JP2008292172A - 傾斜センサ - Google Patents

Abstract

【課題】実装される回路基板などの面内方向における傾斜を適切に検出可能であるとともに、薄型化を図ることが可能な傾斜センサを提供すること。
【解決手段】１対の受光素子４Ａ，４Ｂと、１対の受光素子４Ａ，４Ｂに対して光を照射する発光素子５と、転動体６と、転動体６を収容する空隙部２０と、を備えており、空隙部２０は、転動体６に、１対の受光素子４Ａ，４Ｂと重なる１対の遮光位置と、上記１対の受光素子４Ａ，４Ｂのいずれとも重ならない中立位置と、をとらせる形状とされている、傾斜センサＡ１であって、その一面に１対の受光素子４Ａ，４Ｂが搭載されている基板１を備えており、基板１のうち上記一面とは反対側の面には、面実装用の複数の端子７ａ，７ｂ，７ｃが形成されており、面２ａには、複数の凹部２２が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、たとえばデジタルスチルカメラなどの傾斜方向を検出するための傾斜センサに関する。

図１６および図１７は、従来の傾斜センサの一例を示している。これらの図に示された傾斜センサＸは、ケース９１、１対の受光素子９２ａ，９２ｂ、発光素子９３、ボール９４、およびリードフレーム９５，９６を備えている。１対の受光素子９２ａ，９２ｂと発光素子９３とは、ケース９１に形成された空隙部９１ａを挟んで対向配置されている。ボール９４は、空隙部９１ａ内に収容されている。１対の受光素子９２ａ，９２ｂは、リードフレーム９５に搭載されており、発光素子９３は、リードフレーム９６に搭載されている。リードフレーム９５，９６のうちケース９１から露出した部分は、傾斜センサＸを実装するための外部リード９５ａ，９６ａとなっている。

傾斜センサＸが図１６に示す姿勢とされた場合、発光素子９３からの光は、１対の受光素子９２ａ，９２ｂの双方によって受光される。傾斜センサＸが図中時計回りに角度θ以上傾斜した姿勢とされた場合、ボール９４は、空隙部９１ａ内を図中右方へと転動する。転動したボール９４は、受光素子９２ｂの正面に位置する。すると、発光素子９３から発せられた光のうち、受光素子９２ｂに到達していた光が、ボール９４により遮蔽されることとなる。一方、傾斜センサＸが図中反時計回りに角度θ以上傾斜した姿勢とされた場合、受光素子９２ａに到達していた光がボール９４により遮蔽されることとなる。したがって、１対の受光素子９２ａ，９２ｂからの信号を監視することにより、傾斜センサＸが図１６の紙面方向においていずれの方向に傾斜しているかを検出することができる。

しかしながら、傾斜センサＸは、外部リード９５ａ，９６ａによって実装されるものであるため、図１６に示すように、回路基板Ｓに対して起立する姿勢で実装される。このため、傾斜センサＸの検出対象面は、回路基板Ｓの面内方向に対して垂直となる。したがって、回路基板Ｓがその面内方向において傾斜させられた場合、傾斜センサＸによってはこの傾斜を検出することはできない。たとえばデジタルスチルカメラにおいては、回路基板Ｓの面内方向における傾斜を検出することにより、液晶表示部の表示方向を切り替えるといった機能が提案されている。このような用途には、傾斜センサＸは不向きであった。また、図１６に示すように、傾斜センサＸは、少なくとも発光素子９３、受光素子９２ａまたは受光素子９２ｂ、およびボール９４の寸法を合計した厚さとされている。デジタルスチルカメラなどの電子機器に対しては、薄型化の要請が顕著である。傾斜センサＸは、このような薄型化の要請に十分には応えられていなかった。

特開平１１−１４３５０号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装される回路基板などの面内方向における傾斜を適切に検出可能であるとともに、薄型化を図ることが可能な傾斜センサを提供することをその課題とする。

本発明によって提供される傾斜センサは、検出対象面に沿って離間配置された１対の受光素子と、上記１対の受光素子に対して光を照射する発光手段と、上記検出対象面に沿って転動する転動体と、上記転動体を収容する空隙部と、を備えており、上記空隙部は、上記検出対象面の面内方向における重力方向の変化により、上記転動体に、上記検出対象面の面内方向おいて上記１対の受光素子と重なる１対の遮光位置と、上記面内方向において上記１対の受光素子のいずれとも重ならない中立位置と、をとらせる形状とされている、傾斜センサであって、上記検出対象面に沿って広がっており、かつその一面に上記１対の受光素子が搭載されている基板を備えており、上記基板のうち上記一面とは反対側の面には、面実装用の複数の端子が形成されており、上記空隙部を規定する上記検出対象面に沿って広がる面、およびこの面と正対する上記転動体の面の少なくともいずれかは、凹凸状とされていることを特徴としている。

このような構成によれば、上記空隙部を規定する上記検出対象面に沿って広がる面と上記転動体との接触面積が減少する。これにより、上記空隙部を規定する上記検出対象面に沿って広がる面と上記転動体とが互いに密着してしまうことを防止することが可能であり、上記転動体をスムーズに動作させることができる。この結果、上記転動体の重量を軽くしても傾斜方向を適切に検出することが可能であり、上記転動体をより薄くすることができる。したがって、上記傾斜センサの薄型化に適している。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記転動体は、上記検出対象面に沿って広がる面の中央寄り部分が膨出した形状とされている。このような構成によれば、上記空隙部を規定する上記検出対象面に沿って広がる面と上記転動体とが互いに密着してしまうことを防止するのに好適である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記発光手段は、上記基板の上記一面に搭載されており、かつ上記１対の受光素子が離間する方向における位置が、上記１対の受光素子の間にある１つの発光素子からなり、上記空隙部を挟んで上記基板とは反対側に位置する反射面を備えている。このような構成によれば、上記１対の受光素子および上記発光素子は、上記空隙部に対して片側寄りに配置される。したがって、上記傾斜センサの薄型化を図るのに適している。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図７は、本発明に係る傾斜センサの第１実施形態を示している。図１に示すように、本実施形態の傾斜センサＡ１は、基板１、ケース２、カバー３、１対の受光素子４Ａ，４Ｂ、発光素子５、転動体６、および端子７ａ，７ｂ，７ｃを備えている。傾斜センサＡ１は、たとえば回路基板Ｓに面実装された状態で、回路基板Ｓの面内方向における傾斜方向を検出するために用いられるものである。すなわち、傾斜センサＡ１の検出対象面は、回路基板Ｓの面内方向に広がる面となっている。本実施形態においては、傾斜センサＡ１は、そのサイズが幅５．６ｍｍ、高さ４．５ｍｍ、厚さ３．７ｍｍ程度とされている。なお、図３においては、カバー３を省略している。

基板１は、矩形状の絶縁基板であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、基板１は、そのサイズが幅５．６ｍｍ、高さ４．５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ程度とされている。図２に示すように、基板１には、６つの配線パターン７が形成されている。配線パターン７は、たとえば銅からなり、銅製の薄膜に対してエッチングを施すことなどにより形成される。配線パターン７は、基板１の図中手前の面から側面を経て図中奥方の面にわたって形成されている。このうち３つの配線パターン７の図中手前側部分には、１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５がダイボンディングされている。

１対の受光素子４Ａ，４Ｂは、たとえばＰＩＮフォトダイオードであり、赤外線を受光すると、それに応じた光起電力を生じて電流を流すように構成されている。図２に示すように、１対の受光素子４Ａ，４Ｂは、基板１において図中左右方向に離間して配置されている。１対の受光素子４Ａ，４Ｂは、それぞれがダイボンディングされた配線パターン７と隣り合う配線パターン７に対して、それぞれワイヤ８によって接続されている。本実施形態においては、１対の受光素子４Ａ，４Ｂは、そのサイズが０．６ｍｍ角程度とされている。

発光素子５は、赤外線を発することができる赤外線発光ダイオードなどからなり、本発明で言う発光手段を構成している。図２に示すように、発光素子５は、１対の受光素子４Ａ，４Ｂの中間位置から図中下方にシフトした位置に配置されている。発光素子５は、これがボンディングされた配線パターン７と隣り合う配線パターン７に対して、ワイヤ８によって接続されている。本実施形態においては、発光素子５は、そのサイズが０．２５ｍｍ角程度とされている。

ケース２は、全体が直方体形状であり、たとえばエポキシ樹脂を用いたモールド成形法により形成されている。ケース２には、空隙部２０が形成されている。図２に示すように、空隙部２０は、転動体収容部２０ａ、３つの窓２０ｂ、および３つの素子収容部２０ｃからなる。本実施形態においては、ケース２は、そのサイズが幅５．６ｍｍ、高さ４．５ｍｍ、厚さ２．５ｍｍ程度とされている。

転動体収容部２０ａは、転動体６を収容する部分であり、傾斜センサＡ１の姿勢に応じた所定の位置に転動体６を転動させるための部分である。転動体収容部２０ａは、２つの小判が互いに直角に連結された断面形状とされており、転動体６を収容可能な奥行き寸法とされている。本実施形態においては、各小判状部分の幅寸法が２．２ｍｍ程度、両端の円弧部分の半径が１．１ｍｍ程度とされている。また、転動体収容部２０ａの深さは、１．０ｍｍ程度とされている。図３および図５に示すように、転動体収容部２０ａには、３つの窓２０ｂが繋がっている。

ケース２には、面２ａが形成されている。面２ａは、空隙部２０、特に転動体収容部２０ａを規定する面である。面２ａは、傾斜センサＡ１の検出対象面である回路基板Ｓの面内方向に広がる面となっている。面２ａには、複数の凹部２２が形成されている。図３、図５、および図６に示すように、本実施形態においては、複数の凹部２２は、それぞれが円形状とされており、３つの窓２０ｂと繋がらないように配置されている。

図３において図中上側に位置する２つの窓２０ｂは、転動体収容部２０ａの図中上側の突出部分に繋がっている。図中下側に位置する窓２０ｂは、転動体収容部２０ａの中央部分に繋がっている。３つの窓２０ｂは、それぞれ断面円形状であり、１対の受光素子４Ａ，４Ｂへと光を到達させ、または発光素子５からの光を通過させるためのものである。本実施形態においては、図５における左右両端にある窓２０ｂは、断面寸法φ１．３ｍｍ、深さ０．３ｍｍ程度とされている。また、中央に位置する窓２０ｂは、断面寸法φ０．８ｍｍ、深さ０．３ｍｍ程度とされている。３つの窓２０ｂには、３つの素子収容部２０ｃがそれぞれ繋がっている。

３つの素子収容部２０ｃは、図５に示すように、１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５を収容するための部分である。図４に示すように、１対の受光素子４Ａ，４Ｂを収容する２つの素子収容部２０ｃは、２つの矩形が連結された断面形状とされている。発光素子５を収容する素子収容部２０ｃは、断面矩形状とされている。本実施形態においては、素子収容部２０ｃは、その深さが０．５ｍｍ程度とされている。

図２に示すように、ケース２には、３つずつの突起２１ａ，２１ｂが形成されている。これらの突起２１ａ，２１ｂは、ケース２と基板１およびカバー３とを位置合わせするためのものである。３つの突起２１ａは、基板１の３つの孔１１に嵌合する。３つの突起２１ｂは、カバー３に形成された３つの孔３１に嵌合する。

カバー３は、ケース２を塞いで空隙部２０を形成するためのものであり、例えばエポキシ樹脂からなる。図５に示すように、カバー３のケース２側の面には、反射膜３０が形成されている。反射膜３０は、発光素子５によって発せられた光を反射することにより１対の受光素子４Ａ，４Ｂへと向かわせるためのものである。反射膜３０は、たとえばＣｕメッキ層、Ｎｉメッキ層、Ａｕメッキ層が順に積層された構造とされている。本実施形態においては、カバー３は、そのサイズが幅５．６ｍｍ、高さ４．５ｍｍ、厚さ０．６ｍｍ程度とされている。

転動体６は、傾斜センサＡ１の姿勢に応じて転動体収容部２０ａ内を転動することにより、発光素子５からの光が１対の受光素子４Ａ，４Ｂへと到達することを適宜阻止するためのものである。転動体６は、円柱形状とされており、たとえばタングステン粒子が混入された樹脂からなる。樹脂に混入させる金属粒子としては、タングステンのほかにたとえばプラチナ、タンタル、金などを用いればよい。本実施形態においては、転動体６は、断面寸法φ２．０ｍｍ程度、高さ１．０ｍｍ程度とされている。

転動体６の面６ａは、ケース２の面２ａと正対する面である。図７に示すように、面６ａには、エジェクタピン跡６１が形成されている。エジェクタピン跡６１は、円形状であり、その周囲よりもわずかに凹んだ部分である。エジェクタピン跡６１は、転動体６をモールド成形する工程において金型から転動体６を離脱させるためのエジェクタピンの先端形状が残存したものである。

転動体６は、中央寄り部分が周囲部分よりも僅かに厚い形状とされている。具体的には、中央寄り部分は、周囲部分よりも１００μｍ程度厚い。すなわち、面６ａは、中央寄り部分が周囲部分よりも５０μｍ程度膨出した形状となっている。

端子７ａ，７ｂ，７ｃは、傾斜センサＡ１をたとえば図１に示す回路基板Ｓに面実装するために用いられるものである。図５に示すように、端子７ａ，７ｂ，７ｃは、配線パターン７のうち基板１の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５が搭載されていない側にある部分によって構成されている。

次に、傾斜センサＡ１による傾斜方向の検出について、図８〜図１０を用いて説明する。図８〜図１０は、カバー３を省略して傾斜センサＡ１を正面からみた図である。これらの図においては、図中下方が重力方向である。

まず、図８は、傾斜センサＡ１が中立姿勢とされた状態を示している。この姿勢においては、転動体６は、重力にしたがって転動体収容部２０ａの中央寄りに留まっている。この位置を中立位置と呼ぶ。転動体６が中立位置にあると、発光素子５からの光が全て転動体６によって遮られる。このため、１対の受光素子４Ａ，４Ｂは、いずれも光を検出しない。したがって、１対の受光素子４Ａ，４Ｂのいずれからも信号が出力されない状態であれば、傾斜センサＡ１が中立姿勢であると認識する。

次に、傾斜センサＡ１を図中時計回りに回転させると、図９に示す状態となる。この状態においては、転動体６は、重力にしたがって転動体収容部２０ａのうち図中右端寄り部分へと転動する。この位置を正転遮光位置と呼ぶ。転動体６が正転遮光位置にあると、受光素子４Ｂへと繋がる窓２０ｂが転動体６により覆われる。これにより、受光素子４Ｂによっては、発光素子５からの光は受光されない。一方、発光素子５から発せられた光は、図５に示す反射膜３０によって反射され、受光素子４Ａに到達する。したがって、受光素子４Ａのみから信号が出力された状態であれば、傾斜センサＡ１が中立姿勢から図９における図中時計回りに回転させられた姿勢であると認識する。

また、傾斜センサＡ１を中立姿勢から図中反時計回りに回転させると、図１０に示す状態となる。この状態においては、転動体６は、重力にしたがって転動体収容部２０ａのうち図中左端寄り部分へと転動する。この位置を逆転遮光位置と呼ぶ。転動体６が逆転遮光位置にあると、受光素子４Ａへと繋がる窓２０ｂが転動体６により覆われる。これにより、受光素子４Ａによっては、発光素子５からの光は受光されない。一方、発光素子５から発せられた光は、受光素子４Ｂに到達する。したがって、受光素子４Ｂのみから信号が出力された状態であれば、傾斜センサＡ１が中立姿勢から図１０における図中反時計回りに回転させられた姿勢であると認識する。

次に、傾斜センサＡ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、複数の凹部２２が設けられていることにより、面２ａと転動体６との接触面積が減少する。これにより、面２ａと面６ａとが互いに密着してしまうことを防止することが可能であり、転動体６をスムーズに動作させることができる。この結果、転動体６の重量を軽くしても傾斜方向を適切に検出することが可能であり、転動体６をより薄くすることができる。したがって、傾斜センサＡ１の薄型化に適している。

複数の凹部２２が窓２０ｂと繋がらない配置とされていることにより、転動体６が窓２０ｂの正面に位置したときには、転動体６によって窓２０ｂを完全に覆うことが可能である。すなわち、転動体６が窓２０ｂの正面に位置したにもかかわらず、いずれかの凹部２２が漏光経路となるという不具合が生じない。したがって、傾斜センサＡ１の検出精度が不当に低下することを防止することができる。

転動体６に含まれたタングステンは、比重が１９．１程度であり、比較的高密度な材料である。このような材料を混入することにより、転動体６自体の比重を高めることが可能である。これは、転動体６の薄型化、ひいては傾斜センサＡ１の薄型化に有利である。また、タングステンを混入した樹脂を用いて転動体６を形成することにより、上述した膨出状に仕上げるなど、所望の形状に容易に形成することができる。

転動体６に形成されたエジェクタピン跡６１は、面２ａとの接触面積をさらに減少させる機能を果たす。これにより、転動体６がさらにスムーズに動作することが期待できる。

反射膜３０の表層にＡｕメッキ層を配置することにより、発光素子５からの光を高い効率で反射することが可能である。これは、傾斜センサＡ１の検出精度を高めるのに有利である。

１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５がいずれも基板１に搭載されていることにより、図１においてケース２よりも紙面手前方向には、薄状のカバー３が設けられているだけである。このような傾斜センサＡ１は、薄型化を図るのに適している。また、薄型とされた傾斜センサＡ１を回路基板Ｓに沿うように実装可能である。これにより、回路基板Ｓから傾斜センサＡ１が大きく突出することを防止することができる。

図１１〜図１５は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図１１は、本発明に係る傾斜センサの第２実施形態を示している。なお、本図においては、図１に示すカバー３を省略している。本実施形態の傾斜センサＡ２は、１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５の配置が、上述した傾斜センサＡ１と異なっている。１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５は、それぞれの中心が同一直線上に位置するように配置されている。３つの窓２０ｂは、１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５の配置に対応して、それぞれの中心が同一直線上に位置する配置とされている。

このような実施形態によっても、この傾斜センサＡ２が実装される回路基板Ｓなどの面内方向における傾斜方向を適切に検出することができる。また、傾斜センサＡ２を製造するときには、基板１に対して、１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５を直列に搭載することが可能である。これは、たとえば１対の受光素子４Ａ，４Ｂおよび発光素子５が三角形をなすように搭載する場合と比べて、製造効率を向上させるのに有利である。

図１２〜図１４は、本発明に係る傾斜センサの第３実施形態を示している。なお、これらの図においては、図１に示すカバー３を省略している。本実施形態の傾斜センサＡ３は、転動体収容部２０ａの断面形状が上述したいずれの実施形態とも異なっている。本実施形態においては、転動体収容部２０ａは、その断面形状が菱形状とされている。図１２に示すように、傾斜センサＡ３が中立姿勢とされた場合は、転動体６は、発光素子５の正面に位置する。次に、図１３に示すように、傾斜センサＡ３が図中時計回りに回転した姿勢とされた場合は、転動体６は、受光素子４Ｂの正面である正転遮光位置へと転動する。さらに、傾斜センサＡ３が回転させられると、図１４に示すように傾斜センサＡ３は、倒立した姿勢とされる。この場合、転動体６は、転動体収容部２０ａにおいて中立位置とは反対側の位置に転動する。この位置を、倒立位置と呼ぶ。

転動体６が倒立位置にあると、発光素子５からの光は、１対の受光素子４Ａ，４Ｂの双方によって受光される。これにより、１対の受光素子４Ａ，４Ｂの双方から信号が出力されると、傾斜センサＡ３が倒立した姿勢であることを検出可能である。したがって、傾斜センサＡ３は、中立姿勢であること、中立姿勢から正転あるいは逆転された姿勢であること、および倒立した姿勢であること、の４つの状態を検出することができる。

上述した傾斜センサＡ１の場合、たとえば図９または図１０に示す状態からさらに傾斜センサＡ１を回転させて倒立姿勢としても、傾斜センサＡ１によっては倒立姿勢であることを検出することはできない。傾斜センサＡ１によっては、正転あるいは逆転された姿勢であると検出されるだけである。傾斜センサＡ３によれば、結果的に倒立姿勢とされれば、これに至るまでの回転方向が正転方向または逆転方向であるかによって検出結果が異なるといった不具合が無い。

図１５は、本発明に係る傾斜センサの第４実施形態を示している。本実施形態の傾斜センサＡ４は、発光手段として１対の発光素子５Ａ，５Ｂを備えている点が、上述したいずれの実施形態とも異なっている。１対の発光素子５Ａ，５Ｂは、基板１Ａ上において１対の受光素子４Ａ，４Ｂそれぞれの正面に配置されている。１対の発光素子５Ａ，５Ｂは基板１Ａ上の配線パターン上に搭載されている。この配線パターンは、ケース２の外側を回り込むこと、あるいはスルーホール（図示略）を設けることなどの手段により、端子７ｃに導通している。また、本実施形態においては、１対の面２ａによって転動体収容部２０ａが規定されている。そして、１対の面２ａのそれぞれに複数の凹部２２が形成されている。このような実施形態によっても、傾斜センサＡ４の薄型化を図ることができる。また、傾斜センサＡ４を面実装可能であり、傾斜センサＡ４が実装される回路基板の面内方向における傾斜を検出することができる。

本発明に係る傾斜センサは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る傾斜センサの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

複数の凹部２２は、円形状に限定されず、様々な形状とすることができる。本発明で言う凹凸状とは、複数の凹部２２を形成することのほかに、たとえば複数の凸部を配置することによって構成しても良い。また、たとえば、転動体６の側に複数の凹部を形成する構成としてもよい。転動体６は、膨出状の面を有するものが好ましいが、これに限定されず、あたとえば厚さが一定とされたものであってもよい。また、転動体６をタングステンなどの金属のみによって形成してもよい。発光素子４Ａ，４Ｂから発光される光は、赤外線に限定されず、様々な波長の光を用いることができる。

本発明に係る傾斜センサの第１実施形態を示す一部断面斜視図である。 本発明に係る傾斜センサの第１実施形態を示す分解斜視図である。 本発明に係る傾斜センサの第１実施形態を示す正面図である。 図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図３のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図３のＶＩ−ＶＩ線に沿う断面図である。 図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 本発明に係る傾斜センサの第１実施形態が中立姿勢とされた状態を示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第１実施形態が正転方向に傾斜させられた状態を示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第１実施形態が逆転方向に傾斜させられた状態を示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第２実施形態を示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第３実施形態を示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第３実施形態が正転方向に傾斜させられた状態そ示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第３実施形態が倒立姿勢とされた状態そ示す正面図である。 本発明に係る傾斜センサの第４実施形態を示す断面図である。 従来の傾斜センサの一例を示す断面図である。 図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。

符号の説明

Ａ１、Ａ２，Ａ３，Ａ４ 傾斜センサ
Ｓ 回路基板
１ 基板
２ ケース
２ａ 面
３ カバー
４Ａ，４Ｂ 受光素子
５，５Ａ，５Ｂ 発光素子（発光手段）
６ 転動体
６ａ 面
７ 配線パターン
７ａ，７ｂ，７ｃ （面実装用の）端子
８ ワイヤ
１１ 孔
２０ 空隙部
２０ａ 転動体収容部
２０ｂ 窓
２０ｃ 素子収容部
２１ａ，２１ｂ 突起
２２ 凹部
３０ 反射膜
３１ 孔
６１ エジェクタピン跡

Claims (3)

1. 検出対象面に沿って離間配置された１対の受光素子と、
   上記１対の受光素子に対して光を照射する発光手段と、
   上記検出対象面に沿って転動する転動体と、
   上記転動体を収容する空隙部と、を備えており、
   上記空隙部は、上記検出対象面の面内方向における重力方向の変化により、上記転動体に、上記検出対象面の面内方向おいて上記１対の受光素子と重なる１対の遮光位置と、上記面内方向において上記１対の受光素子のいずれとも重ならない中立位置と、をとらせる形状とされている、傾斜センサであって、
   上記検出対象面に沿って広がっており、かつその一面に上記１対の受光素子が搭載されている基板を備えており、
   上記基板のうち上記一面とは反対側の面には、面実装用の複数の端子が形成されており、
   上記空隙部を規定する上記検出対象面に沿って広がる面、およびこの面と正対する上記転動体の面の少なくともいずれかは、凹凸状とされていることを特徴とする、傾斜センサ。
2. 上記転動体は、上記検出対象面に沿って広がる面の中央寄り部分が膨出した形状とされている、請求項１に記載の傾斜センサ。
3. 上記発光手段は、上記基板の上記一面に搭載されており、かつ上記１対の受光素子が離間する方向における位置が、上記１対の受光素子の間にある１つの発光素子からなり、
   上記空隙部を挟んで上記基板とは反対側に位置する反射面を備えている、請求項１または２に記載の傾斜センサ。

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