JP7241173B2 - 素子の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る太陽電池(素子)を裏面側からみた図である。図1に示す太陽電池1は、バックコンタクト型の太陽電池である。太陽電池1は、2つの主面を備える半導体基板11を備え、半導体基板11の主面において第1領域7と第2領域8とを有する。
同様に、第2領域8は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部8fと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部8bとを有する。バスバー部8bは、半導体基板11の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿って第1方向(X方向)に延在し、フィンガー部8fは、バスバー部8bから、第2方向(Y方向)に延在する。
フィンガー部7fとフィンガー部8fとは、第1方向(X方向)に交互に設けられている。
なお、第1領域7および第2領域8は、ストライプ状に形成されてもよい。
半導体基板11は、受光面側からの入射光を吸収して光キャリア(電子および正孔)を生成する光電変換基板として機能する。
半導体基板11の材料として結晶シリコンが用いられることにより、暗電流が比較的に小さく、入射光の強度が低い場合であっても比較的高出力(照度によらず安定した出力)が得られる。
真性半導体層13,23,33は、いわゆるパッシベーション層として機能し、半導体基板11で生成されたキャリアの再結合を抑制し、キャリアの回収効率を高める。
また、半導体基板11は、結晶シリコン材料にp型ドーパント(例えば、上述したホウ素(B))がドープされたp型半導体基板であってもよい。
第1電極層27および第2電極層37は、透明電極層と金属電極層とを含んでもよいし、金属電極層のみを含んでもよい。本実施形態では、第1電極層27は、第1導電型半導体層25上に順に積層された透明電極層28と金属電極層29とを有する。第2電極層37は、第2導電型半導体層35上に順に積層された透明電極層38と金属電極層39とを有する。
透明電極層28,38は、透明な導電性材料で形成される。透明導電性材料としては、ITO(Indium Tin Oxide:酸化インジウムおよび酸化スズの複合酸化物)、ZnO(Zinc Oxide:酸化亜鉛)が挙げられる。金属電極層29,39は、銀等の金属粉末を含有する導電性ペースト材料で形成される。
次に、図3A~図3Gを参照して、図1および図2に示す本実施形態の太陽電池(素子)1の製造方法について説明する。図3Aは、本実施形態に係る太陽電池(素子)の製造方法における真性半導体層形成工程および第1半導体層材料膜形成工程を示す図であり、図3B~図3Dは、本実施形態に係る太陽電池(素子)の製造方法におけるリフトオフ層形成工程および第1半導体層形成工程を示す図である。図3Eは、本実施形態に係る太陽電池(素子)の製造方法における第2半導体層材料膜形成工程(薄膜材料膜形成工程)を示す図であり、図3Fは、本実施形態に係る太陽電池(素子)の製造方法における第2半導体層形成工程(薄膜形成工程)を示す図である。図3Gは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における保護層形成工程を示す図である。
リフトオフ層40は、酸化珪素(SiO)、窒化珪素(SiN)、または酸窒化珪素(SiON)のようなそれらの複合物等の材料で形成される。
具体的には、例えばスパッタリング法等のPVD法(物理気相成長法)を用いて、半導体基板11の裏面側の全面に、透明電極層材料膜を積層(製膜)する。その後、例えばエッチングペーストを用いたエッチング法を用いて、透明電極層材料膜の一部を除去することにより、パターン化された透明電極層28,38を形成する。透明電極層材料膜に対するエッチング溶液としては、例えば塩酸または塩化第二鉄水溶液が用いられる。
その後、例えばパターン印刷法または塗布法を用いて、透明電極層28上に金属電極層29を形成し、透明電極層38の上に金属電極層39を形成することにより、第1電極層27および第2電極層37を形成する。
以下では、第2半導体層形成工程(薄膜形成工程)における除去工程およびリンス工程として、3つの実施形態について説明する。
<<除去工程>>
除去工程において、図4A~図4Cに示すように、除去溶液槽の水面が、隔壁によって2つに仕切られている。除去工程では、半導体基板を取り出す側の除去溶液槽の水面(図4A~図4Cの左側)が、リフトオフ層を除去する側の除去溶液槽の水面(図4A~図4Cの右側)と異なる。なお、半導体基板を投入する側の除去溶液槽の水面は、どちらでもよい。
リフトオフ層の除去後、図4Cに示すように、半導体基板を、隔壁の下を通して、除去溶液槽における隔壁の左側に移動させ、除去溶液槽における隔壁の左側の水面から半導体基板を取り出す。
そのため、除去工程において、除去溶液槽から半導体基板を取り出す際に、除去(剥離)されたリフトオフ層(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)が、半導体基板の表面(特に、受光面側)に再付着することを抑制することができる。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
<<リンス工程>>
そのため、リンス工程において、リンス槽から半導体基板を取り出す際に、持ち込まれたリフトオフ層(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)が、半導体基板の表面(特に、受光面側)に再付着することを抑制することができる。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
<<除去工程>>
除去工程において、図6Aに示すように、除去溶液槽には、物体が浮遊または沈殿しており、除去したリフトオフ層(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)を、物体に付着させる。
物体は、除去溶液に耐性を有し、球状をなしていてもよい。物体が球状であると、表面積が大きくなり剥離片を多く付着させることができるという利点がある。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
或いは、リンス工程において、図6Aに示すように、リンス槽には、物体が浮遊または沈殿しており、除去したリフトオフ層(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)を、物体に付着させる。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
<<除去工程>>
除去工程において、図7に示すように、除去溶液槽の内壁近傍には、プラスのゼータ電位を有する吸着カラムが設けられており、マイナスに帯電している除去したリフトオフ層(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)を、吸着カラムに吸着させる。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
或いは、リンス工程において、図7に示すように、リンス槽の内壁近傍には、プラスのゼータ電位を有する吸着カラムが設けられており、マイナスに帯電している除去したリフトオフ層または薄膜の材料膜(または、真性半導体層材料膜(薄膜材料膜)33Z、第2導電型半導体層材料膜(薄膜材料膜)35Z)(剥離片)を、吸着カラムに吸着させる。
したがって、本実施形態の太陽電池(素子)の製造方法によれば、リフトオフ法を利用して製造プロセスの簡略化を行っても、太陽電池(素子)の性能低下、信頼性低下、および太陽電池(素子)の美観が損なわれることを抑制することができる。
7 第1領域
7b,8b バスバー部
7f,8f フィンガー部
8 第2領域
11 半導体基板
13 真性半導体層
15 保護層
23 真性半導体層
23Z 真性半導体層材料膜
25 第1導電型半導体層
25Z 第1導電型半導体層材料膜
27 第1電極層
28,38 透明電極層
29,39 金属電極層
33 真性半導体層
33Z 真性半導体層材料膜
35 第2導電型半導体層
35Z 第2導電型半導体層材料膜
37 第2電極層
40 リフトオフ層(犠牲層)
90 マスク
Claims (4)
- リフトオフ法を用いて、基板の主面の一部に、パターン化された薄膜を形成した素子の製造方法であって、
前記基板の主面の他の一部に、リフトオフ層を形成するリフトオフ層形成工程と、
前記基板の前記他の一部における前記リフトオフ層の上および前記基板の前記一部に、前記薄膜の材料膜を形成する薄膜材料膜形成工程と、
前記リフトオフ層を除去することにより、前記基板の前記他の一部における前記薄膜の材料膜を除去し、前記基板の前記一部に、パターン化された前記薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を含み、
前記薄膜形成工程は、
前記基板を、前記リフトオフ層を除去する除去溶液槽に投入して前記リフトオフ層を除去する除去工程と、
前記基板をリンス槽に投入して前記基板の表面をリンスするリンス工程と、
を含み、
前記除去溶液槽には、物体が浮遊または沈殿しており、前記除去工程では、除去したリフトオフ層または薄膜の材料膜を前記物体に付着させる、または、
前記リンス槽には、物体が浮遊または沈殿しており、前記リンス工程では、除去したリフトオフ層または薄膜の材料膜を前記物体に付着させる、
素子の製造方法。 - 前記物体は、除去溶液に耐性を有し、球状をなす、請求項1に記載の素子の製造方法。
- 前記除去工程では、除去溶液を対流させる、または、
前記リンス工程では、リンス溶液を対流させる、
請求項1または2に記載の素子の製造方法。 - 前記素子は、バックコンタクト型の太陽電池である、請求項1~3のいずれか1項に記載の素子の製造方法。
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