JP7215807B2 - 積層セラミックキャパシター及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターを示した概略斜視図であり、図2は図1のI-I'に沿った概略断面図である。
図6から図10は、本発明のさらに他の実施形態による積層セラミックキャパシターの製造方法の各段階を示した概略断面図である。
111 誘電層
112 上部カバー層
113 下部カバー層
121、122 内部電極
131、132 アルファビア
141、142 ベータビア
151、152 連結電極
191、192 外部電極
Claims (19)
- 誘電層、及び前記誘電層を挟んで配置される第1及び第2内部電極を含む容量層と、
前記容量層の一面に配置される保護層と、
前記保護層を貫通するアルファビアに充填されたアルファ連結電極と、
前記容量層を貫通し、前記アルファビアと連結されるベータビアに充填されたベータ連結電極と、を含み、
前記容量層と前記保護層の境界において、前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が110%以上であり、
前記保護層が形成された一面に対向する面に下部保護層が配置され、前記ベータ連結電極が前記下部保護層に延長されて配置される、積層セラミックキャパシター。 - 前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が120%以上である、請求項1に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記ベータ連結電極は、
前記第1内部電極と接し、前記第2内部電極とは離隔する第1ベータ連結電極と、
前記第2内部電極と接し、前記第1内部電極とは離隔する第2ベータ連結電極と、を含む、請求項1または2に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記アルファ連結電極は、
前記保護層において前記第1ベータ連結電極と対応する位置に配置される第1アルファ連結電極と、
前記保護層において前記第2ベータ連結電極と対応する位置に配置される第2アルファ連結電極と、を含む、請求項3に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記第1アルファ連結電極と前記第2アルファ連結電極との間の間隔が350~500μmである、請求項4に記載の積層セラミックキャパシター。
- 前記保護層の一面に配置され、前記第1アルファ連結電極と連結される第1外部電極と、
前記保護層の一面に配置され、前記第1外部電極と離隔し、且つ前記第2アルファ連結電極と連結される第2外部電極と、を含む、請求項4または5に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極は前記保護層の中央部に配置され、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極は、前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極を中心として両側に配置され、前記第1アルファ連結電極から前記第1外部電極まで延びる第1連結パターンと、前記第2アルファ連結電極から前記第2外部電極まで延びる第2連結パターンと、をさらに含む、請求項6に記載の積層セラミックキャパシター。 - 前記アルファビアの直径は実質的に一定であり、前記ベータビアの直径は実質的に一定である、請求項1から7のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシター。
- 誘電層、及び前記誘電層を挟んで配置される第1及び第2内部電極を含む容量層と、前記容量層の一面に配置された保護層とを含む本体を準備する段階と、
前記保護層に前記保護層を貫通するアルファビアを形成する段階と、
前記アルファビアの内側に露出した前記容量層を貫通し、前記アルファビアより小さい直径のベータビアを形成する段階と、
前記アルファビア及びベータビアに導電性物質を充填することでアルファ連結電極及びベータ連結電極を形成する段階と、を含み、
前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が110%以上である、積層セラミックキャパシターの製造方法。 - 前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が120%以上である、請求項9に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
- 前記ベータビアを物理的な貫通法により形成する、請求項9または10に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
- 前記ベータ連結電極は、
前記第1内部電極と接し、前記第2内部電極とは離隔する第1ベータ連結電極と、
前記第2内部電極と接し、前記第1内部電極とは離隔する第2ベータ連結電極と、を含む、請求項9から11のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。 - 前記アルファ連結電極は、
前記保護層において前記第1ベータ連結電極と対応する位置に配置される第1アルファ連結電極と、
前記保護層において前記第2ベータ連結電極と対応する位置に配置される第2アルファ連結電極と、を含む、請求項12に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。 - 前記第1アルファ連結電極と前記第2アルファ連結電極との間の間隔が350~500μmである、請求項13に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
- 前記保護層の一面に前記第1アルファ連結電極と連結される第1外部電極を形成する段階と、
前記保護層の一面に、前記第1外部電極と離隔し、前記第2アルファ連結電極と連結される第2外部電極を形成する段階と、をさらに含む、請求項13または14に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。 - 前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極は前記保護層の中央部に形成され、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極は、前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極を中心として両側に形成され、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極を形成する段階は、
前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極を中心として両側に配置される第1パッド及び第2パッドを形成する段階を含み、
前記第1アルファ連結電極から前記第1パッドまで延びる第1連結パターン、及び前記第2アルファ連結電極から前記第2パッドまで延びる第2連結パターンを形成する段階をさらに含む、請求項15に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。 - 前記アルファビアの直径は実質的に一定であり、前記ベータビアの直径は実質的に一定である、請求項9から16のいずれか一項に記載の積層セラミックキャパシターの製造方法。
- 誘電層、及び前記誘電層を挟んで配置される第1及び第2内部電極を含む容量層と、
前記容量層の一面に配置される保護層と、
前記保護層を貫通するアルファビアに充填されたアルファ連結電極と、
前記容量層を貫通し、前記アルファビアと連結されるベータビアに充填されたベータ連結電極と、を含み、
前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が110%以上であり、
前記ベータ連結電極は、
前記第1内部電極と接し、前記第2内部電極とは離隔する第1ベータ連結電極と、
前記第2内部電極と接し、前記第1内部電極とは離隔する第2ベータ連結電極と、を含み、
前記アルファ連結電極は、
前記保護層において前記第1ベータ連結電極と対応する位置に配置される第1アルファ連結電極と、
前記保護層において前記第2ベータ連結電極と対応する位置に配置される第2アルファ連結電極と、を含み、
前記保護層の一面に配置され、前記第1アルファ連結電極と連結される第1外部電極と、
前記保護層の一面に配置され、前記第1外部電極と離隔し、且つ前記第2アルファ連結電極と連結される第2外部電極と、を含み、
前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極は前記保護層の中央部に配置され、
前記第1外部電極及び前記第2外部電極は、前記第1アルファ連結電極及び前記第2アルファ連結電極を中心として両側に配置され、前記第1アルファ連結電極から前記第1外部電極まで延びる第1連結パターンと、前記第2アルファ連結電極から前記第2外部電極まで延びる第2連結パターンと、をさらに含む、積層セラミックキャパシター。 - 誘電層、及び前記誘電層を挟んで配置される第1及び第2内部電極を含む容量層と、
前記容量層の一面に配置される保護層と、
前記保護層を貫通するアルファビアに充填されたアルファ連結電極と、
前記容量層を貫通し、前記アルファビアと連結されるベータビアに充填されたベータ連結電極と、を含み、
前記ベータビアの直径に対する前記アルファビアの直径の比が110%以上であり、
前記保護層が形成された一面に対向する面に下部保護層が配置され、前記ベータ連結電極が前記下部保護層に延長されて配置され、
前記アルファビアの直径は実質的に一定であり、前記ベータビアの直径は実質的に一定である、積層セラミックキャパシター。
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