JP7267304B2 - 光学センサ装置 - Google Patents

光学センサ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7267304B2
JP7267304B2 JP2020563307A JP2020563307A JP7267304B2 JP 7267304 B2 JP7267304 B2 JP 7267304B2 JP 2020563307 A JP2020563307 A JP 2020563307A JP 2020563307 A JP2020563307 A JP 2020563307A JP 7267304 B2 JP7267304 B2 JP 7267304B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical sensor
light
sensor device
opening
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020563307A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020138086A1 (ja
Inventor
啓介 戸田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of JPWO2020138086A1 publication Critical patent/JPWO2020138086A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7267304B2 publication Critical patent/JP7267304B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02—Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • A61B5/026—Measuring blood flow
    • A61B5/0261—Measuring blood flow using optical means, e.g. infrared light
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/02—Detecting, measuring or recording pulse, heart rate, blood pressure or blood flow; Combined pulse/heart-rate/blood pressure determination; Evaluating a cardiovascular condition not otherwise provided for, e.g. using combinations of techniques provided for in this group with electrocardiography or electroauscultation; Heart catheters for measuring blood pressure
    • A61B5/026—Measuring blood flow
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B5/00—Measuring for diagnostic purposes; Identification of persons
    • A61B5/68—Arrangements of detecting, measuring or recording means, e.g. sensors, in relation to patient
    • A61B5/6801—Arrangements of detecting, measuring or recording means, e.g. sensors, in relation to patient specially adapted to be attached to or worn on the body surface
    • A61B5/6844—Monitoring or controlling distance between sensor and tissue
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
    • H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B2562/00—Details of sensors; Constructional details of sensor housings or probes; Accessories for sensors
    • A61B2562/02—Details of sensors specially adapted for in-vivo measurements
    • A61B2562/0233—Special features of optical sensors or probes classified in A61B5/00
    • A61B2562/0238—Optical sensor arrangements for performing transmission measurements on body tissue

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Hematology (AREA)
  • Cardiology (AREA)
  • Physiology (AREA)
  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Description

本開示は、光学センサ装置に関する。
血流等の生体情報を簡単に、かつ高速に測定できる計測センサ等の光学センサ装置が求められている。例えば血流は、光のドップラー効果を利用して計測することができる。血液に光を照射すると、赤血球等の血球細胞で光が散乱される。照射光の周波数と散乱光の周波数とから血球細胞の移動速度が算出される。血流等を計測できる光学センサは、例えば、特開２０１１－１３４４６３号公報に受光素子と発光素子が収容された基板の上面に透明基板が接合されている。そして、光学センサ装置は、このような光学センサが、実装基板に実装されている。
しかしながら、上述した光学センサ装置では、実装基板と光学センサが接合材等で平行になるように接合されているため、受光素子で受ける光のうち、表皮などが反射したノイズ光が強く、血球細胞が散乱した信号光の強度が相対的に小さくなるおそれがある。
本開示の一実施形態に係る光学センサ装置は、光学センサと、光学センサが実装される実装基板とを備えている。光学センサは、第１上面および第１下面と、基板と、受光素子と、発光素子と、透明基板と、を備えている。実装基板は、第２上面および第２下面を有している。基板は、第１開口部と、第１開口部と間を空けて位置した第２開口部とを有する。受光素子は、第１開口部に位置している。発光素子は、第２開口部に位置するとともに、受光素子と間を空けて位置している。透明基板は、基板の第１上面に位置し、第１開口部および第２開口部を塞いで基板と接合されている。光学センサの第１下面は、実装基板の第２下面に対して、傾いて実装されている。
本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す斜視図である。 本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す上面図である。 図１のＡ－Ａ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図１のＡ－Ａ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図１のＢ－Ｂ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図１のＢ－Ｂ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図１のＢ－Ｂ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す斜視図である。 図９のＣ－Ｃ線で切断した本開示の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＣ－Ｃ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＣ－Ｃ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＤ－Ｄ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＤ－Ｄ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＤ－Ｄ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＤ－Ｄ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。 図９のＤ－Ｄ線で切断した本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置を示す断面図である。
本開示の実施形態に係る光学センサ装置１０は、光学センサ１と、光学センサ１が実装される実装基板７とを備えている。また、光学センサ１は、基板２と、透明基板３と、発光素子５と、受光素子６とを備えている。光学センサ１は、第１上面２３および第１下面１１を有している。第１上面２３および第１下面１１は、基板２の上面および下面と同一であってもよい。
基板２は、平面視において、矩形状であって、複数の誘電体層が積層されて形成されていてもよい。基板２は、例えば、平面視において、大きさが０．５ｍｍ～５ｍｍであって、厚みが０．５ｍｍ～５ｍｍである。基板２は、例えば誘電体層がセラミック材料からなっていてもよく、誘電体層が樹脂絶縁材料からなる有機配線基板であってもよい。
基板２が、セラミック材料による配線基板（セラミック配線基板）の場合、セラミック材料から成る誘電体層に接続パッド、内部配線、信号配線等の各導体が形成される。セラミック配線基板は、複数のセラミック誘電体層を含んでいる。
セラミック配線基板で用いられるセラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等が挙げられる。
また、基板２が、有機材料による配線基板（有機配線基板）の場合、有機材料から成る絶縁層に後述する信号配線等の配線導体が形成される。有機配線基板は、複数の有機誘電体層から形成される。有機配線基板は、例えば、プリント配線基板、ビルドアップ配線基板またはフレキシブル配線基板等の誘電体層が有機材料から成るものであればよい。有機配線基板で用いられる有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
また、この基板２には、少なくとも２つの開口部となる凹部が位置しており、２つの凹部のうちの一方は、受光素子６を収容する第１開口部２１であり、２つの凹部のうちの他方は、発光素子５を収容する第２開口部２２である。第１開口部２１および第２開口部２２は、基板２の同一の主面（光学センサ１の第１上面２３）に開口して位置している。
本開示の実施形態に係る光学センサ装置１０は、光のドップラー効果を利用して、血流等の流体の流れを計測する計測センサに用いられる。光のドップラー効果を利用するために、計測センサは、被計測物に光を照射する発光素子と、被計測物によって散乱された光を受光する受光素子とを備える。特に、血流を計測する場合には、例えば手指等の身体の一部に外部から光を照射し、皮膚下の血管を流れる血液に含まれる血球細胞によって散乱された光を受光して、周波数の変化から血流を測定する。そのため、光学センサ装置１０においては、照射光と散乱光の位置関係に基づいて、発光素子５と受光素子６とを所定の間隔で配置する。第１開口部２１および第２開口部２２は、受光素子６および発光素子５との位置関係に応じて設けられる。
第１開口部２１の大きさ、第２開口部２２の大きさは、収容しようとする受光素子６および発光素子５の大きさに応じて適宜設定すればよく、例えば、発光素子５として、垂直共振器面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ：VerticalCavity Surface Emitting LASER）を用いる場合、第１開口部２１の開口は、その形状が、例えば矩形であっても正方形であってもよく、その大きさは、例えば、縦方向長さが０．３ｍｍ～２．０ｍｍ、横方向長さが０．３ｍｍ～２．０ｍｍであり、深さは、０．３ｍｍ～１．０ｍｍである。また、受光素子６として、面入射フォトダイオードを用いる場合、第２開口部２２の開口は、その形状が、例えば矩形であっても正方形であってもよく、その大きさは、例えば、縦方向長さが０．３ｍｍ～２．０ｍｍ、横方向長さが０．３ｍｍ～２．０ｍｍであり、深さは、０．４ｍｍ～１．５ｍｍである。第１開口部２１と第２開口部２２との間（受光素子６と発光素子５との間）は、発光素子５が発光した光が受光素子６に直接入射しない程度に離れていればよい。また、第１開口部２１と第２開口部２２との間（受光素子６と発光素子５との間）に遮光性のある壁を設けることで、第１開口部２１と第２開口部２２との間（受光素子６と発光素子５との間）の距離を近づけることができる。
第１開口部２１および第２開口部２２は、開口形状が、例えば、円形状、正方形状、矩形状等であってもよく、その他の形状であってもよい。また、第１開口部２１および第２開口部２２は、基板２の主面に平行な断面の断面形状が深さ方向に一様な形状であってもよいが、所定の深さまでは、断面形状が開口形状と同じで一様であり、所定の深さ以降は、断面形状が小さくなって底部まで一様であるような、段差付きの凹部であってもよい。本開示の一実施形態のように段差付きの凹部である場合は、第１開口部２１の底部に、受光素子６を実装するための実装領域が設けられ、第２開口部２２の底部に、発光素子５を実装するための実装領域が設けられる。また、段差表面には、発光素子５または受光素子６と電気的に接続するための接続パッドが設けられる。
また、基板２には、発光素子５または受光素子６と電気的に接続され、発光素子５に入力される電気信号が伝送され、受光素子６から出力される電気信号が伝送される信号配線があってもよい。この信号配線は、発光素子５または受光素子６と接続する接続部材であるボンディングワイヤと、ボンディングワイヤが接続される接続パッドと、接続パッドに電気的に接続して接続パッドの直下から基板２の下面にまで延びるビア導体と、ビア導体に電気的に接続する外部接続端子とから成っていてもよい。外部接続端子は、基板２の下面に設けられており、光学センサ装置１０を備える計測センサが実装される外部実装基板の接続端子と半田等の端子接続材料によって電気的に接続される。
外部接続端子は、半田等の接合材との濡れ性を向上させ、耐食性を向上させるのがよい。このために、例えば、厚さが０．５μｍ～１０μｍのニッケル層と厚さが０．５μｍ～５μｍの金層とをめっき法によって順次被着させてもよい。
透明基板３は、基板２の上面（光学センサ１の第１上面２３）を覆い、接合材によって第１上面２３に接合される。透明基板３によって、受光素子６および発光素子５が収容された第１開口部２１および第２開口部２２が塞がれて封止される。透明基板３は、絶縁材料からなる板状部材であり、第２開口部２２に収容される発光素子５から出射される光が透過し、第１開口部２１に収容される受光素子６が受光する光が透過するような光透過性を有する材料で構成されていればよい。
発光素子５は、ＶＣＳＥＬ等の半導体レーザ素子を用いることができ、受光素子６は、シリコンフォトダイオード、ＧａＡｓフォトダイオード、ＩｎＧａＡｓフォトダイオード、ゲルマニウムフォトダイオード等の各種フォトダイオードを用いることができる。発光素子５および受光素子６は、被計測物の種類、計測するパラメータの種類等により適宜選択すればよい。
血流を測定する場合は、例えば、光のドップラー効果を利用して測定するために、発光素子５であるＶＣＳＥＬとして波長が８５０ｎｍのレーザ光を出射可能なものであればよい。その他の測定を行う場合は、測定目的に応じた波長のレーザ光を出射する発光素子５を選択すればよい。受光素子６は、受光する光が発光素子５から出射されるレーザ光から波長の変化が無い場合、発光素子５の出射光を受光できるものであればよく、波長の変化が有る場合、変化後の波長の光を受光できるものであればよい。
発光素子５および受光素子６と接続パッドとは、本実施形態では、例えば、ボンディングワイヤによって電気的に接続されるが、フリップチップ接続、バンプ接続、異方性導電フィルムを用いた接続等他の接続方法であってもよい。
また、透明基板３は、被計測物への照射光および散乱光を透過する必要がある。照射光および散乱光の特性は、搭載する発光素子によって決まるので、少なくとも搭載する発光素子が出射する光が透過するように構成されていればよい。発光素子から出射される光の波長に対して、当該波長の光の透過率が７０％以上、さらに９０％以上の透過率を有する絶縁材料で透明基板３を構成すればよい。
透明基板３は、絶縁材料としては、例えばサファイア等の透明セラミック材料、ガラス材料または樹脂材料等を用いることができる。ガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス、結晶化ガラス、石英、ソーダガラス等を用いることができる。樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。また、透明基板３は、平面視において、例えば矩形状であり、大きさは０．５ｍｍ×１ｍｍ～５ｍｍ×５ｍｍである。また、厚みは、０．２ｍｍ～５ｍｍである。
また接着剤は、基板２と透明基板３とを接合する。より詳細には、第１上面２３と透明基板３の下面とを、外周部分で接合する。接着剤は、第１上面２３に沿って環状に設けられており、基板２の第１開口部２１および第２開口部２２内の気密性および水密性を確保するためのシール材である。第１開口部２１および第２開口部２２に収容される受光素子６および発光素子５は、いずれも水分等に弱く、外部からの水分の進入を防止するために、接着剤は、途切れの無い環状に設けられる。
さらに、接着剤は遮光性を有していてもよい。接着剤が遮光性を有することで、外部からの光が、基板２と透明基板３との間を通って、第１開口部２１内、第２開口部２２内に進入することを低減させることができる。
接着剤が有する遮光性は、光の吸収による遮光性であることが好ましい。外部からの光の進入を防ぐ観点からは、反射による遮光性であってもよいが、計測センサの内部で発生した迷光が、接着剤で反射してさらに受光素子に受光されてしまうおそれがある。接着剤が光を吸収するものであれば、外部からの光を吸収して進入を防ぐとともに、内部で発生した迷光も吸収することができる。
接着剤は、このような光の吸収による遮光性を有する材料を含んで構成される。接着剤は、例えば、基板２と透明基板３との接合性を有するエポキシ樹脂、導電性シリコーン樹脂等の樹脂系接着剤に、光吸収性材料を分散させて得られる。光吸収材料としては、例えば、無機顔料を用いることができる。無機顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの炭素系顔料、チタンブラックなどの窒化物系顔料、Ｃｒ－Ｆｅ－Ｃｏ系、Ｃｕ－Ｃｏ－Ｍｎ系、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｍｎ系、Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎｉ－Ｃｒ系などの金属酸化物系顔料等を用いることができる。また、導電性接合剤は、半田などの金属材料で構成されていてもよい。例えば、Ｓｎ－Ａｇ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ－Ｓｎ、Ａｕ－Ｓｎ－Ａｇ、Ａｕ－Ｓｉなどのろう材を用いることができる。
透明基板３の下面において遮光膜４を有している。遮光膜４は、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ若しくはＷなどの金属又はこれらの合金等の金属材料を蒸着、スパッタ、焼付け等によって形成される。遮光膜４の厚みは、例えば、５０ｎｍ～１０００ｎｍである。遮光膜４は、発光素子５と重なって位置していてもよい。このとき、重なっているとは、遮光膜４が発光素子５の一部を覆っている状態のことを指す。遮光膜４は、少なくとも発光素子５が発光した光および受光素子６まで届く反射した光が通るように、一部に貫通孔がある。
遮光膜４は、発光素子５が放射した光を透過させたい箇所のみ遮光膜４を設けず、その他の箇所に設けていてもよい。このことによって、透明基板３の他の箇所から光が漏れ出るのを低減させることができる。その結果、漏れ出ることによって被計測物にて予想外の反射をして受光素子６に光が入射することを低減させることができる。
光学センサ１は、実装基板７に実装される。実装基板７は、平面視において例えば、矩形状であり、大きさが３ｍｍ×７ｍｍ～５０ｍｍ×７０ｍｍであり、厚みが０．３ｍｍ～２ｍｍであってもよい。また、有機材料、セラミック材料等を含んでいてもよい。
実装基板７と光学センサ１は、接合材８等を介して接合される。接合材８は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂または半田などの金属材料で構成されていてもよい。また、例えば、Ｓｎ－Ａｇ、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ、Ａｕ－Ｓｎ、Ａｕ－Ｓｎ－Ａｇ、Ａｕ－Ｓｉなどのろう材を用いることができる。
平面視における受光素子６の中心および発光素子５の中心を結ぶ第１仮想直線Ｘ１と垂直な第２仮想直線Ｘ２に沿った断面視において、光学センサ１の第１下面１１は、実装基板７の第２上面７１および／または第２下面７２に対して、傾いて実装されている。このとき、光学センサ１の第１下面１１は、少なくとも実装基板７の第２下面７２に対して傾斜している、つまり、光学センサ１は、対象物（流体）の表面に対して、光軸が傾いた状態である。平面透視においては発光素子５が重なる位置になり、断面視においては、傾いた状態になっている。このとき、光学センサ１の第１下面１１の実装基板７の第２下面７２に対する傾きは、光学センサ１の第１下面１１の一部を浮かせてもよいし、接合材８に薄い部分と厚い部分を作って、厚みを異ならせてもよい。また、接合材８が半田ボールであり、異なる直径の半田ボールを複数有していることによって傾けてもよい。半田ボールは、半田をボール状の形状にしたもののことを指す。つまり、球状の半田材料からなる接合材のことである。より具体的には、複数の半田ボールは、第１下面１１のうち光学センサ１と実装基板７との間隔が第１距離である第１の位置に位置する第１の半田ボールと、第１下面１１のうち上記間隔が第１距離より大きい第２距離である第２の位置に位置する第２の半田ボールと、を有している。このとき、第２の半田ボールの直径は第１の半田ボールの直径よりも大きい。このとき、複数の半田ボールは、第１下面１１のうち光学センサ１と実装基板７との間隔が大きいところに位置する程、大きい直径を有しているのがよい。また、接合材８は、光学センサ１の第１下面１１の全面に位置していてもよい。
本開示の実施形態に係る光学センサ装置１０では、上述したように光学センサ１の第１下面１１が、実装基板７の第２下面７２に対して傾いているため、発光素子５からの光の光軸が傾き、対象物である流体または流路の表面における正反射成分を光学センサ１の外に逃がすことができる。つまり、正反射成分が受光素子６に照射される場合と比較して、相対的に信号光の比率を増加させることができ、信号光の強度の検出が向上する。
また、図９～図１７に示すように、光学センサ装置１０は、光学センサ１と、実装基板７と、さらに筐体９と、流路１３とを有していてもよい。筐体９は、実装基板７の第２上面７１に位置しており、内部に光学センサ１が位置している。このとき、図１０に示すように、筐体９の底面が実装基板７である。また、図１１および図１５に示すように、実装基板７はさらに実装部７０が、実装基板７の一部として、筐体９内に位置していてもよい。このとき、図１４～図１７に示すように、実装部７０があることによって、第２上面７１が段差状になっていてもよい。また、実装部７０のみ異なる材料で構成されていてもよい。平面透視において、光学センサ１の第１上面２３は、流路１３に対して傾いて位置している。このとき、実装基板７の第２上面７１に対して、光学センサ１は傾斜していてもよい。つまり、内部に位置した実装基板７と光学センサ１との間において、実装基板７の第２上面７１が傾斜面になっていてもよい。筐体９は、例えば、平面視において矩形状であり、大きさは後述する流路の大きさにより、様々である。筐体９は、例えば、セラミック材料、有機材料等を含んでいる。
筐体９には流路１３が取り付けられている。流路１３は、光学センサ１の上方に位置しており、内部には流体が流れている。流路１３は断面視において、円形状であってもよいし、矩形状であってもよい。流路１３は、測定する対象の流体が何であるかによって、大きさが決まる。断面視において、発光素子から光の軸が、流路１３の断面である、円形状の中心を通らなくてもよい。このことによって、より正反射成分を外部に逃がすことができる。
光学センサ１の第１下面１１と、実装基板７の第２上面７１は接合材８を介して平行に接合されていてもよい。また、多少厚みが異なるために、多少傾いていてもよい。このとき、筐体９の内底面の傾斜の方が大きければよい。また、実装基板７の第２上面７１と、接合材８を介して光学センサ１の第１下面１１とが平行に位置しているのがよい。このことによって、光学センサ１が流路１３に対して傾いて位置することができる。このようにすることで、正反射成分が受光素子６に照射される場合と比較して、相対的に信号光の比率を増加させることができ、信号光の強度の検出が向上する。
このとき、筐体９の内底面は、断面視において流路１３の流体が流れる向きに対して、垂直な方向に傾いている。つまり、発光素子５からの光の軸が、流路１３に対して傾いている。また、図１５～図１７に示すように、実装基板７の第２上面７１が傾斜を有しており、光学センサ１は、さらにその第２上面７１に対しても傾いて実装されてもよい。このようにすることで、正反射成分が受光素子６に照射される場合と比較して、相対的に信号光の比率を増加させることができ、信号光の強度の検出が向上する。
本開示の実施形態に係る光学センサ装置１０では、上述したように実装基板７の第２下面７２に対して光学センサ１が傾いており、光学センサ１が、流路１３の流体の流れに対して傾いているため、発光素子５からの光の光軸が傾き、対象物である流体または流路の表面における正反射成分を光学センサ１の外に逃がすことができる。つまり、正反射成分が受光素子６に照射される場合と比較して、相対的に信号光の比率を増加させることができ、信号光の強度の検出が向上する。
＜光学センサ装置の製造方法＞
光学センサ装置１０の製造方法について説明する。まず、基板２を多層配線基板の製造方法と同様にして作製する。基板２が、セラミック配線基板であり、セラミック材料がアルミナである場合は、まずアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やシリカ（ＳｉＯ2）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とし、これを周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに、タングステン（Ｗ）とガラス材料等の原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して金属ペーストとし、これをグリーンシート表面にスクリーン印刷等の印刷法でパターン印刷する。また、ビア導体は、グリーンシートに貫通孔を設け、スクリーン印刷等によって金属ペーストを貫通孔に充填させる。また、接地導体層となるメタライズ層は、金属ペーストによって最表面に形成される。こうして得られたグリーンシートを複数枚積層し、これを約１６００℃の温度で同時焼成することによって基板２が作製される。
一方、ガラス材料を、切削、切断等により所定の形状に切り出した透明基板３を準備する。透明基板３の下面に、蒸着、スパッタ、焼付け等によって後述する遮光膜４を形成する。
なお、上記では、ビア導体は、基板２内で上下方向に一直線状に形成される構成としているが、基板２の上面から下面の外部接続端子まで電気的に接続されていれば、一直線状でなく、基板２内で、内層配線や内部接地導体層等によってずれて形成されていてもよい。
＜光学センサ装置の他の実施形態＞
本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置は、透明基板３の上面において、第１開口部２１および第１貫通孔と重なる位置には、レンズが取付けられていてもよい。レンズは、平面視において、例えば、大きさがΦ２０μｍ～Φ２ｍｍの、厚みは０．５ｍｍ～２ｍｍである。また、レンズは、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどのガラス材料、アクリル、ポリカーボネート、スチレン、ポリオレフィンなどの樹脂材料から成っている。レンズは、発光素子５から放射された光を受光素子６に通すために透過性を有しているのがよい。また、レンズは、集光性を有する、凸レンズ等の光を光軸方向に屈折させる性質をもつものを用いるのがよい。レンズがあることによって、発光素子５から照射された拡散光を屈折させ、集束光やコリメータ光にすることで受光素子６への光の集光性を向上させることができる。
このとき、透明基板３の上面において、第２開口部２２および第２貫通孔と重なる位置に、さらに第２のレンズが取付けられていてもよい。第２のレンズは、平面視において、例えば、大きさがΦ７０μｍ～Φ２ｍｍの、厚みは５０μｍ～２ｍｍである。また、第２のレンズは、例えば、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスなどのガラス材料、アクリル、ポリカーボネート、スチレン、ポリオレフィンなどの樹脂材料から成っている。第２のレンズは、発光素子５から放射された光を通すために透過性を有しているのがよい。また、第２のレンズは、集光性を有する、凸レンズ等の光を光軸方向に屈折させる性質をもつものを用いるのがよい。第２のレンズがあることによって、発光素子５から照射された拡散光を屈折させ、集束光やコリメータ光にすることで光の集光性を向上させることができる。
図８および図１７に示すように、実装基板７には、例えば、発光素子５の発光を制御する制御素子、受光素子６の出力信号を処理する処理部７３、処理部７３の信号から血流速度等を算出する演算部７４等も実装される。
測定する場合には、被計測物として手指の指先を透明基板３の表面に接触させた状態で、実装基板７から外部接続端子を介して発光素子制御電流が光学センサ装置１０に入力され、ビア導体、接続パッド等を通って発光素子５に入力されて発光素子５から計測用の光が出射される。出射された光が、透明基板３を透過して指先に照射されると、血液中の血球細胞で散乱される。透明基板３を透過した散乱光が、受光素子６で受光されると、受光量に応じた電気信号が受光素子６から出力される。出力された信号は、接続パッド、ビア導体を通り、外部接続端子を介して光学センサ１から実装基板７の処理部７３へと出力されて処理される。
実装基板７では、処理部７３で処理された信号が、演算素子を有する演算部７４に入力され、例えば、受光素子６が受光した散乱光の周波数毎の強度を解析することにより、血流速度を算出することができる。
本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置１０は、第１開口部２１に、さらに第２の受光素子が位置していてもよい。このとき、遮光膜４は、第２の受光素子の上方も一部設けないのがよい。第２の受光素子に向かって放射される光が透過される領域は空けておくことによって、外乱光を第２の受光素子に到達させることを低減させることができる。
また、本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置１０は、遮光膜４は、第２開口部と重なる位置において、さらに貫通孔を有していてもよい。貫通孔は、いわゆる参照光用の貫通孔となる。遮光膜の受光素子に近い位置に孔が位置することで、参照光を取り入れることができる。参照光を取り入れることによって、より正確に受光素子６に光が伝わるため、速度算出をより正確にすることができる。
また、本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置１０は、第１開口部２１と第２開口部２２との間において、透明基板３の下面と基板２との間が空いている。つまり、基板２は、第１開口部２１と第２開口部２２との間に遮光性を有する壁があり、その壁の上端の一部が無い状態のことをいう。このようにすることで、参照光を直接的に受光素子６に到達させることができるため、より正確な計測を実現することができる。
また、本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置１０は、平面視において、光学センサ１が長辺および短辺を有する長方形状であり、第１仮想直線Ｘ１が光学センサ１の長辺と平行であってもよい。この場合には、第２仮想直線Ｘ２が光学センサ１の短辺と平行である。このとき、実装基板７に対して傾けて実装が容易になる。
また、図３および図１２に示すように、本開示の他の実施形態に係る光学センサ装置１０は、第１開口部２１の底面および第２開口部２２の底面が、それぞれ傾斜した傾斜面を有していてもよい。このとき、例えば、傾斜面の傾斜角度は第１上面２３に対して、５°～５０°である。このことによって、被計測物に当たる光の照射位置を近づけることができる。
なお、本開示は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、数値などの種々の変形は可能である。また、本実施形態における各素子の実装方法などは指定されない。また、本開示に係る各実施形態は、その内容に矛盾をきたさない限り、すべてにおいて組合せ可能である。また、本開示の実施形態に係る光学センサ装置は、その用途を脈波血流センサ装置として説明したが、発光素子および受光素子の一対のセンサ素子により動作するその他の装置、例えば近接照度一体型センサ装置、近接センサ装置、測距センサ装置等に応用が可能である。
１ 光学センサ
１１ 第１下面
２ 基板
２１ 第１開口部
２２ 第２開口部
２３ 第１上面
３ 透明基板
４ 遮光膜
５ 発光素子
６ 受光素子
７ 実装基板
７０ 実装部
７１ 第２上面
７２ 第２下面
７３ 処理部
７４ 演算部
８ 接合材
９ 筐体
１０ 光学センサ装置
Ｘ１ 第１仮想直線
Ｘ２ 第２仮想直線

Claims (12)

  1. 第１上面および第１下面を有する光学センサと
    第２上面および第２下面を有するとともに前記光学センサが実装される実装基板と、を備えており、
    前記光学センサは、
    第１開口部および前記第１開口部と間を空けて位置した第２開口部を有する基板と、
    前記第１開口部に位置した受光素子と、
    前記第２開口部に位置した発光素子と、
    前記基板上に位置するとともに、前記第１開口部および前記第２開口部を塞いで前記基板と接合された透明基板と、を有し、
    前記第１下面が前記第２下面に対して傾いて位置しており、
    前記実装基板の前記第２上面に位置するとともに、内部に前記光学センサが位置した筐体と、
    前記光学センサの上方に位置するよう前記筐体に取り付けられるとともに、内部に流体が流れる流路と、をさらに備えており、
    前記流路は円管状であり、
    前記流路の流体が流れる向きに対して垂直な方向の断面視において、前記発光素子からの光の軸が、前記流路の中心を通らない、光学センサ装置。
  2. 前記第１上面側からの平面透視における前記受光素子の中心および前記発光素子の中心を結ぶ第１仮想直線に垂直な第２仮想直線に沿った断面視において、前記第１下面が前記第２下面に対して傾いて位置している請求項１に記載の光学センサ装置。
  3. 前記第１上面側からの平面視において、前記光学センサは長辺および短辺を有した長方形状であり、前記第１仮想直線が前記長辺と平行である請求項２に記載の光学センサ装置。
  4. 前記第１下面は、前記第２上面に平行に位置している請求項１～３のいずれか１つに記載の光学センサ装置。
  5. 前記流路の流体が流れる向きに沿った断面視において、前記発光素子からの光の軸が、前記流路の流体の流れる向きに垂直な方向に対して傾いている請求項１～４のいずれか１つに記載の光学センサ装置。
  6. 前記第２開口部の底面は、前記第１開口部に近づくにつれて下方に向かう傾斜面である請求項１～５のいずれか１つに記載の光学センサ装置。
  7. 前記光学センサと前記実装基板との間には接合材が位置している請求項１～３のいずれか１つに記載の光学センサ装置。
  8. 前記接合材は、前記第１下面の全面に位置している請求項７に記載の光学センサ装置。
  9. 前記接合材は、複数の半田ボールを含んでおり、
    前記複数の半田ボールは、前記第１下面のうち前記光学センサと前記実装基板との間隔が第１距離である第１の位置に位置する第１の半田ボールと、前記第１下面のうち前記間隔が第１距離より大きい第２距離である第２の位置に位置する第２の半田ボールと、を有しており、前記第２の半田ボールの直径は前記第１の半田ボールの直径よりも大きい、請求項７または８に記載の光学センサ装置。
  10. 前記複数の半田ボールは、前記第１下面のうち前記光学センサと前記実装基板との間隔が大きいところに位置する程、大きい直径を有している請求項９に記載の光学センサ装置。
  11. 前記実装基板は、前記受光素子の出力信号を処理する処理部を有する請求項１～１０のいずれか１つに記載の光学センサ装置。
  12. 前記実装基板は、前記処理部で処理した信号に基づき演算する演算部を有する請求項１１に記載の光学センサ装置。
JP2020563307A 2018-12-25 2019-12-24 光学センサ装置 Active JP7267304B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018241588 2018-12-25
JP2018241588 2018-12-25
JP2018244187 2018-12-27
JP2018244187 2018-12-27
PCT/JP2019/050612 WO2020138086A1 (ja) 2018-12-25 2019-12-24 光学センサ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2020138086A1 JPWO2020138086A1 (ja) 2021-11-11
JP7267304B2 true JP7267304B2 (ja) 2023-05-01

Family

ID=71125771

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020563307A Active JP7267304B2 (ja) 2018-12-25 2019-12-24 光学センサ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220054027A1 (ja)
EP (1) EP3905342A4 (ja)
JP (1) JP7267304B2 (ja)
CN (1) CN113272971A (ja)
WO (1) WO2020138086A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4250002A4 (en) * 2021-01-07 2024-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. FLASH LENS OF AN ELECTRONIC DEVICE

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133582A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Stanley Electric Co Ltd 投／受光装置
JP2003227735A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Olympus Optical Co Ltd 光学式エンコーダーおよびそのセンサーヘッド
JP2006021344A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 光定着器
US20090065678A1 (en) 2007-09-10 2009-03-12 Mark Vandermeulen Systems and methods for a tilted optical receiver assembly
WO2009139029A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 パイオニア株式会社 自発光型センサ装置及びその製造方法
JP2014232852A (ja) 2013-05-30 2014-12-11 京セラ株式会社 センサ用素子収納用パッケージおよび近接センサ装置
JP2018009922A (ja) 2016-07-15 2018-01-18 日本電信電話株式会社 流体測定装置
JP2018194423A (ja) 2017-05-17 2018-12-06 住友電気工業株式会社 光モジュール、検知装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09200022A (ja) * 1996-01-16 1997-07-31 Yamatake Honeywell Co Ltd タッチキー
JP2006038572A (ja) * 2004-07-26 2006-02-09 Sharp Corp 反射型エンコーダおよびこの反射型エンコーダを用いた電子機器
US7701567B2 (en) * 2008-03-06 2010-04-20 Hong Kong Applied Science & Technology Research Institute Co., Ltd. Optoelectronic distance sensor
JP2011134463A (ja) 2009-12-22 2011-07-07 Rohm Co Ltd 検出センサ、および検出システム
WO2015093442A1 (ja) * 2013-12-16 2015-06-25 京セラ株式会社 受発光素子モジュールおよびこれを用いたセンサ装置
WO2016047545A1 (ja) * 2014-09-24 2016-03-31 京セラ株式会社 受発光素子モジュールおよびこれを用いたセンサ装置
JP6666191B2 (ja) * 2016-04-19 2020-03-13 京セラ株式会社 計測センサ用パッケージおよび計測センサ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133582A (ja) 2001-10-26 2003-05-09 Stanley Electric Co Ltd 投／受光装置
JP2003227735A (ja) 2002-01-31 2003-08-15 Olympus Optical Co Ltd 光学式エンコーダーおよびそのセンサーヘッド
JP2006021344A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 光定着器
US20090065678A1 (en) 2007-09-10 2009-03-12 Mark Vandermeulen Systems and methods for a tilted optical receiver assembly
WO2009139029A1 (ja) 2008-05-12 2009-11-19 パイオニア株式会社 自発光型センサ装置及びその製造方法
JP2014232852A (ja) 2013-05-30 2014-12-11 京セラ株式会社 センサ用素子収納用パッケージおよび近接センサ装置
JP2018009922A (ja) 2016-07-15 2018-01-18 日本電信電話株式会社 流体測定装置
JP2018194423A (ja) 2017-05-17 2018-12-06 住友電気工業株式会社 光モジュール、検知装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020138086A1 (ja) 2020-07-02
EP3905342A4 (en) 2022-09-21
EP3905342A1 (en) 2021-11-03
US20220054027A1 (en) 2022-02-24
CN113272971A (zh) 2021-08-17
JPWO2020138086A1 (ja) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7134246B2 (ja) 光学センサ装置
JP2020058813A (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP6999407B2 (ja) 光学センサ装置
JP6659377B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP7267304B2 (ja) 光学センサ装置
JPWO2019189630A1 (ja) 流量流速算出装置、流量流速センサ装置、流量装置および流量流速算出方法
KR102136538B1 (ko) 계측 센서용 패키지 및 계측 센서
JP2018100934A (ja) センサ装置
JP6718339B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
WO2020158807A1 (ja) 光学センサおよびそれを用いた光学センサ装置
JP6942211B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP2019093078A (ja) 光学センサ装置
JP6666191B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP7054609B2 (ja) 計測センサ用パッケージ及び計測センサ
JP6462904B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP2018196571A (ja) 計測センサ用パッケージ及び計測センサ
JP6666192B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP6753729B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP6753731B2 (ja) 計測センサ用パッケージおよび計測センサ
JP2019058451A (ja) 光学センサ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210621

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220930

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221201

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230322

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230419

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7267304

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150