JP2011134463A - 検出センサ、および検出システム - Google Patents
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Abstract
【課題】より的確に対象物を検出できる検出センサ、および検出システムを提供すること。
【解決手段】 発光素子2と、受光素子3と、外部から遮蔽された移動空間43に収容され、且つ、発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させない遮光位置poと発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させる非遮光位置ppとをとりうる遮光体6と、を備え、遮光体6は、磁力によって、遮光位置poおよび非遮光位置ppの少なくともいずれかに移動する。
【選択図】 図3
【解決手段】 発光素子2と、受光素子3と、外部から遮蔽された移動空間43に収容され、且つ、発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させない遮光位置poと発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させる非遮光位置ppとをとりうる遮光体6と、を備え、遮光体6は、磁力によって、遮光位置poおよび非遮光位置ppの少なくともいずれかに移動する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、磁力によって対象物を検出する検出センサ、および検出システムに関する。
図25は、従来の検出センサの一例たる反射型フォトインタラプタ9Aを示す。フォトインタラプタ9Aは、基板91と、発光素子92と、受光素子93と、モールド樹脂94と、遮光樹脂95とを備える。基板91は、矩形状平板である。発光素子92は、基板91上に配され、赤外線を発光可能である。受光素子93は、基板91上に配され、受光した光量に応じた起電力を生じることが可能である。モールド樹脂94は、発光素子92および受光素子93を覆うように、基板91上に設けられている。遮光樹脂95は、発光素子92と受光素子93との間に配されている。フォトインタラプタ9Aにおいては、発光素子92から出射された光が対象物に反射されて受光素子93に受光された場合、受光素子93が受光量に応じた起電力を生じる。この起電力に基づき、対象物が検出される。このような従来の検出センサについては、たとえば特許文献1に記載されている。
このような検出センサ9Aが塵や埃などの異物が多い環境において用いられた場合、モールド樹脂94に塵や埃などの異物が付着することがある。モールド樹脂94に付着した塵や埃などの異物は、発光素子92から出射され受光素子93へと向かう光を遮る。発光素子92から出射され受光素子93へと向かう光が遮られると、検出センサ9Aによって、的確に対象物を検出できないおそれがある。
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より的確に対象物を検出できる検出センサ、および検出システムを提供することをその課題とする。
本発明の第1の側面によって提供される検出センサは、発光素子と、受光素子と、外部から遮蔽された空間に収容され、且つ、上記発光素子から放たれた光を上記受光素子に到達させない遮光位置と上記発光素子から放たれた光を上記受光素子に到達させる非遮光位置とをとりうる遮光体と、を備え、上記遮光体は、磁力によって、上記遮光位置および上記非遮光位置の少なくともいずれかに移動することを特徴とする。
上記検出センサにおいては、上記遮光体が、外部から遮蔽された上記空間に収容されている。よって、上記発光素子から上記受光素子に至る光が、上記空間の外部の、塵や埃などの異物が多量に存在しうる外部空間を通過する必要がない。そのため、上記検出センサによると、上記光の経路上に上記外部空間から塵や埃などの異物が侵入することを防止できる。その結果、上記遮光体が上記非遮光位置に位置している場合に、上記発光素子から上記受光素子に向かう光が、上記外部空間から侵入した塵や埃などの異物によって遮られることを防止できる。これにより、上記遮光体が上記非遮光位置に位置しているにも関わらず上記発光素子からの光が上記受光素子に到達しにくくなるといった不具合を、抑制できる。したがって、上記検出センサを用いると、より的確に対象物を検出することが可能となる。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光素子および上記受光素子を搭載している第1基板と、上記発光素子および上記受光素子を収容し、且つ、上記空間が形成されたケースと、を更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1基板は、上記発光素子および上記受光素子が配置された第1面と、上記第1面と反対側の第2面とを有し、上記第1基板は、上記第1面側に形成され、且つ、上記発光素子もしくは上記受光素子が配置されたパッド電極と、上記第2面側に形成され、且つ、上記パッド電極と電気的に接続する実装電極と、を更に有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光素子および上記受光素子は、上記第1基板の厚さ方向において、上記空間と上記第1基板との間に配置されている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースに対し上記第1基板と反対側に位置し、且つ、上記空間を塞ぐ第2基板を更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光体は、上記第2基板の面内方向に沿って移動可能である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第2基板は、上記空間に臨む反射膜を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射膜および上記ケースは、導電性材料よりなり、上記第1基板は、上記ケースを介して上記反射膜に電気的に接続しているグランド電極を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光体は、上記第2基板の厚さ方向に沿って移動可能である。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光体は、上記第1基板側に臨む反射面を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、導電性材料よりなり、上記第1基板は、上記ケースに電気的に接続しているグランド電極を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記空間は、上記第1基板と上記ケースとにより塞がれている。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1基板は、上記空間に臨むグランド電極を有する。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記遮光体は、永久磁石である。
本発明の第2の側面によって提供される検出システムは、本発明の第1の側面にかかる検出センサと、上記検出センサの外部に配置され、且つ、磁力を介して、上記遮光体と引き合いまたは斥け合う作用体と、を備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記作用体は、対象物が所定の位置にある場合、上記遮光体を上記遮光位置および上記非遮光位置の一方に位置させる検出位置に位置し、上記対象物が上記所定の位置にない場合、上記遮光体を上記遮光位置および上記非遮光位置の他方に位置させる非検出位置に位置し、上記対象物が上記所定の位置にある状態から上記所定の位置にない状態に変化したとき、上記作用体を上記検出位置から上記非検出位置に移動させる機構を更に備える。
本発明の好ましい実施の形態においては、上記作用体および上記遮光体の少なくともいずれかは、永久磁石である。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図1〜図9を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかる検出センサの一例を示す斜視図である。同図に示された検出センサA1は、作用体B11と、図2に示す可動体B12と、機構B13とともに、検出システムC1として用いられる。このような検出システムC1は、たとえばインクジェットプリンタに設けられ、対象物たるプリンタ内の用紙Dcが送給経路上を通過しているか否かを認識するために用いられる。
図3は、図1に示した検出センサA1のIII−III線に沿う断面図である。図4は、図3のIV−IV線に沿う断面図である。図5は、図3のV−V線に沿う断面図である。図6は、図3に示した検出センサA1の底面図である。これらの図に示した検出センサA1は、基板1と、発光素子2と、受光素子3と、ケース4と、基板5と、遮光体6と、ボンディングワイヤWa1,Wa2とを備える。図1に示すように、検出センサA1は、回路基板Saに面実装される。検出センサA1は、たとえば3.6mm×3.6mm×1.8mmの直方体形状である。なお、図3の下方が重力方向下方に一致する。
図3、図5、図6に示すように、基板1は、第1面1aおよび第2面1bを有する。基板1は、基材11と、パッド電極121a,121bと、ボンディングパッド122a,122bと、グランド電極123と、実装電極124a,124b,125a,125bと、グランド実装電極126とを有する。
基材11は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。基材11は、たとえば3.6mm×3.6mmの矩形状平板である。基材11の厚さは、たとえば0.2mmである。
パッド電極121a,121b、ボンディングパッド122a,122b、グランド電極123、実装電極124a,124b,125a,125b、および、グランド実装電極126はいずれも、基材11に形成され、たとえばCu層、Ni層、およびAu層が積層された構造を有する。パッド電極121a,121b、ボンディングパッド122a,122b、およびグランド電極123はいずれも、基板1の第1面1a側に形成されている。一方、実装電極124a,124b,125a,125b、およびグランド実装電極126はいずれも、基板1の第2面1b側に形成されている。実装電極124a,124b,125a,125b、およびグランド実装電極126は、図1に示した回路基板Saに面実装するために用いられる。
パッド電極121aは、基材11内に形成された図示しないスルーホールを介して、実装電極124aと電気的に接続している。同様に、パッド電極121bは、基材11内に形成された図示しないスルーホールを介して、実装電極124bと電気的に接続している。同様に、ボンディングパッド122aは、基材11内に形成された図示しないスルーホールを介して、実装電極125aと電気的に接続している。同様に、ボンディングパッド122bは、基材11内に形成された図示しないスルーホールを介して、実装電極125bと電気的に接続している。同様に、グランド電極123は、基材11内に形成された図示しないスルーホールを介して、グランド実装電極126と電気的に接続している。
図3、図5に示す発光素子2は、たとえば赤外線を出射可能なLED素子である。発光素子2は、たとえば銀ペーストを介して、パッド電極121aにダイボンディングされている。これにより発光素子2は、パッド電極121aと電気的に接続している。一方、発光素子2は、ボンディングワイヤWa1を介して、ボンディングパッド122aとも電気的に接続している。
図3、図5に示す受光素子3は、たとえば赤外線を受光可能なフォトトランジスタなどの光電変換素子である。このような光電変換素子は、受けた光の光量に応じた起電力を生じる。受光素子3は、たとえば銀ペーストを介して、パッド電極121bにダイボンディングされている。これにより受光素子3は、パッド電極121bと電気的に接続している。一方、受光素子3は、ボンディングワイヤWa2を介して、ボンディングパッド122bとも電気的に接続している。
図3、図4、図5に示すケース4は、基板1の第1面1a側に配置されている。ケース4は、たとえば接着剤などにより、基板1に接着されている。ケース4は、全体が直方体形状であり、たとえば、エポキシ樹脂よりなる。本実施形態においては、当該エポキシ樹脂には導電性材料が混入されている。ケース4の大きさは、たとえば、3.6mm×3.6mm×1.4mmである。ケース4には、発光素子2を収容する収容空間41と、受光素子3を収容する収容空間42とが形成されている。ケース4にはまた、後述の遮光体6を収容する移動空間43が形成されている。収容空間41は、移動空間43と円形の出射口44を介してつながっている。一方、収容空間42は、移動空間43と円形の入射口45を介してつながっている。ケース4は、グランド電極123と接触している部位を有する。そのため、ケース4は、グランド電極123と電気的に接続している。
図3に示すように、基板5は、ケース4に対し基板1と反対側に配置されている。基板5は、たとえば接着剤によりケース4と接着されている。基板5は、第1面5aと、ケース4が位置する側の第2面5bとを有する。
本実施形態においては、基板5と、基板1とがケース4に取り付けられていることにより、移動空間43が塞がれている。これにより、移動空間43は、検出センサA1の外部から遮蔽されている。
基板5は、基材51と反射膜52とを有する。
基材51は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。基材51は、たとえば3.6mm×3.6mmの矩形状平板である。基材51の厚さは、たとえば0.2mmである。
反射膜52は、基材51に形成されている。反射膜52は、基板5の第2面5b側に形成されており、移動空間43に臨む部位を有する。反射膜52は、たとえばCu層、Ni層、およびAu層が積層された構造を有する。また、反射膜52は、ケース4と接触している。そのため、反射膜52は、ケース4と電気的に接続している。上述のようにケース4は、グランド電極123と電気的に接続している。これにより、反射膜52は、ケース4を介して、グランド電極123と電気的に接続している。
図3〜図5に示すように、遮光体6は、ケース4の移動空間43内に収容されている。遮光体6は、図3の左右方向に延びる長細い形状である。遮光体6は、検出センサA1外から作用する磁力を介して、移動空間43内を移動する。本実施形態において遮光体6は、基板5の面内方向に沿って移動する。このような移動をすることにより遮光体6は、発光素子2からの光が受光素子3へと到達することを適宜阻止する。より具体的には、遮光体6は、移動空間43内を移動することにより、発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させない遮光位置poと、発光素子2から放たれた光を受光素子3に到達させる非遮光位置ppと、をとる。遮光体6は、遮光位置poと非遮光位置ppとをとる形状であればこれらの図に示した形状に限られず、直方体状もしくは円柱形状などの他の形状であってもよい。
図1に示すように、作用体B11は、磁力を介して、遮光体6を引きつけるためのものである。本実施形態において、作用体B11は、板状の部材である。
磁力を介して互いに引き合う作用体B11および遮光体6の例としては、たとえば、作用体B11および遮光体6のいずれもが永久磁石である場合が挙げられる。もしくは、作用体B11が、たとえば鉄などに代表される、外部磁場が存在するときのみ磁石となる磁性体であり、遮光体6が永久磁石であってもよい。もしくは、作用体B11が永久磁石であり、遮光体6が、たとえば鉄などに代表される、外部磁場が存在するときのみ磁石となる磁性体であってもよい。
図2に示すように、可動体B12は、用紙Dcの経路上に設けられている。可動体B12は、所定軸を中心に、所定角度の範囲で回動可能である。用紙Dcが可動体B12上にある状態になると、可動体B12は所定軸を中心に回動し、姿勢を変える。可動体B12の姿勢が変化すると、図示しない伝達機構を介して、作用体B11が移動する。
機構B13は、用紙Dcが可動体B12上にある状態から用紙Dcが可動体B12上にない状態に変化したときに、可動体B12を移動させるためのものである。本実施形態において、機構B13はバネである。
次に、図7〜図9を用いて、検出システムC1による対象物の検出方法について説明する。本実施形態においては当該検出方法の一例として、検出システムC1がプリンタに設けられた場合に、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にあるか否かを検出する方法について説明する。
図7(a)に示すように、用紙Dcが可動体B12上にない場合、可動体B12は同図に示す位置にある。この場合図7(b)に示すように、作用体B11は、図右方に位置している。このとき、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられ、非遮光位置ppに位置している。遮光体6が非遮光位置ppにあるとき、発光素子2からの光は、出射口44を通り、反射膜52によって反射され、入射口45を通り、受光素子3に到達する。受光素子3に発光素子2からの光が到達しているこのときは、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にない状態であると、認識される。なお、図7(b)に示す作用体B11の位置は、本発明で言う非検出位置の一例に相当する。
次に、図8(a)に示すように、用紙Dcが送給され、可動体B12上を通過する。すると用紙Dcの紙面に押され、可動体B12が回動する。そして可動体B12の回動が作用体B11に伝達され、作用体B11は図8(b)の左方へ移動する。同図に示す位置に作用体B11が移動すると、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられることにより、遮光位置poに移動する。遮光体6が遮光位置poにあるとき、発光素子2から受光素子3への光の経路は、遮光体6に遮断される。そのため、受光素子3には発光素子2からの光は到達しない。受光素子3に発光素子2からの光が到達していないこのときは、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にある状態であると、認識される。図8(a)に示す場合には、可動体B12の回動によって、機構B13たるバネは縮んだ状態となっている。なお、図8(b)に示す作用体B11の位置は、本発明で言う検出位置の一例に相当する。
次に、図9(a)に示すように、用紙Dcが可動体B12上を通過し終えると、可動体B12を押さえるものがなくなる。そのため可動体B12は、機構B13たるバネの弾性力により、図7(a)に示した元の位置に移動する。可動体B12の回動は作用体B11に伝達され、作用体B11は図9(b)の右方に移動する。同図に示す位置に作用体B11が移動すると、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられることにより、再び非遮光位置ppに移動する。上述のように、遮光体6が非遮光位置ppに移動すると、受光素子3には発光素子2からの光が到達することとなる。そのため、対象物たる用紙Dcが送給されていない状態に変化したことが、認識される。
次に、本実施形態の作用について説明する。
検出センサA1においては、遮光体6が、外部から遮蔽された移動空間43に収容されている。よって、発光素子2から受光素子3に至る光が、塵や埃などの異物が多量に存在しうる、検出センサA1外の空間を通過する必要がない。そのため、検出センサA1によると、上記光の経路上に検出センサA1外から塵や埃などの異物が侵入することを防止できる。その結果、遮光体6が非遮光位置ppに位置している場合に、発光素子2から受光素子3に向かう光が、検出センサA1外から侵入した塵や埃などの異物によって遮られることを防止できる。これにより、遮光体6が非遮光位置ppに位置しているにも関わらず発光素子2からの光が受光素子3に到達しにくくなるといった不具合を、抑制できる。したがって、検出センサA1を用いると、より的確に対象物を検出することが可能となる。
図3に示したように、検出センサA1においては、発光素子2および受光素子3は、基板1の厚さ方向において、移動空間43と基板1との間に配置されている。すなわち、検出センサA1は、遮光体6が基板1の厚さ方向において発光素子2や受光素子3と異なる位置を移動する、いわゆる2段型のセンサである。このような2段型のセンサである検出センサA1は、移動空間43を、基板1の厚さ方向視において発光素子2や受光素子3と重なる位置に配置できる。基板1の厚さ方向視において、移動空間43が発光素子2や受光素子3と重なる構成は、基板1の厚さ方向視における検出センサA1の大きさをより小さくするのに適する。
一般に、樹脂成型のみによって、遮蔽された空間をケース4に形成するのは困難である。一方、検出センサA1における移動空間43を形成するには、ケース4に基板5を取り付ければよい。そのため、上述の困難を伴わずに、遮蔽された移動空間43を有する検出センサA1を製造することができる。したがって、移動空間43が基板5に塞がれた構成を有する検出センサA1は、製造の容易化に適する。
遮光体6は、基板5の面内方向に沿って移動可能に、移動空間43に収容されている。そのため、遮光体6をたとえば基板5の厚さ方向に沿って移動させる必要がない。したがって、検出センサA1は、基板5の厚さ方向における寸法をより小さくするのに適する。
基板5は、反射膜52を有する。反射膜52は、発光素子2から放たれた光を受光素子3に向けて反射する。そのため検出センサA1は、受光素子3に入射する発光素子2からの光の光量をより多くすることができる。
反射膜52は、ケース4を介して、グランド電極123と電気的に接続している。遮光体6は移動する際に反射膜52に接触する。そのため、遮光体6には、反射膜52との摩擦による静電気が帯電しにくい。この結果、静電気が遮光体6に帯電することにより、遮光体6が移動空間43を移動しにくくなる不具合を抑制することができる。
図10は、第1実施形態にかかる検出センサA1の変形例の断面図である。同図に示された検出センサA1’は、基板5が反射膜52を有さない。検出センサA1’における基材51は、白色の樹脂よりなる。そして、基材51の図下側の面が反射面511とされている。
図11〜図16は、本発明の第2実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図11は、本発明の第2実施形態にかかる検出センサの斜視図である。同図に示した検出センサA2は、作用体B11とともに、検出システムC2として用いられる。図12は、図11の検出センサA2のXII−XII線に沿う断面図である。図13は、図12のXIII−XIII線に沿う断面図である。なお、図12の下方が重力方向下方に一致する。
図11〜図13に示した検出センサA2は、第1実施形態にかかる検出センサA1と同様に、基板1と、発光素子2と、受光素子3と、ケース4と、基板5と、遮光体6と、ボンディングワイヤWa1,Wa2とを備える。本実施形態にかかる検出センサA2は、遮光体6が基板5の厚さ方向に沿って移動する点において、検出センサA1と主に異なる。基板1、発光素子2、受光素子3、ケース4、およびボンディングワイヤWa1,Wa2の具体的構成は、第1実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
本実施形態における基板5は、第1実施形態と異なり、反射膜を有さない。一方、遮光体6が、基板1側に臨む反射面61を有する。反射面61は、たとえば遮光体6が鉄などの金属である場合、遮光体6を鏡面加工などを施すことにより形成すればよい。もしくは、遮光体6が、永久磁石と、この永久磁石に接着された金属板とを有する場合もある。この場合には、当該金属板の表面を反射面61とすればよい。
次に、図14〜図16を用いて、検出システムC2による対象物の検出方法について説明する。本実施形態においては当該検出方法の一例として、検出システムC2によって、コピー機の蓋Cvの開閉状態を検出する方法について説明する。蓋Cvには、作用体B11が設けられている。
図14に示すように、蓋Cvが閉状態であるとき、作用体B11は、検出センサA2に近接する位置にある。このとき、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引かれ、図上方の非遮光位置ppにある。遮光体6が非遮光位置ppにあるとき、発光素子2から放たれた光は、出射口44を通り、遮光体6の反射面61に反射され、入射口45を通り、受光素子3に到達する。受光素子3に発光素子2からの光が到達しているこのときは、蓋Cvが閉状態であると、認識される。
次に図15に示すように、蓋Cvが開状態となると、作用体B11は、検出センサA2から離間する。すると、作用体B11と遮光体6との間の引力は小さくなる。そのため、遮光体6は、重力によって、図下方の遮光位置poへと移動する。遮光体6が遮光位置poにあるとき、発光素子2から受光素子3に至る光の経路は、遮光体6に遮られる。そのため、受光素子3には発光素子2からの光は到達しない。受光素子3に発光素子2からの光が到達しないこのときは、蓋Cvが開状態であると、認識される。
次に図16に示すように、再び蓋Cvが閉状態となると、作用体B11は検出センサA2に接近する。すると、作用体B11と遮光体6との引力が大きくなる。そのため、遮光体6は、磁力を介して作用体11に引きつけられ、非遮光位置ppへと移動する。このとき蓋Cvが再び閉状態となったことが認識される。
次に、本実施形態の作用について説明する。
検出センサA2においては、遮光体6が、遮蔽された移動空間43に収容されている。よって、発光素子2から受光素子3に至る光が、塵や埃などの異物が多量に存在しうる、検出センサA2外の空間を通過する必要がない。そのため、検出センサA2によると、上記光の経路上に検出センサA2外から塵や埃などの異物が侵入することを防止できる。その結果、遮光体6が非遮光位置ppに位置している場合に、発光素子2から受光素子3に向かう光が、検出センサA2外から侵入した塵や埃などの異物によって遮られることを防止できる。これにより、遮光体6が非遮光位置ppに位置しているにも関わらず発光素子2からの光が受光素子3に到達しにくくなるといった不具合を、抑制できる。したがって、検出センサA2を用いると、より的確に対象物を検出することが可能となる。
図12に示したように、検出センサA2においては、発光素子2および受光素子3は、基板1の厚さ方向において、移動空間43と基板1との間に配置されている。すなわち、検出センサA2は、遮光体6が基板1の厚さ方向において発光素子2や受光素子3と異なる位置を移動する、いわゆる2段型のセンサである。このような2段型のセンサである検出センサA2は、移動空間43を、基板1の厚さ方向視において発光素子2や受光素子3と重なる位置に配置できる。基板1の厚さ方向視において、移動空間43が発光素子2や受光素子3と重なる構成は、基板1の厚さ方向視における検出センサA2の大きさをより小さくするのに適する。
一般に、樹脂成型のみによって、遮蔽された空間をケース4に形成するのは困難である。一方、検出センサA2における移動空間43を形成するには、ケース4に基板5と取り付ければよい。そのため、上述の困難を伴わずに、遮蔽された移動空間43を有する検出センサA2を製造することができる。したがって、移動空間43が基板5に塞がれた構成を有する検出センサA2は、製造の容易化に適する。
遮光体6は、反射面61を有する。反射面61は、発光素子2から放たれた光を受光素子3に向けて反射する。そのため本実施形態にかかる検出センサA2は、受光素子3に入射する発光素子2からの光の光量をより多くすることができる。
ケース4は、グランド電極123と電気的に接続している。遮光体6が移動する際、ケース4には遮光体6が接触する。そのため、遮光体6には、ケース4との摩擦による静電気が帯電しにくい。この結果、静電気が遮光体6に帯電することにより、遮光体6が移動空間43を移動しにくくなる不具合を抑制することができる。
図17〜図24は、本発明の第3実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
図17は、本実施形態にかかる検出センサの斜視図である。同図に示した検出センサA3は、作用体B11と、図18に示す可動体B12と、機構B13とともに検出システムC3として用いられる。このような検出システムC3は、第1実施形態にかかる検出システムC1と同様に、たとえばインクジェットプリンタに設けられ、対象物たるプリンタ内の用紙Dcが送給経路上を通過しているか否かを認識するために用いられる。
図19は、図17に示した検出センサA3のXIX−XIX線に沿う断面図である。図20は、図19のXX−XX線に沿う断面図である。図21は、図19のXXI−XXI線に沿う断面図である。なお、図20の下方が重力方向下方に一致する。
これらの図に示した検出センサA3は、上記実施形態にかかる検出センサA1,A2と同様に、基板1と、発光素子2と、受光素子3と、ケース4と、遮光体6と、ボンディングワイヤWa1,Wa2とを備える。検出センサA3は、上記実施形態と異なり、上記実施形態における基板5を備えていない。発光素子2、受光素子3、ボンディングワイヤWa1,Wa2の具体的構成は、上述の実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
本実施形態では、基板1におけるグランド電極123、およびグランド実装電極126の配置は、上述の実施形態と異なる。図20に示すように、グランド電極123、およびグランド実装電極126は、基材11の中央に配置されている。
図19〜図21に示すように、ケース4に形成される移動空間43は、収容空間41と収容空間42とに挟まれている。また移動空間43は、基板1に塞がれている。
遮光体6は、移動空間43内に収容され、且つ、グランド電極123に接触している。遮光体6は、図19の上下方向に沿って、移動空間43内を移動する。
次に、図22〜図24を用いて、検出システムC3による対象物の検出方法について説明する。本実施形態においては当該検出方法の一例として、検出システムC3がプリンタに設けられた場合に、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にあるか否かを検出する方法について説明する。以下で説明する検出方法は、第1実施形態で述べた検出方法とほぼ同様である。
図22(a)に示すように、用紙Dcが可動体B12上にない場合、可動体B12は同図に示す位置にある。この場合図22(b)に示すように、作用体B11は、図上方に位置している。このとき、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられ、非遮光位置ppに位置している。遮光体6が非遮光位置ppにあるとき、発光素子2からの光は、出射口44と入射口45とを通り、受光素子3に到達する。受光素子3に発光素子2からの光が到達しているこのときは、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にない状態であると、認識される。なお、図22(b)に示す作用体B11の位置は、本発明で言う非検出位置の一例に相当する。
次に、図23(a)に示すように、用紙Dcが送給され、可動体B12上を通過する。すると用紙Dcの紙面に押され、可動体B12が回動する。そして可動体B12の回動が作用体B11に伝達され、作用体B11は図23(b)の下方へ移動する。同図に示す位置に作用体B11が移動すると、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられることにより、遮光位置poに移動する。遮光体6が遮光位置poにあるとき、発光素子2から受光素子3への光の経路は、遮光体6に遮断される。そのため、受光素子3には発光素子2からの光は到達しない。受光素子3に発光素子2からの光が到達していないこのときは、対象物たる用紙Dcが可動体B12上にある状態であると、認識される。図23(a)に示す場合には、可動体B12の回動によって、機構B13たるバネは縮んだ状態となっている。なお、図23(b)に示す作用体B11の位置は、本発明で言う検出位置の一例に相当する。
次に、図24(a)に示すように、用紙Dcが可動体B12上を通過し終えると、可動体B12を押さえるものがなくなる。そのため可動体B12は、機構B13たるバネの弾性力により、図22(a)に示した元の位置に移動する。可動体B12の回動は作用体B11に伝達され、作用体B11は図24(b)の上方へ移動する。同図に示す位置に作用体B11が移動すると、遮光体6は、磁力を介して、作用体B11に引きつけられることにより、再び非遮光位置ppに移動する。上述のように、遮光体6が非遮光位置ppに移動すると、受光素子3には発光素子2からの光が到達することとなる。そのため、対象物たる用紙Dcが送給されていない状態に変化したことが、認識される。
次に、本実施形態の作用について説明する。
検出センサA3においては、遮光体6が、遮蔽された移動空間43に収容されている。よって、発光素子2から受光素子3に至る光が、塵や埃などの異物が多量に存在しうる、検出センサA3外の空間を通過する必要がない。そのため、検出センサA3によると、上記光の経路上に検出センサA3外から塵や埃などの異物が侵入することを防止できる。その結果、遮光体6が非遮光位置ppに位置している場合に、発光素子2から受光素子3に向かう光が、検出センサA3外から侵入した塵や埃などの異物によって遮られることを防止できる。これにより、遮光体6が非遮光位置ppに位置しているにも関わらず発光素子2からの光が受光素子3に到達しにくくなるといった不具合を、抑制できる。したがって、検出センサA3を用いると、より的確に対象物を検出することが可能となる。
図20、図21に示したように、検出センサA3においては、移動空間43は、発光素子2や受光素子3とが配置された基板1により塞がれている。そのため、検出センサA3は、移動空間43が、基板1の厚さ方向において発光素子2や受光素子3と同じ位置にある、いわゆる1段型のセンサである。このような1段型のセンサである検出センサA3は、基板の厚さ方向における寸法をより小さくするのに適する。
一般に、樹脂成型のみによって、遮蔽された空間をケース4に形成するのは困難である。一方、検出センサA3における移動空間43を形成するには、ケース4に基板1を取り付ければよい。そのため、上述の困難を伴わずに、遮蔽された移動空間43を有する検出センサA3を製造することができる。したがって、移動空間43が基板1に塞がれた構成を有する検出センサA3は、製造の容易化に適する。
また、移動空間43は、発光素子2と受光素子3とが配置された基板1に塞がれている。このような構成においては、移動空間43を塞ぐために基板1と異なる基板を用いる必要がない。これは、基板1と異なる基板をケース4に取り付ける作業を省くことができ、検出センサA3の製造工程の簡素化に適する。
検出センサA3において、遮光体6は、移動する際、グランド電極123に接触する。そのため遮光体6には、グランド電極123との摩擦による静電気が帯電しにくい。この結果、静電気が遮光体6に帯電することにより、遮光体6が移動空間43を移動しにくくなる不具合を抑制することができる。
本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。上述の実施形態においては、作用体と遮光体とが磁力を介して互いに引き合う構成について説明したが、作用体と遮光体とが磁力を介して互いに斥け合う構成を採用してもよい。また必ずしも、ケースは導電性材料よりなる必要はない。
また、上述の実施形態においては、発光素子が赤外線を発光し、受光素子が赤外線を受光する例を示したが、発光素子が赤外線と異なる波長の光であるたとえば可視光を発光し、受光素子が赤外線と異なる波長の光である可視光を受光する構成を採用してもよい。
第1実施形態にかかる検出センサA1を、同実施形態において示した配置状態から傾けて用いてもよい。たとえば検出センサA1を、遮光体6が重力に従い遮光位置poもしくは非遮光位置ppに移動するように配置し、第2実施形態で述べた用途に用いてもよい。この場合、検出センサA1とともに作用体B11を用いる必要はあるが、可動体B12および機構B13を用いなくてもよい。
第3実施形態にかかる検出センサA3を、同実施形態において示した配置状態から傾けて用いてもよい。たとえば検出センサA3を、遮光体6が重力に従い遮光位置poもしくは非遮光位置ppに移動するように配置し、第2実施形態で述べた用途に用いてもよい。この場合、検出センサA3とともに作用体B11を用いる必要はあるが、可動体B12および機構B13を用いなくてもよい。
第2実施形態にかかる検出センサA2を、同実施形態において示した配置状態から傾けて配置し、第1実施形態で示した可動体B12と、機構B13とともに用いてもよい。
第1実施形態および第3実施形態では、可動体B12上に対象物たる用紙Dcがない場合に遮光体6が非遮光位置ppに位置し、可動体B12上に用紙Dcがある場合に遮光体6が遮光位置poに位置する例を説明したが、これらの組み合わせを逆にしてもよい。すなわち、可動体B12上に対象物たる用紙Dcがない場合に遮光体6が遮光位置poに位置し、可動体B12上に用紙Dcがある場合に遮光体6が非遮光位置ppに位置する構成を採用してもよい。
A1,A1’,A2,A3 検出センサ
B11 作用体
B12 可動体
B13 機構
Dc 用紙
C1,C2,C3 検出システム
1 (第1)基板
11 基材
121a,121b パッド電極
122a,122b ボンディングパッド
123 グランド電極
124a,124b 実装電極
125a,125b 実装電極
126 グランド実装電極
1a 第1面
1b 第2面
2 発光素子
3 受光素子
4 ケース
41,42 収容空間
43 移動空間(空間)
44 出射口
45 入射口
5 (第2)基板
51 基材
511 反射面
52 反射膜
5a 第1面
5b 第2面
6 遮光体
61 反射面
po 遮光位置
pp 非遮光位置
Sa 回路基板
Cv 蓋
Wa1,Wa2 ボンディングワイヤ
B11 作用体
B12 可動体
B13 機構
Dc 用紙
C1,C2,C3 検出システム
1 (第1)基板
11 基材
121a,121b パッド電極
122a,122b ボンディングパッド
123 グランド電極
124a,124b 実装電極
125a,125b 実装電極
126 グランド実装電極
1a 第1面
1b 第2面
2 発光素子
3 受光素子
4 ケース
41,42 収容空間
43 移動空間(空間)
44 出射口
45 入射口
5 (第2)基板
51 基材
511 反射面
52 反射膜
5a 第1面
5b 第2面
6 遮光体
61 反射面
po 遮光位置
pp 非遮光位置
Sa 回路基板
Cv 蓋
Wa1,Wa2 ボンディングワイヤ
Claims (17)
- 発光素子と、
受光素子と、
外部から遮蔽された空間に収容され、且つ、上記発光素子から放たれた光を上記受光素子に到達させない遮光位置と上記発光素子から放たれた光を上記受光素子に到達させる非遮光位置とをとりうる遮光体と、を備え、
上記遮光体は、磁力によって、上記遮光位置および上記非遮光位置の少なくともいずれかに移動することを特徴とする、検出センサ。 - 上記発光素子および上記受光素子を搭載している第1基板と、
上記発光素子および上記受光素子を収容し、且つ、上記空間が形成されたケースと、を更に備える、請求項1に記載の検出センサ。 - 上記第1基板は、上記発光素子および上記受光素子が配置された第1面と、上記第1面と反対側の第2面とを有し、
上記第1基板は、
上記第1面側に形成され、且つ、上記発光素子もしくは上記受光素子が配置されたパッド電極と、
上記第2面側に形成され、且つ、上記パッド電極と電気的に接続する実装電極と、
を更に有する、請求項2に記載の検出センサ。 - 上記発光素子および上記受光素子は、上記第1基板の厚さ方向において、上記空間と上記第1基板との間に配置されている、請求項2または3に記載の検出センサ。
- 上記ケースに対し上記第1基板と反対側に位置し、且つ、上記空間を塞ぐ第2基板を更に備える、請求項2ないし4のいずれかに記載の検出センサ。
- 上記遮光体は、上記第2基板の面内方向に沿って移動可能である、請求項5に記載の検出センサ。
- 上記第2基板は、上記空間に臨む反射膜を有する、請求項6に記載の検出センサ。
- 上記反射膜および上記ケースは、導電性材料よりなり、
上記第1基板は、上記ケースを介して上記反射膜に電気的に接続しているグランド電極を有する、請求項7に記載の検出センサ。 - 上記遮光体は、上記第2基板の厚さ方向に沿って移動可能である、請求項5に記載の検出センサ。
- 上記遮光体は、上記第1基板側に臨む反射面を有する、請求項9に記載の検出センサ。
- 上記ケースは、導電性材料よりなり、
上記第1基板は、上記ケースに電気的に接続しているグランド電極を有する、請求項10に記載の検出センサ。 - 上記空間は、上記第1基板と上記ケースとにより塞がれている、請求項2または3に記載の検出センサ。
- 上記第1基板は、上記空間に臨むグランド電極を有する、請求項12に記載の検出センサ。
- 上記遮光体は、永久磁石である、請求項1ないし13のいずれかに記載の検出センサ。
- 請求項1ないし14のいずれかに記載の検出センサと、
上記検出センサの外部に配置され、且つ、磁力を介して、上記遮光体と引き合いまたは斥け合う作用体と、を備える、検出システム。 - 上記作用体は、対象物が所定の位置にある場合、上記遮光体を上記遮光位置および上記非遮光位置の一方に位置させる検出位置に位置し、上記対象物が上記所定の位置にない場合、上記遮光体を上記遮光位置および上記非遮光位置の他方に位置させる非検出位置に位置し、
上記対象物が上記所定の位置にある状態から上記所定の位置にない状態に変化したとき、上記作用体を上記検出位置から上記非検出位置に移動させる機構を更に備える、請求項15に記載の検出システム。 - 上記作用体および上記遮光体の少なくともいずれかは、永久磁石である、請求項15または16に記載の検出システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009290440A JP2011134463A (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 検出センサ、および検出システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009290440A JP2011134463A (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 検出センサ、および検出システム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011134463A true JP2011134463A (ja) | 2011-07-07 |
Family
ID=44347003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009290440A Pending JP2011134463A (ja) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | 検出センサ、および検出システム |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2011134463A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020090883A1 (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 光学センサ装置 |
WO2020138086A1 (ja) | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 京セラ株式会社 | 光学センサ装置 |
-
2009
- 2009-12-22 JP JP2009290440A patent/JP2011134463A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2020090883A1 (ja) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 京セラ株式会社 | 光学センサ装置 |
WO2020138086A1 (ja) | 2018-12-25 | 2020-07-02 | 京セラ株式会社 | 光学センサ装置 |
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