JP7236347B2 - 溶射膜被覆部材の製造方法 - Google Patents
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本発明は、主に半導体製造装置に用いられる構造部材としての基材の表面を覆う酸化物系セラミックス溶射膜を備えた溶射膜被覆部材の製造方法に関する。
半導体製造プロセスにおいては耐プラズマ性の高い素材としてイットリア（Ｙ2Ｏ3）が選択されてきた。しかし、Ｙ2Ｏ3は、バルク体の作製が困難なため、大きな寸法の構成部材とするには窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の基材に溶射によりコーティングする手段が用いられていた。
例えば、ＡｌＮ焼結体の表面に形成された酸化処理層上に、Ｙ2Ｏ3からなる溶射被膜を形成した溶射被膜を有するＡｌＮ焼結体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。酸化処理層の厚さは０．１～１０μｍ程度が好ましく、例えば１０００～１５００℃でＡｌＮ焼結体を加熱する手段により当該酸化処理層が形成されることが開示されている。また、ＡｌＮ焼結体を粗面化することで溶射被膜との密着性が向上する旨の記載がある。
しかし、ＡｌＮ焼結体にＹ2Ｏ3を溶射によりコーティングする場合、高い密着力を得ることは容易ではなかった。
そこで、本発明は、ＡｌＮ焼結体からなる基材に対してＹ2Ｏ3等の酸化物系セラミックス溶射膜の密着強度の向上を図りうる、溶射膜被覆部材の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、窒化アルミニウム焼結体からなる基材と、前記基材の被溶射面を被覆する酸化物系セラミックス溶射膜と、を備えている溶射膜被覆部材の製造方法に関する。
本発明の溶射膜被覆部材の製造方法は、表面粗さＲａが０．０５～１μｍの範囲に含まれている前記被溶射面を有する前記基材を準備する工程と、前記基材の被溶射面に非酸化性ガスプラズマを照射する工程と、前記基材の被溶射面に粒子径Ｄ５０が０．５～６μｍの範囲に含まれる酸化物系セラミックス原料粉末および水系の溶媒から調整されたスラリーを、非酸化性ガスを用いてプラズマ溶射することにより、前記酸化物系セラミックス溶射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体からなる基材に対して、水系の溶媒および酸化物系セラミックスから調整されたスラリーがプラズマ溶射される。スラリーを構成する酸化物系セラミックスがプラズマで溶融したうえで基材の上において固化するが、ＡｌＮは水と反応し分解しやすいためスラリーに含まれる水分がＡｌＮと反応してＡｌ－Ｎ－Ｏ－またはＡｌ－Ｏ－の結合手が生じ、これに酸化物系セラミックスの構成元素が化学結合してその後で酸化物系セラミックス溶射膜（以下、単に「溶射膜」という場合がある。）が成膜されていくと推察される。
すなわち、基材の被溶射面に非酸化性ガスプラズマが照射された後に水系の溶媒を含むスラリーがプラズマ溶射されることにより、従来の溶融－固化による堆積のメカニズムに更にＡｌＮと酸化物系セラミックスとの境界において化学的な反応が作用して強固に結合し、成膜されることを発見した。
従来は、一般に基材の被溶射面の表面粗さを大きくして溶融－固化時のアンカー効果を作用させることによって溶射膜を固定化させる必要があった。これに対して、本発明によれば、化学的な結合がより大きく作用するため、基材の被溶射面の表面粗さを大きくするための表面処理の必要がなく、粗すとむしろスラリー中に分散している酸化物系セラミックス粒子の粒子径が小さいため、基材の表面粗さの狭隘部に溶融粒子が侵入して固化しても十分なアンカー効果が発揮されず溶射膜の剥離の原因となっていた。本発明のように、被溶射面の表面粗さＲａが１μｍ以下と小さくかつ原料粉末の粒子径が小さい場合は、原料粉末の溶融粒子が被溶射面の粗さ曲線の凹凸に侵入する効果は小さいものの、基材の表面に残存する数μｍ以下の小径のボイドに溶融粒子が侵入し微視的なアンカー効果は発揮されているものと推定される。
酸化物系セラミックスとしては、例えば、イットリア（Ｙ2Ｏ3）もしくは酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）等の希土類酸化物、ＹＯＦもしくはＹ2Ｏ5Ｆ4等の酸フッ化物、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはこれらの混合物が挙げられる。
本発明の溶射被覆部材の製造方法において、前記酸化物系セラミックスは酸化イットリウムであることが好ましい。本発明の溶射被覆部材の製造方法において、前記酸化物系セラミックス溶射膜の上に酸化アルミニウム溶射膜を形成することが好ましい。これにより、溶射被覆部材の表面の強度を向上させることができる。
本発明の一実施形態としての溶射被覆部材の製造方法によれば、まず、基材準備工程において、表面粗さＲａが０．０５～１μｍの範囲に含まれている被溶射面１０を有するＡｌＮ焼結体からなる基材１が準備される（図１／ＳＴＥＰ０２（図２参照））。原料粉末としてのＡｌＮ粉末および焼結助剤粉末の混合粉末が成形されることでＡｌＮ成形体が作製される。次に、ＡｌＮ成形体が焼成されることによりＡｌＮ焼結体が作製される。ホットプレス法にしたがってＡｌＮ成形体が焼成されてもよい。
例えば、焼成温度は１６５０～１９５０℃の温度範囲、より好ましくは１７５０～１９００℃の温度範囲に含まれるように調節される。焼成時間（焼成温度の保持時間）は、２～１０時間の時間範囲に含まれるように調節される。焼成時のプレス圧力は、１～１５ＭＰａの圧力範囲に含まれるように調節される。基材１の一方の主面としての被溶射面１０の表面粗さＲａが０．０５～１μｍの範囲に含まれるように基材１の被溶射面１０に対して表面処理が施される。
続いて、プラズマ照射工程において、例えば第１プラズマ溶射機が用いられて基材１の被溶射面１０に非酸化性ガスプラズマが照射される（図１／ＳＴＥＰ０４）。非酸化性ガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈ2ガスもしくはＮ2ガスまたはこれらの任意の組み合わせの混合ガスが用いられる。
そして、プラズマ溶射工程において、基材１の被溶射面１０に粒子径Ｄ５０が０．５～６μｍの範囲に含まれる酸化物系セラミックス原料粉末および水系溶媒から調整されたスラリーが、チューブポンプを介してノズルに供給されたのちに非酸化性ガスを用いて、第２プラズマ溶射機が用いられてプラズマ溶射される（図１／ＳＴＥＰ０６）。ここで用いられる非酸化性ガスは、プラズマ照射工程において用いられる非酸化性ガスと同一であってもよく、相違していてもよい。第１プラズマ溶射機および第２プラズマ溶射機として共通のプラズマ溶射機が用いられる場合、プラズマ照射工程およびプラズマ溶射工程が、当該共通のプラズマ溶射機において基材１を搬送する必要なく連続的に実施されうる。第１プラズマ溶射機および第２プラズマ溶射機は別個のプラズマ溶射機であってもよい。
これらの結果、図２に示されているように、基材１の被溶射面１０を被覆する当該スラリー由来の酸化物系セラミックス溶射膜２が形成される。酸化物系セラミックス溶射膜２の厚さは５０～５００μｍに調節されることが好ましい。溶射膜２の厚さが５０μｍ未満であると当該溶射膜２の耐プラズマ性が低下し、溶射膜２の厚さが５００μｍを超えると当該溶射膜２の内部応力が大きくなり密着力の低下または剥離が生じるためである。酸化物系セラミックス溶射膜２の気孔率は１～５％に調節されることが好ましい。
また、プラズマ溶射工程が複数回にわたり繰り返されてもよい。例えば、図３に示されているように、第１のプラズマ溶射工程により基材１の被溶射面１０を被覆する第１酸化物系セラミックス溶射膜２１が形成された後、第２のプラズマ溶射工程により第１酸化物系セラミックス溶射膜２１の被溶射面１０を被覆する第２酸化物系セラミックス溶射膜２２が形成されてもよい。
（実施例）
（実施例１）
（基材準備工程）
５ｗｔ％でＹ2Ｏ3が添加されたＡｌＮ原料粉末が、ＣＩＰ（冷間等方圧加圧）成形法にしたがって１ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧成形されることにより成形体が作製された。成形体が矩形板状に加工されたうえでＮ2雰囲気において、１８００℃において４時間にわたり常圧焼成されることにより焼結体が作製された。焼結体が縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚さ５ｍｍの略矩形板状（または略正方形板状）になるように加工された。また、焼結体の一方の主面が研削砥石が用いられてその表面粗さＲａが０．４８μｍになるように研削加工された。これにより、当該研削加工面を被溶射面１０として有する基材１が作製された。
５ｗｔ％でＹ2Ｏ3が添加されたＡｌＮ原料粉末が、ＣＩＰ（冷間等方圧加圧）成形法にしたがって１ｔｏｎ／ｃｍ2で静水圧成形されることにより成形体が作製された。成形体が矩形板状に加工されたうえでＮ2雰囲気において、１８００℃において４時間にわたり常圧焼成されることにより焼結体が作製された。焼結体が縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ×厚さ５ｍｍの略矩形板状（または略正方形板状）になるように加工された。また、焼結体の一方の主面が研削砥石が用いられてその表面粗さＲａが０．４８μｍになるように研削加工された。これにより、当該研削加工面を被溶射面１０として有する基材１が作製された。
（プラズマ照射工程）
第１の高速プラズマ溶射機が用いられて非酸化性ガスプラズマが基材１の被溶射面１０に対して照射された。非酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｈ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。
第１の高速プラズマ溶射機が用いられて非酸化性ガスプラズマが基材１の被溶射面１０に対して照射された。非酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｈ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。
第１の高速プラズマ溶射機を構成するノズルに対する印加電流が２５０Ａに制御されることにより、当該ノズルへの供給電力が６５ｋＷに調節された。ノズルの先端と基材１の被溶射面１０との間隔が７５ｍｍに調節された。基材１に対するノズルの走査速度または変位速度が８５０ｍｍ／ｓに調節された。これにより、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスのプラズマが生成され、当該プラズマがノズルの先端から基材１の被溶射面１０に対して照射または噴射された。
（プラズマ溶射工程）
第１の高速プラズマ溶射機がそのまま第２の高速プラズマ溶射機として用いられてＹ2Ｏ3スラリーが非酸化性ガスを用いて基材１の被溶射面１０に対してプラズマ溶射された。粒子径Ｄ５０が３μｍである純度９９．９％以上のＹ2Ｏ3原料粉末３００ｇと、水７００ｇと、によりＹ2Ｏ3スラリーが調整された。非酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｈ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。これにより、溶射速度が６００～７００ｍｍ／ｓに制御された。
第１の高速プラズマ溶射機がそのまま第２の高速プラズマ溶射機として用いられてＹ2Ｏ3スラリーが非酸化性ガスを用いて基材１の被溶射面１０に対してプラズマ溶射された。粒子径Ｄ５０が３μｍである純度９９．９％以上のＹ2Ｏ3原料粉末３００ｇと、水７００ｇと、によりＹ2Ｏ3スラリーが調整された。非酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｈ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。これにより、溶射速度が６００～７００ｍｍ／ｓに制御された。
第２の高速プラズマ溶射機を構成するノズルに対する印加電流が２５０Ａに制御されることにより、当該ノズルへの供給電力が６５ｋＷに調節された。ノズルの先端と基材１の被溶射面１０との間隔が７５ｍｍに調節された。基材１に対するノズルの走査速度または変位速度が８５０ｍｍ／ｓに調節された。これにより、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＨ2ガスの混合ガスのプラズマが生成され、当該プラズマにより溶融された原料粉末がノズルの先端から基材１の被溶射面１０に対して噴射された。これにより、基材１の被溶射面１０が溶射膜２により被覆されている実施例１の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例２）
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．７０μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例２の溶射膜被覆部材が形成された。
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．７０μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例２の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例３）
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．９７μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例３の溶射膜被覆部材が形成された。
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．９７μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例３の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例４）
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．１２μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例４の溶射膜被覆部材が形成された。
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において被溶射面１０の表面粗さＲａが０．１２μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例４の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例５）
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において焼結体の一方の主面が研削加工され たうえで砥粒を用いた研磨加工がされることにより被溶射面１０の表面粗さＲａが０．０６μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例５の溶射膜被覆部材が形成された。
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において焼結体の一方の主面が研削加工され たうえで砥粒を用いた研磨加工がされることにより被溶射面１０の表面粗さＲａが０．０６μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例５の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例６）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が０．５μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがっ て、実施例６の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が０．５μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがっ て、実施例６の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例７）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が１．０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例７の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が１．０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例７の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例８）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が４．５μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例８の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が４．５μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例８の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例９）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が６．０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例９の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が６．０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例９の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例１０）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）においてＡｌ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例１０の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）においてＡｌ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例１０の溶射膜被覆部材が形成された。
（実施例１１）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）においてＹ3Ａｌ5Ｏ12（ＹＡＧ）原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例１１の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）においてＹ3Ａｌ5Ｏ12（ＹＡＧ）原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、実施例１１の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例）
（比較例１）
プラズマ照射工程（図１／ＳＴＥＰ０４参照）が省略されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例１の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ照射工程（図１／ＳＴＥＰ０４参照）が省略されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例１の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例２）
プラズマ照射工程（図１／ＳＴＥＰ０４参照）において酸化性ガスプラズマが用いられた。酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＯ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｏ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。これ以外は、実施例１と同一条件にしたがって、比較例２の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ照射工程（図１／ＳＴＥＰ０４参照）において酸化性ガスプラズマが用いられた。酸化性ガスとして、Ａｒガス、Ｎ2ガスおよびＯ2ガスの混合ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＡｒガスの供給量が１００ｌ／ｍｉｎに制御され、Ｎ2ガスの供給量７０ｌ／ｍｉｎに制御され、かつ、Ｏ2ガスの供給量が７０ｌ／ｍｉｎに制御された。これ以外は、実施例１と同一条件にしたがって、比較例２の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例３）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において湿式溶射ではなく乾式溶射が採用された。粒径Ｄ５０が３０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末または顆粒が用いられ、キャリアガスとしてＯ2ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＯ2ガスの供給量が５ｌ／ｍｉｎに制御された。溶射原料速度が２５０～３００ｍ／ｓに制御された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において湿式溶射ではなく乾式溶射が採用された。粒径Ｄ５０が３０μｍのＹ2Ｏ3原料粉末または顆粒が用いられ、キャリアガスとしてＯ2ガスが用いられた。溶射機を構成するノズルに対するＯ2ガスの供給量が５ｌ／ｍｉｎに制御された。溶射原料速度が２５０～３００ｍ／ｓに制御された。
第２の高速プラズマ溶射機を構成するノズルに対する印加電流が１００～１１０Ａの範囲で制御されることにより、当該ノズルへの供給電力が５０～６０ｋＷに調節された。ノズルの先端と基材１の被溶射面１０との間隔が８０ｍｍに調節された。基材１に対するノズルの走査速度または変位速度が１００～１０００ｍｍ／ｓの範囲に含まれるように調節された。
これら以外は、実施例１と同一条件にしたがって、比較例３の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例４）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において水ではなくエタノールを溶媒としてスラリーが調整された。これ以外は、実施例１と同一条件にしたがって、比較例４の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において水ではなくエタノールを溶媒としてスラリーが調整された。これ以外は、実施例１と同一条件にしたがって、比較例４の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例５）
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において焼結体の一方の主面をサンドブラス ト加工することにより被溶射面１０の表面粗さＲａが１．９μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例５の溶射膜被覆部材が形成された。
基材準備工程（図１／ＳＴＥＰ０２参照）において焼結体の一方の主面をサンドブラス ト加工することにより被溶射面１０の表面粗さＲａが１．９μｍの基材１が準備されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例５の溶射膜被覆部材が形成された。
（比較例６）
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が９μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例６の溶射膜被覆部材が形成された。
プラズマ溶射工程（図１／ＳＴＥＰ０６参照）において粒径Ｄ５０が９μｍのＹ2Ｏ3原料粉末が用いられてスラリーが調整されたほかは、実施例１と同一条件にしたがって、比較例６の溶射膜被覆部材が形成された。
各実施例および各比較例の溶射膜被覆部材を構成する溶射膜２の厚さが渦電流膜厚計により測定された。各実施例および各比較例の溶射膜被覆部材を構成する基材１および溶射膜２の密着力がＪＩＳ Ｈ８４０２に準拠して基材１に溶射膜２が形成されたφ２５ｍｍの試験片を用いて測定された。表１には、各実施例および各比較例の溶射膜被覆部材の当該測定結果が製造条件とともに示されている。
表１から、実施例１～１１の溶射膜被覆部材によれば、（１）基材１の被溶射面１０表面粗さＲａが０．０５～１μｍの範囲に含まれていること、（２）基材１の被溶射面１０に非酸化性ガスプラズマが照射されていること、および（３）基材１の被溶射面１０に粒子径Ｄ５０が０．５～６μｍの範囲に含まれる酸化物系セラミックス原料粉末および水系の溶媒から調整されたスラリーが、非酸化性ガスをキャリアとしてプラズマ溶射されることにより酸化物系セラミックス溶射膜２が成膜されている。これにより、実施例１～１１の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が８．２～１８．５ＭＰａであることがわかる。
その一方、表１から、各比較例１～６の溶射膜被覆部材は、各実施例１～１１の溶射被覆部材のいずれよりも、基材１および溶射膜２の密着力が低いことがわかる。
基材１の被溶射面１０にガスプラズマが照射されないまま原料粉末スラリーがプラズマ溶射されて得られた比較例１の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が１．２ＭＰａであった。基材１の被溶射面１０に非酸化性ガスプラズマではなく酸化性ガスプラズマが照射されたうえで原料粉末スラリーがプラズマ溶射されて得られた比較例２の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が４．７ＭＰａであった。基材１の被溶射面１０に湿式溶射ではなく乾式溶射が実施されて得られた比較例３の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が０．７ＭＰａであった。基材１の被溶射面１０に水ではなくエタノールを溶媒として調整されたスラリーがプラズマ溶射されて得られた比較例４の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が１．３ＭＰａであった。表面粗さＲａが１．９μｍであって０．０５～１．０μｍから外れている基材１の被溶射面１０に原料粉末スラリーがプラズマ溶射されて得られた比較例５の溶射膜被覆部材によれば、基材１および溶射膜２の密着力が４．２ＭＰａであった。粒径Ｄ５０が９μｍであって０．５～６．０μｍの範囲から外れている原料粉末から調整されたスラリーがプラズマ溶射されて得られた比較例６の溶射膜被覆部材によれば、溶射膜２が割れてしまい基材１にそもそも密着しなかった。
１‥基材、２‥酸化物系セラミックス溶射膜、１０‥被溶射面、２１‥第１酸化物系セラミックス溶射膜、２２‥第２酸化物系セラミックス溶射膜。
Claims (3)
- 窒化アルミニウム焼結体からなる基材と、前記基材の被溶射面を被覆する酸化物系セラミックス溶射膜と、を備えている溶射膜被覆部材の製造方法であって、
表面粗さＲａが０．０５～１μｍの範囲に含まれている前記被溶射面を有する前記基材を準備する工程と、
前記基材の被溶射面に非酸化性ガスプラズマを照射する工程と、
前記基材の被溶射面に粒子径Ｄ５０が０．５～６μｍの範囲に含まれる酸化物系セラミックス原料粉末および水系の溶媒から調整されたスラリーを、非酸化性ガスを用いてプラズマ溶射することにより、前記酸化物系セラミックス溶射膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする溶射被覆部材の製造方法。 - 前記酸化物系セラミックスは酸化イットリウムであることを特徴とする請求項１に記載の溶射被覆部材の製造方法。
- 前記酸化物系セラミックス溶射膜の上に酸化アルミニウム溶射膜を形成することを特徴とする請求項２に記載の溶射被覆部材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019144563A JP7236347B2 (ja) | 2019-08-06 | 2019-08-06 | 溶射膜被覆部材の製造方法 |
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