JP2020058813A - 計測センサ用パッケージおよび計測センサ - Google Patents

計測センサ用パッケージおよび計測センサ Download PDF

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Abstract

【課題】強度などの信頼性を高めることができる計測センサ用パッケージおよび計測センサが提供される。【解決手段】計測センサ用パッケージ11は、基体2、蓋体3、接地導体層4、金属薄層5および接合材6を含む。接地導体層4と金属薄層5とは、平面透視において、環状に設けられた接合材6よりも内側の領域にそれぞれ配設される。基体本体20の一方主面21と蓋体3の対向面とは、接合材6によって、全周にわたり直接接合される。その結果、強度面での信頼性を高めることができる。【選択図】図3

Description

本発明は、計測センサ用パッケージおよび計測センサに関する。
血流等の生体情報を簡単に、かつ高速に測定できる計測センサが求められている。例えば血流は、光のドップラー効果を利用して計測することができる。血液に光を照射すると、赤血球等の血球細胞で光が散乱される。照射光の周波数と散乱光の周波数とから血球細胞の移動速度が算出される。
血流を計測する計測センサは、例えば、特許文献1に自発光型計測センサとして記載されており、基板上に、血液に光を照射する照射部と散乱光を受光する受光部とが配置され、各々を取り囲む遮光性を有する接着部によって基板に前面板が接着されている。
上記の計測センサ用パッケージおよび計測センサは、人体が接触するものであり、人の健康を左右するものであるので、強度または精度などの信頼性を高くすることが求められている。
特許第5031895号公報
本開示の計測センサ用パッケージは、複数の誘電体層が積層されて成る、板状の基体であって、発光素子を収容する第1収容凹部および受光素子を収容する第2収容凹部が、第1面に設けられている基体と、前記基体の前記第1面を覆う、絶縁材料からなり、光透過性を有する板状の蓋体と、前記基体の前記第1面の四辺に沿って環状に配設されており、前記基体の前記第1面と前記蓋体の、前記第1面と対向する対向面とを接合する接合材であって、遮光性を有する接合材と、前記基体に配設された、前記第2収容凹部の開口を取り囲むように配設されている、導電性を有する接地導体層と、前記蓋体に配設された、前記受光素子によって受光される光を規制する絞り孔が設けられている金属薄層と、を含むことを特徴とする。
また、本開示の計測センサは、上記の計測センサ用パッケージと、前記第1収容凹部に収容される発光素子と、前記第2収容凹部に収容される受光素子と、を含むことを特徴とする。
本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本開示に係る各計測センサ用パッケージを示す平面図である。 図1の計測センサ用パッケージ11を切断面線A−Aで切断した断面図である。 図1の計測センサ用パッケージ11を切断面線B−Bで切断した断面図である。 図3に示した断面図に対応する計測センサ用パッケージ11Aの断面図である。 図3に示した断面図に対応する計測センサ用パッケージ11Bの断面図である。 計測センサ110の構成を示す断面図である。 図1の計測センサ用パッケージ12を切断面線A−Aで切断した断面図である。 図1の計測センサ用パッケージ12を切断面線B−Bで切断した断面図である。 計測センサ用パッケージ12の平面透視図である。 図8に示した断面図に対応する、第2の実施形態の第2実施例に係る計測センサ用パッケージ12Aの断面図である。 図8に示した断面図に対応する、第2の実施形態の第3実施例に係る計測センサ用パッケージ12Bの断面図である。 図8に示した断面図に対応する、第2の実施形態の第4実施例に係る計測センサ用パッケージ12Cの断面図である。 計測センサ120の構成を示す断面図である。 実施例および比較例におけるクロストーク量のシミュレーション結果を示す図である。 実施例および比較例の評価結果を示す図である。 図1の計測センサ用パッケージ13を切断面線A−Aで切断した断面図である。 図1の計測センサ用パッケージ13を切断面線B−Bで切断した断面図である。 図17に示した断面図に対応する、第3の実施形態の第2実施例に係る計測センサ用パッケージ13Aの断面図である。 図17に示した断面図に対応する、第3の実施形態の第3実施例に係る計測センサ用パッケージ13Bの断面図である。 計測センサ用パッケージ13における第2内部接地導体層25B1の平面透視図である。 計測センサ用パッケージ13における第2内部接地導体層25B2の平面透視図である。 計測センサ用パッケージ13における第2内部接地導体層25B3の平面透視図である。 計測センサ130の構成を示す断面図である。 図1の計測センサ用パッケージ14を切断面線B−Bで切断した断面図である。 計測センサ用パッケージ14における第1内部接地導体層25Aおよび第2内部接地導体層25Bの平面透視図である。 計測センサ140の構成を示す断面図である。
本開示の実施形態に係る計測センサ用パッケージおよび計測センサについて、添付の図面を参照して説明する。以下の説明において、直下等のように上下を区別して記載しているが、これは便宜的なものであり、実際に計測センサ等が使用される際の上下を限定するものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本開示の第1の実施形態に係る計測センサ用パッケージ11を示す平面図であり、図2は、図1の計測センサ用パッケージ11を切断面線A−Aで切断した断面図であり、図3は、図1の計測センサ用パッケージ11を切断面線B−Bで切断した断面図である。なお、図1の平面図では、蓋体3を省略して図示している。なお、後述する各計測センサ用パッケージの断面図においても、同様に蓋体3の図示は省略している。
計測センサ用パッケージ11は、基体2、蓋体3、接地導体層4、金属薄層5および接合材6を含む。基体2は、発光素子および受光素子を収容するものであり、基体本体20と、信号配線導体23と、外部接続端子24と、を含む。
本実施形態の基体本体20は、矩形板状であって、複数の誘電体層が積層されて形成されている。また、この基体本体20には、少なくとも2つの凹部が設けられており、2つの凹部のうちの一方は、発光素子を収容する第1収容凹部20aであり、2つの凹部のうちの他方は、受光素子を収容する第2収容凹部20bである。第1収容凹部2aおよび第2収容凹部20bは、基体本体20の同一の主面(基体2の第1面)21に開口するように設けられている。
本実施形態の計測センサ用パッケージ11は、光のドップラー効果を利用して、血流等の流体の流れを計測する計測センサに用いることができる。光のドップラー効果を利用するために、計測センサは、被計測物に光を照射する発光素子と、被計測物によって散乱された光を受光する受光素子とを備える。特に、血流を計測する場合には、例えば手指等の身体の一部に外部から光を照射し、皮膚下の血管を流れる血液に含まれる血球細胞によって散乱された光を受光して、周波数の変化から血流を測定する。そのため、計測センサ用パッケージ11においては、照射光と散乱光の位置関係に基づいて、発光素子と受光素子とを所定の間隔で配置する。第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bは、素子の位置関係に応じて設けられる。
第1収容凹部20aの大きさ、第2収容凹部20bの大きさは、収容しようとする発光素子および受光素子の大きさに応じて適宜設定すればよく、例えば、発光素子として、垂直共振器面発光レーザ素子(VCSEL)を用いる場合、第1収容凹部20aの開口は、その形状が、例えば矩形であっても正方形であってもよく、その大きさは、例えば、縦方向長さが0.3mm〜2.0mm、横方向長さが0.3mm〜2.0mmであり、深さは、0.3mm〜1.0mmである。また、受光素子として、面入射フォトダイオードを用いる場合、第2収容凹部20bの開口は、その形状が、例えば矩形であっても正方形であってもよく、その大きさは、例えば、縦方向長さが0.3mm〜2.0mm、横方向長さが0.3mm〜2.0mmであり、深さは、0.4mm〜1.5mmである。
第1収容凹部20aおよび第2 収容凹部20bは、開口形状が、例えば、円形状、正方形状、矩形状等であってもよく、その他の形状であってもよい。また、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bは、基体本体20の主面に平行な断面の断面形状が深さ方向に一様な形状であってもよいが、図3の断面図に示すように、所定の深さまでは、断面形状が開口形状と同じで一様であり、所定の深さ以降は、断面形状が小さくなって底部まで一様であるような、段差付きの凹部であってもよい。本実施形態のように段差付きの凹部である場合は、凹部の底部に発光素子または受光素子が実装され、段差表面には、発光素子または受光素子と電気的に接続するための接続端子が設けられる。
信号配線導体23は、発光素子または受光素子と電気的に接続され、発光素子に入力される電気信号が伝送され、受光素子から出力される電気信号が伝送される。本実施形態における信号配線導体23は、発光素子または受光素子と接続する接続部材であるボンディングワイヤと、ボンディングワイヤが接続される接続パッド23aと、接続パッド23aに電気的に接続して接続パッドの直下から基体本体20の他方主面22にまで延びる信号ビア導体23bと、信号ビア導体23bに電気的に接続する外部接続端子24とから成る。外部接続端子24は、基体本体20の他方主面22に設けられており、計測センサ用パッケージ11を備える計測センサが実装される外部実装基板の接続端子とはんだ等の端子接続材料によって電気的に接続される。
外部接続端子24は、はんだ等の接合材との濡れ性を向上させ、耐食性を向上させるために、例えば、厚さが0.5〜10μmのニッケル層と厚さが0.5〜5μmの金層とをめっき法によって順次被着させてもよい。
基体2は、発光素子および受光素子を収容可能であり、信号配線導体23等の導体を備えるものであれば、基体本体20の誘電体層がセラミック絶縁材料からなり、信号配線導体23等が導体材料からなるセラミック配線基板であってもよく、誘電体層が樹脂絶縁材料からなる有機配線基板であってもよい。
基体2が、セラミック配線基板の場合、セラミック材料から成る誘電体層に各導体が形成される。セラミック配線基板は、複数のセラミック誘電体層から形成される。
セラミック配線基板で用いられるセラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等が挙げられる。
また、基体2が、有機配線基板の場合、有機材料から成る絶縁層に配線導体が形成される。有機配線基板は、複数の有機誘電体層から形成される。
有機配線基板は、例えば、プリント配線基板、ビルドアップ配線基板またはフレキシブル配線基板等の誘電体層が有機材料から成るものであればよい。有機配線基板で用いられる有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂またはフッ素系樹脂等が挙げられる。
蓋体3は、基体本体20の一方主面( 基体2の第1面)21を覆い、接合材6によって基体2の第1面21に接合される。蓋体3によって、発光素子および受光素子が収容された第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bが塞がれて封止される。蓋体3は、絶縁材料からなる板状部材であり、第1収容凹部20aに収容される発光素子から出射される光が透過し、第2収容凹部20bに収容される受光素子が受光する光が透過するような光透過性を有する材料で構成されていればよい。
本実施形態の計測センサ用パッケージ11を備える計測センサでは、蓋体3の表面に、例えば被計測物である手指を当てた状態で発光素子から出射した光を照射する。蓋体3が導電性を有する材料で構成されていると、蓋体3に手指を接触させたときに、手指に溜まった不要な電荷が手指から放出され、蓋体3を通して基体2に電荷が流れ込み、ノイズが発生する。蓋体3を絶縁材料で構成することにより、蓋体3を通して不要な電荷が流れ込むことを抑制することができる。
また、蓋体3は、被計測物への照射光および散乱光を透過する必要がある。照射光および散乱光の特性は、搭載する発光素子によって決まるので、少なくとも搭載する発光素子が出射する光が透過するように構成されていればよい。発光素子から出射される光の波長に対して、当該波長の光の透過率が70%以上、好ましくは90%以上の透過率を有する絶縁材料で蓋体3を構成すればよい。
蓋体3を構成する絶縁材料としては、例えばサファイア等の透明セラミック材料、ガラス材料または樹脂材料等を用いることができる。ガラス材料としては、ホウケイ酸ガラス、結晶化ガラス、石英、ソーダガラス等を用いることができる。樹脂材料としては、ポリカーボネート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。
蓋体3は、手指等の被計測物が直接接触するため、所定の強度を要する。蓋体3の強度は、構成する材料の強度、板厚みによる。上記のように透明セラミック材料やガラス材料であれば、所定の厚み以上とすることで十分な強度が得られる。蓋体3の構成材料としてガラス材料を用いる場合は、例えば厚みを0.05mm〜5mmとすればよい。
接地導体層4は、基体本体20の一方主面21に配設されるメタライズ層であって、受光素子が収容される第2収容凹部20bの開口を取り囲むように設けられる。接地導体層4は、例えば、外形が、基体本体20の一方主面21の外形に沿うように矩形状であってもよく、それ以外の円形状、多角形状などであってもよい。本実施形態では、接地導体層4の外形状を矩形状としている。また、接地導体層4は、第2収容凹部20bの開口を取り囲んでいるから、少なくとも開口と同形状または開口よりも大きな貫通孔が設けられたメタライズ層である。
接地導体層4は、例えば、基体2に設けられた、図示しない接地貫通導体(グランドビア) などと接続することで、接地電位が付与される。基体本体20の一方主面21に、接地導体層4を設けることで、基体2の表面に設置した接地導体層4は金属薄層5と導電性を有する接合材6により電気的に接続される。その結果、金属薄層5はグランドビアを通じて電気にアースをとることができ、金属薄膜が外部帯電体(特に指等の測定物)からの電気的シールドとして作用し、受光素子31へのノイズ混入を抑制できる。
金属薄層5は、蓋体3の、基体本体20の一方主面21に対向する主面である対向面3a、すなわち手指が接触する側の主面とは反対側の主面に配設される金属材料からなる薄膜層である。金属薄層5には、受光素子が受光する光が通過する開口であって、光の通過を規制する開口である絞り孔5aが設けられている。金属薄層5は、絞り孔5aの大きさ、絞り孔5aを設ける位置を適宜調整することによって、計測に必要な受光量を確保しつつ、外部から第2収容凹部20bへの不要な光の進入を低減することができる。外光など外部から進入する不要な光を受光素子が受光してしまうと、受光素子から出力される電気信号には、被計測物からの反射光による受光量に、不要光の受光量が加わることになり、光学的なノイズが発生してしまう。絞り孔5aによって、このような光学的ノイズを低減することができる。
さらに、金属薄層5は、外部から到来する電磁波が第2収容凹部20bに進入することを抑制するための電磁シールドとしても機能する。電磁波が第2収容凹部20bに進入すると、信号配線導体23、特にボンディングワイヤがアンテナとなって進入した電磁波を受信してしまい電磁的ノイズの発生原因となる。蓋体3の対向面3aに、絞り孔5aを除いて金属材料からなる薄層を設けることで、外部からの電磁波の進入を抑制し、電磁的ノイズの発生を低減することができる。
このように、金属薄層5 を設けることで、光学的および電気的ノイズによる影響を抑制し、計測精度を向上させることができる。
なお、金属薄層5は、接地導体層4と電気的に接続され、接地電位が付与されてもよい。本実施形態では、金属薄層5の外形と接地導体層4との外形は同じ大きさである。
金属薄層5は、透明セラミック材料またはガラス材料からなる蓋体3の表面に、例えば、Cr、Ti、Al、Cu、Co、Ag、Au、Pd、Pt、Ru、Sn、Ta、Fe、In、Ni、Wなどの金属及びこれらの合金等の金属材料を蒸着、スパッタ、焼付け等によって形成することができる。金属薄層5の層厚みは、例えば、500Å〜4000Åである。
接合材6は、基体2と蓋体3とを接合する。より詳細には、基体本体20の一方主面21と蓋体3の対向面3aとを、外周部分で接合する。接合材6は、矩形状の一方主面21の四辺に沿って環状に設けられており、基体2の第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20b内の気密性および水密性を確保するためのシール材である。
第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bに収容される発光素子および受光素子は、いずれも水分等に弱く、外部からの水分の進入を防止するために、接合材6は、途切れの無い環状に設けられる。
さらに、接合材6は遮光性を有する。接合材6が遮光性を有することで、外部からの光が、基体2と蓋体3との間を通って、第1収容凹部20a内、第2収容凹部20b内に進入することを防止できる。
接合材6が有する遮光性は、光の吸収による遮光性であることが好ましい。外部からの光の進入を防ぐ観点からは、反射による遮光性であってもよいが、計測センサの内部で発生した迷光が、接合材6で反射してさらに受光素子に受光されてしまうおそれがある。接合材6が光を吸収するものであれば、外部からの光を吸収して進入を防ぐとともに、内部で発生した迷光も吸収することができる。
接合材6は、このような光の吸収による遮光性を有する材料を含んで構成される。接合材6は、例えば、基体2と蓋体3との接合性を有するエポキシ樹脂、導電性シリコン樹脂等の樹脂系接着剤に、光吸収性材料を分散させて得られる。光吸収材料としては、例えば、無機顔料を用いることができる。無機顔料としては、例えば、カーボンブラックなどの炭素系顔料、チタンブラックなどの窒化物系顔料、Cr−Fe−Co系、Cu−Co−Mn系、Fe−Co−Mn系、Fe−Co−Ni−Cr系などの金属酸化物系顔料等を用いることができる。
本実施形態では、接地導体層4と金属薄層5とは、平面透視において、環状に設けられた接合材6の外縁よりも内側の領域にそれぞれ配設される。すなわち、基体本体20の一方主面21と蓋体3 の対向面3aとは、接地導体層4および金属薄層5が一部介在されている。そして、接合材6によって、蓋体3と基体2とが全周にわたり直接接合されている。なお、接合材6は、接地導体層4や金属薄層5と一部重なる構造であってもよい。
基体2と蓋体3との接合において、接地導体層4および金属薄層5が介在しない箇所では、基体2と蓋体3との接合強度を高くすることができ、蓋体3の剥離等を防止することができる。
次に、本実施形態に係る他の実施例ついて説明する。図4は、図3に示した断面図に対応する計測センサ用パッケージ11Aの断面図であり、図5は、図3に示した断面図に対応する計測センサ用パッケージ11Bの断面図である。
他の実施例である計測センサ用パッケージ11Aは、上記の計測センサ用パッケージ11に対して、さらに仕切り部7を有する点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ11と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
計測センサ用パッケージ11Aにおける仕切り部7は、基体本体20の一方主面(基体2の第1面)21に配設される帯状部材であって、遮光性を有している。仕切り部7は、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設されて、一方主面21の第1の辺21aから、第1の辺21aに平行な第2の辺21bに向かって延びている。本実施形態では、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとは、一方主面21の長辺方向に並んで設けられているので、第1の辺21aおよび第2の辺21bは、互いに平行な長辺である。
仕切り部7は、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間を仕切るように設けられている。発光素子から出射された光のうち、蓋体3を透過せずに蓋体3の対向面3aで反射した光は、蓋体3の対向面3aと基体本体20の一方主面21との間の空間で反射を繰り返して、第2収容凹部20bに至る場合がある。このようにして発生した迷光が、受光素子によって受光されると、光学的ノイズが発生する。
仕切り部7が、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に設けられていることにより、発光素子から出射した光による迷光は、仕切り部7によって、第2収容凹部20bへと至ることが阻害され、光学的ノイズの発生が低減される。
仕切り部7の材料としては、例えば、接合材6と同じ材料を用いることができる。接合材6と同じ材料を用いることによって、接合材6と同一の工程で仕切り部7を設けることができる。さらに、仕切り部7を接合材6と同じ高さで形成することにより、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間においても、基体2と蓋体3とを接合することができるので、接合強度をさらに高めることができる。
本実施例では、仕切り部7によって第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間が区画されるので、接地導体層4および金属薄層5は、いずれも仕切り部7より第2収容凹部20b側にのみ配設され、仕切り部7より第1収容凹部20a側には配設されない。
さらに他の実施例である計測センサ用パッケージ11Bは、上記の計測センサ用パッケージ11とは、平面透視において、金属薄層5の外形のほうが接地導体層4の外形よりも小さい点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ11と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
上記の実施形態の計測センサ用パッケージ11では、金属薄層5の外形と接地導体層4の外形とは同じ大きさとしていたが、本実施例では、金属薄層5の外形を接地導体層4の外形よりも小さくしている。すなわち、平面透視したときに、金属薄層5が、接地導体層4全体に覆われている。
このように、金属薄層5の外形を接地導体層4の外形よりも小さくすることにより、金属薄層5と接地導体層4との間の電気容量が、位置ずれによる影響を受けにくくなり、特性が安定する。また、金属薄層5が接地導体層4より小さいと接合体の状態が目視で確認可能となり封止状態を容易に確認できる。
計測センサ用パッケージ11の製造方法について説明する。まず、基体2を公知の多層配線基板の製造方法と同様にして作製する。基体2が、セラミック配線基板であり、セラミック材料がアルミナである場合は、まずアルミナ(Al)やシリカ(SiO)、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状とし、これを周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)を得る。その後、グリーンシートを所定形状に打ち抜き加工するとともに、タングステン(W)とガラス材料等の原料粉末に有機溶剤、溶媒を添加混合して金属ペーストとし、これをグリーンシート表面にスクリーン印刷等の印刷法でパターン印刷する。また、ビア導体は、グリーンシートに貫通孔を設け、スクリーン印刷等によって金属ペーストを貫通孔に充填させる。また、接地導体層4となるメタライズ層は、金属ペーストによって最表面に形成される。こうして得られたグリーンシートを複数枚積層し、これを約1600℃の温度で同時焼成することによって基体2が作製される。
一方、ガラス材料を、切削、切断等により所定の形状に切り出した蓋体3を準備し、対向面3a上に、蒸着、スパッタ、焼付け等によって金属薄層5 を形成する。このとき、フォトリソ(ウェットエッチング)法、ドライエッチング法等によって金属薄膜にパターン加工することにより、絞り孔5aを形成することができる。
次に、本実施形態の他の実施例である計測センサ110について説明する。図6は、計測センサ110の構成を示す断面図である。計測センサ110は、上記の計測センサ用パッケージ11,11A,11Bと、第1収容凹部20aに収容される発光素子30と、第2収容凹部20bに収容される受光素子31と、を含む。計測センサ110は、計測センサ用パッケージ11の発光素子30と、受光素子31とを実装し、ボンディングワイヤ32で接続パッド23aと接続した後、蓋体3を接合材6によって基体本体20に接合して得られる。
発光素子30は、VCSEL等の半導体レーザ素子を用いることができ、受光素子31は、シリコンフォトダイオード、GaAsフォトダイオード、InGaAsフォトダイオード、ゲルマニウムフォトダイオード等の各種フォトダイオードを用いることができる。発光素子30および受光素子31は、被計測物の種類、計測するパラメータの種類等により適宜選択すればよい。
血流を測定する場合は、例えば、光のドップラー効果を利用して測定するために、発光素子30であるVCSELとして波長が850nmのレーザ光を出射可能なものであればよい。その他の測定を行う場合は、測定目的に応じた波長のレーザ光を出射する発光素子30を選択さればよい。受光素子31は、受光する光が発光素子30から出射されるレーザ光から波長の変化が無い場合、発光素子30の出射光を受光できるものであればよく、波長の変化が有る場合、変化後の波長の光を受光できるものであればよい。
発光素子30および受光素子31と接続パッド23aとは、本実施形態では、例えば、ボンディングワイヤ32によって電気的に接続されるが、フリップチップ接続、バンプ接続、異方性導電フィルムを用いた接続等他の接続方法であってもよい。
計測センサ110は、外部実装基板に実装されて使用される。外部実装基板には、例えば、発光素子30の発光を制御する制御素子、受光素子31の出力信号から血流速度等を算出する演算素子等も実装される。
測定する場合には、被計測物として手指の指先を蓋体3の表面に接触させた状態で、外部実装基板から外部接続端子24を介して発光素子制御電流が計測センサ110に入力され、信号ビア導体23b、接続パッド23aを通って発光素子30に入力されて発光素子30から計測用の光が出射される。出射された光が、蓋体3を透過して指先に照射されると、血液中の血球細胞で散乱される。蓋体3を透過し、絞り孔5aを通過した散乱光が、受光素子31で受光されると、受光量に応じた電気信号が受光素子31から出力される。出力された信号は、接続パッド23a、信号ビア導体23bを通り、外部接続端子24を介して計測センサ110から外部実装基板へと出力される。
外部実装基板では、計測センサ110から出力された信号が、演算素子に入力され、例えば、発光素子30から出射された光である照射光の周波数と、受光素子31が受光した光である散乱光の周波数とに基づいて血流速度を算出することができる。
なお、上記では、信号ビア導体23bは、基体本体20内で上下方向に一直線状に形成される構成としているが、基体本体20の一方主面21から他方主面22の外部接続端子24まで電気的に接続されていれば、一直線状でなく、基体本体20内で、内層配線や内部接地導体層等によってずれて形成されていてもよい。
また、基体2には、基体本体20を厚み方向に貫通する接地ビア導体を設けてもよい。この接地ビア導体は、例えば、接地導体層4および外部接続端子24と電気的に接続され、基体本体20の、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bよりも外方に配設される。接地ビア導体は、被計測物の一つである人の手指が計測センサに接触したときに放出される電荷を、基体本体20の一方主面21から基体本体20の他方主面22に誘導し、外部へと放出する。
人から放出された電荷が流れ易い経路を計測センサ用パッケージ11内に形成することで、この経路に電荷を誘導して外部へと電荷を逃がし、電気的ノイズが発生することを抑制する。
(第2の実施形態)
上記図1は、本開示の第2の実施形態に係る計測センサ用パッケージ12を示す平面図であり、図7は、図1の計測センサ用パッケージ12を切断面線A−Aで切断した断面図であり、図8は、図1の計測センサ用パッケージ12を切断面線B−Bで切断した断面図である。図9は、計測センサ用パッケージ12の平面透視図である。
計測センサ用パッケージ12は、基体2、蓋体3および第1内部接地導体層25Aを含む。基体2は、発光素子および受光素子を収容するものであり、基体本体20と、信号配線導体23と、外部接続端子(外部接地端子ともいう)24と、を含む。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、上述の計測センサ用パッケージ11とは、発光素子側で発生し、受光素子側に向かって進行する電磁ノイズを遮蔽する第1内部接地導体層25Aが配設される点で異なっているが、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ11と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
(第1実施例)
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、上記の計測センサ用パッケージ11と同様の構成であり、光のドップラー効果を利用して、血流等の流体の流れを計測する計測センサに用いられてもよい。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、図8に示すように、第1収容凹部20aは、発光素子が載置される第1底面200を有し、第2収容凹部20bは、受光素子が載置される第2底面203を有している。さらに、第1収容凹部20aの内側面には、発光素子と電気的に接続される接続パッド(電極パッドともいう)23aが配設される第1段差面202を有する第1段差部201が設けられており、第2収容凹部20bの内側面には、受光素子と電気的に接続される接続パッド23aが配設される第2段差面205を有する第2段差部204が設けられている。また、計測センサ用パッケージ12は、第1底面200と第2底面203とが、一方主面21から等距離にあり、第1段差面202と第2段差面205とが、一方主面21から等距離にあるように構成されている。一方主面21は、第1収容凹部20a、第2収容凹部20bの開口によらない基体本体20の一方側の平坦面であり、同じく平坦面である第1底面200との間の距離h1と、同じく平坦面である第2底面203との間の距離h2とが等しい。すなわち、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの深さが同じである。第1段差面202および第2段差面205も同じく平坦面であり、一方主面21と第1段差面202との間の距離h3と、一方主面21と第2段差面205との間の距離h4とが等しい。すなわち、第1段差部201と第2段差部204との深さが同じである。ここで、距離h1と距離h2とが等しいとは、h1とh2とが一致する((h2/h1)=1)だけではなく、h1とh2との差が±10%以内であることも含む(0.9≦(h2/h1)≦1.1)。距離h3と距離h4についても同様である。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12を備える計測センサでは、蓋体3の表面に、例えば被計測物である手指を当てた状態で発光素子から出射した光を照射する。計測センサ用パッケージ12においても、上記計測センサ用パッケージ11と同様に、蓋体3を絶縁材料で構成することにより、蓋体3を通して不要な電荷が流れ込むことを抑制することができる。
第1内部接地導体層25Aは、基体本体20を構成する誘電体層間であって、平面透視したときに、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設される。第1内部接地導体層25Aは、導電性を有する材料からなり、外部接続端子24に電気的に接続される接地ビア導体26と、基体本体20の内部において電気的に接続されることにより接地電位が付与され、電磁シールドとして機能する。
一般に、自発光型の計測センサでは、発光素子から出射される光が被計測物によって散乱されて受光素子に至る光路長が短くなるほど、受光素子が受光する被計測物からの散乱光の光量が増加して、計測センサの感度が向上するが、単に発光素子と受光素子とを近接して配置した場合、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に進入し易くなり、計測センサの計測精度が低下してしまう。特に、血流の計測等に用いられる計測センサでは、受光素子による受光量が比較的小さいので、受光素子から出力される電気信号は弱く、電磁ノイズによる影響が大きい。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、図1,図8に示すように、発光素子が載置される第1底面200と受光素子が載置される第2底面203とが近接する構成となっているが、平面透視において、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に第1内部接地導体層25Aを配設することによって、発光素子側で発生し、受光素子側に向かって進行する電磁ノイズを第1内部接地導体層25Aによって遮蔽している。本実施形態の計測センサ用パッケージ12によれば、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを低減し、高精度の計測が可能になる。
また、計測センサ用パッケージ12では、第1内部接地導体層25Aが、平面透視において、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設されているとともに、側面透視において、第1底面200と第1段差面202との間に配設されている。すなわち、第1内部接地導体層25Aは、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に向かって伝播する経路上に配設されている。したがって、計測センサ用パッケージ12によれば、発光素子側で発生した電磁ノイズが、基体本体20の、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとを隔てている部位を通過して、受光素子側に進入することを効果的に抑制することができ、それにより、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを効果的に低減することができる。
第1内部接地導体層25Aは、平面透視における形状が、例えば、円形状、正方形状、矩形状等であってもよく、その他の形状であってもよいが、本実施形態では、図9に示すように、第1内部接地導体層25Aは、平面透視したときに、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向に交差する方向において、細長い形状を有している。すなわち、第1内部接地導体層25Aは、平面透視において、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向に交差する方向における長さL1が、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向における長さL2よりも大きい形状とされている。長さL2に対する長さL1の比率L1/L2は、例えば、2.0〜10.0である。このような構成によれば、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に進入することをより効果的に抑制し、発光素子側と受光素子側との電気クロストークをより効果的に低減することができる。
また、平面透視において、第1内部接地導体層25Aが延びる方向が、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向に直交していてもよい。さらに、平面透視したときに、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向に直交する方向において、第1内部接地導体層25Aの長さL1が、第1収容凹部20aの長さよりも大きく、第2収容凹部20bの長さよりも大きくてもよい。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、信号配線導体23をさらに含む。信号配線導体23は、発光素子または受光素子と電気的に接続され、発光素子に入力される電気信号が伝送され、受光素子から出力される電気信号が伝送される。本実施形態における信号配線導体23は、発光素子または受光素子と接続する接続部材であるボンディングワイヤと、ボンディングワイヤが接続される接続パッド23aと、接続パッド23aに電気的に接続して接続パッドの直下から基体本体20の他方主面22にまで延びる信号ビア導体23bと、信号ビア導体23bに電気的に接続する外部接続端子24とから成る。外部接続端子24は、基体本体20の他方主面22に設けられており、計測センサ用パッケージ12を備える計測センサが実装される外部実装基板の接続端子とはんだ等の端子接続材料によって電気的に接続される。
外部接続端子24は、はんだ等の接合材との濡れ性を向上させ、耐食性を向上させるために、例えば、厚さが0.5〜10μmのニッケル層と厚さが0.5〜5μmの金層とをめっき法によって順次被着させてもよい。
本実施形態の計測センサ用パッケージ12は、接地導体層(蓋側接地導体層ともいう)4、金属薄層5および接合材(導電性接合材ともいう)6をさらに含んでもよい。
接地導体層4は、基体本体20の一方主面21に配設されるメタライズ層であって、受光素子が収容される第2収容凹部20bの開口を取り囲むように設けられる。接地導体層4は、例えば、外形が、基体本体20の一方主面21の外形に沿うように矩形状であってもよく、それ以外の円形状、多角形状などであってもよい。第1実施形態では、接地導体層4の外形状を矩形状としている。また、接地導体層4は、第2収容凹部20bの開口を取り囲んでいるから、少なくとも開口と同形状または開口よりも大きな貫通孔が設けられたメタライズ層である。
接地導体層4は、例えば、基体2に設けられた、図示しない接地貫通導体(グランドビア)などと接続することで、接地電位が付与される。
なお、金属薄層5は、接地導体層4と電気的に接続され、接地電位が付与されてもよい。第1実施形態では、金属薄層5の外形と接地導体層4との外形は同じ大きさである。
本実施形態では、接地導体層4と金属薄層5とは、平面透視において、環状に設けられた接合材6よりも内側の領域にそれぞれ配設される。すなわち、基体本体20の一方主面21と蓋体3の対向面3aとは、接地導体層4および金属薄層5が介在することなく、接合材6によって、全周にわたり直接接合されている。
基体2と蓋体3との接合において、接地導体層4および金属薄層5が介在しないので、基体2と蓋体3との接合強度を高くすることができ、蓋体3の剥離等を防止することができる。
(第2実施例)
次に、本実施形態の他の実施例について説明する。図10は、図8に示した断面図に対応する、第2実施例に係る計測センサ用パッケージ12Aの断面図である。
第2実施例の計測センサ用パッケージ12Aは、上記の計測センサ用パッケージ12とは、複数の第1内部接地導体層25Aが配設される点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ12と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
第2実施例の計測センサ用パッケージ12Aは、側面透視したときに、第1底面200と第1段差面202との間に複数の第1内部接地導体層25Aが配設されている。計測センサ用パッケージ12Aによれば、計測センサ用パッケージ12と比較して、第1内部接地導体層25Aによる電磁ノイズの遮蔽効果を一層向上させることができ、計測精度をさらに向上させることができる。
なお、図10においては、2つの第1内部接地導体層25Aが配設された構成としているが、第1内部接地導体層25Aの数は2つに限定されるものではなく、第1底面200と第1段差面202との間に3つ以上の第1内部接地導体層25Aが配設されてもよい。複数の第1内部接地導体層25Aは、平面透視において、互いに異なる形状を有してもよい。また、複数の第1 内部接地導体層25Aは、平面透視において、互いにずれて配設されてもよく、互いに重なるように配設されてもよい。
(第3実施例)
図11は、図8に示した断面図に対応する、第3実施例に係る計測センサ用パッケージ12Bの断面図である。
第3実施例の計測センサ用パッケージ12Bは、計測センサ用パッケージ12とは、側面透視における第1 内部接地導体層25Aの位置の点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ12と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
第3実施例の計測センサ用パッケージ12Bは、第1内部接地導体層25Aが、側面透視において、基体本体20の第1面と第1段差面202との間に配設されている。前述のように、第1段差面202および第2段差面205には、発光素子または受光素子と電気的に接続するための接続パッド23aが設けられる。接続パッド23aと発光素子または受光素子とを、例えば、ボンディングワイヤによって電気的に接続した場合、ボンディングワイヤは露出した状態となる。したがって、接続パッド23aと発光素子とを電気的に接続するボンディングワイヤを流れる電流から発生した電磁ノイズが受光素子側に進入して、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを発生させるおそれがある。
第3実施例の計測センサ用パッケージ12Bは、側面透視において、基体本体20の第1面と第1段差面202との間に第1内部接地導体層25Aを配設することにより、ボンディングワイヤにおいて発生した電磁ノイズが、受光素子側に進入することを抑制している。なお、図11においては、1つの第1内部接地導体層25Aが配設された構成としているが、複数の第1内部接地導体層25Aが、基体本体20の第1面と第1段差面202との間に配設されてもよい。
(第4実施例)
図12は、図8に示した断面図に対応する、第4実施例に係る計測センサ用パッケージ12Cの断面図である。
第4実施例の計測センサ用パッケージ12Cは、計測センサ用パッケージ12とは、表面接地導体層28および裏面接地導体層27を備え、第1内部接地導体層25Aが、断面視において、基体本体20の他方主面(基体2の第2面)22と第1底面200との間にも配設される点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ12と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
裏面接地導体層27は、基体本体20の他方主面(基体2の第2面)22に配設される導体層であり、平面透視にしたときに、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設される。裏面接地導体層27は、導電性を有する材料からなり、接地電位が付与されている。
裏面接地導体層27は、平面視形状が、例えば、円形状、正方形状、矩形状等であってもよく、その他の形状であってもよいが、第4実施形態では、裏面接地導体層27は、平面透視したときに、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部の図心とを結ぶ方向に直交する方向において、細長い形状を有している。また、裏面接地導体層27は、平面透視したときに、少なくとも一部分が第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設されていればよく、平面透視したときに、第1収容凹部20aまたは第2収容凹部20bにかかって配設されてもよい。
前述したように、基体本体20の他方主面22には、発光素子または受光素子と電気的に接続され、外部実装基板の接続端子と電気的に接続される外部接続端子24が配設される。外部接続端子24は、外部実装基板の接続端子との強固な機械的接続を実現するために、比較的大面積で形成される。そのため、発光素子を駆動する駆動電流から発生した電磁ノイズが、受光素子と電気的に接続された外部接続端子24に進入して、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを発生させるおそれがある。
第4実施例の計測センサ用パッケージ12Cでは、上記の裏面接地導体層27を配設することにより、発光素子を駆動する駆動電流から発生した電磁ノイズが、受光素子と電気的に接続された外部接続端子24に進入することを抑制し、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを低減し、それによって、高精度の計測を可能にしている。
また、発光素子を駆動する駆動電流から発生した電磁ノイズが、蓋体3に向かって伝播し、蓋体3によって反射された電磁ノイズが、受光素子側に進入して、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを発生させるおそれがある。第4実施形態の計測センサ用パッケージ12Cでは、上記の表面接地導体層28を設けることにより、蓋体3によって反射された電磁ノイズが受光素子側に進入することを抑制している。
また、計測センサ用パッケージ12Cでは、側面透視したときに、第1底面200と第1段差面202との間に配設された第1内部接地導体層25Aに加えて、基体本体20の他方主面(第2面)22と第1底面200との間にも第1内部接地導体層25Aが配設されている。計測センサは、外部実装基板上に実装されて使用されるが、発光素子側で発生した電磁ノイズが、この外部実装基板の配線を介して、受光素子側に電磁ノイズが進入し、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを発生させるおそれがある。計測センサ用パッケージ12Cでは、基体本体20の第2面22と第1底面200との間に配設された第1 内部接地導体層25Aによって、発光素子側で発生した電磁ノイズが外部実装基板の配線を介して受光素子側に進入することを抑制している。
上記の実施形態または実施例を組み合わせた構成も本開示の実施形態である。例えば、第1内部接地導体層25Aが、側面透視において、第1底面200と第1段差面202との高さ位置に複数配設され、かつ基体本体20の第1面21と第1段差面202との間の高さ位置に配設されるとともに、表面接地導体層28および裏面接地導体層27の少なくとも一方が設けられる構成も本開示の実施形態である。
次に、計測センサ用パッケージ12の製造方法について説明する。まず、基体2については、上記計測センサ用パッケージ11と同様の製法によって基体2が作製される。
一方、金属薄層5についても、上記計測センサ用パッケージ11と同様の製法によって形成する。
(第5実施例)
次に、本実施形態の第5実施例である計測センサ120について説明する。図13は、計測センサ120の構成を示す断面図である。計測センサ120は、上記の計測センサ用パッケージ12,12A,12B,12Cと、第1収容凹部20aに収容される発光素子30と、第2収容凹部20bに収容される受光素子31と、を含む。計測センサ120は、計測センサ用パッケージ12の発光素子30と、受光素子31とを実装し、ボンディングワイヤ32で接続パッド23aと接続した後、蓋体3を接合材6によって基体本体20に接合して得られる。なお、図13においては、計測センサ用パッケージ12を含む計測センサ120を例示している。
計測センサ120は、外部実装基板に実装されて使用される。外部実装基板には、例えば、発光素子30の発光を制御する制御素子、受光素子31の出力信号から血流速度等を算出する演算素子等も実装される。
なお、計測センサ120における血流速度等の測定方法は、上記計測センサ110と同様であり、受光素子31から出力された信号は、接続パッド23a、信号ビア導体23bを通り、外部接続端子24を介して計測センサ120から外部実装基板へと出力される。
外部実装基板では、計測センサ120から出力された信号が、演算素子に入力され、例えば、発光素子30から出射された光である照射光の周波数と、受光素子31が受光した光である散乱光の周波数とに基づいて血流速度を算出することができる。
本実施形態の計測センサ120は、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に進入することを抑制する第1 内部接地導体層25Aを計測センサ用パッケージ12,12A,12B,12C内に形成することで、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを低減し、高精度の計測を可能にしている。
(他の実施例)
他の実施例として、図8に示した計測センサ用パッケージ12において、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの間のクロストーク量をシミュレーションによって算出した。本シミュレーションにおいては、基体2、第1段差面202に設けられた接続パッド23a、第2段差面205に設けられた接続パッド23a、および第1内部接地導体層25A以外の構成を省略するとともに、基体2は完全導体であるとした。また、第1段差面202に設けられた接続パッド23aの形状は縦方向長さを1.0mm、横方向長さを0.5mmとし、第2段差面205に設けられた接続パッド23aの形状は縦方向長さを1.0mm、横方向長さを0.5mm、第1内部接地導体層25Aは縦方向長さを1.2mm、横方向を0.4mmとした。また、平面透視で、第1段差面202に設けられた接続パッド23aの中心と第2段差面205に設けられた接続パッド23aの中心とを結ぶ距離を2.5mmとし、第1段差面202に設けられた接続パッド23aの中心と第1内部接地導体層25Aの中心とを結ぶ距離は1.25mmとした。
上記の条件で、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの間のクロストーク量の周波数依存性を算出した。具体的な算出方法は次のとおりである。第1段差面202に設けられた接続パッド23aに電圧信号を入力したときに第2段差面205に設けられた接続パッド23aから出力される電圧信号を算出し、入力した電圧信号の強度に対する出力された電圧信号の強度の比の対数に所定の係数を乗算してクロストーク量とした。また、入力電圧の周波数を1kHz〜20kHzの範囲で変化させることにより、クロストーク量の周波数依存性を算出した。本シミュレーションでは、クロストーク量の絶対値が大きいほど、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの電気的遮蔽が向上されており、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの間の電気クロストークが抑制されていると判断することができる。
比較例として、第1内部接地導体層25Aが無いこと以外は、実施例の計測センサ用パッケージと同様の計測センサ用パッケージにおいて、実施例のシミュレーションと同様に、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの間のクロストーク量の周波数依存性を算出した。
図14は、実施例および比較例の結果を示す。図14(a)は、比較例の結果を示し、図14(b)は、実施例の結果を示す。図14(a)、図14(b)に示すように、他の実施例および比較例のいずれにおいても、クロストーク量は入力電圧の周波数に依存しないという結果が得られた。また、図14(a)および図14(b)から、1kHz〜20kHzの周波数帯域の全域において、実施例におけるクロストーク量が、比較例におけるクロストーク量に比べて小さくなっていることがわかる。
図15は、他の実施例および比較例の評価結果を示す図である。評価結果として、平均クロストーク量を用いた。平均クロストーク量は、1kHz〜20kHzの周波数帯域にわたるクロストーク量の平均値とする。平均クロストーク量の絶対値が小さいほど電気クロストークが顕著であり、平均クロストーク量の絶対値が大きいほど電気クロストークが抑制されていると評価できる。図15に示すように、他の実施例では、比較例に比べて、電気クロストークが抑制されていると評価できる。
上記のように、実施例では、第1内部接地導体層25Aにより、第1段差面202に設けられた接続パッド23aと第2段差面205に設けられた接続パッド23aとの間の電気クロストークが抑制されることがわかった。
( 第3 の実施形態)
上記図1は、本開示の第3の実施形態に係る計測センサ用パッケージ13を示す平面図である。図16は、図1の計測センサ用パッケージ13を切断面線A−Aで切断した断面図であり、図17は、図1の計測センサ用パッケージ13を切断面線B−Bで切断した断面図である。
計測センサ用パッケージ13は、基体2および蓋体3を含み、さらに接地導体層(表層接地導体層ともいう)4、金属薄層5および接合材(導電性接合材ともいう)6を含む。基体2は、発光素子および受光素子を収容するものであり、基体本体20に、信号配線導体23と、外部接続端子24と、第2内部接地導体層25Bと、接地ビア導体26とが配設されている。
本実施形態の計測センサ用パッケージ13は、上述の計測センサ用パッケージ11とは、外部から到来する不要な電磁波に対するシールド効果を有する第2 内部接地導体層25Bが配設される点で異なっているが、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ11と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
(第1実施例)
本実施形態の計測センサ用パッケージ13は、上記の計測センサ用パッケージ11と同様の構成であり、光のドップラー効果を利用して、血流等の流体の流れを計測する計測センサに用いられてもよい
信号配線導体23は、発光素子または受光素子と電気的に接続され、発光素子に入力される電気信号が伝送され、受光素子から出力される電気信号が伝送される。本実施形態における信号配線導体23は、発光素子または受光素子と接続する接続部材であるボンディングワイヤと、ボンディングワイヤが接続される接続パッド(電極パッドともいう)23aと、接続パッド23aに電気的に接続して接続パッド23aの直下から基体本体20を貫通し、第2面である他方主面22にまで延びる信号ビア導体23bと、他方主面22に配設され、信号ビア導体23bに電気的に接続する外部接続端子24とから成る。外部接続端子24は、基体本体20の他方主面22に設けられており、計測センサ用パッケージ13を備える計測センサが実装される外部実装基板の信号用接続端子とはんだ等の端子接続材料によって電気的に接続される。
第2内部接地導体層25Bは、導電性を有し、基体2の誘電体層間に配設される。第2内部接地導体層25Bを、平面透視したときに、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bよりも外側に配設される。第2内部接地導体層25Bは、基体2に設けられた接地ビア導体26と電気的に接続し、接地ビア導体26が、他方主面22に配設される外部接続端子24と電気的に接続する。外部接続端子24が、外部実装基板の接地端子とはんだ等の端子接続材料によって電気的に接続され、第2内部接地導体層25Bに接地電位が付与される。なお、平面透視は、基体2の一方主面21(他方主面22)に直交する方向から計測センサ用パッケージ13全体を透視することである。
第2内部接地導体層25Bが、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bよりも外側に配設されることにより、外部から到来する不要な電磁波に対するシールド効果を有するので、第2内部接地導体層25Bよりもさらに内側にある信号配線導体23、受光素子、発光素子に到達する電磁波を低減する。これにより、計測時に発生するノイズを低減することができ計測精度を向上させることができる。
本実施形態では、図17に示すように、第2内部接地導体層25Bは、側面透視において、第1底面200と第1段差面202との間(第2底面203と第2段差面205との間)に配設される。すなわち、第2内部接地導体層25Bは、平面透視で、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bの外側にあって、基体本体20内に埋設される高さ位置が、第1底面200の高さと第1段差面202の高さとの間に位置する。なお、側面透視は、基体2の厚み方向に直交する方向、すなわち平面透視したときの方向に直交する方向から計測センサ用パッケージ13全体を透視することである。
本実施形態では、第2内部接地導体層25Bが、上記のような高さ位置の範囲内に配設されるので、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bに収容される発光素子および受光素子の側方に第2内部接地導体層25Bが位置することになる。このような高さ位置に配設されることで、本実施形態の第2内部接地導体層25Bは、特に、外部から到来する電磁波が、発光素子および受光素子に到達することを防ぐことができ、発光素子および受光素子の内部回路に発生するノイズを低減させる。本実施形態では、上記のような高さ位置の範囲内であれば、複数の第2 内部接地導体層25Bが異なる高さ位置に配設されていてもよい。
外部接続端子24は、はんだ等の接合材との濡れ性を向上させ、耐食性を向上させるために、例えば、厚さが0.5〜10μmのニッケル層と厚さが0.5〜5μmの金層とをめっき法によって順次被着させてもよい。
蓋体3は、基体本体20の一方主面(基体2の第1面)21を覆い、接合材6によって基体2の一方主面21に接合される。
本実施形態の計測センサ用パッケージ13を備える計測センサでは、蓋体3の表面に、例えば被計測物である手指を当てた状態で発光素子から出射した光を手指に照射する。計測センサ用パッケージ13においても、上記計測センサ用パッケージ11と同様に、蓋体3を絶縁材料で構成することにより、蓋体3を通して不要な電荷が流れ込むことを抑制することができる。
接地導体層4は、基体本体20の一方主面21に配設されるメタライズ層であって、受光素子が収容される第2収容凹部20bの開口を取り囲むように設けられる。接地導体層4は、例えば、外形が、基体本体20の一方主面21の外形に沿うように矩形状であってもよく、それ以外の円形状、多角形状などであってもよい。本実施形態では、接地導体層4の外形状を矩形状としている。また、接地導体層4は、第2収容凹部20bの開口を取り囲んでいるから、少なくとも開口と同形状または開口よりも大きな貫通孔が設けられたメタライズ層である。
接地導体層4は、例えば、基体2に設けられた、接地ビア導体26または後述の接合材6などと接続することで、接地電位が付与される。基体本体20の一方主面21に、接地導体層4を設けることで、基体2の表面に設置した接地導体層4は、下記の金属薄層5と接合材6により電気的に接続される。その結果、金属薄層5にも接地電位を付与することができ、金属薄層5 が外部帯電体( 特に手指等の測定物) からの電気的シールドとして作用し、受光素子31へのノイズ混入を抑制できる。
このように、金属薄層5を設けることで、光学的および電気的ノイズによる影響を抑制し、計測精度を向上させることができる。なお、金属薄層5は、接地導体層4と電気的に接続され、接地電位が付与されてもよい。また、本実施形態では、金属薄層5の外形と接地導体層4 との外形は同じ大きさであるが、異なっていてもよい。
本実施形態では、接地導体層4と金属薄層5とは、平面透視において、環状に設けられた接合材6の外縁よりも内側の領域にそれぞれ配設される。すなわち、基体本体20の一方主面21と蓋体3の対向面3aとの間には、接地導体層4および金属薄層5の一部が介在されている。そして、接合材6によって、蓋体3と基体2とが全周にわたり直接接合されている。なお、接合材6は、接地導体層4や金属薄層5と一部が重なるように配設されていてもよい。
基体2と蓋体3との接合において、接地導体層4および金属薄層5が介在しない箇所では、基体2と蓋体3との接合強度を高くすることができ、蓋体3の剥離等を防止することができる。
(第2実施例、第3実施例)
次に、本実施形態の他の実施例について説明する。図18は、図17に示した断面図に対応する第2実施例の計測センサ用パッケージ13Aの断面図であり、図19は、図17に示した断面図に対応する第3実施例の計測センサ用パッケージ13Bの断面図である。
第2実施例の計測センサ用パッケージ13Aは、上記の計測センサ用パッケージ13に対して、さらに底部接地導体層27aを有する点で異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ13と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
底部接地導体層27aは、接地電位に接続され、基体本体20の、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bの第1底面200および第2底面203と他方主面22との間において、略全面に渡って配設されるベタグランド層である。底部接地導体層27aは、接地ビア導体26と、基体本体20の内部において電気的に接続されており、接地電位が付与される。
計測センサは、外部実装基板上に実装されて使用されるが、この外部実装基板の配線を流れる信号等に起因する電磁波が、基体本体20の他方主面22側から計測センサ用パッケージ13内に進入して、信号配線導体23を流れる信号にノイズが混入するおそれがある。
底部接地導体層27aを設けることで、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bと外部実装基板との間に底部接地導体層27aが位置し、電磁シールドとして機能する。
本実施形態の計測センサ用パッケージ13Bは、上記の計測センサ用パッケージ13とは、第2内部接地導体層25Bが基体本体20内に配設される高さ位置が異なっており、その他については、同様の構成であるので、同様の構成には計測センサ用パッケージ13と同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施形態の計測センサ用パッケージ13Bでは、第2内部接地導体層25Bが、側面透視において、一方主面(第1面)21と第1段差面202との間(一方主面(第1面)21と第2段差面205との間)に配設される。すなわち、第2内部接地導体層25Bは、平面透視で、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bの外側にあって、基体本体20内に埋設される高さ位置が、一方主面21と第1段差面202の高さとの間に位置する。
本実施形態では、第2内部接地導体層25Bが、上記のような高さ位置に配設されるので、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bに収容される発光素子および受光素子にそれぞれ接続されるボンディングワイヤの側方に第2 内部接地導体層25Bが位置することになる。このような高さ位置に配設されることで、本実施形態の第2内部接地導体層25Bは、特に、外部から到来する電磁波が、ボンディングワイヤに到達することを防ぐことができ、ボンディングワイヤに発生するノイズを低減させる。本実施形態では、上記のような高さ位置の範囲内であれば、複数の第2内部接地導体層25Bが異なる高さ位置に配設されていてもよい。
第2内部接地導体層25Bは、その形状が、例えば、図20〜図22の平面透視図に示されるような、帯状または配線状であってもよいが、平面透視で、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bの外側に配設されていればその形状および大きさなどは特に限定されない。なお、図20〜図22において、第2内部接地導体層25B1〜25B3がわかりやすいようにハッチングを付して示している。
例えば、図20に示す態様では、第2内部接地導体層25B1は、平面透視したときに、基体2の一方主面21の四辺に沿った環状に配設されている。環状に配設することにより、第2内部接地導体層25B1は、計測センサ用パッケージ13の全方位から到来する電磁波に対して電磁シールド効果を発揮する。
例えば、図21に示す態様では、第2内部接地導体層25B2は、平面透視したときに、基体2の一方主面21の長辺に沿った二本の平行な配線状に設けられている。第2内部接地導体層25B2は、特に、長辺側から到来する電磁波に対して電磁シールド効果を発揮する。
例えば、図22に示す態様では、第2内部接地導体層25B3は、平面透視したときに、基体2の一方主面21の短辺に沿った二本の平行な配線状に設けられている。第2内部接地導体層25B3は、特に、短辺側から到来する電磁波に対して電磁シールド効果を発揮する。
第2内部接地導体層25Bは、上記の第1実施例〜第3実施例のいずれにおいても他の配線および凹部などの配置位置による設計上の制約を受けるだけで、特にその形状、大きさは限定されることはない。一例として示した図20〜図22の第2内部接地導体層25B1〜25B3は、第1実施例〜第3実施例のいずれの実施形態に対しても適用することができる。
さらに、第1実施例〜第3実施例を組合わせた構成も本開示の実施形態である。例えば、第2内部接地導体層25Bが、側面透視において、第1底面200と第1段差面202との間の高さ位置に配設されるとともに、側面透視において、一方主面21と第1段差面202との間の高さ位置にも配設される構成であってもよい。このような構成に、さらに、底部接地導体層27aを備えていてもよい。また、第2実施例のように、第2内部接地導体層25B2が、側面透視において、一方主面21と第1段差面202との間の高さ位置に配設され、さらに底部接地導体層27aを備えていてもよい。
計測センサ用パッケージ13の製造方法について説明する。まず、基体2については、上記計測センサ用パッケージ11と同様の製法によって基体2が作製される。
一方、金属薄層5についても、上記計測センサ用パッケージ11と同様の製法によって形成する。
(第4実施例)
次に、本実施形態の第4実施例である計測センサ130について説明する。図23は、計測センサ130の構成を示す断面図である。計測センサ130は、上記の計測センサ用パッケージ13,13A,13Bと、第1収容凹部20aに収容される発光素子30と、第2収容凹部20bに収容される受光素子31と、を含む。計測センサ130は、計測センサ用パッケージ13の発光素子30と、受光素子31とを実装し、ボンディングワイヤ32で接続パッド23aと接続した後、蓋体3を接合材6によって基体本体20に接合して得られる。
計測センサ130は、外部実装基板に実装されて使用される。外部実装基板には、例えば、発光素子30の発光を制御する制御素子、受光素子31の出力信号から血流速度等を算出する演算素子等も実装される。
なお、計測センサ130における血流速度等の測定方法は、上記計測センサ120と同様であり、受光素子31から出力された信号は、接続パッド23a、信号ビア導体23bを通り、外部接続端子24を介して計測センサ130から外部実装基板へと出力される。
外部実装基板では、計測センサ130から出力された信号が、演算素子に入力され、例えば、発光素子30から出射された光である照射光の周波数と、受光素子31が受光した光である散乱光の周波数とに基づいて血流速度を算出することができる。
また、第2内部接地導体層25Bと接続する接地ビア導体26が、接合材6から外部接続端子24までを接続するように設けることで、接地ビア導体26は、被計測物の一つである人の手指が計測センサに接触したときに放出される電荷を、基体本体20の一方主面21から基体本体20の他方主面22に誘導し、外部へと放出する。
接地ビア導体26によって、人から放出された電荷が流れ易い経路を計測センサ用パッケージ13内に形成することで、この経路に電荷を誘導して外部へと電荷を逃がし、電気的ノイズが発生することを防止している。
(第4の実施形態)
上記図1は、本開示の第4の実施形態に係る計測センサ用パッケージ14を示す平面図である。図24は、図1の計測センサ用パッケージ14を切断面線B−Bで切断した断面図である。本実施形態に係る計測センサ用パッケージ14の特徴としては、上記第1の実施形態の計測センサ用パッケージ11に、第2の実施形態における第1内部接地導体層25Aと、第3の実施形態における第2内部接地導体層25Bとが追加されている。
上記のように、計測センサ用パッケージ14は、上記の計測センサ用パッケージ12と計測センサ用パッケージ13とを統合したものであり、上記の電磁ノイズを遮蔽するための第1 内部接地導体層25Aが配設されるとともに、外部から到来する不要な電磁波をシールドするための第2内部接地導体層25Bが配設されている。なお、計測センサ用パッケージ12または計測センサ用パッケージ13と同様の構成には同じ参照符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施形態の計測センサ用パッケージ14は、上記の計測センサ用パッケージ12,13と同様の構成であり、光のドップラー効果を利用して、血流等の流体の流れを計測する計測センサに用いられてもよい。
第1内部接地導体層25Aは、導電性を有し、基体2の誘電体層間に配設される。内部接地導体層25は、平面透視したときに、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間に配設されているとともに、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bよりも外側にも配設されている。
すなわち、第1 内部接地導体層25Aが、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に向かって伝播する経路上に配設されることにより、発光素子側で発生した電磁ノイズが、基体本体20の、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとを隔てている部位を通過して、受光素子側に進入することを効果的に抑制することができる。これにより、発光素子側と受光素子側との電気クロストークを効果的に低減することができる。
さらに、第2 内部接地導体層25Bが、第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bよりも外側に配設されることにより、外部から到来する不要な電磁波に対するシールド効果を有するので、第2内部接地導体層25Bよりもさらに内側にある信号配線導体23、受光素子、発光素子に到達する電磁波を低減する。これにより、計測時に発生するノイズを低減することができ計測精度を向上させることも可能となる。
第1内部接地導体層25Aおよび第2内部接地導体層25Bは、その形状が、例えば、図25の平面透視図に示されるような、帯状または配線状であってもよいが、平面透視で、第1収容凹部20aと第2収容凹部20bとの間、並びに第1収容凹部20aおよび第2収容凹部20bの外側に配設されていれば、その形状および大きさなどは特に限定されない。なお、図25において、第1内部接地導体層25Aおよび第2内部接地導体層25Bがわかりやすいようにハッチングを付して示している。なお、図25では、第2内部接地導体層25Bの具体例として、第2内部接地導体層25B1を示している。
例えば、図25に示す態様では、第1内部接地導体層25Aおよび第2内部接地導体層25Bは、平面透視したときに、第1収容凹部20aの図心と第2収容凹部20bとの図心とを結ぶ方向に交差する方向と、基体2の一方主面21の四辺に沿った環状に、それぞれ配設されている。このように第1内部接地導体層25Aおよび第2内部接地導体層25Bを配設することにより、発光素子側で発生した電磁ノイズが受光素子側に進入することをより効果的に抑制し、発光素子側と受光素子側との電気クロストークをより効果的に低減することができるとともに、計測センサ用パッケージ14の全方位から到来する電磁波に対して電磁シールド効果を発揮する。
計測センサ用パッケージ14の製造方法について説明する。まず、基体2については、上記計測センサ用パッケージ12,13と同様の製法によって基体2が作製される。
一方、金属薄層5についても、上記計測センサ用パッケージ11と同様の製法によって形成される。
次に、本実施形態に係る計測センサ140について説明する。図26は、計測センサ140の構成を示す断面図である。計測センサ140は、上記の計測センサ用パッケージ14と、第1収容凹部20aに収容される発光素子30と、第2収容凹部20bに収容される受光素子31と、を含む。計測センサ140は、計測センサ用パッケージ14の発光素子30と、受光素子31とを実装し、ボンディングワイヤ32で接続パッド23aと接続した後、蓋体3を接合材6によって基体本体20に接合して得られる。
計測センサ140は、外部実装基板に実装されて使用される。外部実装基板には、例えば、発光素子30の発光を制御する制御素子、受光素子31の出力信号から血流速度等を算出する演算素子等も実装される。なお、計測センサ140における血流速度等の測定方法は、上記計測センサ120,130と同様であり、受光素子31から出力された信号は、接続パッド23a、信号ビア導体23bを通り、外部接続端子24を介して計測センサ140から外部実装基板へと出力される。
外部実装基板では、計測センサ140から出力された信号が、演算素子に入力され、例えば、発光素子30から出射された光である照射光の周波数と、受光素子31が受光した光である散乱光の周波数とに基づいて血流速度を算出することができる。
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
11,11A,11B,14 計測センサ用パッケージ
12,12A,12B,12C 計測センサ用パッケージ
13,13A,13B 計測センサ用パッケージ
2 基体
3 蓋体
3a 対向面
4 接地導体層
5 金属薄層
5a 絞り孔
6 接合材
7 仕切り部
20 基体本体
20a 第1収容凹部
20b 第2収容凹部
21 一方主面(第1面)
22 他方主面
21a 第1の辺
21b 第2の辺
22 他方主面(第2面)
23 信号配線導体
23a 接続パッド
23b 信号ビア導体
24 外部接続端子
25A 第1内部接地導体層
25B 第2内部接地導体層
25B1,25B2,25B3 第2内部接地導体層
26 接地ビア導体
27 裏面接地導体層
27a 底部接地導体層
28 表面接地導体層
30 発光素子
31 受光素子
32 ボンディングワイヤ
41 接地導体層
42 蓋側接地導体層
43 表層接地導体層
110,120,130,140 計測センサ
200 第1底面
201 第1段差部
202 第1段差面
203 第2底面
204 第2段差部
205 第2段差面


Claims (18)

  1. 複数の誘電体層が積層されて成る、板状の基体であって、発光素子を収容する第1収容凹部および受光素子を収容する第2収容凹部が、第1 面に設けられている基体と、
    前記基体の前記第1面を覆う、絶縁材料からなり、光透過性を有する板状の蓋体と、
    前記基体の前記第1面の四辺に沿って環状に配設されており、前記基体の前記第1面と前記蓋体の、前記第1面と対向する対向面とを接合する接合材であって、遮光性を有する接合材と、
    前記基体に配設された、前記第2収容凹部の開口を取り囲むように配設されている、導電性を有する接地導体層と、
    前記蓋体に配設された、前記受光素子によって受光される光を規制する絞り孔が設けられている金属薄層と、を含むことを特徴とする計測センサ用パッケージ。
  2. 前記基体の前記第1面の、前記第1収容凹部と前記第2収容凹部との間に配設されて、前記基体の前記第1面の第1の辺から、該第1の辺に平行な第2の辺に向かって延びる帯状の仕切り部であって、遮光性を有する仕切り部を、さらに有する請求項1に記載の計測センサ用パッケージ。
  3. 前記接地導体層および前記金属薄層は、前記仕切り部よりも前記第2収容凹部側にのみ配設されていることを特徴とする請求項2に記載の計測センサ用パッケージ。
  4. 平面透視したときに、前記金属薄層が、前記接地導体層全体を覆っていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  5. 前記基体の前記誘電体層間に配設される、導電性を有する第1内部接地導体層であって、平面透視したときに、前記第1収容凹部と前記第2収容凹部との間に配設される第1内部接地導体層を、さらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  6. 前記第1収容凹部は、前記発光素子が載置される第1底面を有し、前記第1収容凹部の内側面には、前記発光素子と電気的に接続される電極パッドが配設される第1段差面を有する第1段差部が設けられており、
    前記第2収容凹部は、前記受光素子が載置される第2底面を有し、前記第2収容凹部の内側面には、前記受光素子と電気的に接続される電極パッドが配設される第2段差面を有する第2段差部が設けられており、
    前記第1底面と前記第2底面とは、前記第1面から等距離にあり、
    前記第1段差面と前記第2段差面とは、前記第1面から等距離にあることを特徴とする請求項5に記載の計測センサ用パッケージ。
  7. 前記第1内部接地導体層は、側面透視において、前記第1底面と前記第1段差面との間に配設されることを特徴とする請求項6に記載の計測センサ用パッケージ。
  8. 前記第1内部接地導体層は、側面透視において、前記第1面と前記第1段差面との間に配設されることを特徴とする請求項6に記載の計測センサ用パッケージ。
  9. 前記第1内部接地導体層は、平面透視したときに、前記第1収容凹部の図心と前記第2収容凹部の図心とを結ぶ方向に交差する方向において、細長い形状を有していることを特徴とする請求項5〜8のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  10. 前記基体の、前記第1面とは反対側の第2面に配設される裏面接地導体層であって、平面透視したときに、前記第1収容凹部と前記第2収容凹部との間に配設される裏面接地導体層を含むことを特徴とする請求項5 〜 9 のいずれか1 つに記載の計測センサ用パッケージ。
  11. 前記第1面に配設される表面接地導体層であって、平面透視したときに、前記第1収容凹部と前記第2収容凹部との間に配設される表面接地導体層を含むことを特徴とする請求項5〜10のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  12. 前記基体の前記誘電体層間に配設される、導電性を有する第2内部接地導体層であって、平面透視したときに、前記第1収容凹部および前記第2収容凹部よりも外側に配設される第2内部接地導体層を、さらに含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  13. 前記第1収容凹部は、前記発光素子が載置される第1底面を有し、前記第1収容凹部の内側面には、前記発光素子と電気的に接続される電極パッドが配設される第1段差面を有する第1段差部が設けられており、
    前記第2収容凹部は、前記受光素子が載置される第2底面を有し、前記第2収容凹部の内側面には、前記受光素子と電気的に接続される電極パッドが配設される第2段差面を有する第2段差部が設けられており、
    前記第1底面と前記第2底面とは、前記第1面から等距離にあり、
    前記第1段差面と前記第2段差面とは、前記第1面から等距離にあることを特徴とする請求項12に記載の計測センサ用パッケージ。
  14. 前記第2内部接地導体層は、側面透視において、前記第1底面と前記第1段差面との間に配設されることを特徴とする請求項13に記載の計測センサ用パッケージ。
  15. 前記第2内部接地導体層は、側面透視において、前記第1面と前記第1段差面との間に配設されることを特徴とする請求項13に記載の計測センサ用パッケージ。
  16. 前記第2内部接地導体層は、平面透視したときに、前記基体の前記第1面の四辺に沿った環状に配設されていることを特徴とする請求項12〜15のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージ。
  17. 前記基体の前記誘電体層間に配設される、導電性を有する第2内部接地導体層であって、平面透視したときに、前記第1収容凹部および前記第2収容凹部よりも外側に配設される第2内部接地導体層を、さらに含むことを特徴とする請求項5に記載の計測センサ用パッケージ。
  18. 請求項1〜17のいずれか1つに記載の計測センサ用パッケージと、
    前記第1収容凹部に収容される発光素子と、
    前記第2収容凹部に収容される受光素子と、を含むことを特徴とする計測センサ。
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