JP5167056B2 - 傾斜センサ - Google Patents

Description

本発明は、たとえばデジタルスチルカメラや携帯電話機の傾斜方向を検出するための傾斜センサに関する。

図１２および図１３は、従来の傾斜センサの一例を示している。同図に示された傾斜センサＸは、基板９１、ケース９２、カバー９３、１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂ、発光素子９５、および転動体９６を備えている。なお、図１３においては、理解の便宜上カバー９３を省略している。１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂおよび発光素子９５は、基板９１の表面に搭載されており、ケース９２に囲われている。ケース９２およびカバー９３によって空隙部９２ａが形成されている。この空隙部９２ａは、発光素子９５からの光が入射され、またケース９２の各部によって反射された光を１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂへと到達させうる形状とされている。空隙部９２ａには、転動体９６が収容されている。転動体９６は、円柱形状であり、空隙部９２ａ内を転動可能とされている。基板９１の裏面には、たとえば回路基板への面実装に用いられる実装端子が形成されている。

図１３に示された状態は、転動体９６が重力にしたがって発光素子９５と重なる位置にある状態である。このとき、発光素子９５から発せられたほとんどすべての光が転動体９６によって遮られるため、１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂのいずれにも光は到達しない。次に、傾斜センサＸを、図１３に示された状態から左に傾けると、転動体９６は受光素子９４Ａと重なる位置をとる。この状態においては、発光素子９５からの光が受光素子９４Ｂにのみによって受光される。反対に、傾斜センサＸを、図１３に示された状態から右に傾けると、転動体９６は受光素子９４Ｂと重なる位置をとる。この状態においては、発光素子９５からの光は受光素子９４Ａのみによって受光される。傾斜センサＸをたとえば回路基板に実装すれば、この回路基板と直角に延びる軸を回転中心として回路基板が傾けられたことを１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂの受光信号を監視することにより検出することができる。このような傾斜センサＸを用いることにより、たとえば携帯電話機の表示画面を閲覧している使用者が、その表示画面を縦向きもしくは横向きにしたことを検出し、それに応じて表示画面に表示させる画像の向きを変更するといった処理が可能となる。

しかしながら、図１２に示すように、傾斜センサＸは、１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂおよび発光素子９５を配置するためのスペースと、転動体９６を転動させる空隙部９２ａというスペースとが重なった構造となっている。このため、傾斜センサＸの高さは、少なくとも１対の受光素子９４Ａ，９４Ｂおよび発光素子９５のいずれかの高さと転動体９６の高さとを合計したもの以上とならざるを得なかった。

特開２００７−１３９６４３号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図ることが可能な傾斜センサを提供することをその課題とする。

本発明によって提供される傾斜センサは、検出対象面の面内方向において互いに離間配置された発光素子および１対の受光素子と、上記面内方向における重力方向の変化により、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれにも到達させない完全遮光位置、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれか一方のみに到達させる１対の半遮光位置、および、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれにも到達させる非遮光位置、をとる転動体と、上記転動体を収容し、かつ、上記発光素子からの光が出射される出射口および上記１対の受光素子に向けて光が入射する１対の入射口に繋がる空隙部と、を備える傾斜センサにおいて、上記発光素子および上記１対の受光素子を収容しているケースと、上記ケースに取り付けられた、上記発光素子および上記１対の受光素子を表面に搭載している搭載基板と、上記ケースの上記搭載基板と逆側に取り付けられたカバー基板と、をさらに備え、上記空隙部は、上記ケースの側面、上記搭載基板および上記カバー基板の表面により包囲され、かつ、上記面内方向において上記発光素子および上記１対の受光素子に囲まれていることを特徴としている。

このような構成によれば、上記発光素子および上記１対の受光素子と上記転動体とが上記検出対象面に沿って配置される。このため、上記傾斜センサの高さを、上記発光素子、上記１対の受光素子のいずれかと上記転動体との高さを合計したもの以上にする必要がなくなる。したがって、上記傾斜センサの薄型化を図ることができる。また、上述した構成の傾斜センサを製造するには、上記ケースに上記カバー基板を取り付ければよい。そのため、上記傾斜センサを製造する際に、上記ケースと上記カバー基板とを一体成型する必要がない。これにより、上記傾斜センサの製造する工程を簡素化できる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバー基板の表面に形成された、上記空隙部と接する反射膜をさらに備えている。このような構成によれば、上記発光素子から出射された光が、上記カバー基板に吸収されにくくなる。これにより、上記受光素子が受ける光の量を増大させることができる。その結果、上記受光素子の出力値を大きくできる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記反射膜および上記ケースは、導電性材料からなり、上記搭載基板に形成され、かつ、上記ケースを介して上記反射膜と導通しているグランド端子をさらに備える。このような構成によれば、上記反射膜や上記ケースに、静電気が帯電することがなくなる。そのため、上記空隙部において、上記転動体が静電気により動かなくなるといった問題を回避できる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記側面と繋がっているとともに、上記カバー基板の上記表面と対向している対向面をさらに備え、上記反射膜は、上記面内方向視において上記対向面と重なるスリットを備えている。このような構成によれば、上記カバー基板を接着剤により上記ケースに貼り付ける際に、上記接着剤が、上記反射膜の表面と上記ケースの対向面とに押され、上記スリットに入りこむ。そのため、この際に、上記接着剤が上記空隙部にはみ出しにくい。これにより、上記転動体が、上記接着剤に固着して動かなくなるといった不具合を抑制できる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記１対の受光素子または上記発光素子のいずれかを収容している収容空間をさらに備え、上記面内方向視において、上記スリットは、上記収容空間と重なっている。このような構成によれば、より多くの接着剤を、上記スリットに入りこませることが可能となる。これにより、上記接着剤が、上記空隙部にはみ出すことをさらに抑制できる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ケースは、上記側面と繋がっているとともに、上記カバー基板の上記表面と対向している対向面をさらに備え、この対向面には溝が形成されている。このような構成によれば、上記カバー基板を接着剤により上記ケースに貼り付ける際に、上記接着剤が、上記反射膜の表面と上記ケースの対向面とに押され、上記溝に入りこむ。そのため、この際に、上記接着剤が上記空隙部にはみ出しにくい。これにより、上記転動体が、上記接着剤に固着して動かなくなるといった不具合を抑制できる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記入射口と繋がっているとともに、上記１対の受光素子のいずれかを収容している収容空間と、上記ケースまたは上記カバー基板の少なくともいずれかと繋がり、かつ、上記面内方向視において、上記収容空間における上記入射口から上記受光素子までの間における領域と重なり、かつ、上記面内方向視において、上記転動体が上記搭載基板に接した場合に形成される、上記カバー基板と上記転動体との隙間に重なる部材と、をさらに備える。このような構成によれば、上記転動体が上記完全遮光位置または上記半遮光位置にある場合、上記カバー基板と上記転動体との隙間から上記収容空間に入射してくる光の少なくとも一部が、上記部材により遮られる。これにより、上記転動体による遮光をより確実に行うことができる。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記出射口と繋がっているとともに、上記発光素子を収容している収容空間と、上記ケースまたは上記カバー基板の少なくともいずれかと繋がり、かつ、上記面内方向視において、上記収容空間における上記出射口から上記発光素子までの間における領域と重なり、かつ、上記面内方向視において、上記転動体が上記搭載基板に接した場合に形成される、上記カバー基板と上記転動体との隙間に重なる部材と、をさらに備える。このような構成によれば、上記転動体が上記非遮光位置にある場合、上記発光素子から上記空隙部に出射する光の少なくとも一部が、上記部材により遮られる。これにより、上記転動体による遮光をより確実に行うことができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図９を用いて、本発明にかかる第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態にかかる傾斜センサの一例を示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。

これらの図に示された傾斜センサＡ１は、図１に示すように、検出対象面を形成するたとえば回路基板Ｓに面実装された状態で、回路基板Ｓの面内方向における傾斜を検出するために用いられるものである。本実施形態においては、傾斜センサＡ１は、そのサイズが３．３ｍｍ×３．３ｍｍ程度、厚さが０．８ｍｍ程度とされている。図２〜４に特によく示されているように、傾斜センサＡ１は、搭載基板１、ケース２、カバー基板ｃ、発光素子４、１対の受光素子５Ａ，５Ｂ、反射膜ｍ、および、転動体６、を備えている。なお、図３ないし図５においては、理解の便宜上、転動体６を想像線で示している。図６は、面内方向視におけるカバー基板ｃと反射膜ｍとを表している。図６においては理解の便宜上、反射膜ｍをグレーで示し、ケース２と転動体６とを想像線で示している。

図３，４に示されているように、搭載基板１は、矩形状の絶縁基板であって、たとえばガラスエポキシ樹脂から構成されている。本実施形態においては、搭載基板１のサイズは、３．３ｍｍ×３．３ｍｍ程度、厚さ０．２ｍｍ程度とされている。搭載基板１には、配線パターン（図示略）が形成されている。この配線パターンは、たとえばＣｕ−Ｎｉ−Ａｕメッキ層からなる。この配線パターンは、搭載基板１の表裏面に形成された部分と、これらの部分を導通させるスルーホール部分とを有している。この配線パターンのうち搭載基板１の表面に形成された部分には、発光素子４および１対の受光素子５Ａ，５Ｂがダイボンディングされている。また、この配線パターンのうち搭載基板１の裏面に形成された部分は、傾斜センサＡ１を回路基板Ｓに面実装するための実装端子として用いられる。図３，４に示されているように、搭載基板１の表面１０には、メッキ層１１が形成されている。メッキ層１１は、搭載基板１に形成された上記配線パターンのうち回路基板Ｓのグランドラインと導通する部分に対して接続されている。

発光素子４は、たとえば赤外線を発することができる赤外線発光ダイオードなどからなり、搭載基板１の一辺に近接するように配置されている。本実施形態においては、発光素子４は、そのサイズが０．２５ｍｍ角程度とされている。

１対の受光素子５Ａ，５Ｂは、たとえばフォトトランジスタであり、赤外線を受光すると、それに応じた光起電力を生じて電流を流すように構成されている。図２に示すように、１対の受光素子５Ａ，５Ｂは、それぞれが搭載基板１の対辺に近接するように、互いに離間して搭載基板１に配置されている。本実施形態においては、受光素子５Ａ，５Ｂのサイズは、０．６ｍｍＸ０．４ｍｍ程度とされている。

ケース２は、全体が直方体形状とされており、たとえばエポキシ樹脂により構成されている。ケース２は、導電性材料から構成されていてもよい。ケース２のサイズは、３．３ｍｍ角程度、厚さが０．６ｍｍ程度とされている。図４に表れているように、ケース２は、メッキ層１１の一部と接している。

カバー基板ｃは、ケース２の搭載基板１が設けられている側と反対側に取り付けられている。図３，４に示されているように、カバー基板ｃは、ケース２と接着剤８により接合されている。カバー基板ｃは、矩形状の絶縁基板であって、たとえばエポキシ樹脂からなる。

ケース２の一方（図３、図４における下側）には、搭載基板１が取り付けられている。ケース２の搭載基板１が取り付けられた側と逆側（図３、図４における上側）には、カバー基板ｃが取り付けられている。これらにより、空隙部３および収容空間２２，２３Ａ，２３Ｂが形成されている。ここでは、空隙部３は、ケース２の側面２０，搭載基板１の表面１０、および、カバー基板ｃの表面ｃ１、により囲まれている。ケース２は、対向面２１を有している。対向面２１は、カバー基板ｃの表面ｃ１と対向している。対向面２１は、ケース２の側面２０と繋がっている。

図２および図４に示すように、収容空間２２は、発光素子４を収容している。収容空間２２と空隙部３との隙間には、出射口２２ａが設けられている。出射口２２ａは、発光素子４からの光を空隙部３へと出射する経路となっている。

図２および図３に示すように、収容空間２３Ａ，２３Ｂは、それぞれ受光素子５Ａ，５Ｂを収容している。収容空間２３Ａ，２３Ｂと空隙部３との隙間には、入射口２３Ａａ，２３Ｂａが設けられている。入射口２３Ａａ，２３Ｂａは、空隙部３から受光素子５Ａ，５Ｂへと光が入射する経路となっている。

空隙部３は、転動体６を収容する空間であって、傾斜センサＡ１の姿勢に応じた所定の位置に転動させるためのものである。本実施形態では、空隙部３の断面形状が略矩形状とされている。空隙部３は、一辺が１．３ｍｍの矩形に相当するサイズとされている。空隙部３の３つの頂点に相当する部分には、出射口２２ａおよび入射口２３Ａａ，２３Ｂａが位置している。

図３〜６に示されているように、反射膜ｍは、カバー基板ｃの表面ｃ１に形成されている。反射膜ｍの一部は、空隙部３と接している。反射膜ｍは、たとえば、Ｃｕ層、Ｎｉ層、および、Ａｕ層が積層された構造とされている。反射膜ｍは、発光素子４により発せられた光を反射することにより、受光素子５Ａ，５Ｂへと向かわせるものである。図４〜６に示されているように、反射膜ｍは、スリットｍ１を備えている。このスリットｍ１は、面内方向においてケース２の対向面２１と重なっている。図６に表れているように、スリットｍ１は、面内方向において、収容空間２２，２３Ａ，２３Ｂのいずれとも重なっている。図３，４に表れているように、スリットｍ１の内部には、接着剤８が入り込んでいる。

図３〜６に示されているように、遮光部７が、反射膜ｍの表面に形成されている。これにより、遮光部７は、カバー基板ｃと繋がっているといえる。図３，４に示されているように、遮光部７は、図下方向に突出した形状である。遮光部７は、出射口２２ａ、および、入射口２３Ａａ，２３Ｂａに設けられている。図５に示されているように、遮光部７は、面内方向視において、転動体６が搭載基板１に接した場合に形成されるカバー基板ｃと転動体６との隙間ｈに重なっている。また、遮光部７は、たとえばＣｕから構成されている。なお、遮光部７を樹脂を用いて形成してもよい。

次に、傾斜センサＡ１による傾斜方向の検出について説明する。

まず、図２は、傾斜センサＡ１が初期姿勢とされた状態を示している。本図および後述する図７〜９は、いずれも図中下方が鉛直下方である。図２の場合、転動体６は、重力にしたがって空隙部３のうち出射口２２ａとは反対側の部分に位置する。この位置を、非遮光位置６０と呼ぶ。転動体６が非遮光位置６０にあるため、発光素子４からの光は出射口２２ａから空隙部３へと出射される。この光は、空隙部３内において繰り返し反射されたのちに、入射口２３Ａａ，２３Ｂａを経由して受光素子５Ａ，５Ｂの双方に到達する。すると、受光素子５Ａ，５Ｂの双方から受光信号が出力される。これにより、受光素子５Ａ，５Ｂの双方から受光信号が出力されているときは、転動体６が非遮光位置６０にあり、傾斜センサＡ１が鉛直方向に対して本図に示された姿勢であることを認識できる。

次に、傾斜センサＡ１を図２に示す姿勢から反時計回りに約９０度回転させた状態を、図７に示す。この状態においては、転動体６が重力にしたがって入射口２３Ａａの正面に位置する。この位置を、半遮光位置６１Ａと呼ぶ。これにより、入射口２３Ａａが転動体６によって塞がれた格好となる。このため、発光素子４からの光は、入射口２３Ｂａを経由して受光素子５Ｂにのみ到達し、受光素子５Ａには到達しない。したがって、受光素子５Ｂのみから受光信号が出力されているときには、転動体６が半遮光位置６１Ａにあり、傾斜センサＡ１が鉛直方向に対して本図に示された姿勢であることを認識できる。

そして、傾斜センサＡ１を図２に示す姿勢から時計回りに約９０度回転させた状態を、図８に示す。この状態においては、転動体６が重力にしたがって入射口２３Ｂａの正面に位置する。この位置を、半遮光位置６１Ｂと呼ぶ。これにより、入射口２３Ｂａが転動体６によって塞がれた格好となる。このため、発光素子４からの光は、入射口２３Ａａを経由して受光素子５Ａにのみ到達し、受光素子５Ｂには到達しない。したがって、受光素子５Ａのみから受光信号が出力されているときには、転動体６が半遮光位置６１Ｂにあり、傾斜センサＡ１が鉛直方向に対して本図に示された姿勢であることを認識できる。

そして、傾斜センサＡ１を図２に示す姿勢から約１８０度回転させた状態を、図９に示す。この状態においては、転動体６が重力にしたがって出射口２２ａの正面に位置する。この位置を、完全遮光位置６２と呼ぶ。これにより、出射口２２ａが転動体６によって塞がれた格好となる。このため、発光素子４からの光は、転動体６によって完全に遮られ、受光素子５Ａ，５Ｂのいずれにも到達しない。したがって、受光素子５Ａ，５Ｂいずれからも受光信号が出力されていないときには、転動体６が完全遮光位置６２にあり、傾斜センサＡ１が鉛直方向に対して本図に示された姿勢であることを認識できる。

次に、傾斜センサＡ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、発光素子４および１対の受光素子５Ａ，５Ｂと転動体６とが検出対象面に沿って配置される。このため、傾斜センサＡ１の高さを、発光素子４、１対の受光素子５Ａ，５Ｂ、および転動体６のうち最も高いものと、搭載基板１の厚さと、カバー基板ｃとを合計した程度とすることが可能である。したがって、傾斜センサＡ１の薄型化を図ることができる。空隙部３を矩形状とすることにより、転動体６が非遮光位置６０、半遮光位置６１Ａ，６１Ｂ、および完全遮光位置６２のいずれかをとっていることを的確に検出することができる。

傾斜センサＡ１を製造するには、ケース２にカバー基板ｃを取り付ければよい。そのため、傾斜センサＡ１を製造する際に、ケース２とカバー基板ｃとを一体成型する必要がない。これにより、傾斜センサＡ１の製造する工程を簡素化できる。

カバー基板ｃには反射膜ｍが形成されているから、発光素子４から出射された光が、カバー基板ｃに吸収されにくくなる。これにより、受光素子５Ａ，５Ｂが受ける光の量を増大させうる。その結果、受光素子５Ａ，５Ｂの出力値を大きくできる。

傾斜センサＡ１が使用されるとき、傾斜に応じて転動体６が頻繁に転動する。このとき、転動体６と、反射膜ｍあるいはケース２との間に摩擦による静電気が発生する。しかし、ケース２は、グランドラインと導通しているメッキ層１１と接しているから、静電気が帯電することはない。そして、転動体６はケース２に頻繁に接触しており、接触する度に放電する。このことから、転動体６には静電気が過度に帯電しない。そのため、空隙部３において、転動体６が静電気により動かなくなるといった問題を回避できる。

カバー基板ｃを接着剤８によりケース２に貼り付ける際に、接着剤８が、反射膜ｍの表面とケース２の対向面２１とに押され、スリットｍ１に入りこむ。そのため、この際に、接着剤８が空隙部３にはみ出しにくい。これにより、転動体６が、接着剤８に固着して動かなくなるといった不具合を抑制できる。また、スリットｍ１の上記面内方向において収容空間２２，２３Ａ，２３Ｂと重なっている部分は、より多くの接着剤８を入りこませるのに好適である。

また、カバー基板ｃをケース２へ装着する際に、カバー基板ｃの装着位置が図６に示したものから多少ずれたとしても、スリットｍ１が、面内方向視において、収容空間２２，２３Ａ，２３Ｂと重なった状態を保つことができる。

転動体６が半遮光位置６１Ａ，６１Ｂにある場合、カバー基板ｃと転動体６との隙間から収容空間２３Ａ，２３Ｂに入射してくる光の少なくとも一部が、収容空間２３Ａ，２３Ｂにおける遮光部７により遮られる。これにより、転動体６による遮光をより確実に行うことができる。

同様に、転動体６が完全遮光位置６２にある場合、発光素子４から空隙部３に出射する光の少なくとも一部が、収容空間２２における遮光部７により遮られる。これにより、転動体６による遮光をより確実に行うことができる。

図１０，１１に本発明の他の実施形態にかかる傾斜センサの断面図を示す。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図１０は、図４に示した傾斜センサＡ１の断面図に対応する。図１０に示された傾斜センサＡ２は、以下の点において傾斜センサＡ１と異なる。すなわち、反射膜ｍには図４にて示したスリットｍ１は形成されていない。一方、ケース２に溝２８が形成されている。溝２８は、図４におけるスリットｍ１と同様の役割を果たす。

また、遮光部７が、直方体状ではなく、面内方向に延びる半円形状である。本実施形態においても、遮光部７は、面内方向視において、転動体６が搭載基板１に接した場合に形成されるカバー基板ｃと転動体６との隙間ｈに重なっている。このような構成においても、上述と同様の効果を奏する。

図１１は、図５に示した傾斜センサＡ１の断面図に対応する。図１１に示された傾斜センサＡ３は、遮光部７がカバー基板ｃと繋がっていない点において、図５に示された傾斜センサＡ１と異なっている。すなわち、図１１において、遮光部７がケース２に連結しており、反射膜ｍ上に形成されていない。つまり、遮光部７がカバー基板ｃと繋がっていない。なお、本実施形態において、遮光部７を、ケース２を成型する際に一体として成型してもよい。遮光部７は、面内方向視において、転動体６が搭載基板１に接した場合に形成されるカバー基板ｃと転動体６との隙間ｈに重なっている。このような構成においても、上述と同様の効果を奏する。

本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る傾斜センサの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、反射膜ｍとケース２とが接する構成であってもよい。この場合には、反射膜ｍにも静電気が帯電しなくなる。

本発明の第１実施形態にかかる傾斜センサの一例を示す斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。 図２のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。 面内方向視におけるカバー基板ｃと反射膜ｍとを示した図である。 転動体が半遮光位置をとる状態を示す断面図である。 転動体が半遮光位置をとる状態を示す断面図である。 転動体が完全遮光位置をとる状態を示す断面図である。 本発明の第２実施形態にかかる傾斜センサの一例を示す断面図である。 本発明の第３実施形態にかかる傾斜センサの一例を示す断面図である。 従来の傾斜センサの一例を示す断面図である。 従来の傾斜センサの一例を示す要部正面図である。

符号の説明

Ａ１，Ａ２，Ａ３ 傾斜センサ
１ 搭載基板
２ ケース
２８ 溝
２２ 収容空間
２３Ａ，２３Ｂ 収容空間
２２ａ 出射口
２３Ａａ，２３Ｂａ 入射口
ｃ カバー基板
ｃ１ 表面
３ 空隙部
４ 発光素子
５Ａ，５Ｂ 受光素子
ｍ 反射膜
ｍ１ スリット
６ 転動体
７ 遮光部
Ｓ 回路基板
ｈ 隙間
６０ 非遮光位置
６１Ａ，６１Ｂ 半遮光位置
６２ 完全遮光位置

Claims (8)

1. 検出対象面の面内方向において互いに離間配置された発光素子および１対の受光素子と、
   上記面内方向における重力方向の変化により、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれにも到達させない完全遮光位置、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれか一方のみに到達させる１対の半遮光位置、および、上記発光素子からの光を上記１対の受光素子のいずれにも到達させる非遮光位置、をとる転動体と、
   上記転動体を収容し、かつ、上記発光素子からの光が出射される出射口および上記１対の受光素子に向けて光が入射する１対の入射口に繋がる空隙部と、
   を備える傾斜センサにおいて、
   上記発光素子および上記１対の受光素子を収容しているケースと、上記ケースに取り付けられた、上記発光素子および上記１対の受光素子を表面に搭載している搭載基板と、上記ケースの上記搭載基板と逆側に取り付けられたカバー基板と、をさらに備え、
   上記空隙部は、上記ケースの側面、上記搭載基板および上記カバー基板の表面により包囲され、かつ、上記面内方向において上記発光素子および上記１対の受光素子に囲まれており、
   上記搭載基板および上記カバー基板はいずれも、上記検出対象面に平行に配置されており、
   上記発光素子と上記１対の受光素子とはいずれも、上記搭載基板の平面視において、上記空隙部の周囲に配置されており、
   上記ケースの上記側面は、上記検出対象面に対して直角であり、
   上記転動体は、上記検出対象面に直交する軸を有する円柱形状であり、且つ、上記軸の径方向を向く外周面を有し、
   上記転動体が上記完全遮光位置にある場合、上記転動体の上記外周面が上記ケースの上記側面に当接した状態で、上記転動体の上記外周面が上記出射口を塞ぎ、且つ、上記転動体が上記半遮光位置にある場合、上記転動体の上記外周面が上記ケースの上記側面に当接した状態で、上記転動体の上記外周面が上記入射口を塞ぐことを特徴とする、傾斜センサ。
2. 上記カバー基板の表面に形成された、上記空隙部と接する反射膜をさらに備えている、請求項１に記載の傾斜センサ。
3. 上記反射膜および上記ケースは、導電性材料からなり、
   上記搭載基板に形成され、かつ、上記ケースを介して上記反射膜と導通しているグランド端子をさらに備える、請求項２に記載の傾斜センサ。
4. 上記ケースは、上記側面と繋がっているとともに、上記カバー基板の上記表面と対向している対向面をさらに備え、
   上記反射膜は、上記面内方向視において上記対向面と重なるスリットを備えている、請求項２または３に記載の傾斜センサ。
5. 上記１対の受光素子または上記発光素子のいずれかを収容している収容空間をさらに備え、
   上記面内方向視において、上記スリットは、上記収容空間と重なっている、請求項４に記載の傾斜センサ。
6. 上記ケースは、上記側面と繋がっているとともに、上記カバー基板の上記表面と対向している対向面をさらに備え、
   この対向面には溝が形成されている、請求項２または３に記載の傾斜センサ。
7. 上記入射口と繋がっているとともに、上記１対の受光素子のいずれかを収容している収容空間と、
   上記ケースまたは上記カバー基板の少なくともいずれかと繋がり、かつ、上記面内方向視において、上記収容空間における上記入射口から上記受光素子までの間における領域と重なり、かつ、上記面内方向視において、上記転動体が上記搭載基板に接した場合に形成される、上記カバー基板と上記転動体との隙間に重なる部材と、
   をさらに備える、請求項１ないし６のいずれかに記載の傾斜センサ。
8. 上記出射口と繋がっているとともに、上記発光素子を収容している収容空間と、
   上記ケースまたは上記カバー基板の少なくともいずれかと繋がり、かつ、上記面内方向視において、上記収容空間における上記出射口から上記発光素子までの間における領域と重なり、かつ、上記面内方向視において、上記転動体が上記搭載基板に接した場合に形成される、上記カバー基板と上記転動体との隙間に重なる部材と、
   をさらに備える、請求項１ないし６のいずれかに記載の傾斜センサ。