JP7146786B2 - 太陽電池の製造方法、太陽電池および太陽電池モジュール - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る太陽電池モジュールの一例を示す側面図である。図1に示すように、太陽電池モジュール100は、二次元状に配列された複数の太陽電池セル1を備える。
以下、太陽電池セル(以下、太陽電池という。)1について詳細に説明する。
図2は、本実施形態に係る太陽電池を裏面側からみた図である。図2に示す太陽電池1は、裏面電極型の太陽電池である。太陽電池1は、2つの主面を備える半導体基板11を備え、半導体基板11の主面において第1導電型領域7と第2導電型領域8とを有する。
同様に、第2導電型領域8は、いわゆる櫛型の形状であり、櫛歯に相当する複数のフィンガー部8fと、櫛歯の支持部に相当するバスバー部8bとを有する。バスバー部8bは、半導体基板11の一方の辺部に対向する他方の辺部に沿ってX方向(第2方向)に延在し、フィンガー部8fは、バスバー部8bから、Y方向(第1方向)に延在する。
フィンガー部7fとフィンガー部8fとは、Y方向(第1方向)に延在する帯状をなしており、X方向(第2方向)に交互に並んでいる。
なお、第1導電型領域7および第2導電型領域8は、ストライプ状に形成されてもよい。
半導体基板11としては、導電型単結晶シリコン基板、例えばn型単結晶シリコン基板またはp型単結晶シリコン基板が用いられる。これにより、高い光電変換効率が実現する。
半導体基板11は、n型単結晶シリコン基板であると好ましい。これにより、結晶シリコン基板内のキャリア寿命が長くなる。これは、p型単結晶シリコン基板では、光照射によってp型ドーパントであるB(ホウ素)が影響して再結合中心となるLID(Light Induced Degradation)が起こる場合があるが、n型単結晶シリコン基板ではLIDをより抑制するためである。
また、半導体基板11は、受光面側に、テクスチャ構造と呼ばれるピラミッド型の微細な凹凸構造を有していてもよい。これにより、受光面において入射光の反射が低減し、半導体基板11における光閉じ込め効果が向上する。
なお、半導体基板11として、導電型多結晶シリコン基板、例えばn型多結晶シリコン基板またはp型多結晶シリコン基板を用いてもよい。この場合、より安価に太陽電池が製造される。
反射防止層15は、半導体基板11の受光面側に接合層13を介して形成されている。接合層13は、真性シリコン系層で形成される。
反射防止層15としては、屈折率1.5以上2.3以下程度の透光性膜が好適に用いられる。反射防止層15の材料としては、SiO、SiN、SiON、またはそれらの積層物等が好ましい。
第1導電型半導体層25は、半導体基板11の裏面側の一部(主に、第1導電型領域7)に接合層23を介して形成されており、第2導電型半導体層35は、半導体基板11の裏面側の他の一部(主に、第2導電型領域8)に接合層33を介して形成されている。これにより、第1導電型半導体層25および接合層23と、第2導電型半導体層35および接合層33とは、Y方向(第1方向)に延在する帯状をなしており、X方向(第2方向)に交互に並んでいる。
第1導電型半導体層25および接合層23と、第2導電型半導体層35および接合層33とは境界領域9にも延びている。境界領域9において、第2導電型半導体層35および接合層33の一部は、第1導電型半導体層25および接合層23の一部と重なり合っている。これにより、製造誤差を考慮しても半導体層が形成されない領域が存在することがなく、光電変換効率が高まる。
p型シリコン系層およびn型シリコン系層は、非晶質シリコン層、または、非晶質シリコンと結晶質シリコンとを含む微結晶シリコン層で形成される。p型シリコン系層のドーパント不純物としては、B(ホウ素)が好適に用いられ、n型シリコン系層のドーパント不純物としては、P(リン)が好適に用いられる。
接合層23,33は、真性シリコン系層で形成される。接合層23,33は、パッシベーション層として機能し、キャリアの再結合を抑制する。
第1電極層27は、第1導電型半導体層25上に形成されており、第2電極層37は、第2導電型半導体層35上に形成されている。これにより、第1電極層27および第2電極層37は、Y方向(第1方向)に延在する帯状をなしており、X方向(第2方向)に交互に並んでいる。
第1電極層27は、第1導電型半導体層25上に順に積層された透明電極層28と金属電極層29とを有する。第2電極層37は、第2導電型半導体層35上に順に積層された透明電極層38と金属電極層39とを有する。
<<透明電極層>>
透明電極層28,38は、透明導電性材料からなる透明導電層で形成される。透明電極層28,38は、多層構造であってもよい。この場合、多層構造のうちの第1導電型半導体層25および第2導電型半導体層35に接する1層目の層28a,38aの膜厚は、2層目以降の層28b,38bの膜厚の1/2倍以下であると好ましい。
透明導電性材料としては、透明導電性金属酸化物、例えば、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタンおよびそれらの複合酸化物等が用いられる。これらの中でも、酸化インジウムを主成分とするインジウム系複合酸化物が好ましい。高い導電率と透明性の観点からは、インジウム酸化物が特に好ましい。更に、信頼性またはより高い導電率を確保するため、インジウム酸化物にドーパントを添加すると好ましい。ドーパントとしては、例えば、Sn、W、Zn、Ti、Ce、Zr、Mo、Al、Ga、Ge、As、Si、またはS等が挙げられる。
金属電極層29,39は、金属材料で形成される。金属材料としては、例えば、Cu、Ag、Alおよびこれらの合金が用いられる。
なお、製造プロセスの簡便化のために、透明電極層28と透明電極層38とは同じ材料で形成されてもよいし、金属電極層29と金属電極層39とは同じ材料で形成されてもよい。
図4Aは、透明電極層28,38間の境界領域9を拡大して示す図であり、図4Bは、図4Aに示す凸部Aの面A2の一部を更に拡大して示す図である。図4Aおよび図4Bには、走査型電子顕微鏡による観察結果が示されている。このように、観察倍率1000~100000倍程度で、透明電極層28,38間の境界領域9を観察することによって、電極材料の残渣(微小結晶粒)の形成状態を確認できる。更に、透明電極層28,38間の境界領域9における電極材料の残渣(微小結晶粒)の被覆率、および、その大きさも確認できる。
なお、電極層の膜厚が1~20nmと非常に薄い場合には、例えば透過型電子顕微鏡を用いればよい。この場合、観察倍率10万~100万倍程度で、透明電極層28,38間の境界領域9を含む断面を観察することによって、電極材料の残渣(微小結晶粒)の形成状態を確認できる。
図4Aでは、物理気相成長法を用いた電極材料膜形成時の半導体基板11の搬送方向がB1で示され、搬送方向B1に交差する方向がB2で示される。
これは、物理気相成長法による電極材料膜の形成において、電極材料膜中にエッチング液耐性が高い微小結晶粒が生成され、微小結晶粒がその後の電極材料膜のエッチング工程中に残渣として溶け残ったと考えられる。
これにより、図5Aに示すように、電極材料の残渣28pがY方向(第1方向)に連なり、X方向(第2方向)には連ならず、透明電極層28,38間を架橋しない。そのため、透明電極層28,38の間のリーク電流の増加が抑制され、曲線因子(FF)の低下が抑制される。
以上より、本実施形態の太陽電池1では、図5Aおよび図4Aに示すように、隣り合う第1電極層27と第2電極層37との間(境界領域9)には、透明電極層28,38の電極材料の残渣(微小結晶粒)28pが存在する。残渣28pの一部は、半導体基板11の四角錐形状(ピラミッド型)の凸部Aの面A2の一部を反映した形状(正面視において三角形状)で、かつ、Y方向(第1方向、電極層に対して平行方向)に連なっている。なお、残渣28pは、X方向(第2方向、電極層に対して交差方向)に連なっていない。
次に、図6A~図6Jを参照して、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。図6A~図6Eは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第1導電型半導体層形成工程を示す図であり、図6Fおよび図6Gは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における第2導電型半導体層形成工程を示す図であり、図6H~図6Jは、本実施形態に係る太陽電池の製造方法における電極形成工程を示す図である。
まず、図6Aに示すように、少なくとも裏面側に凹凸構造を有する半導体基板(例えば、n型単結晶シリコン基板)11の裏面側の全面に接合層材料膜(例えば、真性シリコン系層)23Zを積層する。本実施形態では、このとき、半導体基板11の受光面側の全面に、接合層(例えば、真性シリコン系層)13を積層する(図示省略)。
その後、接合層材料膜23Z上に、すなわち半導体基板11の裏面側の全面に、第1導電型半導体材料膜(例えば、p型シリコン系層)25Zを積層する。
第1導電型半導体材料膜25Zのドーパント添加ガスとしては、例えば、水素希釈されたB2H6が好適に用いられる。
また、光の透過性を向上させるために、例えば、酸素または炭素といった不純物を微量添加してもよい。その場合、例えば、CO2またはCH4といったガスをCVD製膜の際に導入する。
プラズマCVD法を用いた製膜によれば、製膜条件によって比較的容易に膜質を制御できることから、耐エッチャント性や屈折率の調整が容易となる。
本実施形態では、このとき、半導体基板11の受光面側の接合層13上に反射防止層15を形成する(図示省略)。反射防止層15の形成方法は特に限定されないが、精密な膜厚制御が可能なプラズマCVD法を用いると好ましい。CVD法による製膜によれば、材料ガスまたは製膜条件のコントロールで膜質制御が可能である。
以上の第1導電型半導体層形成工程では、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチング法を採用したが、マスクを利用したCVD法(化学気相堆積法)が採用されてもよい。
次に、図6Fに示すように、半導体基板11の裏面側の露出部分および第1導電型半導体層25上に、すなわち半導体基板11の裏面側の全面に、接合層材料膜(例えば、真性シリコン系層)33Zを積層する。
その後、接合層材料膜33Z上に、すなわち半導体基板11の裏面側の全面に、第2導電型半導体材料膜(例えば、n型シリコン系層)35Zを積層する。
接合層材料膜33Zおよび第2導電型半導体材料膜35Zの形成方法は特に限定されないが、上述した接合層材料膜23Zおよび第1導電型半導体材料膜25Zと同様に、プラズマCVD法を用いると好ましい。第2導電型半導体材料膜35Zのドーパント添加ガスとしては、例えば、水素希釈されたPH3が好適に用いられる。
なお、接合層材料膜33Zおよび第2導電型半導体材料膜35Zの形成工程の前に、半導体基板11の洗浄を行うことが好ましく、フッ酸水溶液による洗浄を行うことがより好ましい。
<<電極材料膜形成工程>>
次に、図6Hに示すように、第1導電型半導体層25および第2導電型半導体層35上に、すなわち半導体基板11の裏面側の全面に、透明電極材料膜28Zを積層する。透明電極材料膜28Zの形成方法としては、スパッタリング法等の物理気相成長法(PVD)が用いられる。その際、半導体基板11を、後述するパターニング工程で形成予定のY方向(第1方向)に延在する帯状の第1導電型半導体層25および第2導電型半導体層35と交差するX方向(第2方向)に搬送しながら、透明電極材料膜28Zを形成する。
また、半導体基板11の搬送を繰り返すことにより、透明電極材料膜28Zを多層に形成する。このとき、例えば、透明電極材料膜28Zの多層のうちの第1導電型半導体層25および第2導電型半導体層35に接する1層目の層28Zaの膜厚が、2層目以降の層28Zbの膜厚の1/2倍以下となるように、半導体基板11の搬送速度を制御する。
次に、上述した図6B~図6Eと同様に、フォトレジストをマスクとして、透明電極材料膜28Zの一部をエッチングにより除去し(パターニング)、図6Iに示すように、第1導電型半導体層25上に透明電極層28を形成し、第2導電型半導体層35上に透明電極層38を形成する。これにより、Y方向(第1方向)に延在すると共に、Y方向と交差するX方向(第2方向)に並ぶように、帯状の透明電極層28および透明電極層38を形成する。
金属電極層29,39の形成方法としては、例えば、スクリーン印刷法、メッキ法、導線接着法、インクジェット法、スプレー法、真空蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。特に、Agペーストを用いたスクリーン印刷法、銅メッキを用いたメッキ法が好ましい。
以上の工程により、本実施形態の裏面電極型の太陽電池1が完成する。
これにより、図5Aに示すように、電極材料の残渣28pがY方向(第1方向)に連なり、X方向(第2方向)には連ならず、透明電極層28,38間を架橋しない。そのため、透明電極層28,38の間のリーク電流の増加が抑制され、曲線因子の低下が抑制される。
この点に関し、本実施形態の太陽電池の製造方法によれば、電極材料膜を多層に形成するため、1層目を形成する際に、電極材料または緩衝ガスの粒子が半導体基板11、接合層23,33および導電型半導体層25,35に衝突する時間を短縮でき、また、2層目以降の物理気相成長法による製膜ダメージが1層目により緩和される。そのため、キャリアライフタイムの低下が抑制され、曲線因子の低下がより抑制される。
<太陽電池の作製>
下記のとおり、図2および図3に示す裏面電極型の太陽電池1を、図6A~図6Jに示す工程により作製した。
先ず、半導体基板11として入射面方位が(100)であるn型単結晶シリコン基板を準備し、この基板をアセトン中で洗浄した後、2質量%のフッ酸水溶液に5分間浸漬し、表面の酸化シリコン膜を除去した後、超純水による洗浄を2回行った。この基板を、75℃に保持された5質量%KOH/15質量%イソプロピルアルコールの混合水溶液に15分間浸漬し、基板の表面をエッチングすることで、基板の表面にテクスチャ構造(凹凸構造)を形成した。その後、2質量%のフッ酸水溶液に5分間浸漬し、超純水による洗浄を2回行い、常温で乾燥させた。この段階で、パシフィックナノテクノロジー社製の原子間力顕微鏡(AFM)により、半導体基板の表面観察を行ったところ、基板の表面はエッチングが最も進行しており、(111)面が露出したピラミッド型のテクスチャ構造(凹凸構造)が形成されていることを確認した。上記基板の表面の算術平均粗さは2100nmであり、上記基板の厚さは160nmであった。上記基板の厚さは、基板の表裏の凸部間の距離を測定することで求めた。
以上のように作製した太陽電池1を走査型電子顕微鏡によって倍率80000倍で観察することにより、透明電極層28,38間において、電極材料の残渣(微小結晶粒)が、帯状の透明電極層28,38と平行方向に並び、かつ透明電極層28,38間で架橋されていないことを確認した。
太陽電池1の作製工程において、透明電極材料膜28Zを一度に膜厚80nmに製膜した以外は、実施例1と同様にして太陽電池1を作製した。作製した太陽電池1を走査型電子顕微鏡によって倍率80000倍で観察したところ、電極材料の残渣(微小結晶粒)が透明電極層28,38間で架橋されていないことを確認した。
太陽電池の作製工程において、透明電極材料膜28Zの製膜時の基板11の搬送方向をエッチング法で形成予定の帯状の透明電極層28,38と平行な方向に搬送した以外は、実施例1と同様にして太陽電池を作製した。作製した太陽電池を走査型電子顕微鏡によって倍率80000倍で観察したところ、電極材料の残渣(微小結晶粒)が透明電極層28,38間で架橋されていることを確認した。
太陽電池の作製工程において、透明電極材料膜28Zを一度に膜厚80nmに製膜した以外は、比較例1と同様にして太陽電池を作製した。作製した太陽電池を走査型電子顕微鏡によって倍率80000倍で観察したところ、電極材料の残渣(微小結晶粒)が透明電極層28,38間で架橋されていることを確認した。
これは、透明電極層28,38間で電極材料の残渣(微小結晶粒)が架橋されることで発生するリーク電流、シャント抵抗の低下による出力ロスが抑制されたことが主原因であると考えられる。
これは、透明電極材料膜28Zを2層に分けて製膜したことによるキャリアライフタイムの低下が抑制されたことが主原因であると考えられる。
また、透明電極材料膜28Zの製膜を2層に分けて製膜することで、物理気相成長法のプラズマでの製膜ダメージによるキャリアライフタイムの低下を抑制し、曲線因子の低下をより抑制できることが分かった。
2 配線部材
3 受光面保護部材
4 裏面保護部材
5 封止材
7 第1導電型領域
7b,8b バスバー部
7f,8f フィンガー部
8 第2導電型領域
9 境界領域
11 半導体基板
13,23,33 接合層
15 反射防止層
25 第1導電型半導体層
27 第1電極層
28,38 透明電極層
28p 電極材料の残渣
29,39 金属電極層
35 第2導電型半導体層
37 第2電極層
100 太陽電池モジュール
Claims (9)
- 2つの主面のうちの少なくとも一方面側に凹凸構造を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記一方面側の一部に順に積層された第1導電型半導体層および第1電極層と、前記半導体基板の前記一方面側の他の一部に順に積層された第2導電型半導体層および第2電極層とを備える裏面電極型の太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の前記一方面側に積層された前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層上に、物理気相成長法を用いて、電極材料膜を少なくとも1層形成する電極材料膜形成工程と、
前記電極材料膜の一部を除去するパターニングを行い、第1方向に延在すると共に前記第1方向と交差する第2方向に並ぶように帯状の前記第1電極層および前記第2電極層を形成するパターニング工程と、
を含み、
前記電極材料膜形成工程では、前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層が積層された前記半導体基板を前記第2方向に搬送しながら、前記電極材料膜を形成する、
太陽電池の製造方法。 - 前記電極材料膜形成工程では、前記電極材料膜を多層に形成する、請求項1に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記電極材料膜形成工程では、前記電極材料膜の多層のうちの前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層に接する1層目の層の膜厚が、2層目以降の層の膜厚よりも薄くなるように、前記電極材料膜を形成する、請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記電極材料膜形成工程では、前記電極材料膜の多層のうちの前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層に接する1層目の層の膜厚が、2層目以降の層の膜厚の1/2倍以下となるように、前記電極材料膜を形成する、請求項3に記載の太陽電池の製造方法。
- 2つの主面のうちの少なくとも一方面側に凹凸構造を有する半導体基板と、前記半導体基板の前記一方面側の一部に順に積層された第1導電型半導体層および第1電極層と、前記半導体基板の前記一方面側の他の一部に順に積層された第2導電型半導体層および第2電極層とを備える裏面電極型の太陽電池であって、
前記第1電極層および前記第2電極層は、透明電極層であり、
前記第1電極層および前記第2電極層は、第1方向に延在する帯状をなし、前記第1方向に交差する第2方向に並んでおり、
隣り合う前記第1電極層と前記第2電極層との間には、前記第1電極層および前記第2電極層の電極材料の残渣が存在し、
前記残渣の一部は、前記半導体基板の凸部の一部を反映した形状で、かつ、前記第1方向に連なっている、
太陽電池。 - 前記凸部は四角錐形状であり、
前記凸部の一部を反映した形状は、前記一方面側からの正面視において三角形状である、
請求項5に記載の太陽電池。 - 前記第1電極層および前記第2電極層は、多層構造であり、
前記多層構造のうちの前記第1導電型半導体層および前記第2導電型半導体層に接する1層目の層の膜厚は、2層目以降の層の膜厚の1/2倍以下である、
請求項5または6に記載の太陽電池。 - 前記第1電極層および前記第2電極層の電極材料は、導電性酸化物である、請求項5~7の何れか1項に記載の太陽電池。
- 請求項5~8のいずれか1項に記載の太陽電池を備える、太陽電池モジュール。
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