JP7297564B2 - サーマルプリントヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、サーマルプリントヘッドおよびその製造方法に関する。
特許文献1には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。このサーマルプリントヘッドは、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板にグレーズ層を介して形成した抵抗体層上に、その一部を露出させるようにして、上流側電極層と下流側電極層をそれらの端部を対向させて積層することにより形成されている。上流側電極層と下流側電極層間を通電することにより、上記抵抗体層の露出部(発熱部)がジュール熱により発熱する。
同文献に開示されたサーマルプリントヘッドはまた、印字媒体への熱伝達を効率化して高速印字を可能とする等のために、主走査方向に延びる蓄熱層としての凸状グレーズを設け、この凸条グレーズの頂部に各発熱部を配置している。このような凸状グレーズは、各発熱部へのプラテンローラ当たりを良好にして、印字品位を向上させることにも役立つ。
上記のような凸状グレーズは一般に、ガラスペーストを用いてスクリーン印刷をし、これを焼成することにより形成される。しかしながら、このような凸状グレーズの形成方法では、印刷時に形成される膜厚が製品ごとに、あるいは主走査方向の各所でまちまちになることがある。これらのことは、サーマルプリントヘッドの製品品位あるいは印字品位の一定化を阻害する要因となっていた。
また、特許文献2には、サーマルプリントヘッドにおいて、単結晶半導体に異方性エッチングを施すことによりヘッド基板上に凸部を形成し、この凸部に発熱部を配置する技術が開示されている。この場合、凸部の形状を主走査方向に一様とすることができるが、単結晶半導体はガラスと比較して熱伝導性が良いため、凸部の形態を損なうことなく、適切な蓄熱性を与えることが必要になる。
特開2007-269036号公報 特開2019-14233号公報
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、発熱部を形成するべくヘッド基板に形成した凸部に適切な蓄熱性能を与えることができるサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。
上記の課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を採用した。
本発明の第1の側面により提供される係るサーマルプリントヘッドは、主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板および上記凸部は、単結晶半導体により一体に形成されていることを特徴とする。
好ましい実施の形態では、上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている。
好ましい実施の形態では、上記蓄熱層は、上記凸部の上記頂面の副走査方向全幅にわたって形成されている。
好ましい実施の形態では、上記単結晶半導体は、Siからなり、上記主面は、(100)面である。
好ましい実施の形態では、上記凸部の上記主面からの突出高さは、100~300μmであり、上記蓄熱層の最大厚さは、10~200μmである。
好ましい実施の形態では、上記凸部の上記頂面は、上記主面と平行な平坦面であり、上記蓄熱層は、ガラスペーストを焼成したグレーズである。
好ましい実施の形態では、上記凸部は、上記頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の傾斜外面とを含み、上記グレーズは、その上面の副走査方向両端がラウンド部を介して上記一対の傾斜外面につながっている。
本発明の第2の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板および上記凸部は、単結晶半導体により一体に形成されているサーマルプリントヘッドの製造方法であって、単結晶半導体からなる材料基板の主面に、所定厚みのグレーズ層を形成するグレーズ層形成ステップ、上記グレーズ層にウエットエッチングを施すことにより、副走査方向所定幅で主走査方向に延びるグレーズ中間体を形成するグレーズ中間体形成ステップ、および、上記材料基板に異方性エッチングを施すことにより、グレーズ中間体が頂面に載る上記凸部を形成する凸部形成ステップ、を含むことを特徴とする。
好ましい実施の形態では、上記材料基板は、上記主面を(100)面とするSiウエハである。
好ましい実施の形態では、上記グレーズ層形成ステップは、ガラスペーストを印刷・焼成することにより行う。
好ましい実施の形態では、上記凸部形成ステップは、上記グレーズ中間体をマスクとして行う。
好ましい実施の形態では、上記凸部形成ステップは、KOHを用いた異方性エッチングを施すことにより行う。
好ましい実施の形態では、上記凸部形成ステップでは、上記凸部の上記頂部に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の傾斜外面を含む面を形成する。
好ましい実施の形態では、上記凸部形成ステップの後、上記グレーズ中間体を再焼成することにより、その上面の副走査方向両端にラウンド部を形成して当該ラウンド部を上記一対の傾斜外面につなげる。
好ましい実施の形態では、上記グレーズ層形成ステップで形成されるグレーズ層の厚さは、10~200μmである。
好ましい実施の形態では、上記凸部形成ステップで形成される上記凸部の突出高さは、100~300μmである。
好ましい実施の形態では、上記複数の発熱部は、上記凸部形成ステップの後、抵抗体層を形成するステップと、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層形成するステップを含んで形成される。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部平面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図1のIV-IV線に沿う断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。 本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部断面図である。
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
図1~図6は、本発明の一実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す。このサーマルプリントヘッドA1は、ヘッド基板1、接続基板5および放熱部材8を有する。ヘッド基板1および接続基板5は、放熱部材8上に副走査方向yに隣接させて搭載されている。ヘッド基板1には、後に詳説する構成により、主走査方向xに配列される複数の発熱部41が形成されている。この発熱部41は、接続基板5上に搭載されたドライバIC7により選択的に発熱駆動され、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ91により発熱部41に押圧される感熱紙等の印字媒体に印字を行う。
ヘッド基板1は、主走査方向xを長手方向とし、副走査方向yを短手方向とする細長矩形状の平面形状を有する。ヘッド基板1の大きさは限定されないが、一例を挙げると、主走査方向xの寸法は、例えば50~150mm、副走査方向yの寸法は、例えば2.0~5.0mm、厚さ方向zの寸法は、例えば725μmである。なお、以下の説明において、ヘッド基板1における副走査方向yのドライバIC7に近い側を上流側といい、ドライバIC7から遠い側を下流側という。
本実施形態のヘッド基板1は、単結晶半導体からなる。単結晶半導体としては、Siが好適である。当該ヘッド基板1の主面11の下流側寄りには、主走査方向xに延びる凸部13が一体に形成されている。この凸部13の断面形状は、主走査方向xについて一様である。
図5および図6に詳示するように、凸部13は、主面11と平行な頂面130と、この頂面130から副走査方向y両側につながって延び、主面11に至る一対の傾斜外面131を有する。一対の傾斜外面131は、頂面130から副走査方向yに離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する。一対の傾斜外面131の主面11に対する傾斜角度α1は、例えば50~60度である。本実施形態において、凸部13の寸法は、副走査方向y全幅H1が例えば200~300μm、高さH2が例えば100~300μm、頂面130の副走査方向y幅H3が例えば150~200μmである。なお、ヘッド基板1の主面11および凸部13の頂面は、(100)面である。
凸部13の頂面130には、当該頂面130の副走査方向y幅の全幅にわたって、主走査方向に延びる蓄熱層15が積層形成されている。後記する製造方法によれば、この蓄熱層15は、ガラスペーストを焼成することにより形成されグレーズ150で構成されており、その厚みは、例えば10~200μm、好ましくは30~50μmである。図6に良く表れているように、本実施形態では、当該蓄熱層15は、その副走査方向両端の表面にラウンド部150Cが形成されており、これにより、蓄熱層15の表面が上記凸部13の一対の傾斜外面131にかけて滑らかに連続させられている。後記する製造方法によれば、ラウンド部150Cは、凸部13の形成後にグレーズ中間体150Bを再焼成することにより形成される。
ヘッド基板1の主面11および上記のように蓄熱層15が設けられた凸部13には、少なくとも、これらを覆う絶縁層19、抵抗体層4、電極層3および保護層2がこの順で形成されている。
絶縁層19は、ヘッド基板1の主面11および凸部13を覆って形成されている。この絶縁層19は、後記する抵抗体層4および電極層3を形成するべき領域を覆うように形成される。絶縁層19は、絶縁性材料からなり、たとえばSiO2やSiNまたはTEOS(オルトケイ酸テトラエチル)からなり、本実施形態においては、TEOSが好適に採用されている。絶縁層19の厚さは特に限定されず、その一例を挙げるとたとえば5μm~15μmであり、好ましくは5μm~10μmである。
抵抗体層4は、絶縁層19を覆うように、主面11および凸部13にわたって形成されている。絶縁層19は、たとえばTaNからなる。抵抗体層4の厚さは特に限定されず、たとえば0.02μm~0.1μmであり、好ましくは0.08μm程度である。抵抗体層4は、後記する電極層3に覆われずに露出する部分が発熱部41を形成する。この発熱部41は、その多数が主走査方向xに配列され、その副走査方向yにおける形成領域は、凸部13の頂面130の副走査方向yの一部または全部を含んだ適宜領域とされる。抵抗体層4は、各発熱部41を主走査方向xについて独立させるため、少なくとも発熱部41を形成するべき副走査方向y領域については主走査方向xについて分離形成されている。
電極層3は、ヘッド基板1の上流側に形成される複数の個別電極層31と、ヘッド基板1の下流側に形成される共通電極層32とを含む。各個別電極層31は、概ね副走査方向yに延びる帯状をしており、それらの下流側先端は上記凸部13の副走査方向y適宜位置まで延びている。各個別電極層31の上流側端部には、個別パッド部311が形成されている。個別パッド部311は、接続基板5に搭載される駆動IC7とワイヤ61により接続される部分である。共通電極層32は、複数の櫛歯部324と、これら複数の櫛歯部324を共通につなげる共通部323とを有する。共通部323はヘッド基板1の上流側の縁に沿って主走査方向xに形成され、各櫛歯部324は、共通部323から分かれて副走査方向yに延びる帯状をしており、その上流側先端は、上記凸部13の副走査方向y適宜位置まで延び、各個別電極層31の先端に対して所定間隔を隔てて対向させられている。共通部323は、その主走査方向x両端から副走査方向yに折れ曲がってヘッド基板1の下流側に至る延長部325を有する。電極層3は、例えばCuからなり、その厚さは、例えば0.3~2.0μmである。上記したように、凸部13の頂面付近において、抵抗体層4のうち、個別電極層31と、これに先端部どうしが対向する共通電極層32の上記櫛歯部324とに覆われていない部分が各発熱部41を形成する。
抵抗体層4および電極層3はさらに、保護層2で覆われている。保護層2は、絶縁性の材料からなり、例えばSiO2、SiN、SiC、AlN等からなる。保護層2の厚みは、例えば1.0~10μmである。
図5に示すように、保護層2は、パッド用開口21を有する。パッド用開口21は、複数の個別電極層31に設けた個別パッド部311を露出させている。
接続基板5は、ヘッド基板1に対して副走査方向y上流側に隣接して配置されている。接続基板5は、例えばPCB基板であり、ドライバIC7やコネクタ59が搭載される。接続基板5は、主走査方向xを長手方向とする平面視長矩形状をしている。
ドライバIC7は、接続基板5上に搭載されており、複数の発熱部41に個別に通電させるために設けられる。ドライバIC7と上記各個別電極層31の各個別パッド部311間は、複数のワイヤ61によって接続される。ドライバIC7はまた、接続基板5上に形成された配線パターンに対して、ワイヤ62によって接続されている。ドライバIC7には、コネクタ59を介して外部から送信される印字信号が入力される。複数の発熱部41は、印字信号に従って個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。
ドライバIC7およびワイヤ61,62は、ヘッド基板1と接続基板5とに跨るようにして保護樹脂78で覆われている。保護樹脂78は、例えばエポキシ樹脂等の黒色の絶縁性樹脂が用いられる。
放熱部材8は、ヘッド基板1および接続基板5を支持しており、発熱部41により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材8は、例えばアルミ等の金属製である。
次に、サーマルプリントヘッドA1の製造方法の一例について、図7~図17を参照して説明する。
まず、図7に示すように、材料基板1Aを用意する。材料基板1Aは、単結晶半導体からなり、たとえばSiウエハである。材料基板1Aは、平坦な主面11Aを有し、当該主面11Aは(100)面である。
次いで、図8に示すように、材料基板1Aの主面11Aの全面にガラスペーストをスクリーン印刷をし、これを焼成することにより、グレーズ層150Aを形成する。このグレーズ層150Aの厚さは、例えば10~200μm、好ましくは30~50μmとされる。
次いで、図9に示すように、上記凸部13の頂面130となるべき領域に対応するようにして、グレーズ層150Aの表面に対して例えばフォトリソグラフィ法によりレジスト151を付着させる。
次いで、図10に示すように、レジスト151をマスクとしてグレーズ層にウエットエッチングを施し、グレーズ層のうち、レジスト151で覆われていない領域のグレーズ層を除去する。
次いで、図11に示すように、レジスト151を除去する。こうして除去されずに残ったグレーズ層が、本発明にいう、凸部13の頂面130に積層されるグレーズ中間体150Bとなる。
次いで、図12に示すように、グレーズ中間体150Bをマスクとし、材料基板1Aに対して例えばKOHを用いた異方性エッチングを行うことにより、主走査方向xに略一様断面で延びる凸部13を形成する。上記したように、凸部13は、頂面130およびこの頂面130を副走査方向yに挟んで位置する一対の傾斜外面131を有する。一対の傾斜外面131は、頂面130の副走査方向y両縁につながり、頂面130から副走査方向yに離れるにしたがい低位となるように傾斜する面である。上記したように、一対の傾斜外面131の主面11Aに対する傾斜角度は、50~60度である。
次いで、図13に示すように、グレーズ中間体150Bを再焼成することにより、副走査方向両端に、表面が上記一対の傾斜外面131に滑らかにつながるラウンド部150Cを形成する、こうして、副走査方向両端にラウンド部が形成されたグレーズ150が形成され、このグレーズ150が蓄熱層15として機能することになる。
次いで、図14に示すように、絶縁層19を形成する。絶縁層の形成は、例えばCVDを用いてTEOSを堆積させることにより行う。
次いで、図15に示すように、抵抗体膜4Aを形成する。抵抗体膜4Aの形成は、例えばスパッタリングにより絶縁層19上にTaNの薄膜を形成することによって行う。
次いで、図16に示すように、導電膜3Aを形成する。導電膜3Aの形成は、例えばめっきやスパッタリングによりCuからなる層を形成することによって行う。
次いで、図17に示すように、導電膜3Aおよび抵抗体膜4Aに選択的なエッチングを施すことにより、主走査方向xに分離された抵抗体層4、この抵抗体層4を発熱部41を残して覆う個別電極層31、および共通電極層32の櫛歯部324を形成する。
次いで、保護層2を形成する、保護層2の形成は、例えばCVDを用いて絶縁層19、電極層3および抵抗体層4上にSiNおよびSiCを堆積させることにより行われる。また、保護層2をエッチング等により部分的に除去することにより、パッド用開口21を形成する。この後は、放熱部材8上へのヘッド基板1および接続基板5の組付け、接続基板5へのドライバIC7接続の搭載、ワイヤ61,62のボンディング、保護樹脂78の形成等を行うことにより、図1~図6に示したサーマルプリントヘッドA1が得られる。
次に、実施形態に係るサーマルプリントヘッドA1の作用について説明する。
複数の発熱部41は、ヘッド基板1に設けた凸部13の頂面付近に配列されるため、印字媒体はプラテンローラ91を介して確実に発熱部41に押圧される。凸部13は、単結晶半導体に対して異方性エッチングを施すことにより形成されるため、その断面は主走査方向xについて一様となる。印字媒体の発熱部41に対する押圧接触状態は、主走査方向x各所において一定となる。これらのことは、ヘッド基板1の製造ロットが異なっても変わらない。そしてこのことは、印字品質の向上につながる。
ヘッド基板1の材料であるSiウエハは、比較的熱伝導性がよく、何らの手当も行わないと発熱部41が発する熱を無駄に放熱部材8に向けて漏出させ、高速印字に不向きとなるが、このサーマルプリントヘッドA1の凸部13の頂面には、例えば10~200μm、好ましくは30~50μmという、十分な厚みのガラスグレーズ150からなる蓄熱層15が積層形成されているため、発熱部41が発する熱の無駄な漏出が防がれ、高速印字にも適するようになる。
しかも、蓄熱層15は、上記のようにグレーズ層150Aにウエットエッチングを施すことによりSiからなる凸部13の頂面130に適正に形成されるが、たとえばSiO2をスパッタリングで付着させて形成することに比較し、圧倒的な厚みで、かつ圧倒的に短時間で形成することができ、このことは、サーマルプリントヘッドA1の製造効率の向上およびコスト低減に大いに寄与する。
もちろん、本発明の範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、各請求項に記載した事項の範囲内でのあらゆる変更は、すべて本発明の範囲に含まれる。
例えば、複数の発熱部41に関して、主走査方向xに独立配置した抵抗体層の露出部に選択的に通電して発熱させるあらゆる発熱部の形態を採用できることは、もちろんである。
A1 :サーマルプリントヘッド
1 :ヘッド基板
1A :材料基板
2 :保護層
3 :電極層
3A :導電膜
4 :抵抗体層
4A :抵抗体膜
5 :接続基板
7 :ドライバIC
8 :放熱部材
11 :主面
11A :主面
13 :凸部
15 :蓄熱層
19 :絶縁層
21 :パッド用開口
31 :個別電極層
32 :共通電極層
41 :発熱部
59 :コネクタ
61 :ワイヤ
62 :ワイヤ
78 :保護樹脂
91 :プラテンローラ
130 :頂面
131 :傾斜外面
150 :グレーズ
150A :グレーズ層
150B :グレーズ中間体
150C :ラウンド部
151 :レジスト
311 ;電極パッド部
323 :共通部
324 :櫛歯部
325 :延長部
x :主走査方向
y :副走査方向
α1 :角度

Claims (9)

  1. 主面を有する基板と、
    上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、
    上記凸部の頂面に形成された蓄熱層と、
    上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、
    上記基板および上記凸部は、単結晶半導体により一体に形成されている、サーマルプリントヘッドであって、
    上記凸部の上記頂面は、上記主面と平行な平坦面であり、上記蓄熱層は、ガラスペーストを焼成した、上記凸部の上記頂面の副走査方向全幅にわたって形成されたグレーズであり、
    上記凸部は、上記頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の傾斜外面とを含み、
    上記グレーズは、平坦な上面と、当該平坦な上面の副走査方向両端から上記一対の傾斜外面に滑らかにつながっているラウンド部とを有していることを特徴とする、サーマルプリントヘッド。
  2. 上記複数の発熱部のそれぞれは、抵抗体層と、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層を含んで形成されている、請求項1に記載のサーマルプリントヘッド。
  3. 上記単結晶半導体は、Siからなり、上記主面は、(100)面である、請求項に記載のサーマルプリントヘッド。
  4. 上記凸部の上記主面からの突出高さは、100~300μmであり、上記蓄熱層の最大厚さは、10~200μmである、請求項に記載のサーマルプリントヘッド。
  5. 主面を有する基板と、上記基板の上記主面上に形成され、主走査方向に延びる凸部と、上記凸部の頂面に形成された蓄熱層と、上記蓄熱層の上層に主走査方向に配列された複数の発熱部と、を含み、上記基板および上記凸部は、単結晶半導体により一体に形成されており、上記凸部の上記頂面は、上記主面と平行な平坦面であり、上記蓄熱層は、ガラスペーストを焼成した、上記凸部の上記頂面の副走査方向全幅にわたって形成されたグレーズであり、上記凸部は、上記頂面と、当該頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の傾斜外面とを含み、上記グレーズは、平坦な上面と、当該平坦な上面の副走査方向両端から上記一対の傾斜外面に滑らかにつながっているラウンド部とを有しているサーマルプリントヘッドの製造方法であって、
    単結晶半導体からなる材料基板の主面に、所定厚みのグレーズ層を形成するグレーズ層形成ステップ、
    上記グレーズ層にウエットエッチングを施すことにより、副走査方向所定幅で主走査方向に延びるグレーズ中間体を形成するグレーズ中間体形成ステップ、
    上記材料基板に異方性エッチングを施すことにより、グレーズ中間体が頂面に載る上記凸部を形成する凸部形成ステップ、
    を含み、
    上記グレーズ層形成ステップは、ガラスペーストを印刷・焼成することにより行い、
    上記凸部形成ステップは、上記グレーズ中間体をマスクとしてKOHを用いた異方性エッチングを施すことにより行い、
    上記凸部形成ステップでは、上記凸部の上記頂面に対して副走査方向両側につながり、かつ当該頂面から副走査方向に離れるにしたがって低位となるように上記主面に対して傾斜する一対の傾斜外面を含む面を形成し、
    上記凸部形成ステップの後、上記グレーズ中間体を再焼成することにより、その平坦な上面の副走査方向両端にラウンド部を形成して当該ラウンド部を上記一対の傾斜外面に滑らかにつなげる、ことを特徴とする、サーマルプリントヘッドの製造方法。
  6. 上記材料基板は、上記主面を(100)面とするSiウエハである、請求項に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
  7. 上記グレーズ層形成ステップで形成されるグレーズ層の厚さは、10~200μmである、請求項5または6に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
  8. 上記凸部形成ステップで形成される上記凸部の突出高さは、100~300μmである、
    請求項ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
  9. 上記複数の発熱部は、上記凸部形成ステップの後、抵抗体層を形成するステップと、当該抵抗体層の一部を露出させるようにして当該抵抗体層上に積層され、相互間を通電可能な上流側導電層および下流側導電層形成するステップを含んで形成される、請求項ないしのいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
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