JP7290754B2 - ノイズ及び変動に対する耐性を有する狭範囲センスアンプ - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、令和1年6月11日に出願された米国特許出願第16/438,090号の優先権の利益を主張し、その内容は、全ての目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
TMR=(Rap-Rp)/Rp
この式では、Rapが、メモリセルのアンチパラレル状態の論理1の高抵抗を表し、Rpが、メモリセルのパラレル状態の論理0の低抵抗を表す。例えば、TMRが1.5の場合、1/0状態間の抵抗率Rap/Rpは、約2.5になる。ビット線、ワード線、及び列マルチプレクサ上の更なるCMOS回路変動と共に、これらの抵抗値に影響を与えるプロセス変動を考慮すると、最悪の場合の抵抗比は、最終的には2.5よりもはるかに低くなる可能性がある。加えて、基準電流350は、それ自体のPVT変動のためにシフトすることもあり、これは、MRAMセンスアンプのための課題を追加する。
Ip/Iap=(Ip-Iref)/(Iap-Iref)
ここで、Ip、Iapは、Rp、Rap抵抗に対応する電流であり、Irefは上述した基準信号350の電流である。この式は、IrefがIapに近いほど、電流比率が大きいことを示している。
Claims (15)
- メモリアレイを備えるメモリ回路であって、前記メモリアレイは、
基準信号を提供する1以上の基準列と、
読み出し動作によって選択されたときにデータ信号を提供するデータ列を含む、複数のデータ列とを含み、
前記メモリ回路は更に、
前記基準信号及び前記データ信号から共通信号成分を除去する第1の回路、
論理1信号レベルと論理0信号レベルとの間になるように、前記基準信号を調整する第2の回路、
前記1以上の基準列内のビットセルに基づいて、前記共通信号成分を決定する出力を生成し、該出力を前記第1の回路に供給する回路、並びに
前記データ信号が論理1を表すか又は論理0を表すかを判定するセンスアンプを備え、前記判定は、
前記共通信号成分が前記第1の回路によって除去された後、かつ前記第2の回路によって調整された後の、前記基準信号、及び
前記共通信号成分が前記第1の回路によって除去された後の前記データ信号を使用して行われる、メモリ回路。 - 前記センスアンプは、ラッチアンプを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記メモリアレイは、磁気RAM(MRAM)アレイを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記1以上の基準列は、前記メモリアレイの略中心に位置付けられた基準列を含む、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記1以上の基準列は、前記基準信号を提供する第1の基準列と、前記第1の基準列のバックアップとして働く第2の基準列とを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記メモリアレイ内の前記複数のデータ列は、記憶された論理レベルを出力するように構成された複数のビットセルを含み、前記1以上の基準列は、前記論理0信号レベルを出力するように構成された複数のビットセルを含む、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記基準信号は、前記基準信号を前記論理1信号レベルと前記論理0信号レベルとの間の略中心信号レベルに低減させることによって調整される、請求項1に記載のメモリ回路。
- 前記共通信号成分は、前記基準信号及び前記データ信号の中に信号を注入することによって、前記基準信号及び前記データ信号から除去され、前記基準信号及び前記データ信号の中に注入される前記信号の量は、複数のカスコードトランジスタ対によって制御される、請求項1に記載のメモリ回路。
- メモリ回路からデータを読み出す方法であって、
メモリアレイ内に位置付けられた1以上の基準列から基準信号を受信すること、
前記メモリアレイ内の複数のデータ列内のデータ列からデータ信号を受信することであって、前記データ信号は、読み出し動作によって選択されたときに、前記データ列によって提供される、データ信号を受信すること、
前記1以上の基準列内のビットセルに基づいて、前記基準信号及び前記データ信号から除去する共通信号成分を決定すること、
前記基準信号及び前記データ信号から前記共通信号成分を除去すること、
論理1信号レベルと論理0信号レベルとの間になるように、前記基準信号を調整すること、
前記共通信号成分が除去された後、かつ前記論理1信号レベルと前記論理0信号レベルとの間になるように調整された後で、前記基準信号をセンスアンプに提供すること、並びに
前記共通信号成分が除去された後で、前記データ信号を前記センスアンプに提供することを含む、方法。 - 前記1以上の基準列は、複数の基準列を含み、前記基準信号は、前記複数の基準列のサブセットからの電流を平均することによって生成される、請求項9に記載の方法。
- 前記1以上の基準列は、前記基準信号を提供する第1の基準列と、前記第1の基準列のバックアップとして働く第2の基準列とを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記メモリアレイ内の前記複数のデータ列は、記憶された論理レベルを出力するように構成された複数のビットセルを含み、前記1以上の基準列は、論理0を出力するように構成された複数のビットセルを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記基準信号は、前記基準信号を前記論理1信号レベルと前記論理0信号レベルとの間の略中心信号レベルに低減させることによって調整される、請求項9に記載の方法。
- 前記基準信号は、前記基準信号の中に信号を注入することによって低減され、前記基準信号の中に注入される前記信号の量は、カスコードトランジスタ対によって制御される、請求項13に記載の方法。
- 前記共通信号成分は、前記基準信号及び前記データ信号の中に信号を注入することによって、前記基準信号及び前記データ信号から除去され、前記基準信号及び前記データ信号の中に注入される前記信号の量は、複数のカスコードトランジスタ対によって制御される、請求項9に記載の方法。
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