JP6659073B1 - 成膜用又は焼結用粉末 - Google Patents

成膜用又は焼結用粉末 Download PDF

Info

Publication number
JP6659073B1
JP6659073B1 JP2019556301A JP2019556301A JP6659073B1 JP 6659073 B1 JP6659073 B1 JP 6659073B1 JP 2019556301 A JP2019556301 A JP 2019556301A JP 2019556301 A JP2019556301 A JP 2019556301A JP 6659073 B1 JP6659073 B1 JP 6659073B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
peak
powder
film
less
cubic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019556301A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2020217552A1 (ja
Inventor
賢人 松倉
賢人 松倉
誠治 森内
誠治 森内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Yttrium Co Ltd
Original Assignee
Nippon Yttrium Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=69997956&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP6659073(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nippon Yttrium Co Ltd filed Critical Nippon Yttrium Co Ltd
Priority claimed from PCT/JP2019/028954 external-priority patent/WO2020217552A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6659073B1 publication Critical patent/JP6659073B1/ja
Publication of JPWO2020217552A1 publication Critical patent/JPWO2020217552A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00Compounds of rare earth metals
    • C01F17/30Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6
    • C01F17/32Compounds containing rare earth metals and at least one element other than a rare earth metal, oxygen or hydrogen, e.g. La4S3Br6 oxide or hydroxide being the only anion, e.g. NaCeO2 or MgxCayEuO
    • C01F17/34Aluminates, e.g. YAlO3 or Y3-xGdxAl5O12
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/44Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62645Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
    • C04B35/62655Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/081Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • C23C14/083Oxides of refractory metals or yttrium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/32Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
    • C23C14/325Electric arc evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04Impact or kinetic deposition of particles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/08Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/04Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
    • C23C4/10Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
    • C23C4/11Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying
    • C23C4/134Plasma spraying
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/60Compounds characterised by their crystallite size
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/76Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/61Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/12Surface area
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/14Pore volume
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/16Pore diameter
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5409Particle size related information expressed by specific surface values
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/5418Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54Particle size related information
    • C04B2235/549Particle size related information the particle size being expressed by crystallite size or primary particle size
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74Physical characteristics
    • C04B2235/76Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

本発明の成膜用又は焼結用粉末は、X線回折測定において立方晶Y3Al5O12のピークと直方晶YAlO3のピークが観察され、立方晶Y3Al5O12の(420)ピークに対する直方晶YAlO3の(112)ピークの強度比が0.01以上1未満である。或いは本発明の成膜用又は焼結用粉末は、イットリウム及びアルミニウムの複合酸化物を有し、0.1μm以上1μm以下の細孔容積が0.16mL/g以上である。CuKα線を用いた2θ=20°〜60°の走査範囲のX線回折測定において、立方晶Y3Al5O12に由来するピークが最大ピーク強度を示すピークであることが好ましい。

Description

本発明は、成膜用又は焼結用粉末に関する。
半導体デバイスの製造におけるエッチング工程ではハロゲン系ガス、アルゴンガス、酸素ガスなどが用いられる。これらのガスによるエッチング装置の腐食を防止するために、エッチング装置の内部は一般に、耐食性の高い物質を溶射することによってコーティングされている。そのような高耐食性物質の一つとして、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)等のイットリウムとアルミニウムの複合酸化物を含む材料が知られている。
例えば特許文献1には、溶射用粉末のX線回折を測定したとき、複合酸化物中のガーネット相の(420)面に由来するX線回折ピークと、複合酸化物中のペロブスカイト相の(420)面に由来するX線回折ピークと、複合酸化物中の単斜晶相の(−122)面に由来するX線回折ピークのうちの最大ピークの強度に対するイットリアの(222)面に由来するX線回折ピークの強度の比率が20%以下である溶射用粉末が記載されている。
特許文献2には、イットリウム及びアルミニウムを含む原料粉末を造粒及び焼結して得られるイットリウム−アルミニウム複合酸化物造粒−焼結粒子を含有する溶射用粉末であって、前記造粒−焼結粒子における直径6μm以下の細孔の総容積が0.06〜0.25cm/gであることを特徴とする溶射用粉末が記載されている。
US2006/0116274A1 US2006/0182969A1
しかしながら、特許文献1及び2に記載の粉末を溶射して得られる皮膜はプラズマエッチングに対する十分な耐食性を有するものでなかった。したがって、本発明の課題は、前述した従来技術が有する種々の欠点を解消し得るイットリウムとアルミニウムの複合酸化物粉末を提供することにある。
本発明者はイットリウムとアルミニウムの複合酸化物粉末についてプラズマエッチングに対する耐食性を効果的に高める構成について鋭意検討した。その結果、特定の組成又は細孔容積を採用することで、耐食性を効果的に高め得ることを見出した。
本発明は前記知見に基づきなされたものであり、X線回折測定においてYAl12のピークとYAlOのピークが観察され、立方晶YAl12の(420)ピークに対する直方晶YAlOの(112)ピークの強度比が0.01以上1未満である成膜用又は焼結用粉末を提供するものである。
また本発明は、イットリウム及びアルミニウムの複合酸化物からなり、水銀圧入法を用いて測定した細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲にピークを有し、且つ細孔径0.1μm以上1μm以下の細孔容積が0.16mL/g以上である、成膜用又は焼結用粉末を提供するものである。
また本発明は、前記粉末を用いて成膜する、皮膜の製造方法及び、前記粉末を焼結する焼結体の製造方法を提供するものである。
また本発明は、前記粉末を溶射法又はPVD法で成膜した皮膜及び前記粉末の焼結体を提供するものである。
図1は、実施例1で得られた粉末のX線回折図である。 図2は、実施例1で得られた粉末の細孔径分布図である。
以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。本発明の成膜用又は焼結用粉末(以下、「本発明の粉末」ともいう。)は、イットリウムとアルミニウムとを含む複合酸化物からなる。
(成膜用又は焼結用粉末の組成)
本発明の粉末をX線回折測定に付すと、立方晶YAl12(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)に由来する回折ピークと、直方晶YAlOに由来する回折ピークが観察される。本発明者は、X線回折測定において立方晶YAl12に加えて直方晶YAlOを含有し、且つ両者の組成が特定比であると、プラズマエッチングにおいて耐食性が高い皮膜及び焼結体が得やすいことを見出した。より具体的には本発明の粉末はYAl12の量論比に比してイットリウムのモル比が若干高く、且つYAlOが直方晶であることが良いことを見出した。
具体的には、本発明の粉末は、X線回折測定において立方晶YAl12のピークと直方晶YAlOのピークが観察され、立方晶YAl12の(420)ピークの強度S1に対する直方晶YAlOの(112)ピークの強度S2の比率S2/S1が0.01以上1未満であることが好ましい。当該範囲の粉末から得られる皮膜や焼結体の耐食性が高くなる理由は明確ではないが、本発明者はYAl12の量論比に比してイットリウムのモル比が若干高く、YAlOが直方晶であると、プラズマエッチングに対して安定な組成の皮膜又は焼結体が得やすいと考えている。例えば、S2/S1が1未満であることで不安定なメリライト(YAl)組成の出現を効果的に防止できる。皮膜又は焼結体の耐食性を一層高める観点から、S2/S1は0.02以上0.5以下であることがより好ましく、0.03以上0.3以下であることが特に好ましい。また、YAlOは複合酸化物であり、その結晶構造は立方晶、直方晶及び六方晶など多系が知られている。これらの結晶構造のうち、YAlOが直方晶であると、プラズマエッチングに対して安定な組成の皮膜又は焼結体が得やすいと本発明者は考えている。この結晶構造はICDD粉末回折データベース01−074−4236に開示されている。なお本明細書でいうピーク強度比は2つのピークの高さの比を指し、2つのピークの積分強度の比を指すのではない(以下「ピーク強度」というときには、これと同じ意味である)。
CuKα線を用いたX線回折測定において立方晶YAl12の(420)ピークは2θ=33°付近、具体的には2θ=33.3°±0.5°の範囲に観察される。またCuKα線を用いたX線回折測定において直方晶YAlOの(112)ピークは、通常2θ=34°付近、具体的には34.2°±0.5°の範囲に観察される。本発明の粉末は、CuKα線を用いた2θ=20°〜60°の走査範囲のX線回折測定において、立方晶YAl12に由来するピークが最大ピーク強度を示すピークであることが好ましく、特に立方晶YAl12の(420)ピークが最大ピーク強度を示すピークであることが好ましい。
本発明の粉末は上述したとおりイットリウム・アルミニウム・ガーネットYAl12に比してY/Al比の高いYAlOを若干量含むことを反映して、X線回折測定において酸化イットリウムのピークが観察される場合がある。X線回折測定において酸化イットリウムのピークが観察される場合、立方晶YAl12の(420)ピークの強度S1に対する立方晶Yの(222)ピークの強度S3の比S3/S1が0.001以上0.1未満であることが、焼結体の作製時に、イットリウムとアルミニウムの複合酸化物の反応焼結の助剤として働き、より緻密な焼結体を得やすくなる点で好ましい。また、S3/S1が0.001以上0.1未満であることが、皮膜及び焼結体の耐食性を高める点からも好ましい。これらの観点から、S3/S1は0.002以上0.05以下であることがより好ましく、0.003以上0.03以下であることが特に好ましい。CuKα線を用いたX線回折測定において立方晶Yの(222)ピークは、通常2θ=29°、具体的には29.2°±0.5°に観察される。
本発明の粉末は、X線回折測定においてアルミナ相のピークが観察されないか、又は観察されてもごく小さいことが、プラズマエッチングに対する耐食性を高める点で好ましい。この観点から、立方晶YAl12の(420)ピークの強度S1に対する三方晶Alの(104)ピークの強度S4の比S4/S1が0.1未満であることが好ましく、0.01以下であることがより好ましく、0.001以下であることが特に好ましく、三方晶Alの(104)ピークが観察されないことが最も好ましい。CuKα線を用いたX線回折測定において三方晶Alの(104)ピークは、通常2θ=35°、具体的には35.2°±0.5°に観察される。
耐食性を一層高める点から、本発明の粉末はX線回折測定においてYAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分に由来するピークが実質的に観察されないことが好ましい。2θ=20°〜60°の走査範囲において、YAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分に由来するピークの強度は、立方晶YAl12の(420)ピークに対する高さ比率が0.1以下であることが好ましく、0.05以下であることがより好ましく、0.03以下であることが更に好ましく、0.01以下であることが特に好ましく、0.001以下であることが最も好ましい。
(結晶子サイズ)
本発明の粉末は、立方晶YAl12の(420)ピークの半値幅から求められる結晶子サイズが50nm以上であることが、得られる皮膜又は焼結体における立方晶YAl12の結晶性が高くなり、皮膜又は焼結体の耐食性が一層高まる点で好ましい。この観点から、前記の結晶子サイズが60nm以上であることが好ましく、70nm以上であることがより好ましく、80nm以上であることが特に好ましい。上記の結晶子サイズは、本発明の粉末の製造容易性や粒成長による細孔容積の低下の点から、110nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。結晶子サイズはシェラーの式により求められ、具体的には後述する実施例に記載の方法にて求めることができる。
本発明の粉末が上述した組成及び結晶子サイズを有するためには、後述する本発明の粉末の好ましい製造方法において、原料となるイットリウム源の粉末とアルミニウム源の粉末の粒径を調整したり、原料粉末の焼成温度を調整したりすればよい。
(細孔容積)
本発明者は、本発明の粉末の細孔容積を特定の範囲に設定すると、得られる皮膜の表面粗さや焼結体の緻密さを制御できることを見出した。特に本発明の粉末を顆粒にした場合に、その細孔容積を特定の範囲に設定することが有利であることを見出した。皮膜の表面粗さや焼結体の緻密さは、プラズマエッチングに対する耐食性と相関がある。したがって、皮膜及び焼結体の耐食性を、本発明の粉末の細孔容積により制御できる。具体的には、本発明の粉末は、細孔径が0.1μm以上1μm以下の細孔容積が0.16mL/g以上であることが好ましい。細孔径が0.1μm以上1μm以下の細孔容積は、本発明の粉末における一次粒子間の空隙に由来する。この範囲の細孔径の細孔容積が0.16mL/g以上であると、得られる皮膜の表面粗さが低減され、また得られる焼結体が緻密なものとなる。この理由は明確ではないが、本発明者は、上記の範囲の細孔容積を有する本発明の粉末は、顆粒を構成する一次粒子が細かく、一定以上の細孔容積を持つことで、熱が効率よく伝播することで溶融しやすいことが理由の一つと推測している。これに対し特許文献2に記載の溶射用粉末は、同文献の図1に基づき細孔径が0.1μm以上1μm以下の細孔容積を求めると、0.05mL/gとなり、本発明の細孔容積の範囲外である0.16mL/g未満となる。
得られる皮膜及び焼結体のプラズマエッチングに対する耐食性を高める観点から、本発明の粉末は、細孔径が0.1μm以上1μm以下の細孔容積V1が0.16mL/g以上であることが好ましく、0.20mL/g以上であることがより好ましく、0.24mL/g以上であることが特に好ましい。一次粒子間の空隙が過度に広くなると顆粒強度が低下する点から、本発明の粉末は、細孔容積V1が1.0mL/g以下であることが好ましく、0.4mL/g以下であることがより好ましい。
本発明の粉末においては、細孔径5μm以上50μm以下の細孔容積V2が0.1mL/g以上であることも耐食性を向上させる点で好ましい。細孔径が5μm以上50μm以下の細孔容積は、本発明の粉末における二次粒子間の空隙の空間に由来する。本発明の粉末における細孔容積V2は、0.15mL/g以上であることがより好ましく、0.20mL/g以上であることが特に好ましい。十分な流動性を確保する点から、本発明の粉末は、細孔容積V2が0.5mL/g以下であることが好ましく、0.4mL/g以下であることがより好ましい。
本発明の粉末を用いて得られる皮膜や焼結体の耐食性を一層向上させる観点から、水銀圧入法を用いて測定した細孔容積V1の、細孔容積V2に対する比率V1/V2は0.3以上であることが好ましく、0.4以上であることがより好ましく、0.5以上であることが特に好ましい。V1/V2は1.0以下であることが適正な顆粒密度を保つことができる点で好ましい。
本発明の粉末を用いて得られる皮膜や焼結体の耐食性を一層向上させる観点から、水銀圧入法を用いて測定した細孔径に対する細孔容積の分布(横軸:細孔径、縦軸:log微分細孔容積)において、細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲にピークが少なくとも一つ観察されることが好ましい。より一層効果的に耐食性を向上させる観点から、細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲のピークは、より詳細には、細孔径0.2μm以上0.9μm以下の範囲に少なくとも一つ観察されることがより好ましく、細孔径0.3μm以上0.8μm以下の範囲に少なくとも一つ観察されることが特に好ましい。以下では、細孔容積の分布における細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲のピークを細孔第1ピークと記載する場合がある。
本発明の粉末は、水銀圧入法を用いて測定した細孔径に対する細孔容積の分布(横軸:細孔径、縦軸:log微分細孔容積)において、細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲に加えて、細孔径5μm以上50μm以下の範囲にも少なくとも一つのピークを有することが耐食性を一層向上させる観点から好ましい。本発明の粉末の製造容易性や皮膜及び焼結体の耐食性を一層向上させる点から、細孔径5μm以上50μm以下の範囲のピークは、より詳細には、細孔径7μm以上35μm以下の範囲に少なくとも一つ観察されることがより好ましく、細孔径8μm以上25μm以下の範囲に少なくとも一つ観察されることが特に好ましい。以下では、細孔容積の分布における細孔径5μm以上50μm以下の範囲のピークを細孔第2ピークと記載する場合がある。
本発明の粉末が上述した細孔容積を有するためには、後述する本発明の粉末の好ましい製造方法において、原料となるイットリウム源の粉末とアルミニウム源の粉末の粒径を調整したり、焼成温度を調整したりすればよい。
(顆粒径)
本発明の粉末は、顆粒であることが、上記の特定細孔容積を有すること又は上記の特定の組成を有することによる耐食性の向上効果を一層高める点で好ましい。上述した細孔容積分布を満たす本発明の粉末が容易に得られる点や溶射材料としたときの流動性の点から、顆粒は、平均粒子径が15μm以上100μm以下であることが好ましく、20μm以上80μm以下であることが好ましく、25μm以上60μm以下であることが特に好ましい。前記の平均粒子径はレーザー回折・散乱式粒度分布測定法による小粒径側からの積算体積が50%になる粒径(D50)であり、後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。
(BET比表面積)
本発明の粉末は、BET比表面積が1m/g以上5m/g以下であることが、成膜及び焼結の際に粒子が程よく溶融するため緻密な皮膜や焼結体が得やすい点、及びかさ密度が程よく取扱い時のハンドリングが良くなる点で好ましい。これらの観点から、本発明の粉末のBET比表面積は1.5m/g以上4.5m/g以下であることがより好ましく、2.0m/g以上4.0m/g以下であることが特に好ましい。BET比表面積はBET1点法で測定され、具体的には後述の実施例に記載の方法にて測定することができる。
次に本発明の粉末の好適な製造方法について説明する。本製造方法は好適には、以下の第1工程〜第5工程を有するものである。第1工程及び第2工程はどちらを先に行ってもよく同時に行ってもよい。以下、各工程について詳述する。
・第1工程:アルミニウム源の粒子のD50が0.05μm以上2.0μm以下であるアルミニウム源の粒子のスラリーを得る。
・第2工程:イットリウム源の粒子のD50が0.1μm以上2.0μm以下であるイットリウム源の粒子のスラリーを得る。
・第3工程:第1工程で得られたアルミニウム源の粒子のスラリーと第2工程で得られたイットリウム源の粒子のスラリーとを混合する。
・第4工程:第3工程で得られた混合物であるスラリーをスプレードライヤーで造粒して造粒物を得る。
・第5工程:第4工程で得られた造粒物を800℃〜1700℃の温度で焼成してイットリウムとアルミニウムの複合酸化物の顆粒を得る。
〔第1工程〕
本工程においては、アルミニウム源の粒子が所定粒径であるスラリーを得る。アルミニウム源の粒子の粒径は、上述した組成及び細孔容積や比表面積を有する粉末を首尾よく得る観点から、レーザー回折・散乱式粒子径・粒度分布測定器を用いて測定したD50が0.05μm以上2.0μm以下であることが好ましく、0.1μm以上1.0μm以下であることがより好ましい。アルミニウム源の粒子のD50の測定方法は後述する実施例において説明する。アルミニウム源としては、酸化アルミニウム(アルミナ)、オキシ水酸化アルミニウム及び水酸化アルミニウムから選ばれる1種又は2種以上を用いることが好ましい。
第1工程の手順としては、アルミニウム源の粒子を液媒と混合し、十分に撹拌を行い、アルミニウム源の粒子のスラリーを得る。必要に応じ、液媒と混合する前又は液媒混合後にアルミニウム源を粉砕する。粉砕方法としては後述するイットリウム源の粒子の粉砕方法と同様とすることができる。液媒の種類に特に制限はなく、例えば水や各種の有機溶媒を用いることができる。アルミニウム源としては、反応性の点から高比表面積のアルミニウム源を使用することが好ましい。尤も高比表面積になるとスラリーの粘度が上昇するため、アルミニウム源の粒子の液媒との混合に伴い、各種の分散剤やバインダーをスラリーに添加してもよい。分散剤としては、例えばポリアクリル酸系重合体、カルボン酸系共重合体、酢酸、アンモニアなどを用いることができる。アルミニウム源の粒子のスラリーに分散剤を添加する場合は、アルミナ換算のアルミニウム源100質量部に対して0.001質量部以上1質量部以下であることが得られる粉末の品質や粘度の上昇を抑制する点等から好ましく、0.01質量部以上0.1質量部以下であることがより好ましい。
〔第2工程〕
本工程においては、イットリウム源の粒子のD50が0.1μm以上2.0μm以下であるスラリーを得る。イットリウム源としては、酸化イットリウム、水酸化イットリウム、蓚酸イットリウム及び炭酸イットリウムから選ばれる1種又は2種以上を用いることが好ましい。これらの市販品は通常、上記のD50よりも粒径が大きく、その場合はイットリウム源の粉砕を行う。
粉砕には乾式粉砕及び湿式粉砕のいずれも適用可能である。粉砕は1段階で実施してもよく、あるいは2段階以上で実施してもよい。コストと手間の点から1段階で粉砕を行うことが好ましい。粉砕後に水等の液媒を加えてスラリー化することが好ましい。乾式粉砕を行う場合には、例えば擂潰機、ジェットミル、ボールミル、ハンマーミル及びピンミルなどの各種乾式粉砕機を用いることができる。一方、湿式粉砕を行う場合には、例えばボールミルやビーズミルなどの各種湿式粉砕機を用いることができる。
本工程におけるイットリウム源の粒子の粉砕の程度は、レーザー回折・散乱式粒子径・粒度分布測定器を用いて測定したD50が0.1〜2.0μmとなる程度が好ましい。この程度の粉砕を行うことで、目的とする細孔容積V1及び細孔容積並びに比表面積を有する粉末が得やすくなる。これらの観点から、D50は0.2〜1.5μmであることが更に好ましい。イットリウム源の粒子のD50の測定方法は後述する実施例において説明する。
〔第3工程〕
本工程においては、第1工程で得られたアルミニウム源の粒子のスラリーと第2工程で得られたイットリウム源の粒子のスラリーを混合し、これをイットリウム源の粒子とアルミニウム源の粒子から構成される混合スラリーとする。このとき純水を追加で投入することで混合スラリーの濃度を調整する。イットリウム源とアルミニウム源との混合比率は、アルミニウム源のアルミニウム1モルに対してイットリウム源のイットリウムが0.6モル超0.8モル以下であることが好ましく、0.61モル超0.7モル以下であることがより好ましい。
本工程におけるスラリーの濃度はイットリウム源をイットリアに換算し、アルミニウム源をアルミナに換算したときのイットリウム源とアルミニウム源の合計の濃度を、50g/L〜1500g/L、特に100g/L〜1000g/Lとすることが好ましい。スラリーの濃度をこの範囲内に設定することで、エネルギーの過度の消費を抑制することができ、またスラリーの粘度が適切なものになって噴霧を安定させることができる。
〔第4工程〕
本工程においては、第3工程で得られたスラリーを、スプレードライヤーで造粒してイットリウムとアルミニウムを含む造粒物を得る。スプレードライヤーを運転するときのアトマイザーの回転数は5000min−1〜30000min−1とすることが好ましい。回転数を5000min−1以上とすることで、スラリー中のイットリウム源の粒子とアルミニウム源の粒子の分散を十分に行うことができ、それによって均一な造粒物を得ることができる。一方、回転数を30000min−1以下とすることで、上述した細孔第2ピークを有する顆粒が得やすくなる。これらの観点から、アトマイザーの回転数は6000min−1〜25000min−1とすることが更に好ましい。
スプレードライヤーを運転するときの入口温度は150℃〜300℃とすることが好ましい。入口温度を150℃以上とすることで、固形分の乾燥を十分に行うことができ、残存する水分が少ない顆粒が得やすくなる。一方、入口温度を300℃以下とすることで、無駄なエネルギーの消費を抑制できる。
〔第5工程〕
本工程においては、第4工程で得られた造粒物を焼成してイットリウムとアルミニウムの複合酸化物の顆粒を得る。この焼成の程度は、目的とする粉末の組成、細孔径0.1μm以上1μm以下の細孔容積ピーク及び比表面積を制御する因子となる。詳細には、焼成温度は800℃〜1600℃であることが好ましい。焼成温度を800℃以上とすることで、目的の組成比率が得やすくなる。一方、焼成温度を1600℃以下とすることで、目的とする細孔分布径の第1ピークと比表面積を有する顆粒が得やすくなる。これらの観点から、焼成温度は900℃〜1550℃とすることが更に好ましく、1000℃〜1500℃とすることが一層好ましい。
焼成時間は、焼成温度が上述の範囲内であることを条件として、1時間〜48時間とすることが好ましく。3時間〜24時間とすることがより好ましい。焼成の雰囲気は特に制限はないが、アルミニウム源の種類によっては焼成により酸化させる必要があるため、酸素(O)が必要となることから大気中などの含酸素雰囲気中で行うことが好ましい。
上記のようにして得られた本発明の粉末は、溶射法、物理気相成長(PVD)法、化学気相成長(CVD)法、エアロゾルディポジション(AD)法、コールドスプレー法など各種の成膜法に用いられ、例えば溶射法の一つであるプラズマ溶射に好適に用いられる。プラズマ溶射は大気圧プラズマ溶射であってもよく、減圧プラズマ溶射であってもよい。また物理気相成長(PVD)法としては、イオンプレーティング法、スパッタリング法等が挙げられる。成膜の対象となる基材としては、例えばアルミニウム等の各種の金属、アルミニウム合金等の各種の合金、アルミナ等の各種のセラミックス、石英などが用いられる。
本発明の粉末は、セラミックス部品の材料としても好適に用いることができる。詳細には、本発明の成膜用又は焼結用粉末を、例えば通常の焼結法、プレス法、HP法、CIP法、HIP法、SPS法等で製造されるセラミックス部品の原料として用いると、平滑性や耐エッチング性などに優れたセラミックス部品を得ることができる。焼結温度は、特に限定されないが例えば1200℃以上1800℃以下が好ましく、1300℃以上1700℃以下がより好ましく、焼成雰囲気は大気雰囲気等の酸化雰囲気及び不活性ガス雰囲気のいずれであってもよい。そのようなセラミックス部品は、例えば電子材料やその焼成時の治具、半導体製造装置用部材、プラズマを用いたエッチング及び成膜装置などに好適に用いられる。なお、本発明の成膜用又は焼結用粉末を焼結して作成した焼結体はイオンプレーティング法、真空蒸着法等のPVD法のターゲット(成膜用材料)としても好適に使用可能である。
本発明の粉末は、イットリウムとアルミニウムの複合酸化物を含み、特定の組成又は特定の細孔容積を有する粒子を用いることによって、従来提案されていたイットリウムとアルミニウムの複合酸化物の溶射材料を用いる場合に比べて、プラズマエッチングに対する耐食性の高い溶射膜を得ることができる。また本発明の成膜用又は焼結用粉末はPVD法等の溶射以外の方法においても同様に耐食性の高い膜を得ることができるほか、焼結体とした場合も同様に耐食性の高い焼結体を得ることができる。このように本発明の成膜用又は焼結用粉末を用いて得られた皮膜又は焼結体は耐食性が高く、プラズマエッチングを用いる半導体製造装置の構成部材やそのコーティング等に有用である。
プラズマエッチングに対する耐食性を高める点から、本発明の粉末を用いて成膜した皮膜の組成の一例としては、S2/S1が好ましくは0〜0.3、より好ましくは0〜0.2、S3/S1が好ましくは0〜0.1、より好ましくは0〜0.05であるものが挙げられるが、これに限定されない。本発明の粉末の焼結体の組成としては、例えばS2/S1が好ましくは0〜0.3、より好ましくは0〜0.2、S3/S1が好ましくは0〜0.2、より好ましくは0〜0.15であるものが挙げられるが、これに限定されるものではない。皮膜及び焼結体のS4/S1の好ましい上限は本発明の粉末と同様とすることができる。また前記の皮膜及び焼結体は、前記の線源及び前記の走査範囲のX線回折測定において、立方晶YAl12に由来するピークが最大ピーク強度を示すピークであることが好ましく、特に立方晶YAl12の(420)ピークが最大ピーク強度を示すピークであることが好ましい。前記の皮膜及び焼結体は前記の線源及び前記の走査範囲のX線回折測定において、YAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分のピークが観察されないか、観察されてもそのピーク高さが立方晶YAl12の(420)ピークの高さに対して5%以下であることが好ましく、3%以下であることがより好ましく、1%以下であることが更に好ましい。
本発明の粉末を用いて成膜した皮膜及び本発明の粉末の焼結体は、プラズマエッチングにおいて、エッチングレートが低い。具体的には、皮膜及び焼結体は、後述する実施例に記載の方法で測定したエッチングレートが3nm/分以下であることが好ましく、2nm/分以下であることがより好ましい。
本発明の粉末を原料として皮膜を製造する場合、当該皮膜はプラズマエッチングに対する耐食性を向上させるために、表面粗さが低いものであることが好ましい。皮膜の表面粗さは後述した実施例に記載の方法で測定できる。このような皮膜は本発明の成膜用又は焼結用粉末を成膜することにより得ることができる。
本発明の焼結体は、プラズマエッチングに対する耐食性を向上させるために、開気孔率が1%以下であることが好ましく、0.5%以下であることがより好ましい。開気孔率はJIS R1634に基づいて、アルキメデス法により測定でき、具体的には以下の方法で測定される。このような焼結体は本発明の成膜用又は焼結用粉末を焼結することにより得ることができる。
<開気孔率(OP)の測定方法>
焼結体を蒸留水に入れ、ダイアフラム型真空ポンプによる減圧下で1時間保持した後、水中重量W2[g]を測定する。また、余分な水分を湿布で取り除き、飽水重量W3[g]を測定する。その後、乾燥器に入れて焼結体を十分に乾燥させた後、乾燥重量W1[g]を測定する。以下の式により、開気孔率OPを算出する。
OP=(W3-W1)/(W3-W2)×100(%)
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。なお、表1に、各実施例及び比較例における製造条件(アルミニウム原料の種類、アルミニウム原料及びイットリア原料の使用量、第4工程のアトマイザー回転数、第5工程の焼成温度)を示す。
〔実施例1〕
(第1工程)
10kgのα−アルミナと純水とを混合撹拌して250g/Lのアルミニウム源スラリーとした。酸化アルミニウムはマイクロトラックHRA(300W超音波による分散処理)にて測定したD50が0.13μmであった。D50の具体的な測定方法は次のとおりである。100mLのガラスビーカーに試料を0.1〜1g入れ、0.2質量%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を約100mL入れた。株式会社日本精機製作所製の超音波ホモジナイザーUS−300T型(出力300W)に試料と0.2質量%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液100mLの入ったビーカーをセットして5分間超音波分散処理を行い、スラリーとした。このスラリーを日機装株式会社製マイクロトラックHRAの試料循環器のチャンバーに適正濃度であると装置が判定するまで滴下した。分散媒として0.2質量%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を用いた。
(第2工程)
14kgのイットリアと20Lの純水とをビーズミルに入れて湿式粉砕した。マイクロトラックHRA(300W超音波による分散処理)にて測定したイットリアのD50が0.6μm〜0.8μmになるように粉砕を実施した。粉砕後、更に純水を加えて濃度調整を行い550g/Lのイットリウム源スラリーとした。D50の具体的な測定方法は第1工程と同様とした。
(第3工程)
第1工程で得られたスラリーと第2工程で得られたスラリーを混合した。混合後、更に純水を加えて濃度調整を行い、イットリアとアルミナの合計の濃度が200g/Lの混合スラリーとした。
(第4工程)
第3工程で得られた混合スラリーを、スプレードライヤー(大川原加工機(株)製)を用いて造粒・乾燥し、造粒物を得た。スプレードライヤーの操作条件は以下のとおりとした。
・スラリー供給速度:75mL/min
・アトマイザー回転数:12500rpm
・入口温度:250℃
(第5工程)
第4工程で得られた造粒物をアルミナ製の容器に入れ、大気雰囲気下、電気炉中で焼成して造粒顆粒を得た。焼成温度は1400℃、焼成時間は6時間とした。顆粒の形状は略球状であった。このようにして、目的とする複合酸化物の粉末を得た。
〔測定・皮膜の形成〕
実施例1で得られた粉末について以下に述べる方法でX線回折測定を行い、X線回折図を得た。その結果を図1に示す。得られたX線回折図に基づき、立方晶YAl12の(420)ピーク、直方晶YAlOの(112)ピーク、立方晶Yの(222)ピーク及び三方晶Alの(104)ピークについて相対強度を算出した。また、以下に述べる方法で細孔第1ピーク、細孔第2ピーク、細孔容積、結晶子サイズ、BET比表面積及び顆粒径(D50)を測定した。それらの結果を以下の表2に示す。実施例1で得られた粉末に係る2θ=20°〜60°の走査範囲のX線回折図では、YAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分に由来するピークが観察されなかった。更に、実施例1で得られた粉末を用いて、以下の〔溶射法による成膜条件〕にて、皮膜を得た。
〔X線回折測定〕
・装置:UltimaIV(株式会社リガク製)
・線源:CuKα線
・管電圧:40kV
・管電流:40mA
・スキャン速度:2度/min
・ステップ:0.02度
・スキャン範囲:2θ=20°〜60°
〔細孔第1ピーク、細孔第2ピーク、0.1μm以上1μm以下の細孔容積、5μm以上50μm以下の細孔容積〕
・装置:オートポアIV(マイクロメリティクス社製)
・第1細孔ピーク:通常、一次粒子で構成された顆粒の細孔径分布を測定すると2つのピークが得られるが、このピークのうち、小径側のピークを第1細孔ピークとする。
・第2細孔ピーク:前述のピークのうち、大径側のピークを第2ピークとする。
・0.1μm以上1μm以下の細孔容積:細孔径0.1μm以上1μm以下の細孔容積の積算値
・5μm以上50μm以下の細孔容積:細孔径5μm以上50μm以下の細孔容積の積算値
測定結果を図2に示す。
〔結晶子サイズ測定〕
測定は前述項のX線回折測定をもとに、立方晶YAl12の(420)ピークの半値幅からシェラーの式により算出した。
〔BET比表面積測定〕
マウンテック社製全自動比表面積計Macsorb model―1201を用いてBET1点法にて測定した。使用ガスは、窒素ヘリウム混合ガス(窒素30vol%)とした。
〔顆粒径の測定〕
日機装株式会社製マイクロトラックHRAにて測定した。測定の際には、分散媒として0.2質量%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液を用い、マイクロトラックHRAの試料循環器のチャンバーに試料(顆粒)を適正濃度であると装置が判定するまで添加した。
〔溶射法による成膜条件〕
基材として20mm角のアルミニウム合金板を使用した。この基材の表面に実施例1で得られた粉末を用いてプラズマ溶射を行った。粉末の供給装置として、プラズマテクニック製のTWIN−SYSTEM 10−Vを用いた。プラズマ溶射装置として、スルザーメテコ製のF4を用いた。撹拌回転数50%、キャリアガス流量2.5L/min、供給目盛10%、プラズマガスAr/H2、出力35kW、装置−基材間距離150mmの条件で、膜厚約60μmになるようにプラズマ溶射を行った。
上記で得られた皮膜を上記の方法のX線回折測定に供したところ、S2/S1は0.04、S3/S1は0.01、S4/S1は0であり、立方晶YAl12の(420)ピークに対し、YAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分に由来するピークは見られなかった。
〔実施例2〕
実施例1の第5工程における焼成温度を1500℃とした以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例3、実施例5〕
実施例1の第2工程における酸化イットリウムの量を、実施例3が13.6kg、実施例5が14.6kgとし、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例4〕
実施例3の第5工程における焼成温度を1500℃とした以外は実施例3と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例6〕
実施例5の第5工程における焼成温度を1500℃とした以外は実施例5と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例7〕
実施例1の第3工程におけるアトマイザー回転数を20000rpmとした以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例8〕
実施例1の第3工程におけるアトマイザー回転数を25000rpmとした以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例9〕
実施例1の第1工程におけるアルミニウム源をオキシ水酸化アルミニウムに変更した。水酸化アルミニウムの使用量は酸化アルミニウム換算で10kgとした。また第5工程における焼成温度を、1300℃とした。これらの点以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例10〕
実施例9の第5工程における焼成温度を1200℃とした以外は実施例9と同様にして粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例11〕
実施例1の第1工程におけるアルミニウム源を水酸化アルミニウムに変更した。水酸化アルミニウムの使用量は酸化アルミニウム換算で10kgとした。その点以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔実施例12〕
実施例10の第5工程における焼成温度を1300℃とした以外は実施例11と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔比較例1〕
硝酸イットリウム2.78kgと硝酸アルミニウム3.59kgを混合した溶液をアンモニアで中和して得た沈殿物を洗浄濾過後、120℃で乾燥後に解砕し、1200℃で焼成した。得られた焼成物2kgを乾式ボールミルで粉砕した後、更に純水2Lとともにビーズミルに入れて湿式粉砕した。マイクロトラックHRAにて測定した焼成物のD50が1.5μm〜2.5μmになるように粉砕を実施した。粉砕後、更に純水を加えて濃度調整を行い550g/Lのスラリーとした。このスラリーを用いて第4工程を行い、第5工程における焼成温度を1650℃として複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。
〔比較例2〕
実施例1の第2工程及び第3工程を行わず、焼成温度は1400℃とした以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。ただし結晶子サイズの測定において、本比較例では、立方晶YAl12の(420)ピークではなく三方晶Alの(104)ピークから結晶子サイズを算出した。
〔比較例3〕
実施例1の第1工程及び第3工程を行わず、焼成温度は1400℃とした以外は実施例1と同様にして複合酸化物の粉末を得、実施例1と同様に評価及び皮膜の形成を行った。ただし、結晶子サイズの測定において、本比較例では立方晶YAl12の(420)ピークではなく立方晶Yの(222)ピークから結晶子サイズを算出した。
〔実施例13〕
実施例1で得られた複合酸化物の粉末を下記条件のPVD法を用いて成膜し、皮膜を得た。
(PVD法による成膜)
基材として20mm角のアルミニウム合金板を使用した。この基材にPVD法の一種である高周波励起型イオンプレーティング法にて成膜した。成膜条件は、アルゴンガス圧力0.02Pa、EB出力0.6kW、RF出力1kW、加速電圧1.5kV、基材―蒸発源間距離300mmとし、膜厚5〜20μmになるようにした。
〔実施例14〕
実施例1で得られた粉末について、20MPaの圧力にて金型成形を行った。得られた成形体を大気雰囲気中、1650℃にて2時間焼成し、電気炉中で50℃まで自然放冷して、焼結体を得た。得られた焼結体をアルキメデス法で開気孔率を測定して、開気孔率0.4%で十分に緻密化していた。後述する方法で測定されたエッチングレートは0.1nm/minとなった。
実施例14で得られた焼結体を上記の方法のX線回折測定に供したところ、S2/S1は0.05、S3/S1は0.12、S4/S1は0であり、立方晶YAl12の(420)ピークに対し、YAl12、YAlO、Y及びAl以外の成分に由来するピークは見られなかった。
〔比較例4〕
比較例1で得られた粉末について、実施例14と同様にして焼結体を得た。開気孔率は2%であった。後述する方法で測定されたエッチングレートは0.3nm/minとなった。
上記で形成された皮膜について以下に述べる方法で、表面粗さ及びエッチングレートを測定した。また焼結体についても同様の方法でエッチングレートを測定した。
各種成膜法を行った20mm角のアルミニウム合金板における膜の表面粗さを測定した。
〔膜の表面粗さの測定〕
触針式表面粗さ測定器(JIS B0651:2001)を用いて、算術平均粗さ(Ra)及び最大高さ粗さ(Rz)(JIS B 0601:2001)を求めた。触針式表面粗さ測定器としては、KLA−Tencor社製の触針式プロファイラP−7を用いた。測定条件は、評価長さ:5mm、測定速度:100μm/sとした。3点の平均値を求めた。
〔プラズマエッチングレートの測定〕
各種成膜法を行った20mm角のアルミニウム合金における皮膜の半分に耐熱粘着テープを半分に貼り、エッチング装置(サムコ株式会社製のRIE−10NR)のチャンバーに皮膜が上を向いた状態で載置し、プラズマエッチングを行い、エッチングレートを測定した。プラズマエッチング条件は以下のとおりにした。また皮膜の代わりに焼結体についてもエッチングレートを測定した。焼結体は、φ16mm×2mmのサイズに焼結したものを測定に供した。エッチングレートは、プラズマ暴露面と、プラズマ照射後に粘着テープをはがした非暴露面の段差を、前述の表面粗さ測定によって計測することで算出した。測定点は皮膜1枚につき3点とし、それらの平均値を求めた。
・雰囲気ガス:CF/O/Ar=15/30/20 (cc/min)
・高周波電力:RF 300W
・圧力:5Pa
・エッチング時間:8時間
本発明の成膜用又は焼結用粉末を用いると、プラズマエッチングに対する耐食性の高い皮膜又は焼結体を容易に形成することができる。

Claims (14)

  1. イットリウム及びアルミニウムの複合酸化物からなり、水銀圧入法を用いて測定した細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲にピークを有し、且つ細孔径0.1μm以上1μm以下の細孔容積が0.16mL/g以上である、成膜用又は焼結用粉末
  2. X線回折測定において立方晶YAl12のピークと直方晶YAlOのピークが観察され、立方晶YAl12の(420)ピークに対する直方晶YAlOの(112)ピークの強度比が0.01以上1未満である請求項1に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  3. X線回折測定において更に立方晶Yのピークが観察され、立方晶YAl12の(420)ピークに対する立方晶Yの(222)ピークの強度比が0.001以上0.1未満である請求項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  4. X線回折測定において立方晶YAl12の(420)ピークに対する三方晶Alの(104)ピークの強度比が0.1未満である請求項2又は3に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  5. X線回折測定においてYAl12の(420)ピークの半値幅から求められる結晶子サイズが50nm以上である請求項のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  6. 水銀圧入法を用いて測定した細孔径に対する細孔容積の分布において、細孔径0.1μm以上1μm以下の範囲と5μm以上50μm以下の範囲にそれぞれピークを有し、細孔径5μm以上50μm以下の細孔容積が0.1mL/g以上である、請求項1〜の何れか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  7. BET比表面積が1m/g以上5m/g以下である請求項1〜の何れか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  8. 平均粒子径が15μm以上の顆粒である請求項1〜7のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  9. CuKα線を用いた2θ=20°〜60°の走査範囲のX線回折測定において、立方晶YAl12に由来するピークが最大ピーク強度を示すピークである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末を溶射法又はPVD法により成膜する、皮膜の製造方法。
  11. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末を焼結する、焼結体の製造方法。
  12. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末を溶射法又はPVD法により成膜してなる、皮膜。
  13. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の成膜用又は焼結用粉末の焼結体。
  14. X線回折測定において立方晶Y Al 12 のピークと直方晶YAlO のピークが観察され、立方晶Y Al 12 の(420)ピークに対する直方晶YAlO の(112)ピークの強度比が0.01以上1未満である成膜用又は焼結用粉末を、溶射法又はPVD法により成膜する、皮膜の製造方法。
JP2019556301A 2019-04-26 2019-07-24 成膜用又は焼結用粉末 Active JP6659073B1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019085637 2019-04-26
JP2019085637 2019-04-26
PCT/JP2019/028954 WO2020217552A1 (ja) 2019-04-26 2019-07-24 成膜用又は焼結用粉末

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020014121A Division JP7069469B2 (ja) 2019-04-26 2020-01-30 成膜用又は焼結用粉末

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP6659073B1 true JP6659073B1 (ja) 2020-03-04
JPWO2020217552A1 JPWO2020217552A1 (ja) 2021-05-06

Family

ID=69997956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019556301A Active JP6659073B1 (ja) 2019-04-26 2019-07-24 成膜用又は焼結用粉末

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11987503B2 (ja)
JP (1) JP6659073B1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021229914A1 (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 日本イットリウム株式会社 成膜用又は焼結用粉末

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03218963A (ja) 1989-11-11 1991-09-26 Kurosaki Refract Co Ltd 透明イットリウム―アルミニウム―ガーネット―セラミックスの製造方法
JPH10236871A (ja) 1997-02-26 1998-09-08 Kyocera Corp 耐プラズマ部材
JP4955142B2 (ja) 1999-09-20 2012-06-20 信越化学工業株式会社 希土類・アルミニウム・ガーネット微粉末および該粉末を用いた焼結体
JP3523216B2 (ja) 2001-04-06 2004-04-26 信越化学工業株式会社 溶射用希土類含有化合物粒子、これを溶射した溶射部材
JP3672833B2 (ja) 2000-06-29 2005-07-20 信越化学工業株式会社 溶射粉及び溶射被膜
JP4231990B2 (ja) 2001-03-21 2009-03-04 信越化学工業株式会社 希土類酸化物溶射用粒子およびその製造方法、溶射部材ならびに耐食性部材
JP4277973B2 (ja) 2001-07-19 2009-06-10 日本碍子株式会社 イットリア−アルミナ複合酸化物膜の製造方法、イットリア−アルミナ複合酸化物膜および耐蝕性部材
JP4838953B2 (ja) 2001-08-01 2011-12-14 大明化学工業株式会社 Yag粉末の製造方法
US20080213496A1 (en) 2002-02-14 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings
JP2003277051A (ja) 2002-03-22 2003-10-02 Ngk Insulators Ltd イットリア−アルミナ複合酸化物膜を有する積層体、イットリア−アルミナ複合酸化物膜、耐蝕性部材、耐蝕性膜およびイットリア−アルミナ複合酸化物膜の製造方法
US7566408B2 (en) * 2003-11-25 2009-07-28 Ues, Inc. YAG lasing systems and methods
JP4560387B2 (ja) 2004-11-30 2010-10-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末、溶射方法及び溶射皮膜
JP4912598B2 (ja) 2005-02-15 2012-04-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末
JP6421525B2 (ja) 2013-10-09 2018-11-14 信越化学工業株式会社 溶射成形体の製造方法
CA2942587A1 (en) * 2014-03-14 2015-09-17 Basf Se Yttrium-containing catalyst for high-temperature carbon dioxide hydration, combined high-temperature carbon dioxide hydration, and reforming and/or reforming, and a method for high-temperature carbon dioxide hydration, combined high-temperature carbon dioxide hydration and reforming an/or reforming
JP6510824B2 (ja) 2015-01-27 2019-05-08 日本イットリウム株式会社 溶射用粉末及び溶射材料

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021229914A1 (ja) * 2020-05-12 2021-11-18 日本イットリウム株式会社 成膜用又は焼結用粉末
JP7010445B1 (ja) * 2020-05-12 2022-01-26 日本イットリウム株式会社 成膜用又は焼結用粉末
CN115443253A (zh) * 2020-05-12 2022-12-06 日本钇股份有限公司 成膜用或烧结用粉末
KR20230008699A (ko) 2020-05-12 2023-01-16 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 성막용 또는 소결용 분말

Also Published As

Publication number Publication date
US20220194809A1 (en) 2022-06-23
JPWO2020217552A1 (ja) 2021-05-06
US11987503B2 (en) 2024-05-21
KR20220002296A (ko) 2022-01-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7069469B2 (ja) 成膜用又は焼結用粉末
US11371131B2 (en) Powder for film formation and material for film formation
JP6510824B2 (ja) 溶射用粉末及び溶射材料
US20230406719A1 (en) Film-forming material
JP4424659B2 (ja) 窒化アルミニウム質材料および半導体製造装置用部材
KR102407119B1 (ko) 성막용 재료 및 피막
JP6659073B1 (ja) 成膜用又は焼結用粉末
JPH0665706A (ja) 溶射用ジルコニア粉末
CN111201208B (zh) 氧化铝质烧结体及其制造方法
JP7010445B1 (ja) 成膜用又は焼結用粉末
KR102669394B1 (ko) 성막용 또는 소결용 분말
KR20230136165A (ko) 성막용 재료, 성막용 슬러리, 용사 피막 및 용사 부재
JPH05339698A (ja) 溶射用ジルコニア粉末
WO2024053257A1 (ja) 成膜用材料及び皮膜の製造方法
WO2022163150A1 (ja) 焼結体
KR102510280B1 (ko) 고순도 및 고밀도 이트륨 알루미늄 가넷 소결체 및 이의 제조방법
KR102354650B1 (ko) 알루미나질 소결체 및 그의 제조 방법
Im et al. Pulverization and Densification Behavior of YAG Powder Synthesized by PVA Polymer Solution Method
JP2018184334A (ja) 成膜用材料の製造方法
TW202334061A (zh) 燒結體用材料及燒結體
KR20220104528A (ko) Pva 폴리머 용액법을 이용한 yag 합성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191101

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191101

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20191101

TRDD Decision of grant or rejection written
A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20191223

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200131

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6659073

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R157 Certificate of patent or utility model (correction)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250