JP7128423B2 - light emitting device - Google Patents

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本開示は発光装置に関する。 The present disclosure relates to light emitting devices.

複数の光源から出射した光をコリメートレンズアレイによりコリメートする光源装置が知られている（特許文献１参照）。 A light source device is known that collimates light emitted from a plurality of light sources by a collimating lens array (see Patent Document 1).

特開２０１４－１０２３６７号公報JP 2014-102367 A

複数の半導体レーザ素子が配置される光源装置においては、放熱性に配慮する必要がある。In a light source device in which a plurality of semiconductor laser elements are arranged, it is necessary to consider heat dissipation.

上記の課題は、例えば、次の手段により解決することができる。基部と、側壁と、を有する基体と、前記基部の上面において、行方向、及び、列方向に、それぞれ複数配置される、複数の半導体レーザ素子と、前記側壁を貫通して設けられる複数の配線と、前記複数の半導体レーザ素子の上方において、行方向、及び、列方向に、それぞれ複数配置される複数のレンズ部を有し、前記基体に固定されるレンズアレイと、を備え、前記複数のレンズ部は、前記複数の半導体レーザ素子に対応し、１の前記半導体レーザ素子からのレーザ光は、対応する１の前記レンズ部を通って前記レンズアレイから出射され、前記複数の半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、行方向よりも列方向に幅が広くなるビーム形状を前記複数のレンズ部の各光入射面において有し、前記レンズアレイにおいて、行方向に隣り合って配置される２つの前記レンズ部の頂点間距離は、列方向に隣り合って配置される２つの前記レンズ部の頂点間距離よりも小さく、前記複数の配線は、前記複数の半導体レーザ素子または前記複数のレンズ部が配置される行の数だけ、前記側壁から行方向に貫通する一対の配線を有する発光装置。 The above problems can be solved, for example, by the following means. A substrate having a base and sidewalls, a plurality of semiconductor laser elements arranged in row direction and column direction on the upper surface of the base, and a plurality of wirings provided through the sidewalls. and a lens array fixed to the base body, the lens array having a plurality of lens portions arranged in the row direction and the column direction above the plurality of semiconductor laser elements, wherein the plurality of The lens sections correspond to the plurality of semiconductor laser elements, and the laser light from one of the semiconductor laser elements passes through the corresponding one of the lens sections and is emitted from the lens array. The emitted laser light has a beam shape that is wider in the column direction than in the row direction on each light incident surface of the plurality of lens units, and two laser beams are arranged adjacent to each other in the row direction in the lens array. The distance between the vertices of the two lens portions is smaller than the distance between the vertices of the two lens portions arranged adjacent to each other in the column direction, and the plurality of wirings are connected to the plurality of semiconductor laser elements or the plurality of lens portions. A light-emitting device having a pair of wirings penetrating from the side wall in the row direction by the number of rows in which are arranged.

上記の発光装置によれば、熱引きの良好な発光装置を提供することができる。 According to the above-described light emitting device, it is possible to provide a light emitting device with good heat dissipation.

実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。1 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 図１Ａ中のＡ－Ａ断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1A; 図１Ａ中のＢ－Ｂ断面図である。FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 1A; 図１Ａ中のＣ－Ｃ断面図である。FIG. 1B is a sectional view taken along line CC in FIG. 1A; 基体の模式的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of a base; 図２Ａ中のＤ－Ｄ断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line DD in FIG. 2A; 図２Ａ中のＥ－Ｅ断面図である。FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line EE in FIG. 2A; レンズアレイの模式的平面図である。4 is a schematic plan view of a lens array; FIG. 図３Ａ中のＦ－Ｆ断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line FF in FIG. 3A; 図３Ａ中のＧ－Ｇ断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line GG in FIG. 3A; 図３Ａ中のＨ－Ｈ断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line HH in FIG. 3A; 基体上に配置された半導体レーザ素子の模式的平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view of a semiconductor laser element arranged on a base; 図４Ａ中のＩ－Ｉ断面図である。FIG. 4B is a sectional view taken along the line II in FIG. 4A; 図４Ａ中のＪ－Ｊ断面図である。4B is a cross-sectional view along JJ in FIG. 4A. FIG. 図４Ｃ中の破線で囲んだ部分を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the part enclosed with the broken line in FIG. 4C. 封止部材の模式的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view of a sealing member; 図５Ａ中のＫ－Ｋ断面図である。FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line KK in FIG. 5A; 図５Ａ中のＬ－Ｌ断面図である。FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line LL in FIG. 5A; 実施形態２に係る発光装置の模式的平面図である。3 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 2. FIG. 図６Ａ中のＭ－Ｍ断面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line MM in FIG. 6A. 図６Ａ中のＮ－Ｎ断面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line NN in FIG. 6A. 図６Ａ中のＯ－Ｏ断面図である。FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line OO in FIG. 6A. 実施形態３に係る発光装置の模式的平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 3; 実施形態４に係る発光装置の模式的平面図である。FIG. 10 is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 4;

［実施形態１に係る発光装置］
図１Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。また、図１Ｂは図１Ａ中のＡ－Ａ断面図であり、図１Ｃは図１Ａ中のＢ－Ｂ断面図であり、図１Ｄは図１Ａ中のＣ－Ｃ断面図である。図１Ａにおいては、理解を容易にするため、最も左上のレンズ部下方に配置される半導体レーザ素子３０等を透過的に示している。図１Ａから図１Ｄに示すように、実施形態１に係る発光装置１は、基体１０と、行列状に複数のレンズ部２２を有するレンズアレイ２０と、基体１０上に配置された複数の半導体レーザ素子３０と、を備えた発光装置であって、複数の半導体レーザ素子３０はレーザ光をそれぞれ出射し、各レーザ光は行方向より列方向に幅が広くなるビーム形状を複数のレンズ部２２の各光入射面ＬＡにおいて有し、複数のレンズ部２２は、個々のレンズ部２２の最大外径Ｅと列方向の頂点間距離ＰＹとのいずれよりも小さい行方向の頂点間距離ＰＸを有するとともに、行方向と列方向とにおいて同じ曲率を有する発光装置である。以下、順に説明する。 [Light emitting device according to Embodiment 1]
1A is a schematic plan view of a light emitting device according to Embodiment 1. FIG. 1B is a sectional view taken along line AA in FIG. 1A, FIG. 1C is a sectional view taken along line BB in FIG. 1A, and FIG. 1D is a sectional view taken along line CC in FIG. 1A. In FIG. 1A, for easy understanding, the semiconductor laser element 30 and the like arranged below the uppermost left lens portion are transparently shown. As shown in FIGS. 1A to 1D, the light emitting device 1 according to the first embodiment includes a base 10, a lens array 20 having a plurality of lens units 22 arranged in a matrix, and a plurality of semiconductor lasers arranged on the base 10. The plurality of semiconductor laser elements 30 each emit a laser beam, and each laser beam has a beam shape in which the width becomes wider in the column direction than in the row direction. Each of the light incident surfaces LA has a plurality of lens portions 22 each having a row-direction vertex distance PX that is smaller than both the maximum outer diameter E of each lens portion 22 and the column-direction vertex distance PY. , the light emitting device has the same curvature in the row direction and the column direction. They will be described in order below.

（基体１０）
図２Ａは基体の模式的平面図である。また、図２Ｂは図２Ａ中のＤ－Ｄ断面図であり、図２Ｃは図２Ａ中のＥ－Ｅ断面図である。図２Ａから図２Ｃに示すように、基体１０は、例えば、基部１２と、基部１２から突出する側壁１４と、基部１２と側壁１４とにより形成される凹部１０ａと、を有する。基部１２は凸部１２ａを有し、凸部１２ａは凹部１０ａ内に形成されている。このような凸部１２ａを有する基部１２を用いれば、基体１０が凹部１０ａを有することにより生じ得る基部１２の反り（この反りは特に基部１２と側壁１４とが異なる材料からなる場合に生じやすい。）を抑制することができるため、基部１２に対する半導体レーザ素子３０等の実装が容易となる。また、凸部１２ａ上に半導体レーザ素子３０などの部材を配置することにより、これらの部材をレンズアレイ２０に近づけることができるため、レンズアレイ２０（レンズ部２２）の光入射面ＬＡにおけるレーザ光の拡がりを抑制することも可能となる。なお、基体１０、基部１２、及び側壁１４の形状や厚みは特に限定されるものではなく、例えば、基体１０には、凹部１０ａを有する部材のほか、例えば平板状の部材（例：側壁１４を有しておらず基部１２のみからなる部材）を用いることもできる。 (Substrate 10)
FIG. 2A is a schematic plan view of the base. 2B is a cross-sectional view along DD in FIG. 2A, and FIG. 2C is a cross-sectional view along EE in FIG. 2A. As shown in FIGS. 2A to 2C , the base 10 has, for example, a base 12 , side walls 14 projecting from the base 12 , and a recess 10 a formed by the base 12 and the side walls 14 . The base portion 12 has a convex portion 12a, and the convex portion 12a is formed within the concave portion 10a. If the base 12 having such a convex portion 12a is used, warping of the base 12 that may occur due to the base 10 having the concave portion 10a (this warping is likely to occur particularly when the base 12 and the side wall 14 are made of different materials. ) can be suppressed, the mounting of the semiconductor laser element 30 and the like on the base 12 is facilitated. In addition, by arranging members such as the semiconductor laser element 30 on the convex portion 12a, these members can be brought closer to the lens array 20, so that the laser beam on the light incident surface LA of the lens array 20 (lens portion 22) is It is also possible to suppress the spread of The shape and thickness of the substrate 10, the base portion 12, and the sidewalls 14 are not particularly limited. A member consisting only of the base portion 12 without having the base portion 12) can also be used.

基体１０（基部１２、側壁１４）には例えば鉄、鉄合金、若しくは銅などの金属材料、ＡｌＮ、ＳｉＣ，若しくはＳｉＮなどのセラミック材料、又はこれらの材料を組み合わせた材料を用いることができる。 The substrate 10 (base portion 12, sidewalls 14) can be made of, for example, metal materials such as iron, iron alloys, or copper, ceramic materials such as AlN, SiC, or SiN, or a combination of these materials.

基体１０には発光装置１を外部と電気的に接続するための配線９０（例：リード）が設けられている。配線９０は発光装置１の外周のいずれに設けられていてもよいが、基体１０の上面又は側面に設けられることが好ましい。つまり、配線９０は基体１０の下面には設けられていないことが好ましい。このようにすれば、基体１０の下面全面を実装面として利用することができるため、本開示のように熱源となる半導体レーザ素子３０が１つの基体１０に複数配置される場合においても熱引きの良好な発光装置を提供することができる。なお、基体１０の側壁１４に配線９０を設ける場合は、側壁１４の高さが一定以上必要となるため、側壁１４に配線９０を設けない場合よりも基部１２上に配置される半導体レーザ素子３０等がレンズアレイ２０から離れて配置されることになる。しかるに、前述した凸部１２ａを有する基部１２を用いれば、このような場合においても半導体レーザ素子３０やミラー５０などをレンズアレイ２０（レンズ部２２）に近づけて配置することが可能となる。 The substrate 10 is provided with wirings 90 (eg, leads) for electrically connecting the light emitting device 1 to the outside. The wiring 90 may be provided anywhere on the outer periphery of the light emitting device 1 , but is preferably provided on the top surface or the side surface of the substrate 10 . In other words, it is preferable that the wiring 90 is not provided on the bottom surface of the base 10 . In this way, the entire lower surface of the substrate 10 can be used as a mounting surface, so even when a plurality of semiconductor laser elements 30 serving as heat sources are arranged on one substrate 10 as in the present disclosure, heat dissipation is reduced. A good light-emitting device can be provided. When the wiring 90 is provided on the side wall 14 of the substrate 10, the height of the side wall 14 needs to be higher than a certain level. etc. are arranged apart from the lens array 20 . However, by using the base portion 12 having the convex portion 12a described above, the semiconductor laser element 30 and the mirror 50 can be arranged close to the lens array 20 (lens portion 22) even in such a case.

（レンズアレイ２０）
図３Ａはレンズアレイの模式的平面図である。また、図３Ｂは図３Ａ中のＦ－Ｆ断面図であり、図３Ｃは図３Ａ中のＧ－Ｇ断面図であり、図３Ｄは図３Ａ中のＨ－Ｈ断面図である。図３Ａから図３Ｄに示すように、レンズアレイ２０は複数のレンズ部２２と接続部２４を有している。各レンズ部２２は光入射面ＬＡと光出射面ＬＢをそれぞれ有しており、各レンズ部２２の光入射面ＬＡに入射した各レーザ光は屈折され各レンズ部２２の光出射面ＬＢからそれぞれ出射される。接続部２４は列方向（図３Ａ中のＹ方向）において隣り合うレンズ部２２同士を接続する。なお、レンズアレイ２０はレンズ部２２だけで構成することもできる。この場合は、例えば、レンズ部２２が接続部２４を介さず互いに直接接続される。レンズアレイ２０（レンズ部２２や接続部２４）はガラスや合成石英などの透光性を有する材料を用いて形成することができる。 (Lens array 20)
FIG. 3A is a schematic plan view of a lens array. 3B is a sectional view taken along line FF in FIG. 3A, FIG. 3C is a sectional view taken along line GG in FIG. 3A, and FIG. 3D is a sectional view taken along line HH in FIG. 3A. As shown in FIGS. 3A to 3D, lens array 20 has a plurality of lens portions 22 and connecting portions 24 . Each lens portion 22 has a light incident surface LA and a light exit surface LB, and each laser beam incident on the light incident surface LA of each lens portion 22 is refracted and emitted from the light exit surface LB of each lens portion 22. emitted. The connecting portion 24 connects the lens portions 22 adjacent to each other in the column direction (the Y direction in FIG. 3A). Note that the lens array 20 can also be configured with only the lens portions 22 . In this case, for example, the lens portions 22 are directly connected to each other without the connecting portion 24 interposed therebetween. The lens array 20 (lens portion 22 and connection portion 24) can be formed using a translucent material such as glass or synthetic quartz.

（複数のレンズ部２２）
複数のレンズ部２２はｍ行ｎ列（ｍ≧２、ｎ≧１）の行列状に設けられる。複数のレンズ部２２は、個々のレンズ部２２の最大外径Ｅと列方向（図３Ａ中のＹ方向）の頂点間距離ＰＹのいずれよりも小さい行方向（図３Ａ中のＸ方向）の頂点間距離ＰＸを有する。このようにすれば、各レンズ部２２が行方向（図３Ａ中のＸ方向）において連なって（連続して）形成されるため、行方向（図３Ａ中のＸ方向）においてレーザ光が出射されない空間の無駄を削減して、レンズアレイ２０（ひいては発光装置１）の小型化を図ることができる。なお、「列方向の頂点間距離」とは列方向において隣り合うレンズ部の頂点間距離をいう。また、「行方向の頂点間距離」とは行方向において隣り合うレンズ部の頂点間距離をいう。また、「頂点」とは平面視におけるレンズ部の中心をいい、「最大外径」とは平面視におけるレンズ部の直径のうち最長のものをいう。 (plurality of lens units 22)
The plurality of lens units 22 are arranged in a matrix of m rows and n columns (m≧2, n≧1). The plurality of lens portions 22 have vertices in the row direction (X direction in FIG. 3A) that are smaller than both the maximum outer diameter E of each lens portion 22 and the distance PY between vertices in the column direction (Y direction in FIG. 3A). have a distance PX. In this way, since the lens portions 22 are formed in series (continuously) in the row direction (X direction in FIG. 3A), laser light is not emitted in the row direction (X direction in FIG. 3A). Waste of space can be reduced, and the size of the lens array 20 (and thus the light emitting device 1) can be reduced. In addition, "the distance between vertices in the column direction" refers to the distance between the vertices of lens portions adjacent to each other in the column direction. Also, the “row-direction vertex-to-vertex distance” refers to the vertex-to-vertex distance of adjacent lens portions in the row direction. Further, the “vertex” means the center of the lens portion in plan view, and the “maximum outer diameter” means the longest diameter of the lens portion in plan view.

列方向（図３Ａ中のＹ方向）の頂点間距離ＰＹは、好ましくは１ｍｍ以上１２ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以上９ｍｍ以下とすることができる。また、行方向（図３Ａ中のＸ方向）の頂点間距離ＰＸは、好ましくは０．５ｍｍ以上９ｍｍ以下、より好ましくは２ｍｍ以上６ｍｍ以下とすることができる。頂点間距離ＰＸや頂点間距離ＰＹをこれらの下限値以上にすることで、隣り合う半導体レーザ素子３０からのレーザ光が干渉し合うのを抑制することができる。また、頂点間距離ＰＸや頂点間距離ＰＹをこれらの上限値以下にすることで、より小型の発光装置を提供することができる。 A vertex-to-vertex distance PY in the column direction (Y direction in FIG. 3A) is preferably 1 mm or more and 12 mm or less, more preferably 3 mm or more and 9 mm or less. Also, the distance PX between vertices in the row direction (the X direction in FIG. 3A) is preferably 0.5 mm or more and 9 mm or less, more preferably 2 mm or more and 6 mm or less. By making the distance PX between vertices and the distance PY between vertices equal to or greater than these lower limits, it is possible to suppress interference between laser beams from adjacent semiconductor laser elements 30 . Further, by making the distance PX between vertices and the distance PY between vertices equal to or less than these upper limits, it is possible to provide a more compact light emitting device.

個々のレンズ部２２の最大外径Ｅは、頂点間距離ＰＸの好ましくは１倍以上２倍以下、より好ましくは１．２５倍以上１．７５倍以下とすることができる。最大外径Ｅをこれらの下限値以上にすることで、隣り合う半導体レーザ素子３０からのレーザ光が干渉し合うのを抑制することができる。また、最大外径Ｅをこれらの上限値以下にすることでより小型の発光装置を提供することができる。 The maximum outer diameter E of each lens portion 22 can be preferably 1 to 2 times, more preferably 1.25 to 1.75 times the distance PX between vertices. By making the maximum outer diameter E equal to or greater than these lower limits, it is possible to suppress interference between laser beams from adjacent semiconductor laser elements 30 . Further, by setting the maximum outer diameter E to these upper limits or less, it is possible to provide a more compact light emitting device.

個々のレンズ部２２は行方向（図３Ａ中のＸ方向）と列方向（図３Ａ中のＹ方向）とにおいて同じ曲率を有する。すなわち、個々のレンズ部２２は、レンズ部２２の頂点を通る行方向（図３Ａ中のＸ方向）の断面において曲率ＲＸの曲線を有するとともに、レンズ部２２の頂点を通る列方向（図３Ａ中のＹ方向）の断面において曲率ＲＸに等しい曲率ＲＹ（曲率ＲＸ＝曲率ＲＹ）の曲線を有する。このようにすれば、レンズアレイ２０が所定の向きから僅かに回転して実装された場合であっても、光源（半導体レーザ素子３０。ミラー５０を備える場合はミラー５０。以下同じ。）とレンズ部２２の位置関係に大きなずれが生じにくい。なお、個々のレンズ部２２は、行方向（図３Ａ中のＸ方向）と列方向（図３Ａ中のＹ方向）だけではなく、各レンズ部２２の頂点を通るすべての方向において同じ曲率を有すること、すなわち、各レンズ部２２の頂点を通るすべての断面において同じ曲率の曲線を有することが好ましい。このようにすれば、より一層、光源とレンズ部２２の位置関係に大きなずれが生じにくくなる。 Each lens portion 22 has the same curvature in the row direction (X direction in FIG. 3A) and the column direction (Y direction in FIG. 3A). That is, each lens portion 22 has a curve of curvature RX in the cross section in the row direction (X direction in FIG. 3A) passing through the apex of the lens portion 22, and the column direction (in FIG. 3A) passing through the apex of the lens portion 22. Y direction) has a curve with a curvature RY equal to the curvature RX (curvature RX=curvature RY) in the cross section. In this way, even if the lens array 20 is mounted slightly rotated from the predetermined orientation, the light source (the semiconductor laser element 30; the mirror 50 if the mirror 50 is provided; the same shall apply hereinafter) and the lens. A large deviation in the positional relationship of the portions 22 is unlikely to occur. Each lens portion 22 has the same curvature not only in the row direction (X direction in FIG. 3A) and column direction (Y direction in FIG. 3A) but also in all directions passing through the apex of each lens portion 22. That is, it is preferable that all cross sections passing through the vertex of each lens portion 22 have curves with the same curvature. By doing so, the positional relationship between the light source and the lens portion 22 is less likely to deviate significantly.

複数のレンズ部２２は、特に限定されないが、好ましくは半導体レーザ素子３０から入射するレーザ光を平行化（コリメート）できる形状を有することが好ましい。例えば、複数のレンズ部２２は、それぞれ、少なくとも一部が非球面状曲面（例：光入射面ＬＡが平面で光出射面ＬＢが非球面状曲面）からなるものであることが好ましい。このようにすれば、半導体レーザ素子３０からのレーザ光を光の強度分布を変化させずに平行化させることができる。 The plurality of lens portions 22 are not particularly limited, but preferably have a shape capable of collimating laser light incident from the semiconductor laser element 30 . For example, it is preferable that at least a portion of each of the plurality of lens portions 22 has an aspherical curved surface (eg, the light incident surface LA is flat and the light exit surface LB is an aspherical curved surface). In this way, the laser light from the semiconductor laser element 30 can be collimated without changing the light intensity distribution.

複数のレンズ部２２は、それぞれ、少なくとも一部周縁が平面視円弧状からなることが好ましい。このようにすれば、他の平面視形状からなる場合と比較して、レンズ部２２に非球面状曲面をより多く設けることができるため、半導体レーザ素子３０からのレーザ光を効率良くレンズ部２２から出射させることができる。 It is preferable that at least a part of the periphery of each of the plurality of lens portions 22 has an arc shape in a plan view. In this way, the lens portion 22 can be provided with a larger number of aspherical curved surfaces than when the lens portion 22 has another planar view shape. can be emitted from

レンズアレイ２０は、公知の方法により、基体１０（基体１０とレンズアレイ２０との間に封止部材８０を設ける場合は封止部材８０）に固定することができる。例えば、基体１０にレンズアレイ２０を直接固定する場合は、接着固定やレーザ溶接、あるいは抵抗溶接等の方法により、レンズアレイ２０と基体１０とを固定することができる。レーザ溶接や抵抗溶接などにより固定する場合、レンズアレイ２０中の少なくとも溶接加工される部位は金属材料により構成される。また、基体１０とレンズアレイ２０との間に封止部材８０を設ける場合は、ＵＶ硬化性接着剤等の接着剤により、レンズアレイ２０と封止部材８０とを接着固定することができる。 The lens array 20 can be fixed to the substrate 10 (or the sealing member 80 when the sealing member 80 is provided between the substrate 10 and the lens array 20) by a known method. For example, when the lens array 20 is directly fixed to the substrate 10, the lens array 20 and the substrate 10 can be fixed by adhesive fixing, laser welding, resistance welding, or the like. When fixing by laser welding, resistance welding, or the like, at least a portion of the lens array 20 to be welded is made of a metal material. Further, when the sealing member 80 is provided between the base 10 and the lens array 20, the lens array 20 and the sealing member 80 can be fixedly bonded together with an adhesive such as a UV curable adhesive.

半導体レーザ素子３０が配置された空間を密閉空間にするためには、基体１０に蓋をする部材を溶接により固定するのが好ましい。しかしながら、溶接は位置ずれを生じさせやすい。このため、レンズアレイを基体に溶接で直接固定し、レンズアレイで基体に直接蓋をすると、レンズアレイが位置ずれし、半導体レーザ素子からの光をレンズ部に対し所定の態様（例：所定の広がり角、所定の位置関係）で入射させることができなくなるおそれがある。そこで、本実施形態では、レンズアレイ２０とは別の部材である封止部材８０を設けて、封止部材８０により基体１０に蓋をするものとする。このようにすれば、封止部材８０を基体１０に対し溶接により固定する一方で、レンズアレイ２０を封止部材８０に対しＵＶ硬化性接着剤により固定することができるため、半導体レーザ素子３０が配置された空間を封止部材８０で密閉空間にしながら、レンズアレイ２０の位置ずれを抑制することができる。 In order to seal the space in which the semiconductor laser element 30 is arranged, it is preferable to fix a cover member to the substrate 10 by welding. However, welding is prone to misalignment. Therefore, if the lens array is directly fixed to the base by welding and the base is directly covered with the lens array, the position of the lens array is shifted, and the light from the semiconductor laser element is directed to the lens portion in a predetermined manner (eg, in a predetermined manner). spread angle, predetermined positional relationship). Therefore, in this embodiment, a sealing member 80 that is a member separate from the lens array 20 is provided, and the sealing member 80 covers the base 10 . In this way, the sealing member 80 can be fixed to the base 10 by welding, and the lens array 20 can be fixed to the sealing member 80 with the UV curable adhesive. The positional deviation of the lens array 20 can be suppressed while the space in which the lens array 20 is arranged is sealed with the sealing member 80 .

（複数の半導体レーザ素子３０）
図４Ａは基体上に配置された半導体レーザ素子の模式的平面図である。また、図４Ｂは図４Ａ中のＩ－Ｉ断面図であり、図４Ｃは図４Ａ中のＪ－Ｊ断面図であり、図４Ｄは図４Ｃ中の破線で囲んだ部分を拡大して示す図である。図４Ａから図４Ｄに示すように、複数の半導体レーザ素子３０は基体１０上に配置される。具体的に説明すると、複数の半導体レーザ素子３０が、行方向（図４Ａ中のＸ方向）及び列方向（図４Ａ中のＹ方向）に配置されている。半導体レーザ素子３０は、例えば、基体１０の凹部１０ａ底面（凸部１２ａを有する基部１２を用いる場合は凸部１２ａ上）に、直接配置することもできるし、載置体４０などを介して配置することもできる。載置体４０を介して配置するようにすれば、複数の半導体レーザ素子３０にて生じた熱を載置体４０を介して効率的に排熱することができる。 (Plural semiconductor laser elements 30)
FIG. 4A is a schematic plan view of a semiconductor laser element arranged on a base. 4B is a sectional view taken along line II in FIG. 4A, FIG. 4C is a sectional view taken along line JJ in FIG. 4A, and FIG. 4D is an enlarged view of a portion surrounded by a broken line in FIG. 4C. is. As shown in FIGS. 4A to 4D, a plurality of semiconductor laser elements 30 are arranged on the substrate 10. FIG. Specifically, a plurality of semiconductor laser elements 30 are arranged in a row direction (X direction in FIG. 4A) and a column direction (Y direction in FIG. 4A). For example, the semiconductor laser element 30 can be placed directly on the bottom surface of the concave portion 10a of the substrate 10 (on the convex portion 12a when the base portion 12 having the convex portion 12a is used), or can be arranged via the mounting body 40 or the like. You can also By arranging them via the mounting body 40 , the heat generated in the plurality of semiconductor laser elements 30 can be efficiently exhausted via the mounting body 40 .

複数の半導体レーザ素子３０はレーザ光をそれぞれ出射し、各レーザ光は、直接またはミラー５０などを介して、個々のレンズ部２２の光入射面ＬＡにそれぞれ入射する。各レーザ光は行方向（図４Ａ中のＸ方向）より列方向（図４Ａ中のＹ方向）に幅が広くなるビーム形状を複数のレンズ部２２の各光入射面ＬＡにおいて有する（列方向のビーム幅ＷＹ＞行方向のビーム幅ＷＸ）。複数の半導体レーザ素子３０には窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子などを用いることができる。 A plurality of semiconductor laser elements 30 each emit a laser beam, and each laser beam is incident on the light incident surface LA of each lens portion 22 directly or via a mirror 50 or the like. Each laser beam has a beam shape in which the width is wider in the column direction (Y direction in FIG. 4A) than in the row direction (X direction in FIG. 4A) on each light incident surface LA of the plurality of lens portions 22 (the column direction beam width WY>beam width WX in the row direction). A semiconductor laser element using a nitride semiconductor or the like can be used for the plurality of semiconductor laser elements 30 .

複数の半導体レーザ素子３０はワイヤ６０等により互いに電気的に接続することができる。ワイヤ６０としては、金、銀、銅、アルミニウム等を用いることができる。接続の態様は特に限定されないが、例えば、ワイヤ６０を用いて行方向（図４Ａ中のＸ方向）に設けられた複数の半導体レーザ素子３０を直列接続することができる。 A plurality of semiconductor laser elements 30 can be electrically connected to each other by wires 60 or the like. Gold, silver, copper, aluminum, or the like can be used as the wire 60 . Although the mode of connection is not particularly limited, for example, a plurality of semiconductor laser elements 30 provided in the row direction (the X direction in FIG. 4A) can be connected in series using wires 60 .

図４Ａでは、各行において複数の半導体レーザ素子３０は直線上に配置されており、隣り合う半導体レーザ素子３０間には中継部材７０が設けられている。そして、中継部材７０を介して隣り合う半導体レーザ素子３０がワイヤ６０により電気的に接続されている。こうすることで、各ワイヤ６０の長さを比較的短くすることができるため、電気抵抗が大きくなるのを抑制することができる。また、各行において、隣り合う半導体レーザ素子３０間の距離を大きくすることができるため、半導体レーザ素子３０同士の熱干渉を低減することができる。中継部材７０としては、鉄、鉄合金、銅などの金属材料、又は上面に電気配線が形成されたＡｌＮ、ＳｉＣ、ＳｉＮなどの絶縁材料を用いることができる。中継部材７０上に半導体レーザ素子３０は配置されない。 In FIG. 4A, a plurality of semiconductor laser elements 30 are arranged on a straight line in each row, and a relay member 70 is provided between adjacent semiconductor laser elements 30 . Adjacent semiconductor laser elements 30 are electrically connected by wires 60 via relay members 70 . By doing so, the length of each wire 60 can be relatively short, so that an increase in electrical resistance can be suppressed. Moreover, since the distance between the adjacent semiconductor laser elements 30 can be increased in each row, thermal interference between the semiconductor laser elements 30 can be reduced. As the relay member 70, a metal material such as iron, an iron alloy, or copper, or an insulating material such as AlN, SiC, or SiN having electric wiring formed on the upper surface thereof can be used. Semiconductor laser element 30 is not arranged on relay member 70 .

中継部材７０の上面は、載置体４０の上面又は半導体レーザ素子３０の上面と実質的に同じ高さに位置するのが好ましい。このようにすれば、ワイヤ６０を実装しやすくなる。半導体レーザ素子３０が載置体４０に設けられる場合は、中継部材７０の上面は、載置体４０の上面と実質的に同じ高さに位置するのがよい。これにより、半導体レーザ素子３０の上面と実質的に同じ高さとする場合に比較して、中継部材７０の高さ方向における厚みを小さくすることができ、部材費を低減することができる。 The top surface of the relay member 70 is preferably positioned substantially at the same height as the top surface of the mounting body 40 or the top surface of the semiconductor laser element 30 . This makes it easier to mount the wires 60 . When the semiconductor laser element 30 is provided on the mounting body 40 , the top surface of the relay member 70 is preferably positioned at substantially the same height as the top surface of the mounting body 40 . As a result, the thickness of the relay member 70 in the height direction can be reduced compared to the case where the height is substantially the same as the upper surface of the semiconductor laser element 30, and the member cost can be reduced.

半導体レーザ素子３０は、各レンズ部に対応してｍ行ｎ列（ｍ≧２、ｎ≧１）に設けられる。このとき、行方向における半導体レーザ素子３０の数は、列方向における半導体レーザ素子３０の数よりも多いことが好ましい。そして、半導体レーザ素子３０は、複数の半導体レーザ素子３０からの光（発光装置１としての光）の分布が正方形となるように、設けられるのがよい。これにより、発光装置１をプロジェクタの一部として用いる場合に、発光強度の分布を均一化しやすくすることができる。 The semiconductor laser elements 30 are arranged in m rows and n columns (m≧2, n≧1) corresponding to the respective lens portions. At this time, the number of semiconductor laser elements 30 in the row direction is preferably larger than the number of semiconductor laser elements 30 in the column direction. The semiconductor laser elements 30 are preferably provided so that the distribution of light (light as the light emitting device 1) from the plurality of semiconductor laser elements 30 is square. Thereby, when the light emitting device 1 is used as a part of a projector, it is possible to easily equalize the distribution of the light emission intensity.

（ミラー５０）
図４Ａから図４Ｄに示すように、発光装置１は、基体１０上に、半導体レーザ素子３０の出射光をレンズ部２２に向けて反射するミラー５０を備えていてもよい。ミラー５０は半導体レーザ素子３０の出射面（レーザ光を出射する面。以下、同じ。）とミラー５０とが向かい合うように配置される。これにより、半導体レーザ素子３０の光出射面から出射されたレーザ光がレンズ部２２の出射面に達するまでの距離（以下「光路長」という。）を長くすることができる。したがって、レンズアレイ２０の光出射面における光密度を低減することができ、レンズ部２２での集塵を抑制しやすくなる。また、光路長を長くすることで、光路長が短い場合（例えば、ミラー５０を配置せずに半導体レーザ素子３０からレンズ部２２に光を直接照射する場合）と比較して、レンズ部２２から出射される光の強度分布の変化を低減することができる。これは、光路長を長くすることで、半導体レーザ素子３０の位置ずれにより半導体レーザ素子３０からの光がレンズ部２２の光入射面に対して垂直以外の方向から入射したとしても、レンズ部２２を通過した後の光の傾きを小さくできるためである。 (Mirror 50)
As shown in FIGS. 4A to 4D , the light-emitting device 1 may include a mirror 50 on the base 10 for reflecting the light emitted from the semiconductor laser element 30 toward the lens portion 22 . The mirror 50 is arranged so that the emission surface of the semiconductor laser element 30 (the surface from which laser light is emitted; the same shall apply hereinafter) and the mirror 50 face each other. As a result, the distance (hereinafter referred to as “optical path length”) for the laser light emitted from the light emitting surface of the semiconductor laser element 30 to reach the emitting surface of the lens portion 22 can be lengthened. Therefore, the light density on the light exit surface of the lens array 20 can be reduced, and dust collection on the lens portion 22 can be easily suppressed. In addition, by lengthening the optical path length, compared with the case where the optical path length is short (for example, when light is directly irradiated from the semiconductor laser element 30 to the lens section 22 without disposing the mirror 50), the light from the lens section 22 is reduced. A change in the intensity distribution of emitted light can be reduced. By increasing the optical path length, even if the light from the semiconductor laser element 30 is incident on the light incident surface of the lens section 22 from a direction other than perpendicular to the light incident surface of the lens section 22 due to the positional deviation of the semiconductor laser element 30, the lens section 22 can This is because the inclination of the light after passing through can be reduced.

ミラー５０の数や形状等は特に限定されない。例えば、行方向（図４ＡのＸ方向）に長いミラーを列状に複数配置してもよいし、複数のレンズ部２２に対応してｍ行ｎ列（ｍ≧２、ｎ≧１）の行列状に複数のミラー５０を配置してもよい。行列状に配置する場合は、複数のレンズ部２２の各々に対して１つのミラー５０が設けられるため、ある半導体レーザ素子３０とあるミラー５０の位置関係にずれが生じても他の半導体レーザ素子３０と他のミラー５０との位置関係には影響が生じなくなる。したがって、１つのミラー５０の実装ずれによる影響を最小限に抑えることができる。 The number, shape, etc. of the mirrors 50 are not particularly limited. For example, a plurality of mirrors long in the row direction (the X direction in FIG. 4A) may be arranged in columns, or a matrix of m rows and n columns (m≧2, n≧1) corresponding to the plurality of lens units 22 A plurality of mirrors 50 may be arranged in a shape. In the case of arranging in a matrix, one mirror 50 is provided for each of the plurality of lens units 22. Therefore, even if the positional relationship between a certain semiconductor laser element 30 and a certain mirror 50 is deviated, the other semiconductor laser elements The positional relationship between 30 and other mirrors 50 is no longer affected. Therefore, the influence of mounting misalignment of one mirror 50 can be minimized.

ミラー５０にはガラス、合成石英、サファイア、アルミニウムなどを用いることができる。ミラー５０は半導体レーザ素子３０の出射光（半導体レーザ素子３０から出射されたレーザ光。以下同じ。）を反射させる反射面を有する。反射面には例えば誘電体多層膜等の反射膜が設けられる。なお、ミラー５０を利用せず、複数の半導体レーザ素子３０の各出射光をそのままレンズアレイ２０に入射させる場合には、例えば、ミラー５０ではなく、複数の半導体レーザ素子３０をｍ行ｎ列（ｍ≧２、ｎ≧１）の行列状で基体１０上に配置する。 Glass, synthetic quartz, sapphire, aluminum, or the like can be used for the mirror 50 . The mirror 50 has a reflecting surface for reflecting light emitted from the semiconductor laser device 30 (laser light emitted from the semiconductor laser device 30; the same shall apply hereinafter). A reflective film such as a dielectric multilayer film is provided on the reflective surface. If the light beams emitted from the plurality of semiconductor laser elements 30 are directly incident on the lens array 20 without using the mirror 50, for example, instead of using the mirror 50, the plurality of semiconductor laser elements 30 are arranged in m rows and n columns ( They are arranged on the substrate 10 in a matrix of m≧2 and n≧1.

ミラー５０は、特に限定されるわけではないが、レンズ部２２の頂点直下に位置していることが好ましい。なかでも、ミラー５０の反射部がレンズ部２２の頂点直下に位置していることが好ましい。このようにすれば、ミラー５０において、半導体レーザ素子３０の出射光をレンズ部２２の頂点に向けて反射することができるため、レンズアレイ２０（レンズ部２２）から出射する光の強度分布が変化しにくい。なお、ここでいう反射部とはミラー５０に設けられた反射面のうち半導体レーザ素子３０の出射光を反射する部分をさす。 Although not particularly limited, the mirror 50 is preferably positioned directly below the apex of the lens portion 22 . Above all, it is preferable that the reflecting portion of the mirror 50 is positioned directly below the vertex of the lens portion 22 . In this way, the light emitted from the semiconductor laser element 30 can be reflected toward the vertex of the lens portion 22 by the mirror 50, so that the intensity distribution of the light emitted from the lens array 20 (lens portion 22) changes. hard to do. The reflecting portion here means a portion of the reflecting surface provided on the mirror 50 that reflects the light emitted from the semiconductor laser element 30 .

図１Ａから図１Ｄに示すように（例えば、図１Ａ中の最も左上に位置するレンズ部２２において透過的に示された半導体レーザ素子３０及びミラー５０を参照。）、半導体レーザ素子３０及びミラー５０は、平面視においてレンズ部２２の周縁より内側に配置されていることが好ましい。このようにすれば、半導体レーザ素子３０がミラー５０に近接して配置されるため、レンズ部２２から出射される光の面積が大きくなるのを抑制することができる。 As shown in FIGS. 1A to 1D (see, for example, semiconductor laser element 30 and mirror 50 transparently shown in lens portion 22 located at the upper leftmost position in FIG. 1A), semiconductor laser element 30 and mirror 50 is preferably arranged inside the peripheral edge of the lens portion 22 in plan view. In this way, the semiconductor laser element 30 is arranged close to the mirror 50, so that the area of the light emitted from the lens portion 22 can be suppressed from increasing.

（封止部材８０）
図１Ａから図１Ｄに示すように、発光装置１は、基体１０とレンズアレイ２０との間に封止部材８０を備えていてもよい。封止部材８０を設けることでレンズアレイ２０のみを設ける場合と比較して気密封止の効果を高めることができる。特に、半導体レーザ素子３０として窒化物半導体を用いる場合は、有機物等が半導体レーザ素子３０の出射面に集塵されやすくなるため、封止部材８０による気密封止の効果がより顕著となる。 (sealing member 80)
As shown in FIGS. 1A to 1D, the light emitting device 1 may have a sealing member 80 between the base 10 and the lens array 20. FIG. By providing the sealing member 80, the effect of hermetic sealing can be enhanced as compared with the case where only the lens array 20 is provided. In particular, when a nitride semiconductor is used as the semiconductor laser element 30, organic substances and the like tend to be collected on the emission surface of the semiconductor laser element 30, so the hermetic sealing effect of the sealing member 80 becomes more pronounced.

図５Ａは封止部材の模式的平面図である。また、図５Ｂは図５Ａ中のＫ－Ｋ断面図であり、図５Ｃは図５Ａ中のＬ－Ｌ断面図である。図５Ａにおいては、理解を容易にするため、窓部８２ａを破線により透過的に示している。図５Ａから図５Ｃに示すように、封止部材８０は複数の窓部８２ａを有する本体部８２と透光性部材８４とを有している。本体部８２にはガラス、金属、セラミック、又はこれらの材料を組み合わせた材料などを用いることができ、好ましくは金属を用いる。これにより、溶接等により基体１０と封止部材８０とを固定することができるため、気密封止しやすくなる。また、透光性部材８４には少なくとも半導体レーザ素子３０の出射光を透過させる部材を用いることができる。本体部８２や透光性部材８４の形状は特に限定されない。例えば、本実施形態では本体部８２がレンズアレイ２０側に凹部８２ｂを有しているが、基体１０として平板状の部材を用いる場合は基体１０側に凹部８２ｂを有するものとしてもよい。 FIG. 5A is a schematic plan view of a sealing member. 5B is a sectional view taken along line KK in FIG. 5A, and FIG. 5C is a sectional view taken along line LL in FIG. 5A. In FIG. 5A, the window portion 82a is transparently indicated by a dashed line for easy understanding. As shown in FIGS. 5A to 5C, the sealing member 80 has a body portion 82 having a plurality of windows 82a and a translucent member 84. As shown in FIGS. Materials such as glass, metal, ceramic, or a combination of these materials can be used for the body portion 82, and metal is preferably used. As a result, the base 10 and the sealing member 80 can be fixed by welding or the like, which facilitates hermetic sealing. A member that transmits at least the light emitted from the semiconductor laser element 30 can be used as the translucent member 84 . The shapes of the body portion 82 and the translucent member 84 are not particularly limited. For example, in the present embodiment, the body portion 82 has the concave portion 82b on the lens array 20 side, but if a plate-like member is used as the base 10, it may have the concave portion 82b on the base 10 side.

本体部８２は、２つ以上の半導体レーザ素子３０に対して１つの窓部８２ａを有していてもよいが、複数の半導体レーザ素子３０の各々に対して１つの窓部８２ａをそれぞれ有していることが好ましい。このようにすれば、窓部８２ａを除く本体部８２と透光性部材８４との接合面積を増やすことができるため、基体１０と本体部８２とを気密封止のために抵抗溶接等により接合する場合において、応力による透光性部材８４の割れを抑制することができる。 The body portion 82 may have one window portion 82a for two or more semiconductor laser elements 30, but has one window portion 82a for each of the plurality of semiconductor laser elements 30. preferably. In this way, since the bonding area between the body portion 82 and the translucent member 84 excluding the window portion 82a can be increased, the base body 10 and the body portion 82 can be bonded by resistance welding or the like for hermetic sealing. WHEREIN: The crack of the translucent member 84 by stress can be suppressed.

以上のとおり、実施形態１に係る発光装置１によれば、複数のレンズ部２２が行方向（図１ＡのＸ方向）と列方向（図１ＡのＹ方向）とにおいて同じ曲率を有する。したがって、レンズアレイ２０が所定の向きから僅かに回転して実装された場合であっても、光源とレンズ部２２の位置関係に大きなずれが生じにくく、レンズアレイ２０から出射する光の強度分布が変化しにくい発光装置を提供することができる。 As described above, according to the light emitting device 1 according to Embodiment 1, the plurality of lens portions 22 have the same curvature in the row direction (X direction in FIG. 1A) and the column direction (Y direction in FIG. 1A). Therefore, even if the lens array 20 is mounted slightly rotated from the predetermined orientation, the positional relationship between the light source and the lens unit 22 is less likely to be greatly deviated, and the intensity distribution of the light emitted from the lens array 20 is reduced. A light-emitting device that is difficult to change can be provided.

［実施形態２に係る発光装置２］
図６Ａは実施形態２に係る発光装置の模式的平面図であり、図６Ｂは図６Ａ中のＭ－Ｍ断面図であり、図６Ｃは図６Ａ中のＮ－Ｎ断面図であり、図６Ｄは図６Ａ中のＯ－Ｏ断面図である。図６Ａにおいては、理解を容易にするため、最も左上のレンズ部下方に配置される半導体レーザ素子３０などを透過的に示している。図６Ａから図６Ｄに示すように、実施形態２に係る発光装置２は、複数のレンズアレイ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが列方向（図６ＡのＹ方向）に配列されるとともに、複数のレンズアレイ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄの各々が行方向（図６ＡのＸ方向）に複数のレンズ部２２を有する点で、実施形態１に係る発光装置１と相違する。実施形態２によっても、実施形態１と同様に、レンズアレイ２０が所定の向きから僅かに回転して実装された場合であっても、光源とレンズ部２２の位置関係に大きなずれが生じにくく、レンズアレイ２０から出射する光の強度分布が変化しにくい発光装置を提供することができる。 [Light-emitting device 2 according to Embodiment 2]
6A is a schematic plan view of a light-emitting device according to Embodiment 2, FIG. 6B is a cross-sectional view of MM in FIG. 6A, FIG. 6C is a cross-sectional view of NN in FIG. 6A, and FIG. is a cross-sectional view taken along line OO in FIG. 6A. In FIG. 6A, for ease of understanding, the semiconductor laser element 30 and the like arranged below the uppermost left lens portion are transparently shown. As shown in FIGS. 6A to 6D, in the light emitting device 2 according to Embodiment 2, a plurality of lens arrays 20A, 20B, 20C, and 20D are arranged in the column direction (Y direction in FIG. 6A), and a plurality of lenses The arrays 20A, 20B, 20C, and 20D differ from the light emitting device 1 according to Embodiment 1 in that each of the arrays 20A, 20B, 20C, and 20D has a plurality of lens units 22 in the row direction (the X direction in FIG. 6A). According to the second embodiment, as in the first embodiment, even if the lens array 20 is mounted slightly rotated from the predetermined orientation, the positional relationship between the light source and the lens unit 22 is less likely to be greatly displaced. It is possible to provide a light emitting device in which the intensity distribution of light emitted from the lens array 20 is less likely to change.

［実施形態３に係る発光装置３］
図７に実施形態３に係る発光装置３の模式的平面図を示す。図７では、凹部８２ｂの外縁を破線で示している。また、図７では、レンズアレイ２０が接着剤により封止部材８０に固定される領域にハッチングを施している。図７に示すように、発光装置３では、レンズアレイ２０が、レンズ部２２とレンズ部２２同士を接続する接続部２４とを備えるとともに、接続部２４において接着剤により封止部材８０に固定されている。封止部材８０は、基体１０における複数の半導体レーザ素子３０が載置された領域に向かって凹んだ凹部８２ｂを有している。レンズアレイ２０は、平面視において、凹部８２ｂの内側に貫通孔Ｆを有するとともに、凹部８２ｂの外側において接着剤により封止部材８０に固定されている。 [Light-emitting device 3 according to Embodiment 3]
FIG. 7 shows a schematic plan view of a light emitting device 3 according to Embodiment 3. As shown in FIG. In FIG. 7, the outer edge of the recess 82b is indicated by a dashed line. Also, in FIG. 7, the area where the lens array 20 is fixed to the sealing member 80 with an adhesive is hatched. As shown in FIG. 7, in the light emitting device 3, the lens array 20 includes the lens portions 22 and the connection portions 24 that connect the lens portions 22 together, and is fixed to the sealing member 80 at the connection portions 24 with an adhesive. ing. The sealing member 80 has a recessed portion 82b recessed toward the region of the substrate 10 where the plurality of semiconductor laser elements 30 are mounted. The lens array 20 has a through hole F inside the recess 82b in plan view, and is fixed to the sealing member 80 with an adhesive outside the recess 82b.

レンズアレイと封止部材との間の空間が密閉空間であると、レンズアレイが有機物を含む接着剤（例えば、ＵＶ硬化性接着剤）により固定される場合において、接着剤から気化したガスがレンズアレイと封止部材との間の空間に留まってしまう。このとき、気化したガスに含まれる有機物が、レーザ光に反応し、透光性部材やレンズアレイに堆積するおそれがある。これに対して、接続部２４に貫通孔Ｆを設ければ、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間が開放空間となるため、接着剤から気化したガスを当該空間外へと逃がし、有機物の堆積（集塵）を抑制しやすくなる。開放空間とは開放された空間をいう。 If the space between the lens array and the sealing member is a closed space, and the lens array is fixed with an adhesive containing an organic substance (for example, a UV-curing adhesive), the gas vaporized from the adhesive will reach the lens. It remains in the space between the array and the sealing member. At this time, organic matter contained in the vaporized gas may react with the laser beam and deposit on the translucent member or the lens array. On the other hand, if the connection portion 24 is provided with the through hole F, the space between the lens array 20 and the sealing member 80 becomes an open space, so that the gas vaporized from the adhesive can escape to the outside of the space. , it becomes easier to suppress the deposition (dust collection) of organic matter. Open space means open space.

貫通孔Ｆは複数設けられるのが好ましい。そして、複数の貫通孔Ｆは、レンズアレイ２０の中心線に対して線対称に設けられることが好ましい。このようにすれば、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間内に空気の流れを形成しやすくなるため（例えば、２つの貫通孔を線対称に設けた場合には、一方の貫通孔から空間内に空気が流入し、他方の貫通孔から空間外へ空気が流出する空気の流れが形成されやすくなる。）、より一層、接着剤から気化したガスを当該空間外へと逃がして、当該空間内における有機物の堆積（集塵）を抑制することができる。また、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間内における結露の発生を抑制することもできる。ＵＶ硬化性接着剤などの有機物を含む接着剤は水分を吸収しやすい材料であるため、レンズアレイ２０がＵＶ硬化性接着剤により固定される場合においては、大気中から接着剤に吸収された水分が封止部材８０とレンズアレイ２０との間の空間に留まりやすく、使用状況によっては空間内に結露が発生するおそれがある。したがって、空間内に空気の流れを形成する上記の構成は、ＵＶ硬化性接着剤などの有機物を含む接着剤でレンズアレイ２０を封止部材８０に固定する場合に特に好ましく適用することができる。 Preferably, a plurality of through holes F are provided. It is preferable that the plurality of through holes F be provided line-symmetrically with respect to the center line of the lens array 20 . This makes it easier to form an air flow in the space between the lens array 20 and the sealing member 80 (for example, when two through-holes are provided in line symmetry, one through-hole Air flows into the space from the hole, and air flows out of the space from the other through hole. , deposition of organic matter (dust collection) in the space can be suppressed. Also, it is possible to suppress the occurrence of dew condensation in the space between the lens array 20 and the sealing member 80 . Since an adhesive containing an organic substance such as a UV curable adhesive is a material that easily absorbs moisture, when the lens array 20 is fixed with the UV curable adhesive, the moisture absorbed by the adhesive from the atmosphere is likely to remain in the space between the sealing member 80 and the lens array 20, and dew condensation may occur in the space depending on the usage conditions. Therefore, the above configuration that forms air flow in the space can be particularly preferably applied when the lens array 20 is fixed to the sealing member 80 with an adhesive containing an organic substance such as a UV curable adhesive.

［実施形態４に係る発光装置４］
図８に実施形態４に係る発光装置４の模式的平面図を示す。図８では、凹部８２ｂの外縁を実線及び破線で示している。また、図８では、レンズアレイ２０が接着剤により封止部材８０に固定される領域にハッチングを施している。図８に示すように、発光装置４では、封止部材８０は、基体１０における複数の半導体レーザ素子３０が載置された領域に向かって凹んだ凹部８２ｂを有している。レンズアレイ２０は、平面視において、レンズアレイ２０の外縁の一部が凹部８２ｂの内側に位置するように配置されているとともに（図８中の開口部Ｇを参照）、凹部８２ｂの外側において接着剤により封止部材８０に固定されている。発光装置４においても、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間が開放空間となるため、有機物の堆積（集塵）や結露の発生を抑制しやすくなる。 [Light emitting device 4 according to Embodiment 4]
FIG. 8 shows a schematic plan view of a light emitting device 4 according to Embodiment 4. As shown in FIG. In FIG. 8, the outer edge of the recess 82b is indicated by solid and broken lines. Also, in FIG. 8, the area where the lens array 20 is fixed to the sealing member 80 with an adhesive is hatched. As shown in FIG. 8, in the light emitting device 4, the sealing member 80 has a recess 82b recessed toward the region of the substrate 10 where the plurality of semiconductor laser elements 30 are mounted. The lens array 20 is arranged so that a part of the outer edge of the lens array 20 is positioned inside the recess 82b in plan view (see the opening G in FIG. 8), and is bonded outside the recess 82b. It is fixed to the sealing member 80 with an agent. In the light-emitting device 4 as well, the space between the lens array 20 and the sealing member 80 is an open space, which makes it easier to suppress the deposition of organic matter (dust collection) and the occurrence of dew condensation.

開口部Ｇの数及び配置は、レンズアレイ２０の外縁の一部を凹部８２ｂの内側に位置させるものであればよく、図８に図示した数及び配置に限定されるものではない。ただし、開口部Ｇは、平面視において、レンズアレイ２０の外縁の２箇所以上（四隅に限らない。）に設けられていることが好ましい。そして、この場合、それらの開口部Ｇは、レンズアレイ２０の中心に対して点対称の位置に設けられることが好ましい。このようにすれば、複数の貫通孔Ｆをレンズアレイ２０の中心線に対して線対称に設ける場合と同様に、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間内に空気の流れを形成しやすくなる。したがって、より一層、有機物の堆積（集塵）や結露の発生を抑制することができる。 The number and arrangement of the openings G are not limited to the number and arrangement shown in FIG. However, the openings G are preferably provided at two or more locations (not limited to the four corners) on the outer edge of the lens array 20 in plan view. In this case, it is preferable that these openings G be provided at point-symmetrical positions with respect to the center of the lens array 20 . In this way, an air flow is formed in the space between the lens array 20 and the sealing member 80, similar to the case where the plurality of through holes F are provided line-symmetrically with respect to the center line of the lens array 20. easier to do. Therefore, the deposition of organic matter (dust collection) and the occurrence of dew condensation can be further suppressed.

以上、実施形態３、４について説明したが、貫通孔Ｆや開口部Ｇは、レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間を開放空間とする具体的な構成の一例である。レンズアレイ２０と封止部材８０との間の空間は、空間内で生じたガスを外部に逃がすことができるよう開放されていればよく、このような開放された空間（すなわち開放空間）を具体的にどのように構成するのかは特に限定されない。 Although the third and fourth embodiments have been described above, the through holes F and the openings G are examples of specific configurations that open the space between the lens array 20 and the sealing member 80 . The space between the lens array 20 and the sealing member 80 should be open so that the gas generated in the space can escape to the outside. There is no particular limitation on how it is constructed.

以上、実施形態について説明したが、これらの説明によって特許請求の範囲に記載された構成は何ら限定されるものではない。 Although the embodiments have been described above, the configurations described in the claims are not limited by these descriptions.

１、２、３、４ 発光装置
１０ 基体
１０ａ 凹部
１２ 基部
１２ａ 凸部
１４ 側壁
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ レンズアレイ
２２ レンズ部
２４ 接続部
３０ 半導体レーザ素子
４０ 載置体
５０ ミラー
６０ ワイヤ
７０ 中継部材
８０ 封止部材
８２ 本体部
８２ａ 窓部
８２ｂ 凹部
８４ 透光性部材
９０ 配線
ＰＸ 行方向の頂点間距離
ＰＹ 列方向の頂点間距離
ＷＸ 行方向のビーム幅
ＷＹ 列方向のビーム幅
ＬＡ 光入射面
ＬＢ 光出射面
Ｅ 最大外径
Ｆ 貫通孔
Ｇ 開口部
Ｘ 行方向
Ｙ 列方向
1, 2, 3, 4 Light emitting device 10 Substrate 10a Concave portion 12 Base portion 12a Convex portion 14 Side wall 20, 20A, 20B, 20C, 20D Lens array 22 Lens portion 24 Connection portion 30 Semiconductor laser element 40 Mounting body 50 Mirror 60 Wire 70 Relay member 80 Sealing member 82 Main body 82a Window 82b Recess 84 Translucent member 90 Wiring PX Distance between vertices in row direction PY Distance between vertices in column direction WX Beam width in row direction WY Beam width in column direction LA Light incidence Surface LB Light emitting surface E Maximum outer diameter F Through hole G Opening X Row direction Y Column direction

Claims (7)

基部と、側壁と、を有する基体と、
前記側壁の内側かつ前記基部の上面において、行方向、及び、列方向に、それぞれ複数配置される、複数の半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子からの光を透過する１以上の窓部が設けられ且つ前記側壁に固定される本体部と、前記１以上の窓部を塞ぐように設けられた１以上の透光性部材と、を含む封止部材と、
前記側壁を貫通して設けられる複数の配線と、
前記封止部材の上方に配置され、行方向、及び、列方向に、それぞれ複数配置される複数のレンズ部を有するレンズアレイと、
を備え、
前記複数のレンズ部は、前記複数の半導体レーザ素子に対応し、
１の前記半導体レーザ素子からのレーザ光は、対応する１の前記レンズ部を通って前記レンズアレイから出射され、
前記複数の半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、行方向よりも列方向に幅が広くなるビーム形状を前記複数のレンズ部の各光入射面において有し、
前記レンズアレイにおいて、行方向に隣り合って配置される２つの前記レンズ部の頂点間距離は、列方向に隣り合って配置される２つの前記レンズ部の頂点間距離よりも小さく、
前記複数の配線には、前記複数のレンズ部が配置される各行のそれぞれに対応して、同じ行に配置される複数の半導体レーザ素子を間に挟んで対向する一対の配線が含まれ、
前記レンズアレイの各行における複数のレンズ部は連なっており、
前記封止部材は、前記本体部において、前記レンズアレイ側の面に凹部を有し、
前記１以上の窓部は、前記凹部に設けられ、
前記レンズアレイは、平面視で、行列状に配置される前記複数のレンズ部が前記凹部の内側に位置し、かつ、平面視で、当該複数のレンズ部の外側かつ前記凹部の外側において、前記レンズアレイを固定するための接着剤が設けられ、前記一対の配線は、前記半導体レーザ素子よりも上方かつ前記凹部よりも下方において、前記側壁から行方向に貫通する発光装置。 a substrate having a base and sidewalls;
a plurality of semiconductor laser elements arranged in the row direction and in the column direction inside the sidewall and on the upper surface of the base;
a main body provided with one or more windows for transmitting light from the semiconductor laser element and fixed to the side wall; and one or more translucent members provided so as to close the one or more windows. a sealing member comprising
a plurality of wirings provided through the sidewall;
a lens array disposed above the sealing member and having a plurality of lens portions arranged in the row direction and the column direction;
with
the plurality of lens portions correspond to the plurality of semiconductor laser elements,
laser light from one of the semiconductor laser elements passes through one of the corresponding lens units and is emitted from the lens array;
laser light emitted from the plurality of semiconductor laser elements has a beam shape in which the width in the column direction is wider than in the row direction on each light incident surface of the plurality of lens portions;
In the lens array, the distance between the vertices of the two lens units arranged adjacent to each other in the row direction is smaller than the distance between the vertexes of the two lens units arranged adjacent to each other in the column direction,
the plurality of wirings include a pair of wirings facing each other with a plurality of semiconductor laser elements arranged in the same row interposed therebetween, corresponding to each row in which the plurality of lens units are arranged;
A plurality of lens units in each row of the lens array are connected,
The sealing member has a concave portion on the lens array side surface of the body portion,
The one or more windows are provided in the recess,
In the lens array, the plurality of lens portions arranged in a matrix are positioned inside the concave portion in plan view, and the lens portions outside the plurality of lens portions and outside the concave portion in plan view have the A light-emitting device, wherein an adhesive is provided for fixing a lens array, and the pair of wirings penetrates from the side wall in the row direction above the semiconductor laser element and below the recess. 前記一対の配線は、一行に配置される複数の前記半導体レーザ素子と電気的に接続し、
各行に対応する前記一対の配線は、平面視で、対応する行に配置される前記レンズ部の列方向の両端のそれぞれを通り行方向に平行な２つの直線の間に設けられる請求項１に記載の発光装置。 the pair of wirings are electrically connected to the plurality of semiconductor laser elements arranged in one row;
2. The pair of wirings corresponding to each row is provided between two straight lines parallel to the row direction passing through both ends in the column direction of the lens portions arranged in the corresponding row in a plan view. A light emitting device as described. 前記封止部材は、前記側壁の上面と接合され、
前記レンズアレイは、前記封止部材と接続する接続部を有し、
前記接続部は、前記複数のレンズ部の周囲において、前記接着剤によって前記封止部材と接着し、前記封止部材に固定される請求項１または２に記載の発光装置。 the sealing member is bonded to the upper surface of the sidewall;
The lens array has a connecting portion that connects to the sealing member,
The connecting portion is provided around the plurality of lens portions,by said adhesive3. The light emitting device according to claim 1, wherein the light emitting device is adhered to the sealing member and fixed to the sealing member. 平面視で、前記封止部材が前記側壁に接合する領域の少なくとも一部と、前記接続部が前記封止部材に接合する領域の少なくとも一部とが重なる請求項３に記載の発光装置。 4. The light-emitting device according to claim 3, wherein at least a portion of the region where the sealing member is bonded to the side wall and at least a portion of the region where the connecting portion is bonded to the sealing member overlap in plan view. 前記レンズ部は、行方向における曲率と列方向における曲率とが同じである請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。 5. The light emitting device according to claim 1, wherein the lens portion has the same curvature in the row direction and the same curvature in the column direction. 前記複数のレンズ部は、少なくとも４以上の行数と、少なくとも５以上の列数で構成される行列状に配置される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。 The light-emitting device according to any one of claims 1 to 5, wherein the plurality of lens units are arranged in a matrix with at least four or more rows and at least five or more columns. 一行に配置される複数の前記半導体レーザ素子、及び、当該複数の半導体レーザ素子から最も近い位置にある前記一対の配線は、ワイヤを介して直列に接続する請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。 7. The plurality of semiconductor laser elements arranged in one row and the pair of wirings closest to the plurality of semiconductor laser elements are connected in series via wires. The light-emitting device according to .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021114613A (en) * 2015-05-20 2021-08-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6915236B2 (en) * 2016-06-29 2021-08-04 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
JP6880725B2 (en) * 2016-12-27 2021-06-02 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6504193B2 (en) * 2017-03-30 2019-04-24 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6940750B2 (en) * 2017-04-28 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 Laser device
JP7056026B2 (en) * 2017-07-27 2022-04-19 大日本印刷株式会社 Light source device
JP6940765B2 (en) * 2017-09-29 2021-09-29 日亜化学工業株式会社 Light source device, optical engine and projector
US10431959B2 (en) 2017-10-02 2019-10-01 Nichia Corporation Light emitting device and optical device
JP6737760B2 (en) * 2017-10-20 2020-08-12 日亜化学工業株式会社 Light emitting device and lid used therefor
JP6687008B2 (en) 2017-11-30 2020-04-22 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6897830B2 (en) * 2017-11-30 2021-07-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7097176B2 (en) * 2017-12-05 2022-07-07 シーシーエス株式会社 Light emitting device and LED board
JP6848931B2 (en) 2018-04-23 2021-03-24 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
JP6939690B2 (en) 2018-04-23 2021-09-22 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
JP7011169B2 (en) 2018-05-29 2022-02-10 日亜化学工業株式会社 Luminescent device
JP7231809B2 (en) * 2018-06-05 2023-03-02 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP7152652B2 (en) * 2018-06-13 2022-10-13 日亜化学工業株式会社 Light source device
US20210181614A1 (en) * 2018-08-15 2021-06-17 Sony Corporation Light-emitting device and projection display apparatus
JP7163693B2 (en) 2018-09-26 2022-11-01 セイコーエプソン株式会社 projector
JP7282527B2 (en) * 2019-01-18 2023-05-29 株式会社小糸製作所 Aircraft lighting fixture
JP7271243B2 (en) * 2019-03-14 2023-05-11 日亜化学工業株式会社 Laser device and lid used therefor
JP7332860B2 (en) 2019-05-29 2023-08-24 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP7295426B2 (en) * 2019-09-13 2023-06-21 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP2021048354A (en) 2019-09-20 2021-03-25 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
US20220385044A1 (en) * 2019-09-30 2022-12-01 Kyocera Corporation Photonic-device-mounting package and electronic apparatus
JP2021086862A (en) * 2019-11-25 2021-06-03 シャープ福山レーザー株式会社 Multi-chip package, projector
JPWO2021117286A1 (en) * 2019-12-09 2021-06-17
JP7060830B2 (en) * 2020-03-23 2022-04-27 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7288221B2 (en) * 2021-06-01 2023-06-07 日亜化学工業株式会社 light emitting device
JP2022188901A (en) * 2021-06-10 2022-12-22 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 Light source device
JP2023023799A (en) * 2021-08-06 2023-02-16 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 Multi-wavelength light source module
US11751298B2 (en) 2022-01-07 2023-09-05 Nichia Corporation Light-emitting device
WO2023188534A1 (en) * 2022-03-30 2023-10-05 パナソニックホールディングス株式会社 Semiconductor laser device

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003344609A (en) 2002-05-23 2003-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd Condenser lens, multiplexing laser and exposure device
JP2007019301A (en) 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp Optical multiplexing laser source and adjusting method thereof
JP2007027716A (en) 2005-07-11 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for laser diode device, laser diode device and method for manufacturing laser diode device
JP2007250817A (en) 2006-03-16 2007-09-27 Stanley Electric Co Ltd Led
JP2007305736A (en) 2006-05-10 2007-11-22 Seiko Epson Corp Manufacturing method of optical module
JP2008015036A (en) 2006-07-03 2008-01-24 Fuji Xerox Co Ltd Optical subassembly, optical module, and manufacturing method of optical subassembly
US20080084905A1 (en) 2006-03-03 2008-04-10 Falk Doerfel High power diode laser having multiple emitters and method for its production
JP2009170881A (en) 2007-11-16 2009-07-30 Fraunhofer Usa Inc High power laser diode array comprising at least one high power diode laser, and laser light source comprising the same
WO2013027669A1 (en) 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 Optical semiconductor device
US20130272329A1 (en) 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
JP2013238635A (en) 2012-05-11 2013-11-28 Ushio Inc Light source device and projector
WO2014191419A1 (en) 2013-05-28 2014-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component comprising a housing with a plurality of openings
US20150055667A1 (en) 2013-05-13 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser component and method of producing it
JP6288132B2 (en) 2015-05-20 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5139609A (en) * 1991-02-11 1992-08-18 The Aerospace Corporation Apparatus and method for longitudinal diode bar pumping of solid state lasers
JPH06991A (en) * 1992-06-22 1994-01-11 Fuji Xerox Co Ltd Laser beam printer
JPH06230203A (en) * 1993-02-04 1994-08-19 Omron Corp Optical element and its production, stamper for producing the optical element as well as image display device using the optical element
JP2746809B2 (en) * 1993-02-24 1998-05-06 京セラ株式会社 Package for storing optical semiconductor elements
JPH07174997A (en) * 1993-12-17 1995-07-14 Fuji Xerox Co Ltd Optical scanner
JP3327042B2 (en) * 1995-04-17 2002-09-24 松下電器産業株式会社 Semiconductor laser device
JPH10256648A (en) * 1997-03-13 1998-09-25 Hitachi Ltd Laser diode module
US20030043582A1 (en) * 2001-08-29 2003-03-06 Ball Semiconductor, Inc. Delivery mechanism for a laser diode array
AU2003211414A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light source apparatus and optical communication module comprising it
JP2004006440A (en) * 2002-04-10 2004-01-08 Fuji Photo Film Co Ltd Laser apparatus, exposure head, and exposure device
JP2004043981A (en) * 2002-07-08 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd Apparatus for bleaching treatment
JP4014990B2 (en) * 2002-09-30 2007-11-28 富士フイルム株式会社 Optical fiber connection method
JP2004014583A (en) * 2002-06-03 2004-01-15 Ricoh Co Ltd Semiconductor laser, optical writing device, and image forming device
JP4368563B2 (en) * 2002-07-10 2009-11-18 富士フイルム株式会社 Laser equipment
KR20040022675A (en) * 2002-09-09 2004-03-16 주식회사 아이텍 테크널러지 Optical Transceiver With VCSEL Transmitter And Receiver Array Modules For High Speed Parallel Communications On The Optical Backplane
JP2006032454A (en) * 2004-07-13 2006-02-02 Nichia Chem Ind Ltd Semiconductor laser package and manufacturing method thereof
DE102004051362A1 (en) 2004-10-21 2006-04-27 Harvatek Corp. Package structure of opto-electrical semiconductor, such as light emitting diode, has opto-electrical semiconductor structure attached on plane of internal side of shell body with heat-conductive laminate
JP4950513B2 (en) * 2006-02-23 2012-06-13 パナソニック株式会社 Manufacturing method of infrared device integrated apparatus
JP5046538B2 (en) * 2006-03-15 2012-10-10 シャープ株式会社 Eye-safe laser light source and electronic device using the same
JP2007266484A (en) * 2006-03-29 2007-10-11 Sharp Corp Eye-safe laser light source device, communication equipment using the same, and lighting equipment
JP2007304311A (en) * 2006-05-11 2007-11-22 Seiko Epson Corp Optical module and its manufacturing method
JP4771872B2 (en) * 2006-06-15 2011-09-14 シャープ株式会社 Semiconductor laser light source device and communication equipment and lighting equipment using the same
JP4927763B2 (en) * 2007-03-14 2012-05-09 株式会社エンプラス Optical module holder, optical module and optical connector
JP2008241813A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Olympus Corp Cap member
JP2009080978A (en) * 2007-09-25 2009-04-16 Toshiba Lighting & Technology Corp Illuminating apparatus
JP2009117099A (en) 2007-11-05 2009-05-28 Seiko Epson Corp Light source device
JP5439764B2 (en) * 2008-08-18 2014-03-12 セイコーエプソン株式会社 Solid state light source device, projector, monitor device
JP2011049338A (en) * 2009-08-27 2011-03-10 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device, and optical device
JP2011222734A (en) * 2010-04-09 2011-11-04 Mitsubishi Electric Corp Optical semiconductor element module
WO2011142059A1 (en) * 2010-05-12 2011-11-17 パナソニック株式会社 Semiconductor device and method for producing same
JP5717989B2 (en) 2010-06-15 2015-05-13 古河電気工業株式会社 Laser equipment
JP5636877B2 (en) * 2010-10-28 2014-12-10 日亜化学工業株式会社 Semiconductor laser device and manufacturing method thereof
JP5891796B2 (en) * 2012-01-11 2016-03-23 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND PROJECTOR
DE102012205513B4 (en) * 2012-04-04 2021-12-09 Osram Gmbh Method for producing a radiation arrangement and radiation arrangement
DE102012103257A1 (en) * 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh laser diode device
JP2013236010A (en) * 2012-05-10 2013-11-21 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device
JP6019977B2 (en) * 2012-09-14 2016-11-02 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6089616B2 (en) * 2012-11-20 2017-03-08 セイコーエプソン株式会社 Light source device and projector
JP2014138148A (en) * 2013-01-18 2014-07-28 Hitachi Media Electoronics Co Ltd Semiconductor laser, semiconductor laser array and image display device
DE102013104728A1 (en) 2013-05-07 2014-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh laser diode device
JP6207881B2 (en) * 2013-05-30 2017-10-04 株式会社エンプラス Optical receptacle and optical module having the same
JP6252278B2 (en) 2014-03-20 2017-12-27 株式会社デンソーウェーブ Robot control method and robot control device
DE102014205450A1 (en) * 2014-03-24 2015-09-24 Osram Gmbh Light source arrangement
JP6648712B2 (en) * 2016-04-28 2020-02-14 日亜化学工業株式会社 Light emitting device manufacturing method

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003344609A (en) 2002-05-23 2003-12-03 Fuji Photo Film Co Ltd Condenser lens, multiplexing laser and exposure device
JP2007019301A (en) 2005-07-08 2007-01-25 Fujifilm Holdings Corp Optical multiplexing laser source and adjusting method thereof
JP2007027716A (en) 2005-07-11 2007-02-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Package for laser diode device, laser diode device and method for manufacturing laser diode device
US20080084905A1 (en) 2006-03-03 2008-04-10 Falk Doerfel High power diode laser having multiple emitters and method for its production
JP2007250817A (en) 2006-03-16 2007-09-27 Stanley Electric Co Ltd Led
JP2007305736A (en) 2006-05-10 2007-11-22 Seiko Epson Corp Manufacturing method of optical module
JP2008015036A (en) 2006-07-03 2008-01-24 Fuji Xerox Co Ltd Optical subassembly, optical module, and manufacturing method of optical subassembly
JP2009170881A (en) 2007-11-16 2009-07-30 Fraunhofer Usa Inc High power laser diode array comprising at least one high power diode laser, and laser light source comprising the same
WO2013027669A1 (en) 2011-08-22 2013-02-28 京セラ株式会社 Optical semiconductor device
US20130272329A1 (en) 2012-04-16 2013-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser diode devices
JP2013238635A (en) 2012-05-11 2013-11-28 Ushio Inc Light source device and projector
US20150055667A1 (en) 2013-05-13 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser component and method of producing it
WO2014191419A1 (en) 2013-05-28 2014-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component comprising a housing with a plurality of openings
JP6288132B2 (en) 2015-05-20 2018-03-07 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP2020170870A (en) 2015-05-20 2020-10-15 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP6822382B2 (en) 2015-05-20 2021-01-27 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP2021090062A (en) 2015-05-20 2021-06-10 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP2021114613A (en) 2015-05-20 2021-08-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP2022097613A (en) 2015-05-20 2022-06-30 日亜化学工業株式会社 Light emitting device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021114613A (en) * 2015-05-20 2021-08-05 日亜化学工業株式会社 Light emitting device
JP7256408B2 (en) 2015-05-20 2023-04-12 日亜化学工業株式会社 light emitting device

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