される。その結果、接続部が発光点に最も近い上層側ゲート電位供給配線から接続部が発光点から最も遠い上層側ゲート電位供給配線になるに従って、寄生容量も順次増加し、各発光点の寄生容量に傾斜分布が生じる。その結果、複数の発光点の発光輝度に長手方向に傾斜したばらつきが生じる。したがって、従来から、このような寄生容量の傾斜分布をなくし、発光輝度のばらつきを抑制することができる発光装置が求められている。

また、駆動用ＴＦＴのソース電極に接続される電源配線（アノード配線、ＶＤＤ配線ともいう）は、平面視で複数の下層側ゲート電位供給配線に平行に、複数の下層側ゲート電位供給配線の外側（発光点から遠い側）および内側（発光点に近い側）の少なくとも外側に配置される。そして、電源配線から分岐した電源枝線が、隣接する上層側ゲート電位供給配線の接続部間の隙間（隙間Ｓｓとする）および上層側ゲート電位供給配線間の隙間（隙間Ｓｈとする）をぬって配置され、ソース電極に接続される。この場合、隙間Ｓｓおよび隙間Ｓｈが小さい、特に隣接する接続部同士が近接しているために隙間Ｓｓが小さいことから、電源枝線が隣接する上層側ゲート電位供給配線に接触してショートしやすいという問題点があった。また、ショートを回避しようとして電源枝線を細くすると、十分な電源電圧（ソース電圧）を駆動用ＴＦＴに供給することがむつかしくなるという問題点があった。

以下、添付図面を参照して、本開示の発光装置の実施形態について説明する。

（実施形態１）
図１は、本開示の一実施形態の発光装置の構成を模式的に示す一部の平面図である。本実施形態では、一例として、発光装置が画像形成装置に装備される感光ドラムの表面に画像情報を静電潜像として形成する有機ＬＥＤプリンタ（Organic Light Emitting Diode Printer：ＯＬＥＤＰ）ヘッドに適用される場合について説明する。有機ＬＥＤプリンタヘッドは、長尺板状の基板に８０００～１６０００個の発光素子がほぼ一定の回路パターンで一直線に配列された構成であるので、本開示の発光装置の基本的な回路パターンを図１を参照しながら説明する。

本実施形態の発光装置は、基板３１と、基板３１上の第１領域Ｓ１に位置し、所定方向（例えば、基板３１の長手方向Ｘ）に延びている、第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２と、基板３１上の第２領域Ｓ２に位置し、第１スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）４４ａとその出力部に接続される第１発光部３３Ｌ１と、第２領域Ｓ２に位置し、所定方向においてＴＦＴ４４ａおよび第１発光部３３Ｌ１に隣接する、第２スイッチング素子としてのＴＦＴ４４ｂおよびその出力部に接続される第２発光部３３Ｌ２と、ＴＦＴ４４ａの入力部（ゲート電極）に接続され、所定方向と交差する方向（例えば、基板３１の短手方向）に延びる複数の第１引出配線２１と、ＴＦＴ４４ｂの入力部に接続され、所定方向と交差する方向に延びる第２引出配線２２と、第１信号配線３７ｄ１に接続される、第１引出配線２１の第１接続部としての第１接続パッド部２３ａと、第２信号配線３７ｄ２に接続される、第２引出配線２２の第２接続部としての第２接続パッド部２３ｂと、を備え、複数の第１接続パッド部２３ａの隣接間距離よりも、第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の距離が大きい、構成である。

本実施形態の発光装置は、上記の構成により以下の効果を奏する。第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の隙間（隙間Ｓｓ１２）が、複数の第１接続パッド部２３ａの隣接間の隙間（隙間Ｓｓ１１）よりも大きくなる。なお、この場合の隙間Ｓｓ１１および隙間Ｓｓ１２は、接続パッド部間の離間した距離（最短距離）に相当し、長手方向Ｘにおいて離間した距離とは異なる。Ｓｓ１２＞Ｓｓ１１となることから、隙間Ｓｓ１２を通して電源枝線等の他の配線を配置することが容易になる。その結果、限られた面積の領域に複雑な配線構造を構成することができる。また、隙間Ｓｓ１２を通る電源枝線等の他の配線の線幅を太くできることから、他の配線を低抵抗化することができる。

基板３１上の所定方向は、長尺状の基板３１である場合、基板３１の長手方向Ｘであってもよい。基板３１が正方形状等の明確な長手方向がない形状である場合、基板３１の一辺に平行な方向であってもよい。また、所定方向と交差する方向は、長尺状の基板３１である場合、基板３１の短手方向であってもよい。基板３１が正方形状等の明確な長手方向がない形状である場合、所定方向と交差する方向は、所定方向と略直交する方向であってもよい。所定方向と、所定方向と交差する方向と、の交差角度は、４５°～９０°程度であってもよく、８０°～９０°程度であってもよい。なお、「～」は「乃至」を意味し、以下同様とする。

第２信号配線３７ｄ２は、第１信号配線３７ｄ１よりも第２領域Ｓ２から遠くに位置することによって、第２引出配線２２の長さが、複数の第１引出配線２１のいずれの長さよりも長い構成であってもよい。この場合、Ｓｓ１２＞Ｓｓ１１とすることが容易になる。Ｓｓ１２は、Ｓｓ１１の１倍を超え５倍以下程度であってもよい。例えば、Ｓｓ１１は５μｍ～５０μｍ程度であってもよい。

図１に示すように、第１信号配線３７ｄ１は複数本あり、それらが並行して配置され、或る第１接続パッド部２３ａが或る第１信号配線３７ｄ１に接続され、上記或る第１接続パッド部２３ａに隣接する第１接続パッド部２３ａが、上記或る第１信号配線３７ｄ１に隣接する第１信号配線３７ｄ１に接続される構成であってもよい。この場合、Ｓｓ１１が小さくなり、Ｓｓ１２＞Ｓｓ１１とすることが容易になる。

基板３１上に位置し、所定方向に延びている、第１電源配線８および第２電源配線９を備え、第１電源配線８および第２電源配線９は第１領域Ｓ１を挟む配置とされているとともに、第２電源配線９が第１電源配線８よりも第２領域Ｓ２の近くに位置している構成であってもよい。この場合、電源配線が２つあることから、電源電流が分流され、配線方向における電源電圧の電圧降下を抑えることができる。第１電源配線８および第２電源配線９の入力端と出力端は、それぞれ一つにまとめられていてもよい。この場合、第１電源配線８および第２電源配線９の一つの入力端に所定の電源電流を入力することによって、自動的に分流されるという効果を奏する。また、第１電源配線８および第２電源配線９と電源装置とを接続する配線構造が簡易化されるという効果も奏する。第２電源配線９が第１電源配線８よりも第２領域Ｓ２の近くに位置していることから、ＴＦＴ４４ａのソース電極と第２電源配線９とを接続する配線が短くなり、ＴＦＴ４４ｂのソース電極と第２電源配線９とを接続する配線が短くなる。

基板３１上に位置し、交差する方向に延びるとともに第１電源配線８と第２電源配線９とを接続する接続配線を備える構成であってもよい。この場合、電源配線が、第１電源配線８と第２電源配線９と接続配線とから構成されることから、電源配線の断面積が増大し、電源配線の抵抗か小さくなる。その結果、電源配線の電圧降下を小さくすることができる。また、電源配線の線方向に配列される複数の発光部において、同じ駆動電流を入力したときに輝度の傾斜が生じることを抑えることができる。

接続配線は、第１接続配線１１および第２接続配線１２を含む構成であってもよい。この場合、電源配線の断面積がより増大し、電源配線の抵抗かより小さくなる。その結果、電源配線の電圧降下をより小さくすることができる。また、電源配線の線方向に配列される複数の発光部において、同じ駆動電流を入力したときに輝度の傾斜が生じることをより抑えることができる。接続配線は、第１接続配線１１および第２接続配線１２の他の接続配線を含んでいてもよい。即ち、接続配線は３本以上あってもよい。

第１電源配線８の線幅が、第１接続配線１１の線幅および第２接続配線１２の線幅のいずれよりも大きく、第２電源配線９の線幅が、第１接続配線１１の線幅および第２接続配線１２の線幅のいずれよりも大きい構成であってもよい。この場合、主電源配線である、第１電源配線８および第２電源配線９における電圧降下が小さくなる。その結果、電源配線の線方向に配列される複数の発光部において、同じ駆動電流を入力したときに輝度の傾斜が生じることをより抑えることができる。

第１電源配線８の線幅が第２電源配線９の線幅よりも大きくてもよい。この場合、ＴＦＴ４４ａ、第１発光部３３Ｌ１、ＴＦＴ４４ｂおよび第２発光部３３Ｌ２を含む発光領域（第２領域Ｓ２）から、第２電源配線９よりも遠方にある第１電源配線８に起因する電圧降下を小さくすることができる。即ち、第１電源配線８と第２電源配線９間の信号経路（第１信号経路とする）が、第２電源配線９と発光領域間の信号経路（第２信号経路とする）よりも長い。このことから、第１電源配線８の線幅と第２電源配線９の線幅が同じである場合、第１信号経路における電圧降下が第２信号経路における電圧降下よりも大きくなる。第１電源配線８の線幅を第２電源配線９の線幅よりも大きくすることによって第１信号経路における電圧降下を小さくし、結果的に第１信号経路における電圧降下と第２信号経路における電圧降下とを近づけること、あるいは同じにすることができる。その結果、第１電源配線８および第２電源配線９の全体の電源配線における電圧降下を小さくすることができる。

また第１電源配線８は、電源電圧の入力端、例えば図１に示す第１電源配線８の一方端から、電源電圧の出力端、例えば図１に示す第１電源配線８の他方端に向かって線幅が大きくなる構成であってもよい。この場合、第１電源配線８の延びる方向（線方向）における電圧降下を小さくすることができる。第１電源配線８の線幅は漸次大きくなっていてもよく、段階的に大きくなっていてもよい。第２電源配線９についても同様である。

第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれは、第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２上の部位の線幅が、第１信号配線３７ｄ１と第２電源配線９との間の部位の線幅よりも小さい構成であってもよい。この場合、第１接続配線１１が第１信号配線３７ｄ１と平面視で重なる部位で生じる寄生容量と、第１接続配線１１が第２信号配線３７ｄ２と平面視で重なる部位で生じる寄生容量と、を小さくすることができる。第２接続配線１２についても同様の効果を奏する。また、第１信号配線３７ｄ１と第２電源配線９との間の部位においては、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれは、第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２と重なっていないことから、その部位で第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれ線幅を大きくすることができる。その結果、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの抵抗が大きくなることを抑えることができる。

第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれは、第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２上の部位の線幅が一定である構成であってもよい。この場合、第１接続配線１１が各第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２と平面視で重なる部位で生じる各寄生容量を一定とするとともに、それらの寄生容量の総和を最小限にすることができる。

ＴＦＴ４４ａの入力部がゲート電極であり、ＴＦＴ４４ｂの入力部がゲート電極であり、ＴＦＴ４４ａのソース電極およびＴＦＴ４４ｂのソース電極が、それぞれ第２電源配線９に接続されている構成であってもよい。この場合、ＴＦＴ４４ａのソース電極と第２電源配線９とを接続する配線の長さが短くなり、ＴＦＴ４４ｂのソース電極と第２電源配線９とを接続する配線の長さが短くなる。その結果、それらの配線の抵抗が小さくなり、それらの配線の抵抗に起因して第１発光部３３Ｌ１および第２発光部３３Ｌ２の輝度が低下することを抑えることができる。

第１接続パッド部２３ａは、第１信号配線３７ｄ１に沿って延びる形状を有しており、第２接続パッド部２３ｂは、第２信号配線３７ｄ２に沿って延びる形状を有している構成であってもよい。この場合、第１接続パッド部２３ａにおける接続抵抗を小さくして、第１接続配線２１の寄生容量による信号電圧の鈍りおよび低下を抑えることができる。また、第２接続パッド部２３ｂにおける接続抵抗を小さくして、第２引出配線２２の寄生容量による信号電圧の鈍りおよび低下を抑えることができる。また、第１接続パッド部２３ａは、第１信号配線３７ｄ１に接続されるコンタクトホール等の接続部を有しており、その接続部を第１接続パッド部２３ａが延びる方向に長くすることが容易になる。また、第１接続パッド部２３ａは、接続部を複数有することが容易になる。これらの場合、第１接続パッド部２３ａと第１信号配線３７ｄ１との接続抵抗が小さくなる。第２接続パッド部２３ｂと第２信号配線３７ｄ２とについても同様である。

本実施形態の発光装置は、基板３１上に複数の絶縁層の層間に各種配線が配置された多層積層型配線構造体が形成されており、その多層積層型配線構造体の構成に関する。本実施形態の発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する長尺板状の基板３１と、基板３１上に該基板３１の長手方向Ｘと平行に延びて設けられる第１電源配線８と、基板３１上に第１電源配線８と平行に設けられる第２電源配線９と、基板３１上の第１電源配線８と第２電源配線９との間の第１領域Ｓ１に、第１電源配線８と平行に配設された複数（本実施形態では８本）の第１信号配線３７ｄ１と、基板３１上の第２電源配線９に関して第１領域Ｓ１とは反対側の第２領域Ｓ２に設けられる駆動用の第１スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）４４ａと、基板３１上の第２領域Ｓ２に設けられ、ＴＦＴ４４ａに直列に接続される第１発光部３３Ｌ１と、基板３１上の第２領域Ｓ２に、ＴＦＴ４４ａに長手方向Ｘに隣接して設けられる駆動用の第２スイッチング素子であるＴＦＴ４４ｂと、を含む。

発光装置はさらに、基板３１の第２領域Ｓ２に設けられ、ＴＦＴ４４ｂに直列に接続される第２発光部３３Ｌ２と、基板３１上の第１領域Ｓ１の第１信号配線３７ｄ１と第１電源配線８との間に設けられる第２信号配線３７ｄ２と、第１電源配線８と第２電源配線９とを接続する第１接続配線１１と、基板３１上に第１接続配線１１に長手方向Ｘに隣接して設けられ、第１信号配線３７ｄ１とＴＦＴ４４ａとを接続する第１引出配線２１と、基板３１上に長手方向Ｘに第１接続配線１１に関して第１引出配線２１とは反対側に設けられ、第２信号配線１２とＴＦＴ４４ｂとを接続する第２引出配線２２と、を含む。さらに、基板３１上に、長手方向Ｘに第２引出配線２２に関して第１接続配線１１とは反対側に設けられ、第１電源配線８と第２電源配線９とを接続する第２接続配線１２が、備わっていてもよい。

発光装置はさらに、第１引出配線２１は、複数が並行して配置されるとともに、それぞれが第１信号配線３７ｄ１に接続される先端に第１接続部としての第１接続パッド部２３ａを有し、第２引出配線２２は、第２信号配線３７ｄ２に接続される先端に第２接続部としての第２接続パッド部２３ｂを有し、複数の第１接続パッド部２３ａの隣接間距離よりも、第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の距離が大きい、構成である。

上記の構成により、以下の効果を奏する。第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の隙間（隙間Ｓｓ１２とする）が、複数の第１接続パッド部の隣接間の隙間（隙間Ｓｓ１１とする）よりも大きくなることから、隙間Ｓｓ１２を通る、電源枝線としての第１接続配線１１および第２接続配線１２が、上層側ゲート電位供給配線としての第１引出配線２１および第２引出配線２２に接触してショートすることを効果的に抑えることができる。また、電源枝線としての第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅を太く維持することができるので、十分な電源電圧（ソース電圧）を第１スイッチング素子としての駆動用のＴＦＴ４４ａおよび第２スイッチング素子としての駆動用のＴＦＴ４４ｂに供給することができる。また、複数の第１接続パッド部２３ａの隣接間距離よりも、第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の距離が大きいことから、第２引出配線２２の長さを第１引出配線２１の長さと大きく相違させることができる。その結果、第２引出配線２２に生じる寄生容量と第１引出配線２１に生じる寄生容量との間に大きな差が生じることから、複数の発光点の発光輝度に長手方向に傾斜したばらつきが生じることを抑えることができる。従って、発光素子の配列方向に沿う各配線の寄生容量の傾斜分布をなくし、発光輝度のばらつきが抑制された発光装置を実現することができる。

また、第１引出配線２１と第１接続配線１１とは、長手方向Ｘに少なくとも第１距離ΔＬ１をあけて離間し、第２引出配線２２と第１接続配線１１とは、長手方向Ｘに第１距離ΔＬ１以上の第２距離ΔＬ２をあけて離間し、第２引出配線２２と第２接続配線１２とは、長手方向に第１距離ΔＬ１以上の第３距離ΔＬ３をあけて離間していることがよい。この場合、第２引出配線２２はその両側にある第１接続配線１１および第２接続配線１２に接触するリスクがあるが、第１接続配線１１と第２接続配線１２の少なくとも一方が第２引出配線２２に接触するリスクを低減させることができる。第１距離ΔＬ１は、例えば３μｍ～２０μｍであってもよく、第２距離ΔＬ２は、例えば３μｍ～２０μｍであってもよく、第３距離ΔＬ３は、例えば３μｍ～２０μｍであってもよい。

第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれは、第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２上の部位の線幅Ｗ１が、第１信号配線３７ｄ１と第２電源配線９との間の部位の線幅Ｗ２よりも小さく（Ｗ１＜Ｗ２）形成されていることがよい。この場合、第１接続配線１１が第１信号配線３７ｄ１と平面視で重なる部位で生じる寄生容量と、第１接続配線１１が第２信号配線３７ｄ２と平面視で重なる部位で生じる寄生容量と、を小さくすることができる。第２接続配線１２についても同様の効果を奏する。

第１接続パッド部２３ａは、第１信号配線３７ｄ１に沿って延びる形状を有しており、第２接続パッド部２３ｂは、第２信号配線３７ｄ２に沿って延びる形状を有していることがよい。この場合、第１接続パッド部２３ａにおける接続抵抗を小さくして、第１接続配線２１の寄生容量による信号電圧の鈍りおよび低下を抑えることができる。また、第２接続パッド部２３ｂにおける接続抵抗を小さくして、第２引出配線２２の寄生容量による信号電圧の鈍りおよび低下を抑えることができる。

第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅は、平面視において基板３１上の第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２が存在する領域で一定であることがよい。この場合、第１接続配線１１が各第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２と平面視で重なる部位で生じる各寄生容量を一定とするとともに、それらの寄生容量の総和を最小限にすることができる。

また、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅（図１にＷ１で示す）は、第１接続パッド部２３ａの長手方向の寸法と同じであることがよい。この場合、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅Ｗ１をより太く維持することができるので、より十分な電源電圧（ソース電圧）をＴＦＴ４４ａおよびＴＦＴ４４ｂに供給することができる。より具体的には、第１接続パッド部２３ａの長手方向の長さＬＳ１（図１にＷ３で示す）と第２接続パッド部２３ｂの長手方向の長さＬＳ２（図１にＷ４で示す）が同じである場合、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅Ｗ１は、長さＬＳ１（Ｗ３）または長さＬＳ２（Ｗ４）と同じである。長さＬＳ１（Ｗ３）とＬＳ２（Ｗ４）が異なる場合、第１接続配線１１および第２接続配線１２のそれぞれの線幅Ｗ１は、長さＬＳ１（Ｗ３）および長さＬＳ２（Ｗ４）のうちの短い方と同じであることがよい。

例えば、Ｗ３とＷ４が同じである場合、Ｗ１はＷ３またはＷ４の９５％程度以上１０５％程度以下である。Ｗ３とＷ４が異なる場合、例えばＷ３＜Ｗ４である場合、Ｗ１はＷ３の９５％程度以上１０５％程度以下である。例えば、Ｗ１は２０μｍ～１００μｍ程度であり、Ｗ３（＝Ｗ４）は２０μｍ～１００μｍ程度である。

図２は発光装置の全体の模式的な平面図であり、図３は図２のIII部および駆動素子３４を拡大して示す回路図である。発光装置は、基板３１の一方面に、複数の発光素子３３をそれぞれ駆動する複数の駆動回路ブロック３２と、基板３１の長手方向Ｘに沿って２列に整列して配置された複数の発光素子３３とを有する。基板３１の一方面上には、駆動回路ブロック３２の配線と、駆動回路ブロック３２および発光素子３３を接続する配線とが、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法によって形成されている。

複数の駆動回路ブロック３２は、複数の発光素子３３の列に沿ってアレイ状に並べられており、例えば１つの駆動回路ブロック３２が４００個の発光素子３３を駆動する構成であれば、そのような駆動回路ブロック３２が２０個並べられている。従って、発光素子３３は合計で８０００個ある。また、基板３１の一方面の一端部には、駆動回路ブロック３２および発光素子３３を駆動し、発光素子３３の発光を制御する駆動素子３４が、チップオングラス（Chip On Glass：ＣＯＧ）方式等の実装方法によって設置されている。また、基板３１の一方面における駆動素子３４の設置部の近傍の縁部には、フレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）３５が接続されている。このＦＰＣ３５は、駆動素子３４との間で駆動信号、制御信号等を入出力する。なお、図２および図３において、駆動素子３４と駆動回路ブロック３２を接続するデータ配線等の配線は、参照符号３７によって総称的に示している。

図２に示すように、２列を成す各２個の発光素子３３ａ，３３ｂに対して１組の駆動回路が形成されている。１組の駆動回路は、シフトレジスタ４０、論理和否定（ＮＯＲ）回路４１、インバータ４２、ＣＭＯＳトランスファゲート素子４３ａ，４３ｂ、および駆動用のＴＦＴ４４ａ，４４ｂを有している。ＴＦＴ４４ａ，４４ｂの各ドレイン電極部には、有機ＬＥＤ素子等から成る発光素子３３ａ，３３ｂがそれぞれ接続されている。

１組の駆動回路は、以下のように順次動作する。シフトレジスタ４０は、クロック端子（ＣＬＫ）にハイレベル「１」のクロック信号（ＣＬＫ）が入力されるとともに、入力端子（ｉｎ）にハイレベルの同期信号（Ｖｓｙｎｃ）が入力されたときに、出力端子（Ｑ）からハイレベルの信号が出力されるとともに、反転出力端子（ＸＱ）からローレベル「０」の信号が出力される。次に、ＮＯＲ回路４１は、反転出力端子（ＸＱ）からローレベルの信号が入力されるとともに反転イネーブル信号（ＸＥＮＢ）であるローレベルの信号が入力されて、ハイレベルの信号を出力する。

次に、インバータ４２はローレベルの信号を出力する。次に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子４３ａは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイレベルの信号が入力されるとともに、ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローレベルの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）を出力する。次に、データ信号（ＤＡＴＡ１１）がＴＦＴ４４ａのゲート電極部に入力されてＴＦＴ４４ａがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１１）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子３３ａに供給される。同時に、ＣＭＯＳトランスファゲート素子４３ｂは、ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にＮＯＲ回路４１からのハイレベルの信号が入力されるとともに、ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート電極部にインバータ４２からローレベルの信号が入力されてオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）を出力する。

次に、データ信号（ＤＡＴＡ１２）がＴＦＴ４４ｂのゲート電極部に入力されてＴＦＴ４４ｂがオン状態となり、データ信号（ＤＡＴＡ１２）に応じた電源電圧（ＶＤＤ）による電源電流が発光素子３３ｂに供給される。以上の一連の動作が、次段の駆動回路によって順次実行されていき、すべての発光素子３３が順次発光していく。

基板３１の発光素子搭載面の周縁部と、封止基板３６の基板３１に対向する面の周縁部とは、シール部材１５によって接着され、封止されている。そして、シール部材１５の内側の空間には、アクリル樹脂等から成る絶縁層（図５の絶縁層５９に相当する）が、駆動回路ブロック３２、配線３７等のほとんどを覆うように配置されている。

図４は図２の発光部を拡大して示す部分拡大平面図であり、図５は図４の切断面線Ｖ１－Ｖ２における断面図である。これらの図に示すように、発光装置は、ガラス基板等の透光性を有する基板３１上に形成されたＴＦＴ４４ａ，４４ｂと、ＴＦＴ４４ａ，４４ｂ上にアクリル樹脂、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等から成る絶縁層５７を挟んで積層された有機発光体部７１、および有機発光体部７１とＴＦＴ４４のドレイン電極５６ｂとを導電接続するコンタクトホール７２を含んでいる。有機発光体部７１は、ＴＦＴ４４の側からコンタクトホール７２に電気的に接続された第１電極層５８、有機発光層６０、第２電極層６１が積層されており、絶縁層５７および第１電極層５８上に有機発光層６０を囲むようにアクリル樹脂等から成る他の絶縁層５９が形成されている。

図４および図５において、符号３３Ｌで示す部位は、第１電極層５８および第２電極層６１によって有機発光層６０に直接的に電界が印加されて発光する発光部３３Ｌである。発光素子３３は、平面視において、発光部３３Ｌ、その周囲の第１電極層５８および有機発光層６０を含む部位である。第１電極層５８は、陽極であって、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）等の透明電極から成り、第２電極層６１が陰極であって、Ａｌ、Ａｌ－Ｌｉ合金、Ｍｇ－Ａｇ合金（Ａｇを５～１０重量％程度含む）、Ｍｇ－Ｃｕ合金（Ｃｕを５～１０重量％程度含む）等の、仕事関数が約４．０Ｖ以下と低く、遮光性、光反射性を有する金属、合金から成る場合、有機発光層６０で発光した光は基板３１側から出射される。すなわち、発光方向Ｙが下方であるボトムエミッション型の発光装置となる。

一方、第１電極層５８が陰極であって上記の遮光性、光反射性を有する金属またはそれらの合金から成り、第２電極層６１が陽極であって透明電極から成る場合、発光方向Ｙが上方であるトップエミッション型の発光装置となる。

ＴＦＴ４４ａ，４４ｂ（総称する場合には、添え字ａ，ｂは省略する）は、基板３１側から、ゲート電極５２と、ゲート絶縁膜５３と、チャネル部としてのポリシリコン膜５４およびポリシリコンに不純物をチャネル部よりも高濃度に含有させた高濃度不純物領域５４ａから成る半導体膜と、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）等から成る絶縁膜５５と、ソース電極５６ａと、ドレイン電極５６ｂとが、順次積層された構成を有している。

なお、図４において、第２電源配線９は、ソース電極５６ａにソース信号（電源電流）を伝達するソース信号線（電源配線）であり、第１信号配線３７ｄ１は、ゲート電極５２にゲート信号を伝達するゲート信号線である。各ゲート信号線である第１信号配線３７ｄ１に入力するゲート信号の電圧を制御することによって、各有機発光層６０の発光強度を制御することができる。すなわち、第２電源配線９は、電源配線（ソース信号線）として機能する。

図６は図１の切断面線Ｖ３－Ｖ４から見た断面図である。基板３１の発光素子３３が配置される面には、順に、ＴＦＴ４４のドレイン電極と発光部３３Ｌの第１電極層（図６の例ではアノード電極）１２１ａとを電気的に接続するアノード接続配線２、その上に窒化珪素（ＳｉＮ_x），酸化珪素（ＳｉＯ_２）等から成る第１の層間絶縁膜３が形成されている。

第１の層間絶縁膜３上には、有機発光層６０に駆動電流を供給するデータ配線等の配線３７ｄ、接地配線７が形成されており、それらを覆って窒化珪素（ＳｉＮ_x）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等から成る第２の層間絶縁膜５が形成されている。第２の層間絶縁膜５の上には、接地配線７、配線３７ｄ、ＴＦＴ４４の部位を覆うように絶縁層３９（図５の絶縁層５９に相当する）が形成されている。

絶縁層３９の上には、アノード電源配線としての第１電源配線８が形成され、ＴＦＴ４４に平面視で重なる部位に、ＴＦＴ４４のソース電極にアノード電流を流すアノード配線９が形成されている。第１電源配線８、アノード配線９を覆うように、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化珪素（ＳｉＯ_２）等から成る保護絶縁層６が形成されている。なお、符号３２で示される部位は駆動回路ブロックであり、符号４０で示される部位はシフトレジスタである。

保護絶縁層６上の第１電源配線８に平面視で重なる部位に、シール部材１５が形成されており、シール部１５は基板３１と封止基板３６を気密に封止する。

アノード接続配線２に重なる第２の層間絶縁膜５上の部位に、カソード電源配線１３が形成されており、発光素子３３側にはアノード接続配線２と第１電極層１２１ａとを接続するための層間導体層４９が形成されている。アノード接続配線２のＴＦＴ４４側の端部には、ＴＦＴ４４のソース電極に接続される第１のコンタクトホール１１０が配置されており、発光素子３３側の端部には、層間導体層４９に接続される第２のコンタクトホール１１１が配置されている。

保護絶縁層６上の発光部３３Ｌ側の端部を覆って、第１電極層２１ａが形成されており、その上に有機発光層６０が形成され、有機発光層６０を覆って第２電極層（図６ではカソード電極）１２３ａが形成されている。第２電極層１２３ａの一端部は、カソード電源配線１３に接している。

第１電源配線８の上には、補助電源配線（電源強化配線ともいう）８ａが第１電源配線８と平行に配置されているとともに、第１電源配線８と補助電源配線８ａはコンタクトホール８ｃによって接続されている。これにより、第１電源配線８の断面積が実質的に増大することとなり、第１電源配線８の抵抗が小さくなる。その結果、長板状の基板３１の長手方向に平行に帯状、線状に形成されている第１電源配線８の電圧降下が小さくなるように構成されている。

以上のように本実施形態の発光装置によれば、図７の部分拡大平面図に示されるように、第１引出配線２１の先端および第２引出配線２２の先端に、第１および第２信号配線３７ｄ１，３７ｄ２のいずれかに接続される平面視でＴ字状の第１，第２接続パッド部２３ａ，２３ｂを設けている。また、第１電源配線８と第２電源配線９とを第１接続配線１１および第２接続配線１２によって接続し、第１接続配線１１と第１引出配線２１とを長手方向Ｘに第１距離ΔＬ１をあけて離間させ、第１接続配線１１と第２引出配線２２とを長手方向Ｘに第２距離ΔＬ２をあけて離間させた配線パターンが形成される。これにより、第１接続配線１１と第１引出配線２１との間および第１接続配線１１と第２引出配線２２との間に、絶縁距離を確保し、基板３１の長手方向にアレイ状に配列された多数の発光素子３３に電源電圧としてのカソード電位を低下させずに給電することができる。このことは、第２接続配線１２に関しても同様である。

また、第１接続配線１１と第２引出配線２２との間の長手方向Ｘの離間する第２距離ΔＬ２が、第１接続配線１１と第１引出配線２１との間の長手方向Ｘの離間する第１距離ΔＬ１以上に設定されるので、第１引出配線２１および第２引出配線２２の長手方向Ｘのピッチを一定にして配線パターンを高密度化することが可能となる。

さらに、第１および第２引出配線２１，２２は、長手方向Ｘに幅Ｗ３を有する第１および第２接続配線１１，１２における、第１および第２信号配線３７ｄ１，３７ｄ２上の長手方向Ｘの幅Ｗ１を、第１信号配線３７ｄ１と第２電源配線９との間の幅Ｗ２よりも小さく設定しているので、前述のように第１接続配線１１と第１引出配線２１との間および第１接続配線１１と第２引出配線２２との間に絶縁距離を確保し、第１電源配線８および第２電源配線９間を導通させ、各発光素子３３の配列方向に沿う各配線３７の寄生容量の傾斜分布をなくし、発光輝度のばらつきが抑制された発光装置を提供することができる。

（実施形態２）
図８は本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、第１引出配線２１の第１接続パッド部２３ａは、長手方向Ｘにおいて、第１接続配線１１から離反する方向（図８では左方）に延びて幅Ｗ３を有しており、平面視において、逆Ｌ字状に形成される。

このような構成によって、第１接続配線１１の第１信号配線３７ｄ１および第２信号配線３７ｄ２上に位置する部分の幅Ｗ１を、第１信号配線３７ｄ１と第２電源配線９との間に位置する部分の幅Ｗ２と同一に形成することができる。

（実施形態３）
図９は本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、第１引出配線２１は、第１信号配線３７ｄ１から第２電源配線９に向かって長手方向Ｘに垂直な方向Ｙに延びる第１部分２１ａと、第１部分２１ａの最も第２電源配線９寄りの端部から、第１接続配線１１側に直角に延びる第２部分２１ｂと、第２部分２１ｂの最も第１接続配線１１寄りの端部から直角に屈曲して、第２電源配線９側に延びる第３部分２１ｃと有する。

このような構成によって、第１接続配線１１を第１引出配線２１から長手方向Ｘに離間させることができ、第１および第２信号配線３７ｄ１，３７ｄ２上における第１引出配線２１を第１接続配線１１から大きく離すことができる。

（実施形態４）
図１０は本開示の他の実施形態の発光装置の配線構造を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、第１接続配線１１に隣接する第１引出配線２１が第１接続パッド部２３ａによって、最も第２電源配線９寄りの第１信号配線３７ｄ１に接続される。このような構成によって、第２接続パッド部２３ｂとそれに隣接する第１接続パッド部２３ａ間の隙間を最大化することができる。

前述の各実施形態では、第１発光部３３Ｌ１および第２発光部３３Ｌ２を含む複数の発光部を、長手方向Ｘに２０μｍ以上４０μｍ以下の等間隔で列状に配列した発光部アレイとして構成し、列状の発光部アレイを２列に配列した構成について述べたが、本開示の他の実施形態では、複数の発光部を長手方向Ｘに４列の発光部アレイとして搭載されてもよい。さらには、第１発光部３３Ｌ１および第２発光部３３Ｌ２を含む複数の発光部を、長手方向Ｘに１０μｍ以上６０μｍ以下の等間隔で列状に配列した発光部アレイとして構成し、列状の発光部アレイを２列、４列または６列に配列した構成を採用してもよい。

本開示の発光装置によれば、複数の第１接続部の隣接間距離よりも、第２接続部とそれに隣接する第１接続部間の距離が大きいことから、第２接続部とそれに隣接する第１接続部間の隙間（隙間Ｓｓ１２とする）が、複数の第１接続部の隣接間の隙間（隙間Ｓｓ１１とする）よりも大きくなる。即ち、Ｓｓ１２＞Ｓｓ１１となることから、隙間Ｓｓ１２を通して電源枝線等の他の配線を配置することが容易になる。その結果、限られた面積の領域に複雑な配線構造を構成することができる。また、隙間Ｓｓ１２を通る電源枝線等の他の配線の線幅を太くできることから、他の配線を低抵抗化することができる。

本開示の発光装置によれば、上述した通りＳｓ１２＞Ｓｓ１１となることから、隙間Ｓｓ１２を通る、電源枝線としての第１接続配線が、上層側ゲート電位供給配線としての第１引出配線および第２引出配線に接触してショートすることを効果的に抑えることができる。また、電源枝線としての第１接続配線のそれぞれの線幅を太く維持することができるので、十分な電源電圧（ソース電圧）を駆動用ＴＦＴとしての第１スイッチング素子および第２スイッチング素子に供給することができる。また、複数の第１接続部の隣接間距離よりも、第２接続部とそれに隣接する第１接続部間の距離が大きいことから、第２引出配線の長さを第１引出配線の長さと大きく相違させることができる。その結果、第２引出配線に生じる寄生容量と第１引出配線に生じる寄生容量との間に大きな差が生じることから、複数の発光点の発光輝度に長手方向に傾斜したばらつきが生じることを抑えることができる。従って、発光素子の配列方向に沿う各配線の寄生容量の傾斜分布をなくし、発光輝度のばらつきを抑制された発光装置を実現することができる。

以上、本開示の各実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。

本開示の発光装置は、例えば、長板状の基板３１の長手方向に複数の発光部を列状に並ぶように形成することによって、有機ＬＥＤプリンタ（ＯＬＥＤＰ）ヘッドとして構成し得る。また、基板が長尺板状等の形状であり、複数の発光部を２次元的（平面的に）並ぶように形成することによって有機ＥＬ表示装置として構成し得る。さらに本開示の発光装置および有機ＥＬ表示装置は、各種の電子機器に適用できる。その電子機器としては、照明装置、自動車経路誘導システム（カーナビゲーションシステム）、船舶経路誘導システム、航空機経路誘導システム、自動車等の乗り物の計器用インジケータ、インスツルメントパネル、スマートフォン端末、携帯電話、タブレット端末、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子手帳、電子書籍、電子辞書、パーソナルコンピュータ、複写機、ゲーム機器の端末装置、テレビジョン、商品表示タグ、価格表示タグ、産業用のプログラマブル表示装置、カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー、ファクシミリ、プリンタ、現金自動預け入れ払い機（ＡＴＭ）、自動販売機、医療用表示装置、デジタル表示式腕時計、スマートウォッチなどがある。

２ アノード接続配線
３ 層間絶縁膜
５ 層間絶縁膜
６ 保護絶縁層
７ 接地配線
８ 第１電源配線
８ａ 補助電源配線
９ 第２電源配線
１１ 第１接続配線
１２ 第２接続配線
２１ 第１引出配線
２２ 第２引出配線
２３ａ 第１接続パッド部
２３ｂ 第２接続パッド部
３１ 基板
３２ 駆動回路ブロック
３３Ｌ１ 第１発光部
３３Ｌ２ 第２発光部
３６ 封止基板
３７ｄ１ 第１信号配線
３７ｄ２ 第２信号配線
４０ シフトレジスタ
４４ａ，４４ｂ 薄膜トランジスタ
５２ ゲート電極
５３ ゲート絶縁膜
５４ ポリシリコン膜
５５ 絶縁膜
５６ａ ソース電極
５６ｂ ドレイン電極
５７ 絶縁層
５８ 第１電極層
５９ 絶縁層
６０ 有機発光層
６１ 第２電極層
７１ 有機発光体部
７２ コンタクトホール
Ｓ１ 第１領域
Ｓ２ 第２領域
Ｘ 長手方向
Ｙ 発光方向
Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３ 幅

Claims (17)

1. 基板と、
   前記基板上の第１領域に位置し、所定方向に延びている、第１信号配線および第２信号配線と、
   前記基板上の第２領域に位置し、第１スイッチング素子とその出力部に接続される第１発光部と、
   前記第２領域に位置し、前記所定方向において第１スイッチング素子および第１発光部に隣接する、第２スイッチング素子およびその出力部に接続される第２発光部と、
   前記第１スイッチング素子の入力部に接続され、前記所定方向と交差する方向に延びる複数の第１引出配線と、
   前記第２スイッチング素子の入力部に接続され、前記所定方向と交差する方向に延びる第２引出配線と、
   前記第１信号配線に接続される、前記第１引出配線の第１接続部と、
   前記第２信号配線に接続される、前記第２引出配線の第２接続部と、を備え、
   複数の前記第１接続部の隣接間距離よりも、前記第２接続部とそれに隣接する前記第１接続部間の距離が大きい、発光装置。
2. 前記第２信号配線は、前記第１信号配線よりも前記第２領域から遠くに位置することによって、前記第２引出配線の長さが、複数の前記第１引出配線のいずれの長さよりも長い、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板上に位置し、前記所定方向に延びている、第１電源配線および第２電源配線を備え、
   第１電源配線および第２電源配線は前記第１領域を挟む配置とされているとともに、前記第２電源配線が前記第１電源配線よりも前記第２領域の近くに位置している、請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記基板上に位置し、前記交差する方向に延びるとともに前記第１電源配線と前記第２電源配線とを接続する接続配線を備える、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記接続配線は、第１接続配線および第２接続配線を含む、請求項４に記載の発光装置。
6. 前記第１電源配線の線幅が、前記第１接続配線の線幅および前記第２接続配線の線幅のいずれよりも大きく、
   前記第２電源配線の線幅が、前記第１接続配線の線幅および前記第２接続配線の線幅のいずれよりも大きい、請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第１接続配線および前記第２接続配線のそれぞれは、前記第１信号配線および前記第２信号配線上の部位の線幅が、前記第１信号配線と前記第２電源配線との間の部位の線幅よりも小さい、請求項５または６に記載の発光装置。
8. 前記第１接続配線および前記第２接続配線のそれぞれは、前記第１信号配線および前記第２信号配線上の部位の線幅が一定である、請求項５～７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 前記第１スイッチング素子は、第１薄膜トランジスタであるとともに前記入力部がゲート電極であり、
   前記第２スイッチング素子は、第２薄膜トランジスタであるとともに前記入力部がゲート電極であり、
   前記第１薄膜トランジスタのソース電極および前記第２薄膜トランジスタのソース電極が、それぞれ前記第２電源配線に接続されている、請求項３～８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 前記第１接続部は、前記第１信号配線に沿って延びる形状を有しており、
    前記第２接続部は、前記第２信号配線に沿って延びる形状を有している、請求項１～９のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 長尺板状の基板と、
    前記基板上に、該基板の長手方向と平行に延びて設けられる第１電源配線と、
    前記基板上に、前記第１電源配線と平行に設けられる第２電源配線と、
    前記基板上の前記第１電源配線と前記第２電源配線との間の第１領域に、前記第１電源配線と平行に配設された第１信号配線と、
    前記基板上の、前記第２電源配線に関して前記第１領域とは反対側の第２領域に設けられる、第１スイッチング素子およびそれに接続される第１発光部と、
    前記第２領域に、前記第１スイッチング素子および前記第１発光部に前記長手方向に隣接して設けられる、第２スイッチング素子およびそれに接続される第２発光部と、
    前記第１領域の前記第１信号配線と前記第１電源配線との間に設けられる第２信号配線と、
    前記第１電源配線と前記第２電源配線とを接続する第１接続配線と、
    前記基板上に前記第１接続配線に前記長手方向に隣接して設けられ、前記第１信号配線と前記第１スイッチング素子とを接続する第１引出配線と、
    前記基板上に、前記長手方向に前記第１接続配線に関して前記第１引出配線とは反対側に設けられ、前記第２信号配線と前記第２スイッチング素子とを接続する第２引出配線と、を含み、
    前記第１引出配線は、複数が並行して配置されるとともに、それぞれが前記第１信号配線に接続される先端に第１接続部を有し、
    前記第２引出配線は、前記第２信号配線に接続される先端に第２接続部を有し、
    複数の前記第１接続部の隣接間距離よりも、前記第２接続部とそれに隣接する前記第１接続部間の距離が大きい、発光装置。
12. 前記基板上に、前記長手方向に前記第２引出配線に関して前記第１接続配線とは反対側に設けられ、前記第１電源配線と前記第２電源配線とを接続する第２接続配線が、備わっており、
    前記第１引出配線と前記第１接続配線とは、前記長手方向に少なくとも第１距離をあけて離間し、
    前記第２引出配線と前記第１接続配線とは、前記長手方向に前記第１距離以上の第２距離をあけて離間し、
    前記第２引出配線と前記第２接続配線とは、前記長手方向に前記第１距離以上の第３距離をあけて離間している、請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記第１接続配線および前記第２接続配線のそれぞれは、前記第１信号配線および前記第２信号配線上の部位の線幅が、前記第１信号配線と前記第２電源配線との間の部位の線幅よりも小さい、請求項１２に記載の発光装置。
14. 前記第１接続部は、前記第１信号配線に沿って延びる形状を有しており、
    前記第２接続部は、前記第２信号配線に沿って延びる形状を有している、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の発光装置。
15. 前記第１接続配線および前記第２接続配線のそれぞれの線幅は、平面視において前記基板上の前記第１信号配線および前記第２信号配線が存在する領域で一定である、請求項１２または１３に記載の発光装置。
16. 前記第１引出配線は、前記第１信号配線に接続される第１接続パッド部を有しており、
    前記第１接続配線および前記第２接続配線のそれぞれの線幅は、前記第１接続パッド部の前記長手方向の寸法と同じである請求項１２、１３および１５のいずれか１項に記載の発光装置。
17. 前記第１および第２発光部は、前記長手方向に２０μｍ以上４０μｍ以下の等間隔で列状に配列された発光部アレイとして構成されており、
    前記発光部アレイが２列または４列に配設されている、請求項１１～１６のいずれか１項に記載の発光装置。