CN109069043A - 测量传感器用封装件以及测量传感器 - Google Patents

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Abstract

提供一种能够提高强度等的可靠性的测量传感器用封装件以及测量传感器。测量传感器用封装件(11)包含基体(2)、盖体(3)、接地导体层(4)、金属薄层(5)以及接合材料(6)。接地导体层(4)与金属薄层(5)在俯视透视下分别被配置于比设置为环状的接合材料(6)更靠内侧的区域。基体主体(20)的一个主面(21)与盖体(3)的对置面(3a)通过接合材料(6)在整周被直接接合。其结果，能够提高强度面的可靠性。

Description

测量传感器用封装件以及测量传感器
技术领域
本发明涉及测量传感器用封装件以及测量传感器。
背景技术
需求能够简单且高速地测定血流等生物体信息的测量传感器。例如能够利用光的多普勒效应来测量血流。若向血液照射光，光被红细胞等的血细胞散射。根据照射光的频率和散射光的频率来计算血细胞的移动速度。
测量血流的测量传感器例如在专利文献1中记载为自发光型测量传感器，在基板上配置向血液照射光的照射部和接收散射光的受光部，通过包围照射部和受光部的具有遮光性的粘接部在基板粘接前面板。
由于上述测量传感器用封装件以及测量传感器是人体接触的传感器，左右着人的健康，因此需要提高强度或者精度等的可靠性。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP专利第5031895号公报
发明内容
本公开的测量传感器用封装件的特征在于，包含：基体，是多个电介质层被层叠而成的板状的基体，在第1面设有收容发光元件的第1收容凹部以及收容受光元件的第2收容凹部；板状的盖体，覆盖所述基体的所述第1面，包含绝缘材料且具有透光性；接合材料，沿着所述基体的所述第1面的四边而被配置为环状，将所述基体的所述第1面与所述盖体的对置于所述第1面的对置面接合，且具有遮光性；接地导体层，被配置于所述基体，且被配置为包围所述第2收容凹部的开口，并且具有导电性；和金属薄层，被配置于所述盖体，且设有限制由所述受光元件接收的光的光阑孔。
此外，本公开的测量传感器的特征在于，包含：上述的测量传感器用封装件、被收容于所述第1收容凹部的发光元件、和被收容于所述第2收容凹部的受光元件。
附图说明
本发明的目的、特点以及优点通过下述的详细说明和附图可进一步明确。
图1是表示本公开所涉及的各测量传感器用封装件的俯视图。
图2是将图1的测量传感器用封装件11在剖切面线A-A切断的剖视图。
图3是将图1的测量传感器用封装件11在剖切面线B-B切断的剖视图。
图4是与图3所示的剖视图对应的测量传感器用封装件11A的剖视图。
图5是与图3所示的剖视图对应的测量传感器用封装件11B的剖视图。
图6是表示测量传感器110的结构的剖视图。
图7是将图1的测量传感器用封装件12在剖切面线A-A切断的剖视图。
图8是将图1的测量传感器用封装件12在剖切面线B-B切断的剖视图。
图9是测量传感器用封装件12的俯视透视图。
图10是与图8所示的剖视图对应的第2实施方式的第2实施例所涉及的测量传感器用封装件12A的剖视图。
图11是与图8所示的剖视图对应的第2实施方式的第3实施例所涉及的测量传感器用封装件12B的剖视图。
图12是与图8所示的剖视图对应的第2实施方式的第4实施例所涉及的测量传感器用封装件12C的剖视图。
图13是表示测量传感器120的结构的剖视图。
图14是实施例以及比较例中的串扰量的模拟结果的图。
图15是表示实施例以及比较例的评价结果的图。
图16是将图1的测量传感器用封装件13在剖切面线A-A切断的剖视图。
图17是将图1的测量传感器用封装件13在剖切面线B-B切断的剖视图。
图18是与图17所示的剖视图对应的第3实施方式的第2实施例所涉及的测量传感器用封装件13A的剖视图。
图19是与图17所示的剖视图对应的第3实施方式的第3实施例所涉及的测量传感器用封装件13B的剖视图。
图20是测量传感器用封装件13中的第2内部接地导体层25B1的俯视透视图。
图21是测量传感器用封装件13中的第2内部接地导体层25B2的俯视透视图。
图22是测量传感器用封装件13中的第2内部接地导体层25B3的俯视透视图。
图23是表示测量传感器130的结构的剖视图。
图24是将图1的测量传感器用封装件14在剖切面线B-B切断的剖视图。
图25是测量传感器用封装件14中的第1内部接地导体层25A以及第2内部接地导体层25B的俯视透视图。
图26是表示测量传感器140的结构的剖视图。
具体实施方式
参照附图对本公开的实施方式所涉及的测量传感器用封装件以及测量传感器进行说明。在以下的说明中，如正下方等那样区别上下来进行了记载，但是这是为了方便，并不是限定实际使用测量传感器等时的上下。
(第1实施方式)
图1是表示本公开的第1实施方式所涉及的测量传感器用封装件11的俯视图，图2是将图1的测量传感器用封装件11在剖切面线A-A切断的剖视图，图3是将图1的测量传感器用封装件11在剖切面线B-B切断的剖视图。另外，在图1的俯视图中，省略图示了盖体3。另外，在后述的各测量传感器用封装件的剖视图中，也同样地省略了盖体3的图示。
测量传感器用封装件11包含：基体2、盖体3、接地导体层4、金属薄层5以及接合材料6。基体2收容发光元件以及受光元件，包含基体主体20、信号布线导体23和外部连接端子24。
本实施方式的基体主体20是矩形板状，层叠多个电介质层而形成。此外，在基体主体20设有至少2个凹部，2个凹部之中的一个是收容发光元件的第1收容凹部20a，2个凹部之中的另一个是收容受光元件的第2收容凹部20b。第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b被设置为在基体主体20的同一主面(基体2的第1面)21开口。
本实施方式的测量传感器用封装件11能够用于利用光的多普勒效应来测量血流等流体的流动的测量传感器。为了利用光的多普勒效应，测量传感器具备：向被测量物照射光的发光元件、接收因被测量物而被散射的光的受光元件。特别地，在测量血流的情况下，例如从外部向手指等身体的一部分照射光，接收因皮肤下的血管中流动的血液所包含的血细胞而被散射的光，根据频率的变化来测量血流。因此，在测量传感器用封装件11中，基于照射光和散射光的位置关系，以规定的间隔配置发光元件和受光元件。第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b根据元件的位置关系而被设置。
第1收容凹部20a的大小、第2收容凹部20b的大小根据要收容的发光元件以及受光元件的大小而适当设定即可，例如，作为发光元件使用垂直谐振器面发光激光元件(VCSEL)的情况下，第1收容凹部20a的开口的形状例如可以是矩形也可以是正方形，开口的大小例如纵向长度为0.3mm～2.0mm、横向长度为0.3mm～2.0mm、深度为0.3mm～1.0mm。此外，作为受光元件使用面入射光电二极管的情况下，第2收容凹部20b的开口的形状例如可以是矩形也可以是正方形，开口的大小例如纵向长度为0.3mm～2.0mm、横向长度为0.3mm～2.0mm、深度为0.4mm～1.5mm。
第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的开口形状例如可以是圆形状、正方形状、矩形状等，也可以是其他形状。此外，第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的与基体主体20的主面平行的剖面的剖面形状在深度方向可以是一样的形状，但是也可以如图3的剖视图所示那样是带有阶梯的凹部，直至规定的深度，剖面形状与开口形状同样，规定的深度以后的剖面形状变小且直至底部是一样的。如本实施方式那样是带有阶梯的凹部的情况下，在凹部的底部安装发光元件或者受光元件，在阶梯表面设置用于与发光元件或者受光元件电连接的连接端子。
信号布线导体23与发光元件或者受光元件电连接，传输向发光元件输入的电信号，传输从受光元件输出的电信号。本实施方式中的信号布线导体23包含：作为与发光元件或者受光元件连接的连接部件的键合线、连接键合线的连接焊盘23a、与连接焊盘23a电连接且从连接焊盘的正下方延伸至基体主体20的另一个主面22的信号过孔导体23b、以及与信号过孔导体23b电连接的外部连接端子24。外部连接端子24被设置于基体主体20的另一个主面22，通过焊料等端子连接材料，与具备测量传感器用封装件11的测量传感器被安装的外部安装基板的连接端子电连接。
为了提高与焊料等接合材料的浸润性，并提高耐蚀性，外部连接端子24例如可以通过镀覆法依次附着厚度为0.5～10μm的镍层和厚度为0.5～5μm的金层。
基体2能够收容发光元件以及受光元件、且具备信号布线导体23等的导体即可，可以是基体主体20的电介质层包含陶瓷绝缘材料、且信号布线导体23等包含导体材料的陶瓷布线基板，也可以是电介质层包含树脂绝缘材料的有机布线基板。
在基体2为陶瓷布线基板的情况下，在包含陶瓷材料的电介质层形成各导体。陶瓷布线基板由多个陶瓷电介质层形成。
作为陶瓷布线基板中使用的陶瓷材料，例如，列举出氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等。
此外，在基体2为有机布线基板的情况下，在包含有机材料的绝缘层形成布线导体。有机布线基板由多个有机电介质层形成。
有机布线基板例如是印刷布线基板、积层布线基板或者柔性布线基板等的电介质层包含有机材料的基板即可。作为有机布线基板中使用的有机材料，例如列举出环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、丙烯酸树脂、酚醛树脂或者氟系树脂等。
盖体3覆盖基体主体20的一个主面(基体2的第1面)21，通过接合材料6而与基体2的第1面21接合。通过盖体3，收容了发光元件以及受光元件的第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b被堵塞且密封。盖体3是包含绝缘材料的板状部件，由具有透光性的材料构成即可，透射从收容于第1收容凹部20a的发光元件射出的光，并透射收容于第2收容凹部20b的受光元件所接收的光。
在具备本实施方式的测量传感器用封装件11的测量传感器中，在使例如作为被测量物的手指触碰到盖体3的表面的状态下，照射从发光元件射出的光。若盖体3由具有导电性的材料构成，则使手指接触盖体3时，滞留于手指的无用的电荷从手指放出，电荷通过盖体3而流入基体2，产生噪声。通过由绝缘材料来构成盖体3，能够抑制无用电荷经由盖体3而流入。
此外，盖体3需要透射向被测量物的照射光以及散射光。由于照射光以及散射光的特性根据所搭载的发光元件而确定，因此构成为至少透射所搭载的发光元件射出的光即可。相对于从发光元件射出的光的波长，由具有该波长的光的透射率为70％以上、优选为90％以上的透射率的绝缘材料来构成盖体3即可。
作为构成盖体3的绝缘材料，例如能够使用蓝宝石等的透明陶瓷材料、玻璃材料或者树脂材料等。作为玻璃材料，能够使用硼硅酸玻璃、结晶玻璃、石英、钠钙玻璃等。作为树脂材料，能够使用聚碳酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、环氧树脂等。
由于盖体3直接接触手指等的被测量物，因此需要规定的强度。盖体3的强度由构成的材料的强度、板厚度来决定。如上述那样如果是透明陶瓷材料或玻璃材料，则通过设为规定的厚度以上从而获得充分的强度。作为盖体3的构成材料使用玻璃材料的情况下，例如将厚度设为0.05mm～5mm即可。
接地导体层4是被设置于基体主体20的一个主面21的金属化层，被设置为包围收容受光元件的第2收容凹部20b的开口。接地导体层4例如外形可以沿着基体主体20的一个主面21的外形那样为矩形状，也可以除此以外的圆形状、多边形状等。在本实施方式中，将接地导体层4的外形状设为矩形状。此外，由于接地导体层4包围第2收容凹部20b的开口，因此是至少设有与开口相同形状或者大于开口的贯通孔的金属化层。
接地导体层4例如与设置于基体2的未图示的接地贯通导体(接地过孔)等，从而被赋予接地电位。通过在基体主体20的一个主面21设置接地导体层4，设置于基体2的表面的接地导体层4与金属薄层5通过具有导电性的接合材料6而被电连接。其结果，金属薄层5能够通过接地过孔而电气上接地，金属薄膜作为与外部带电体(特别是手指等的测定物)的电气上的屏蔽件发挥作用，能够抑制向受光元件31的噪声混入。
金属薄层5是包含被设置于作为盖体3的与基体主体20的一个主面21对置的主面的对置面3a、即与手指接触的一侧主面相反的一侧的主面的金属材料的薄膜层。在金属薄层5设有受光元件所接收的光通过的开口、即作为限制光的通过的开口的光阑孔5a。金属薄层5通过适当调整光阑孔5a的大小、设置光阑孔5a的位置，从而能够确保测量所需的受光量，并且能够减少无用的光从外部进入第2收容凹部20b。在受光元件接收外光等从外部进入的无用的光时，从受光元件输出的电信号中，基于来自被测量物的反射光的受光量上叠加了无用光的受光量，会产生光学的噪声。通过光阑孔5a，能够减少这种光学噪声。
再有，金属薄层5还作为用于抑制从外部到来的电磁波进入第2收容凹部20b的电磁屏蔽件而发挥功能。若电磁波进入第2收容凹部20b，则信号布线导体23特别是键合线成为天线而接收进入的电磁波，成为产生电磁噪声的原因。在盖体3的对置面3a，除了光阑孔5a以外设置包含金属材料的薄层，从而能够抑制来自外部的电磁波的进入，能够减少电磁噪声的产生。
这样，通过设置金属薄层5，能够抑制因光噪声以及电噪声所带来的影响，能够提高测量精度。
另外，金属薄层5也可以与接地导体层4电连接，被赋予接地电位。在本实施方式中，金属薄层5的外形与接地导体层4的外形为相同的大小。
在包含透明陶瓷材料或者玻璃材料的盖体3的表面，例如对Cr、Ti、A1、Cu、Co、Ag、Au、Pd、Pt、Ru、Sn、Ta、Fe、In、Ni、W的金属以及它们的合金等的金属材料进行蒸镀、溅射、焙烧等来形成金属薄层5。金属薄层5的层厚度例如为
接合材料6将基体2与盖体3接合。更为详细而言，在外周部分将基体主体20的一个主面21与盖体3的对置面3a接合。接合材料6是沿着矩形状的一个主面21的四边环状地设置、用于确保基体2的第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b内的气密性以及水密性的密封材料。
收容于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的发光元件以及受光元件都是不耐水分等，为了防止水分从外部进入，接合材料6被设置为没有中断的环状。
再有，接合材料6还具有遮光性。接合材料6通过具有遮光性，能够防止来自外部的光通过基体2与盖体3之间而进入第1收容凹部20a内、第2收容凹部20b内。
优选接合材料6所具有的遮光性是基于光的吸收的遮光性。从防止来自外部的光进入的观点出发，也可以是基于反射的遮光性，但是在测量传感器的内部所产生的杂散光有可能被接合材料6反射而进一步被受光元件接收。如果接合材料6吸收光，则能够吸收来自外部的光从而防止进入，并且还能够吸收内部所产生的杂散光。
接合材料6构成为包含具有基于这种的光的吸收的遮光性的材料。接合材料6例如在具有基体2与盖体3的接合性的环氧树脂、导电性硅酮树脂等的树脂系粘接剂中分散光吸收性材料而得到。作为光吸收材料，例如能够使用无机颜料。作为无机颜料，例如能够使用炭黑等的碳系顔料、钛黑等的氮化物系顔料、Cr-Fe-Co系、Cu-Co-Mn系、Fe-Co-Mn系、Fe-Co-Ni-Cr系等的金属氧化物系顔料等。
在本实施方式中，接地导体层4与金属薄层5分别被配置在俯视透视下比环状设置的接合材料6的外缘更靠内侧的区域。也就是说，接地导体层4以及金属薄层5的一部分介于基体主体20的一个主面21与盖体3的对置面3a之间。并且，盖体3与基体2通过接合材料6在整周被直接接合。另外，接合材料6也可以是与接地导体层4、金属薄层5一部分重合的构造。
在基体2与盖体3的接合处，在不存在接地导体层4以及金属薄层5的位置，能够提高基体2与盖体3的接合强度，能够防止盖体3的剥离等。
接下来，对本实施方式所涉及的其他实施例进行说明。图4是与图3所示的剖视图对应的测量传感器用封装件11A的剖视图，图5是与图3所示的剖视图对应的测量传感器用封装件11B的剖视图。
作为其他的实施例的测量传感器用封装件11A相对于上述测量传感器用封装件11的不同点在于，具有分隔部7，其他部分是同样的结构，因此对同样的结构赋予与测量传感器用封装件11相同的参照符号并省略详细的说明。
测量传感器用封装件11A中的分隔部7是被设置于基体主体20的一个主面(基体2的第1面)21的带状部件，具有遮光性。分隔部7被设置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间，从一个主面21的第1边21a向平行于第1边21a的第2边21b延伸。本实施方式中，由于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b在一个主面21的长边方向排列设置，因此第1边21a以及第2边21b是相互平行的长边。
分隔部7被设置为分隔第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间。从发光元件射出的光之中没有透射盖体3而由盖体3的对置面3a反射的光，在盖体3的对置面3a与基体主体20的一个主面21之间的空间反复反射，从而可能到达第2收容凹部20b。若这样产生的杂散光被受光元件接收，则产生光学噪声。
分隔部7被设置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间，通过分隔部7基于从发光元件射出的光的杂散光被阻碍到达第2收容凹部20b，减少光学噪声的产生。
作为分隔部7的材料，例如能够使用与接合材料6相同的材料。通过使用与接合材料6相同的材料，能够通过与接合材料6相同的工序来设置分隔部7。进而，以与接合材料6相同的高度来形成分隔部7，在第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间也能够使基体2与盖体3接合，因此，能够进一步提高接合强度。
在本实施例中，由于通过分隔部7而第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间被划分，因此接地导体层4以及金属薄层5都仅配置在比分隔部7更靠第2收容凹部20b侧，而没有配置在比分隔部7更靠第1收容凹部20a侧。
作为又一其他的实施例的测量传感器用封装件11B与上述测量传感器用封装件11的不同点在于，在俯视透视下，金属薄层5的外形比接地导体层4的外形小，其他部分是同样的结构，因此，对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件11相同的参照符号并省略详细说明。
在上述实施方式的测量传感器用封装件11中，金属薄层5的外形设为与接地导体层4的外形相同的大小，但是在本实施例中，使金属薄层5的外形小于接地导体层4的外形。也就是说，在俯视透视时，金属薄层5被接地导体层4整体覆盖。
这样，通过使金属薄层5的外形小于接地导体层4的外形，金属薄层5与接地导体层4之间的电容量难以受到因位置偏离所带来的影响，特性稳定。此外，若金属薄层5小于接地导体层4，则能够通过目视来确认接合体的状态，容易确认密封状态。
对测量传感器用封装件11的制造方法进行说明。首先，与公知的多层布线基板的制造方法同样地，制作基体2。基体2是陶瓷布线基板，且陶瓷材料为氧化铝的情况下，首先在氧化铝(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氧化钙(CaO)、氧化镁(MgO)等的原料粉末中添加混合适当的有机溶剂、溶媒从而形成为泥浆状，将其通过周知的刮刀法、压延辊法等而形成为片状，获取陶瓷生片(以下也称为生片)。之后，将生片冲压加工为规定形状，并且在钨(W)与玻璃材料等的原料粉末中添加混合有机溶剂、溶媒作为金属浆料，在生片表面通过丝网印刷等的印刷法对该金属浆料进行图案印刷。此外，过孔导体是在生片设置贯通孔并通过丝网印刷等将金属浆料填充于贯通孔。此外，称为接地导体层4的金属化层通过金属浆料而被形成在最表面。将这样得到的生片层叠多片，以约1600℃的温度对其同时进行烧成，从而制作基体2。
另一方面，准备将玻璃材料通过切削、切断等切出为规定形状的盖体3，在对置面3a上，通过蒸镀、溅射、焙烧等而形成金属薄层5。此时，通过光刻(湿法蚀刻)法、干法蚀刻等对金属薄膜进行图案加工，能够形成光阑孔5a。
接下来，对作为本实施方式的其他的实施例的测量传感器110进行说明。图6是表示测量传感器110的结构的剖视图。测量传感器110包含：上述的测量传感器用封装件11、11A、11B、收容于第1收容凹部20a的发光元件30、和收容于第2收容凹部20b的受光元件31。安装测量传感器用封装件11的发光元件30和受光元件31，利用键合线32与连接焊盘23a连接之后，通过接合材料6将盖体3与基体主体20接合，从而得到测量传感器110。
发光元件30能够使用VCSEL等的半导体激光元件，受光元件31能够使用硅光电二极管、GaAs光电二极管、InGaAs光电二极管、锗光电二极管等的各种光电二极管。发光元件30以及受光元件31只要根据被测量物的种类、所测量的参数的种类等而适当选择即可。
在测量血流的情况下，例如为了利用光的多普勒效应进行测定，作为发光元件30即VCSEL能够射出波长为850nm的激光即可。在进行其他的测定的情况下，选择射出与测定目的相应的波长的激光的发光元件30即可。受光元件31在所接收的光相对于从发光元件30射出的激光而没有波长变化的情况下，能够接收发光元件30的射出光即可，在有波长变化的情况下，能够接收变化后的波长的光即可。
在本实施方式中，发光元件30以及受光元件31与连接焊盘23a例如通过键合线32被电连接，但是也可以是倒装连接、凸块连接、利用了各向异性导电膜的连接等其他的连接方法。
测量传感器110被安装于外部安装基板来使用。在外部安装基板，例如还安装控制发光元件30的发光的控制元件、根据受光元件31的输出信号来计算血流速度等的运算元件等。
在进行测定的情况下，作为被测量物使手指的指尖接触于盖体3的表面的状态下，发光元件控制电流从外部安装基板经由外部连接端子24而被输入至测量传感器110，通过信号过孔导体23b、连接焊盘23a而输入至发光元件30，从发光元件30射出测量用的光。被射出的光透射盖体3而照射至指尖时，被血液中的血细胞散射。若透射盖体3并通过了光阑孔5a的散射光被受光元件31接收时，从受光元件31输出与受光量相应的电信号。被输出的信号通过连接焊盘23a、信号过孔导体23b，经由外部连接端子24而从测量传感器110输出至外部安装基板。
在外部安装基板中，从测量传感器110输出的信号内输入至运算元件，例如能够基于作为从发光元件30射出的光的照射光的频率、作为受光元件31所接收的光的散射光的频率，计算出血流速度。
另外，上述中，信号过孔导体23b构成为在基体主体20内在上下方向形成为一直线状，但是只要从基体主体20的一个主面21电连接至另一个主面22的外部连接端子24即可，也可以不是一直线状，而在基体主体20内由内层布线、内部接地导体层等偏离而形成。
此外，也可以在基体2设置在厚度方向将基体主体20贯通的接地过孔导体。该接地过孔导体例如与接地导体层4以及外部连接端子24电连接，被配置在基体主体20的比第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b更靠外侧。接地过孔导体使作为被测量物之一的人的手指接触测量传感器时放出的电荷，从基体主体20的一个主面21引导至基体主体20的另一个主面22，向外部放出。
将从人放出的电荷容易流过的路径形成在测量传感器用封装件11内，将电荷引导至该路径从而使电荷向外部逃脱，可抑制电噪声的产生。
(第2实施方式)
上述图1是表示本公开的第2实施方式所涉及的测量传感器用封装件12的俯视图，图7是将图1的测量传感器用封装件12在剖切面线A-A切断的剖视图，图8是将图1的测量传感器用封装件12在剖切面线B-B切断的剖视图。图9是测量传感器用封装件12的俯视透视图。
测量传感器用封装件12包含基体2、盖体3以及第1内部接地导体层25A。基体2收容发光元件以及受光元件，包含基体主体20、信号布线导体23、外部连接端子(也称为外部接地端子)24。
本实施方式的测量传感器用封装件12与上述的测量传感器用封装件11的不同点在于，配置了屏蔽在发光元件侧产生并向受光元件侧行进的电磁噪声的第1内部接地导体层25A，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件11相同的参照符号并省略详细的说明。
(第1实施例)
本实施方式的测量传感器用封装件12可以是与上述的测量传感器用封装件11同样的结构，被用于利用光的多普勒效应来测量血流等流体的流动的测量传感器。
如图8所示，本实施方式的测量传感器用封装件12的第1收容凹部20a具有载置发光元件的第1底面200，第2收容凹部20b具有载置受光元件的第2底面203。进而，在第1收容凹部20a的内侧面，设置了具有配置与发光元件电连接的连接焊盘(也称为电极焊盘)23a的第1阶梯面202的第1阶梯部201，在第2收容凹部20b的内侧面，设置了具有配置与受光元件电连接的连接焊盘23a的第2阶梯面205的第2阶梯部204。此外，测量传感器用封装件12被构成为：第1底面200与第2底面203距一个主面21为等距离，第1阶梯面202与第2阶梯面205距一个主面21为等距离。一个主面21是无关于第1收容凹部20a、第2收容凹部20b的开口的基体主体20的一侧的平坦面，与作为相同的平坦面的第1底面200之间的距离h1等于与作为相同的平坦面的第2底面203之间的距离h2。也就是说，第1收容凹部20a与第2收容凹部20b的深度相同。第1阶梯面202以及第2阶梯面205也是相同的平坦面，一个主面21与第1阶梯面202之间的距离h3等于一个主面21与第2阶梯面205之间的距离h4。也就是说，第1阶梯部201与第2阶梯部204的深度相同。在此，所谓距离h1与距离h2相等，不仅是h1与h2一致((h2/h1)＝1)，还包含h1与h2之差为±10％以内的情况(0.9≤(h2/h1)≤1.1)。关于距离h3与距离h4也是同样的。
在具备本实施方式的测量传感器用封装件12的测量传感器中，在使例如作为被测量物的手指触碰到盖体3的表面的状态下，照射从发光元件射出的光。在测量传感器用封装件12中也与上述测量传感器用封装件11同样，由绝缘材料构成盖体3，能够抑制通过盖体3而流入无用的电荷。
第1内部接地导体层25A被配置在构成基体主体20的电介质层间，即俯视透视时被配置在第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间。第1内部接地导体层25A包含具有导电性的材料，在基体主体20的内部通过与电连接于外部连接端子24的接地过孔导体26进行电连接，被赋予接地电位，作为电磁屏蔽件发挥功能。
一般地，在自发光型的测量传感器中，从发光元件射出的光由被测量物散射而到达受光元件的光路长度越短，则受光元件接收的来自被测量物的散射光的光量越增加，从而测量传感器的灵敏度得以提高，但是仅仅将发光元件与受光元件接近配置的情况下，发光元件侧所产生的电磁噪声容易进入受光元件侧，测量传感器的测量精度降低。特别地，在用于血流测量等的测量传感器中，由于受光元件的受光量比较小，因此从受光元件输出的电信号较弱，由电磁噪声所带来的影响大。
如图1、图8所示，本实施方式的测量传感器用封装件12为载置发光元件的第1底面200与载置受光元件的第2底面203接近的结构，但是在俯视透视下，在第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间配置第1内部接地导体层25A，由第1内部接地导体层25A屏蔽在发光元件侧产生并向受光元件侧行进的电磁噪声。根据本实施方式的测量传感器用封装件12，可减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰，能够进行高精度的测量。
此外，在测量传感器用封装件12中，第1内部接地导体层25A在俯视透视下被配置在第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间，并且在侧视透视下被配置在第1底面200与第1阶梯面202之间。也就是说，第1内部接地导体层25A被配置在发光元件侧所产生电磁噪声向受光元件侧传播的路径上。因此，根据测量传感器用封装件12，能够有效地抑制在发光元件侧所产生的电磁噪声通过基体主体20的将第1收容凹部20a与第2收容凹部20b隔开的部位而进入受光元件侧，由此，能够有效地减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰。
第1内部接地导体层25A的俯视透视下的形状例如可以为圆形状、正方形状、矩形状等，也可以是其他的形状，但在本实施方式中，如图9所示，第1内部接地导体层25A在俯视透视时在与连结第1收容凹部20a的重心和第2收容凹部20b的重心的方向交叉的方向，具有细长的形状。也就是说，第1内部接地导体层25A被设为：在俯视透视下，与连结第1收容凹部20a的重心和第2收容凹部20b的重心的方向交叉的方向上的长度L1，大于连结第1收容凹部20a的重心与第2收容凹部20b的重心的方向上的长度L2的形状。长度L1相对于长度L2的比例L1/L2为例如2.0～10.0。根据这种结构，能够有效地抑制在发光元件侧产生的电磁噪声进入受光元件侧，能够进一步有效地减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰。
此外，在俯视透视下，也可以第1内部接地导体层25A延伸的方向正交于将第1收容凹部20a的重心与第2收容凹部20b的重心连结的方向。进而，在俯视透视时，也可以在与将第1收容凹部20a的重心与第2收容凹部20b的重心连结的方向正交的方向上，第1内部接地导体层25A的长度L1大于第1收容凹部20a的长度，且大于第2收容凹部20b的长度。
本实施方式的测量传感器用封装件12还包含信号布线导体23。信号布线导体23与发光元件或者受光元件电连接，传输向发光元件输入的电信号，并传输从受光元件输出的电信号。本实施方式中的信号布线导体23包含：作为与发光元件或者受光元件连接的连接部件的键合线、连接键合线的连接焊盘23a、与连接焊盘23a电连接并从连接焊盘的正下方延伸至基体主体20的另一个主面22的信号过孔导体23b、以及与信号过孔导体23b电连接的外部连接端子24。外部连接端子24被设置于基体主体20的另一个主面22，通过焊料等端子连接材料而与安装了具备测量传感器用封装件12的测量传感器的外部安装基板的连接端子电连接。
为了提高与焊料等的接合材料的浸润性、并提高耐蚀性，外部连接端子24也可以例如通过镀覆法而依次附着厚度为0.5～10μm的镍层和厚度为0.5～5μm的金层。
本实施方式的测量传感器用封装件12还可以包含接地导体层(也称为盖侧接地导体层)4、金属薄层5以及接合材料(也称为导电性接合材料)6。
接地导体层4是被配置于基体主体20的一个主面21的金属化层，且被设置为包围收容受光元件的第2收容凹部20b的开口。接地导体层4可以例如外形沿着基体主体20的一个主面21的外形而为矩形状，也可以是除此以外的圆形状、多边形状等。在第1实施方式中，将接地导体层4的外形状设为矩形状。此外，由于接地导体层4包围第2收容凹部20b的开口，因此是设置有至少与开口相同形状或者大于开口的贯通孔的金属化层。
接地导体层4例如通过连接于设置在基体2的未图示的接地贯通导体(接地过孔)等，从而被赋予接地电位。
另外，金属薄层5也可以与接地导体层4电连接，而被赋予接地电位。第1实施方式中，金属薄层5的外形与接地导体层4的外形是相同的大小。
在本实施方式中，接地导体层4与金属薄层5在俯视透视下分别被配置于比设置为环状的接合材料6更靠内侧的区域。也就是说，基体主体20的一个主面21与盖体3的对置面3a不经由接地导体层4以及金属薄层5而通过接合材料6在整周被直接接合。
由于在基体2与盖体3的接合中不经由接地导体层4以及金属薄层5，因此能够提高基体2与盖体3的接合强度，能够防止盖体3的剥离等。
(第2实施例)
接下来，对本实施方式的其他的实施例进行说明。图10是与图8所示的剖视图对应的第2实施例所涉及的测量传感器用封装件12A的剖视图。
第2实施例的测量传感器用封装件12A与上述的测量传感器用封装件12的不同点在于，配置多个第1内部接地导体层25A，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件12相同的参照符号并省略详细说明。
第2实施例的测量传感器用封装件12A在侧视透视时在第1底面200与第1阶梯面202之间配置有多个第1内部接地导体层25A。根据测量传感器用封装件12A，与测量传感器用封装件12相比，能够更为提高基于第1内部接地导体层25A的电磁噪声的屏蔽效果，能够进一步提高测量精度。
另外，图10中设为配置了2个第1内部接地导体层25A的结构，但是第1内部接地导体层25A的个数并不限定于2个，也可以在第1底面200与第1阶梯面202之间配置3个以上的第1内部接地导体层25A。多个第1内部接地导体层25A也可以在俯视透视下具有相互不同的形状。此外，多个第1内部接地导体层25A可以在俯视透视下彼此偏离地配置，也可以被配置为相互重合。
(第3实施例)
图11是与图8所示的剖视图对应的第3实施例所涉及的测量传感器用封装件12B的剖视图。
第3实施例的测量传感器用封装件12B与测量传感器用封装件12的不同点在于侧视透视下的第1内部接地导体层25A的位置，由于其他部分是同样的结构，对于同样的结构对于与测量传感器用封装件12相同的参照符号并省略详细的说明。
第3实施例的测量传感器用封装件12B的第1内部接地导体层25A在侧视透视下被配置在基体主体20的第1面与第1阶梯面202之间。如前所述，在第1阶梯面202以及第2阶梯面205，设置用于与发光元件或者受光元件电连接的连接焊盘23a。将连接焊盘23a与发光元件或者受光元件例如通过键合线进行电连接的情况下，键合线成为露出的状态。因此，由将连接焊盘23a与发光元件电连接的键合线中流动的电流所产生的电磁噪声进入受光元件侧，从而有可能产生发光元件侧与受光元件侧的电串扰。
第3实施例的测量传感器用封装件12B在侧视透视下，在基体主体20的第1面与第1阶梯面202之间配置第1内部接地导体层25A，由此抑制了键合线中所产生的电磁噪声进入受光元件侧。另外，图11中设为配置1个第1内部接地导体层25A的结构，但是也可以多个第1内部接地导体层25A被配置在基体主体20的第1面与第1阶梯面202之间。
(第4实施例)
图12是与图8所示的剖视图对应的第4实施例所涉及的测量传感器用封装件12C的剖视图。
第4实施例的测量传感器用封装件12C与测量传感器用封装件12的不同点在于，具备表面接地导体层28以及背面接地导体层27，第1内部接地导体层25A在剖视下还配置在基体主体20的另一个主面(基体2的第2面)22与第1底面200之间，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件12相同的参照符号并省略详细的说明。
背面接地导体层27是被配置于基体主体20的另一个主面(基体2的第2面)22的导体层，在俯视透视时被配置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间。背面接地导体层27包含具有导电性的材料，被赋予接地电位。
背面接地导体层27的俯视形状例如可以是圆形状、正方形状、矩形状等，也可以是其他的形状，在第4实施方式中，背面接地导体层27在俯视透视时在与将第1收容凹部20a的重心和第2收容凹部的重心连结的方向正交的方向，具有细长的形状。此外，背面接地导体层27在俯视透视时至少一部分被配置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间即可，也可以在俯视透视时跨第1收容凹部20a或者第2收容凹部20b而配置。
如前所述，在基体主体20的另一个主面22，配置与发光元件或者受光元件电连接、并与外部安装基板的连接端子电连接的外部连接端子24。外部连接端子24为了实现与外部安装基板的连接端子的坚固的机械连接，以比较大的面积形成。因此，由驱动发光元件的驱动电流产生的电磁噪声有可能进入与受光元件电连接的外部连接端子24，从而产生发光元件侧与受光元件侧的电串扰。
在第4实施例的测量传感器用封装件12C中，通过配置上述的背面接地导体层27，能够抑制由驱动发光元件的驱动电流所产生的电磁噪声进入与受光元件电连接的外部连接端子24，减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰，由此能够进行高精度的测量。
此外，由驱动发光元件的驱动电流所产生的电磁噪声向盖体3传播并被盖体3反射的电磁噪声有可能进入受光元件侧，从而产生发光元件侧与受光元件侧的电串扰。在第4实施方式的测量传感器用封装件12C中，通过设置上述的表面接地导体层28，抑制了被盖体3反射的电磁噪声进入受光元件侧。
此外，在测量传感器用封装件12C中，在侧视透视时，除了配置于第1底面200与第1阶梯面202之间的第1内部接地导体层25A以外，还在基体主体20的另一个主面(第2面)22与第1底面200之间配置有第1内部接地导体层25A。测量传感器被安装于外部安装基板上进行使用，但发光元件侧所产生的电磁噪声有可能经由该外部安装基板的布线而电磁噪声进入受光元件侧，产生发光元件侧与受光元件侧的电串扰。在测量传感器用封装件12C中，由被配置于基体主体20的第2面22与第1底面200之间的第1内部接地导体层25A，抑制了在发光元件侧所产生的电磁噪声经由外部安装基板的布线而进入受光元件侧。
将上述的实施方式或者实施例组合之后的结构也是本公开的实施方式。例如，以下的结构也是本公开的实施方式，第1内部接地导体层25A在侧视透视下在第1底面200与第1阶梯面202的高度位置被配置多个、且被配置在基体主体20的第1面21与第1阶梯面202之间的高度位置，并且设置表面接地导体层28以及背面接地导体层27的至少一方。
接下来，对测量传感器用封装件12的制造方法进行说明。首先，关于基体2，通过与上述测量传感器用封装件11同样的制法来制作基体2。
另一方面，关于金属薄层5，也通过与上述测量传感器用封装件11同样的制法来形成。
(第5实施例)
接下来，对作为本实施方式的第5实施例的测量传感器120进行说明。图13是表示测量传感器120的结构的剖视图。测量传感器120包含：上述的测量传感器用封装件12、12A、12B、12C、收容于第1收容凹部20a的发光元件30、收容于第2收容凹部20b的受光元件31。在安装测量传感器用封装件12的发光元件30和受光元件31并利用键合线32与连接焊盘23a连接之后，将盖体3通过接合材料6接合于基体主体20，从而获得测量传感器120。另外，图13中，例示了包含测量传感器用封装件12的测量传感器120。
测量传感器120被安装于外部安装基板进行使用。在外部安装基板，例如还安装了控制发光元件30的发光的控制元件、根据受光元件31的输出信号来计算血流速度等的运算元件等。
另外，测量传感器120中的血流速度等的测定方法与上述测量传感器110同样，从受光元件31输出的信号通过连接焊盘23a、信号过孔导体23b，经由外部连接端子24从测量传感器120向外部安装基板输出。
在外部安装基板中，从测量传感器120输出的信号被输入至运算元件，例如能够基于作为从发光元件30射出的光的照射光的频率、作为受光元件31接收的光的散射光的频率来计算出血流速度。
本实施方式的测量传感器120将抑制发光元件侧所产生的电磁噪声进入受光元件侧的第1内部接地导体层25A形成于测量传感器用封装件12、12A、12B、12C内，由此能够减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰，能够进行高精度的测量。
(其他的实施例)
作为其他的实施例，在图8所示的测量传感器用封装件12中，通过模拟计算出被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a之间的串扰量。在本模拟中，省略了基体2、被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a、被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a、以及第1内部接地导体层25A以外的结构，并且设为基体2是完全导体。此外，被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a的形状将纵向长度设为1.0mm、将横向长度设为0.5mm，被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a的形状将纵向长度设为1.0mm、将横向长度设为0.5mm，第1内部接地导体层25A将纵向长度设为1.2mm、将横向设为0.4mm。此外，在俯视透视下，将连结被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a的中心与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a的中心的距离设为2.5mm，连结被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a的中心与第1内部接地导体层25A的中心的距离设为1.25mm。
在上述条件下，计算被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a之间的串扰量的频率依赖性。具体的计算方法如下所示。在向被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a输入了电压信号时，计算从被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a输出的电压信号，对输出的电压信号的强度相对于输入的电压信号的强度之比的对数乘以规定的系数来作为串扰量。此外，使输入电压的频率在1kHz～20kHz的范围内变化，来计算串扰量的频率依赖性。本模拟中能够判断出：串扰量的绝对值越大，则被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a的电屏蔽越被提高，被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a之间的电串扰越被抑制。
作为比较例，在除了不具有第1内部接地导体层25A以外，与实施例的测量传感器用封装件同样的测量传感器用封装件中，与实施例的模拟同样地计算出被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a之间的串扰量的频率依赖性。
图14是表示实施例以及比较例的结果。图14的(a)表示比较例的结果，图14的(b)表示实施例的结果。如图14的(a)、图14的(b)所示，在其他的实施例以及比较例中都获得串扰量不依赖于输入电压的频率的这种结果。此外，根据图14的(a)以及图14的(b)可知，在1kHz～20kHz的频带的整个区域，实施例中的串扰量小于比较例中的串扰量。
图15是表示其他的实施例以及比较例的评价结果的图。作为评价结果，使用了平均串扰量。平均串扰量设为1kHz～20kHz的整个频带的串扰量的平均值。能够评价为：平均串扰量的绝对值越小则电串扰越显著，平均串扰量的绝对值越大则电串扰越是被抑制。如图15所示，能够评价为：与比较例相比，在其他的实施例中电串扰得以抑制。
如上述，可知在实施例中通过第1内部接地导体层25A抑制了被设置于第1阶梯面202的连接焊盘23a与被设置于第2阶梯面205的连接焊盘23a之间的电串扰。
(第3实施方式)
上述图1是表示本公开的第3实施方式所涉及的测量传感器用封装件13的俯视图。图16是将图1的测量传感器用封装件13在剖切面线A-A切断的剖视图，图17是将图1的测量传感器用封装件13在剖切面线B-B切断的剖视图。
测量传感器用封装件13包含基体2以及盖体3，还包含接地导体层(也称为表层接地导体层)4、金属薄层5以及接合材料(也称为导电性接合材料)6。基体2收容发光元件以及受光元件，在基体主体20配置有信号布线导体23、外部连接端子24、第2内部接地导体层25B和接地过孔导体26。
本实施方式的测量传感器用封装件13与上述的测量传感器用封装件11的不同点在于，配置针对从外部到来的无用的电磁波具有屏蔽效果的第2内部接地导体层25B，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件11相同的参照符号，并省略详细的说明。
(第1实施例)
本实施方式的测量传感器用封装件13是与上述的测量传感器用封装件11同样的结构，可以被用于利用光的多普勒效应来测量血流等流体的流动的测量传感器。
信号布线导体23与发光元件或者受光元件电连接，传输向发光元件输入的电信号，并传输从受光元件输出的电信号。本实施方式中的信号布线导体23包含：作为与发光元件或者受光元件连接的连接部件的键合线、连接键合线的连接焊盘(也称为电极焊盘)23a、与连接焊盘23a电连接且从连接焊盘23a的正下方贯通基体主体20而延伸至作为第2面的另一个主面22的信号过孔导体23b、被配置于另一个主面22并与信号过孔导体23b电连接的外部连接端子24。外部连接端子24被设置于基体主体20的另一个主面22，通过焊料等的端子连接材料与安装了具备测量传感器用封装件13的测量传感器的外部安装基板的信号用连接端子电连接。
第2内部接地导体层25B具有导电性，被配置于基体2的电介质层间。将第2内部接地导体层25B配置于俯视透视时比第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b更靠外侧。第2内部接地导体层25B与设置于基体2的接地过孔导体26电连接，接地过孔导体26与被配置于另一个主面22的外部连接端子24电连接。外部连接端子24与外部安装基板的接地端子通过焊料等的端子连接材料进行电连接，第2内部接地导体层25B被赋予接地电位。另外，俯视透视是指从与基体2的一个主面21(另一个主面22)正交的方向透视测量传感器用封装件13整体。
第2内部接地导体层25B被配置于比第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b更靠外侧，由于针对从外部到来的无用的电磁波具有屏蔽效果，因此减少到达比第2内部接地导体层25B进一步靠内侧的信号布线导体23、受光元件、发光元件的电磁波。由此，能够减少测量时产生的噪声，使得测量精度得以提高。
在本实施方式中，如图17所示，第2内部接地导体层25B在侧视透视下被配置于第1底面200与第1阶梯面202之间(第2底面203与第2阶梯面205之间)。也就是说，第2内部接地导体层25B在俯视透视下处于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的外侧，且埋设于基体主体20内的高度位置位于第1底面200的高度与第1阶梯面202的高度之间。另外，侧视透视是指从与基体2的厚度方向正交的方向、即与俯视透视时的方向正交的方向来透视测量传感器用封装件13的整体。
在本实施方式中，由于第2内部接地导体层25B被配置于上述这种的高度位置的范围内，因此第2内部接地导体层25B位于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b中收容的发光元件以及受光元件的侧方。通过配置在这种高度位置，本实施方式的第2内部接地导体层25B特别能够防止从外部到来的电磁波到达发光元件以及受光元件，能够减少在发光元件以及受光元件的内部电路产生的噪声。在本实施方式中，只要是上述这种的高度位置的范围内即可，也可以多个第2内部接地导体层25B被配置在不同的高度位置。
外部连接端子24为了提高与焊料等接合材料的浸润性，并提高耐蚀性，例如可以通过镀覆法依次附着厚度为0.5～10μm的镍层和厚度为0.5～5μm的金层。
盖体3覆盖基体主体20的一个主面(基体2的第1面)21，通过接合材料6而接合于基体2的一个主面21。
在具备本实施方式的测量传感器用封装件13的测量传感器中，在使例如作为被测量物的手指触碰盖体3的表面的状态下，向手指照射从发光元件射出的光。在测量传感器用封装件13中，也与上述测量传感器用封装件11同样，由绝缘材料构成盖体3，从而能够抑制无用的电荷通过盖体3而流入。
接地导体层4是被配置于基体主体20的一个主面21的金属化层，被设置于包围受光元件被收容的第2收容凹部20b的开口。接地导体层4例如可以外形沿着基体主体20的一个主面21的外形而矩形状，也可以是除此以外的圆形状、多边形状等。在本实施方式中，将接地导体层4的外形状设为矩形状。此外，由于接地导体层4包围第2收容凹部20b的开口，因此是设置有至少与开口同形状或者大于开口的贯通孔的金属化层。
接地导体层4例如连接于被设置在基体2的接地过孔导体26或者后述的接合材料6等，从而被赋予接地电位。在基体主体20的一个主面21设置接地导体层4，设置于基体2的表面的接地导体层4与下述的金属薄层5通过接合材料6被电连接。其结果，也能够对金属薄层5赋予接地电位，金属薄层5作为与外部带电体(特别是手指等的测定物)的电气上的屏蔽件发挥作用，能够抑制向受光元件31的噪声混入。
这样，通过设置金属薄层5，能够抑制光学噪声以及电噪声带来的影响，能够提高测量精度。另外，金属薄层5可以与接地导体层4电连接，被赋予接地电位。此外，在本实施方式中，金属薄层5的外形与接地导体层4的外形是相同的大小，但也可以不同。
在本实施方式中，接地导体层4和金属薄层5在俯视透视下分别被配置于比设置为环状的接合材料6的外缘更靠内侧的区域。也就是说，接地导体层4以及金属薄层5的一部分介于基体主体20的一个主面21与盖体3的对置面3a之间。并且，盖体3与基体2通过接合材料6在整周被直接接合。另外，接合材料6也可以被配置为一部分与接地导体层4、金属薄层5重合。
在基体2与盖体3的接合处，在不存在接地导体层4以及金属薄层5的位置，能够提高基体2与盖体3的接合强度，能够防止盖体3的剥离等。
(第2实施例、第3实施例)
接下来，对本实施方式的其他的实施例进行说明。图18是与图17所示的剖视图对应的第2实施例的测量传感器用封装件13A的剖视图，图19是与图17所示的剖视图对应的第3实施例的测量传感器用封装件13B的剖视图。
第2实施例的测量传感器用封装件13A相对于上述的测量传感器用封装件13的不同点在于，还具有底部接地导体层27a，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件13相同的参照符号并省略详细的说明。
底部接地导体层27a与接地电位连接，是在基体主体20的、第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的第1底面200以及第2底面203与另一个主面22之间遍及大致整面被配置的全接地层。底部接地导体层27a与接地过孔导体26在基体主体20的内部被电连接，被赋予接地电位。
测量传感器被安装于外部安装基板上进行使用，但是由该外部安装基板的布线中流动的信号等引起的电磁波有可能从基体主体20的另一个主面22侧进入测量传感器用封装件13内，在信号布线导体23流动的信号中混入噪声。
通过设置底部接地导体层27a，并且底部接地导体层27a位于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b与外部安装基板之间，作为电磁屏蔽件发挥功能。
本实施方式的测量传感器用封装件13B与上述的测量传感器用封装件13的第2内部接地导体层25B被配置于基体主体20内的高度位置不同，由于其他部分是同样的结构，因此对于同样的结构赋予与测量传感器用封装件13相同的参照符号并省略详细的说明。
在本实施方式的测量传感器用封装件13B中，第2内部接地导体层25B在侧视透视下被配置于一个主面(第1面)21与第1阶梯面202之间(一个主面(第1面)21与第2阶梯面205之间)。也就是说，第2内部接地导体层25B在俯视透视下位于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的外侧。并且埋设于基体主体20内的高度位置位于一个主面21与第1阶梯面202的高度之间。
在本实施方式中，由于第2内部接地导体层25B被配置于上述这种的高度位置，因此第2内部接地导体层25B位于与第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b中收容的发光元件以及受光元件分别连接的键合线的侧方。通过被配置于这种的高度位置，本实施方式的第2内部接地导体层25B特别地能够防止从外部到来的电磁波到达键合线，减少在键合线产生的噪声。在本实施方式中，只要是上述这种高度位置的范围内，也可以多个第2内部接地导体层25B被配置于不同的高度位置。
第2内部接地导体层25B的形状可以是例如图20～图22的俯视透视图所示那样的带状或者布线状，但是只要俯视透视下被配置于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的外侧即可，其形状以及大小等没有特别限定。另外，在图20～图22中，第2内部接地导体层25B1～25B3为了容易理解而赋予阴影来进行表示。
例如，在图20所示的方式中，第2内部接地导体层25B1在俯视透视时被配置为沿着基体2的一个主面21的四边的环状。通过配置为环状，第2内部接地导体层25B1针对从测量传感器用封装件13的全部方位到来的电磁波发挥电磁屏蔽效果。
例如，在图21所示的方式中，第2内部接地导体层25B2在俯视透视时被设置为沿着基体2的一个主面21的长边的二根平行的布线状。第2内部接地导体层25B2特别地针对从长边侧到来的电磁波发挥电磁屏蔽效果。
例如，在图22所示的方式中，第2内部接地导体层25B3在俯视透视时被设置为沿着基体2的一个主面21的短边的二根平行的布线状。第2内部接地导体层25B3特别地针对从短边侧到来的电磁波发挥电磁屏蔽效果。
第2内部接地导体层25B在上述的第1实施例～第3实施例中都仅仅受到基于其他布线以及凹部等的配置位置的设计上的制约，特别地其形状、大小没有限定。作为一例而示出的图20～图22的第2内部接地导体层25B1～25B3能够针对第1实施例～第3实施例的任意实施方式适用。
进而，组合了第1实施例～第3实施例的结构也是本公开的实施方式。例如，第2内部接地导体层25B可以是如下结构：在侧视透视下，被配置于第1底面200与第1阶梯面202之间的高度位置，并且在侧视透视下也被配置于一个主面21与第1阶梯面202之间的高度位置。这种结构中还可以具备底部接地导体层27a。此外，也可以如第2实施例那样，第2内部接地导体层25B2在侧视透视下被配置于一个主面21与第1阶梯面202之间的高度位置，还具备底部接地导体层27a。
对测量传感器用封装件13的制造方法进行说明。首先，关于基体2，通过与上述测量传感器用封装件11同样的制法来制作基体2。
另一方面，对于金属薄层5，也通过与上述测量传感器用封装件11同样的制法来形成。
(第4实施例)
接下来，对作为本实施方式的第4实施例的测量传感器130进行说明。图23是表示测量传感器130的结构的剖视图。测量传感器130包含：上述的测量传感器用封装件13、13A、13B、收容于第1收容凹部20a的发光元件30、和收容于第2收容凹部20b的受光元件31。、安装测量传感器用封装件13的发光元件30和受光元件31，利用键合线32与连接焊盘23a连接之后，将盖体3通过接合材料6而与基体主体20接合，从而获得测量传感器130。
测量传感器130被安装于外部安装基板进行使用。在外部安装基板，例如还安装控制发光元件30的发光的控制元件、基于受光元件31的输出信号来计算血流速度等的运算元件等。
另外，测量传感器130中的血流速度等的测定方法与上述测量传感器120同样，从受光元件31输出的信号通过连接焊盘23a、信号过孔导体23b，经由外部连接端子24而从测量传感器130输出至外部安装基板。
在外部安装基板，从测量传感器130输出的信号被输入至运算元件，例如能够基于作为从发光元件30射出的光的照射光的频率和作为受光元件31接收的光的散射光的频率来计算血流速度。
此外，与第2内部接地导体层25B连接的接地过孔导体26被设置为从接合材料6至外部连接端子24进行连接，接地过孔导体26将作为被测量物之一的人的手指接触测量传感器时放出的电荷从基体主体20的一个主面21引导至基体主体20的另一个主面22，放出至外部。
通过接地过孔导体26在测量传感器用封装件13内形成从人放出的电荷容易流动的路径，并将电荷引导至该路径而使电荷向外部逃脱，防止了电噪声产生。
(第4实施方式)
上述图1是表示本公开的第4实施方式所涉及的测量传感器用封装件14的俯视图。图24是将图1的测量传感器用封装件14在剖切面线B-B切断的剖视图。作为本实施方式所涉及的测量传感器用封装件14的特征，在上述第1实施方式的测量传感器用封装件11中，追加了第2实施方式中的第1内部接地导体层25A和第3实施方式中的第2内部接地导体层25B。
如上述，测量传感器用封装件14是将上述的测量传感器用封装件12和测量传感器用封装件13合并而得到的，配置有上述的用于屏蔽电磁噪声的第1内部接地导体层25A，并且配置有用于屏蔽从外部到来的无用电磁波的第2内部接地导体层25B。另外，对于与测量传感器用封装件12或者测量传感器用封装件13同样的结构赋予相同的参照符号，并省略详细的说明。
本实施方式的测量传感器用封装件14可以是与上述的测量传感器用封装件12、13同样的结构，被用于利用光的多普勒效应来测量血流等流体的流动的测量传感器。
第1内部接地导体层25A具有导电性，被配置于基体2的电介质层间。内部接地导体层25在俯视透视时被配置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间，并且被配置于比第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b更靠外侧。
也就是说，第1内部接地导体层25A被配置于发光元件侧所产生的电磁噪声向受光元件侧传播的路径上，能够有效地抑制在发光元件侧产生的电磁噪声通过基体主体20的将第1收容凹部20a与第2收容凹部20b隔开的部位而进入受光元件侧。由此，能够有效地减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰。
进而，由于第2内部接地导体层25B被配置于比第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b更靠外侧，能够针对从外部到来的无用电磁波具有屏蔽效果，因此减少到达比第2内部接地导体层25B进一步靠内侧的信号布线导体23、受光元件、发光元件的电磁波。由此，能够减少测量时产生的噪声，还能够提高测量精度。
第1内部接地导体层25A以及第2内部接地导体层25B的形状可以是例如图25的俯视透视图所示那样的带状或者布线状，但是只要在俯视透视下被配置于第1收容凹部20a与第2收容凹部20b之间、且被配置于第1收容凹部20a以及第2收容凹部20b的外侧即可，其形状以及大小等没有特别限定。另外，在图25中，第1内部接地导体层25A以及第2内部接地导体层25B为了容易理解而赋予阴影进行表示。另外，图25中作为第2内部接地导体层25B的具体例而示出了第2内部接地导体层25B1。
例如，在图25所示的方式中，第1内部接地导体层25A在俯视透视时被配置于与连结第1收容凹部20a的重心和第2收容凹部20b的重心的方向交叉的方向，并且第2内部接地导体层25B在俯视透视时被配置为沿着基体2的一个主面21的四边的环状。这样配置第1内部接地导体层25A以及第2内部接地导体层25B，能够更为有效地抑制发光元件侧所产生的电磁噪声进入受光元件侧，能够更为有效地减少发光元件侧与受光元件侧的电串扰，并且针对从测量传感器用封装件14的全部方位到来的电磁波发挥电磁屏蔽效果。
对测量传感器用封装件14的制造方法进行说明。首先，对于基体2，通过与上述测量传感器用封装件12、13同样的制法来制作基体2。
另一方面，对于金属薄层5，通过与上述测量传感器用封装件11同样的制法来形成。
接下来，对本实施方式所涉及的测量传感器140进行说明。图26是表示测量传感器140的结构的剖视图。测量传感器140包含：上述的测量传感器用封装件14、被收容于第1收容凹部20a的发光元件30、被收容于第2收容凹部20b的受光元件31。安装测量传感器用封装件14的发光元件30和受光元件31，并利用键合线32而与连接焊盘23a连接之后，将盖体3通过接合材料6接合于基体主体20，从而获得测量传感器140。
测量传感器140被安装于外部安装基板进行使用。在外部安装基板，例如还安装控制发光元件30的发光的控制元件、根据受光元件31的输出信号来计算血流速度等的运算元件等。另外，测量传感器140中的血流速度等的测定方法与上述测量传感器120、130同样，从受光元件31输出的信号通过连接焊盘23a、信号过孔导体23b，经由外部连接端子24从测量传感器140被输出至外部安装基板。
在外部安装基板，从测量传感器140输出的信号被输入至运算元件，例如，能够基于作为从发光元件30射出的光的照射光的频率、和作为受光元件31接收的光的散射光的频率来计算血流速度。
本发明在不脱离其精神或者主要特征的情况下能够以其他的各种方式实施。因此，上述实施方式的全部内容仅仅是例示，本发明的范围在权利要求书中示出，并不受说明书文本的任何约束。属于权利要求书的变形、变更全部是本发明的范围内的发明。
-符号说明-
11、11A、11B、14 测量传感器用封装件
12、12A、12B、12C 测量传感器用封装件
13、13A、13B 测量传感器用封装件
2 基体
3 盖体
3a 对置面
4 接地导体层
5 金属薄层
5a 光阑孔
6 接合材料
7 分隔部
20 基体主体
20a 第1收容凹部
20b 第2收容凹部
21 一个主面(第1面)
22 另一个主面
21a 第1边
21b 第2边
22 另一个主面(第2面)
23 信号布线导体
23a 连接焊盘
23b 信号过孔导体
24 外部连接端子
25A 第1内部接地导体层
25B 第2内部接地导体层
25B1、25B2、25B3 第2内部接地导体层
26 接地过孔导体
27 背面接地导体层
27a 底部接地导体层
28 表面接地导体层
30 发光元件
31 受光元件
32 键合线
41 接地导体层
42 盖侧接地导体层
43 表层接地导体层
110、120、130、140 测量传感器
200 第1底面
201 第1阶梯部
202 第1阶梯面
203 第2底面
204 第2阶梯部
205 第2阶梯面。

Claims (18)

1.一种测量传感器用封装件，其特征在于，包含：
基体，是多个电介质层被层叠而成的板状的基体，在第1面设有收容发光元件的第1收容凹部以及收容受光元件的第2收容凹部；
板状的盖体，覆盖所述基体的所述第1面，包含绝缘材料且具有透光性；
接合材料，沿着所述基体的所述第1面的四边被配置为环状，将所述基体的所述第1面与所述盖体的对置于所述第1面的对置面接合，具有遮光性；
接地导体层，被配置于所述基体，且被配置为包围所述第2收容凹部的开口，并且具有导电性；和
金属薄层，被配置于所述盖体，且设有限制由所述受光元件接收的光的光阑孔。
2.根据权利要求1所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件还具有：分隔部，被配置于所述基体的所述第1面的所述第1收容凹部与所述第2收容凹部之间，该分隔部是从所述基体的所述第1面的第1边向平行于该第1边的第2边延伸的带状的分隔部，且具有遮光性。
3.根据权利要求2所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述接地导体层以及所述金属薄层仅被配置于比所述分隔部更靠所述第2收容凹部侧的位置。
4.根据权利要求1至3的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
在俯视透视时，所述金属薄层覆盖所述接地导体层整体。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件还具有：第1内部接地导体层，被配置于所述基体的所述电介质层间且具有导电性，该第1内部接地导体层在俯视透视时被配置于所述第1收容凹部与所述第2收容凹部之间。
6.根据权利要求5所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第1收容凹部具有载置所述发光元件的第1底面，在所述第1收容凹部的内侧面设有第1阶梯部，该第1阶梯部具有配置与所述发光元件电连接的电极焊盘的第1阶梯面，
所述第2收容凹部具有载置所述受光元件的第2底面，在所述第2收容凹部的内侧面设有第2阶梯部，该第2阶梯部具有配置与所述受光元件电连接的电极焊盘的第2阶梯面，
所述第1底面与所述第2底面距所述第1面为等距离，
所述第1阶梯面与所述第2阶梯面距所述第1面为等距离。
7.根据权利要求6所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第1内部接地导体层在侧视透视下被配置于所述第1底面与所述第1阶梯面之间。
8.根据权利要求6所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第1内部接地导体层在侧视透视下被配置于所述第1面与所述第1阶梯面之间。
9.根据权利要求5至8的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第1内部接地导体层在俯视透视时，在与连结所述第1收容凹部的重心和所述第2收容凹部的重心的方向交叉的方向具有细长的形状。
10.根据权利要求5至9的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件包含：背面接地导体层，被配置于所述基体的与所述第1面相反的一侧的第2面，该背面接地导体层在俯视透视时被配置于所述第1收容凹部与所述第2收容凹部之间。
11.根据权利要求5至10的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件包含：表面接地导体层，被配置于所述第1面，该表面接地导体层在俯视透视时被配置于所述第1收容凹部与所述第2收容凹部之间。
12.根据权利要求1至4的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件包含：第2内部接地导体层，被配置于所述基体的所述电介质层间且具有导电性，该第2内部接地导体层在俯视透视时被配置于比所述第1收容凹部以及所述第2收容凹部更靠外侧的位置。
13.根据权利要求12所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第1收容凹部具有载置所述发光元件的第1底面，在所述第1收容凹部的内侧面设有第1阶梯部，该第1阶梯部具有配置与所述发光元件电连接的电极焊盘的第1阶梯面，
所述第2收容凹部具有载置所述受光元件的第2底面，在所述第2收容凹部的内侧面设有第2阶梯部，该第2阶梯部具有配置与所述受光元件电连接的电极焊盘的第2阶梯面，
所述第1底面与所述第2底面距所述第1面为等距离，
所述第1阶梯面与所述第2阶梯面距所述第1面为等距离。
14.根据权利要求13所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第2内部接地导体层在侧视透视下被配置于所述第1底面与所述第1阶梯面之间。
15.根据权利要求13所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第2内部接地导体层在侧视透视下被配置于所述第1面与所述第1阶梯面之间。
16.根据权利要求12至15的任意一项所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述第2内部接地导体层在俯视透视时被配置为沿着所述基体的所述第1面的四边的环状。
17.根据权利要求5所述的测量传感器用封装件，其特征在于，
所述测量传感器用封装件还包含：第2内部接地导体层，被配置于所述基体的所述电介质层间且具有导电性，该第2内部接地导体层在俯视透视时被配置于比所述第1收容凹部以及所述第2收容凹部更靠外侧的位置。
18.一种测量传感器，其特征在于，包含：
权利要求1至17的任意一项所述的测量传感器用封装件；
被收容于所述第1收容凹部的发光元件；和
被收容于所述第2收容凹部的受光元件。
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