JP2021086862A - Multi-chip package, projector - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マルチチップパッケージ及び当該マルチチップパッケージを備えたプロジェクターに関する。 The present invention relates to a multi-chip package and a projector provided with the multi-chip package.
従来から種々のマルチチップパッケージが知られており、一例として、特許文献1〜4が挙げられる。 Various multi-chip packages have been known conventionally, and Patent Documents 1 to 4 are mentioned as an example.
特許文献1の発光装置は、基体と、複数のレンズ部を有するレンズアレイと、前記基体上に配置された複数の半導体レーザ素子と、を備える。 The light emitting device of Patent Document 1 includes a substrate, a lens array having a plurality of lens portions, and a plurality of semiconductor laser elements arranged on the substrate.
特許文献2のレーザダイオード装置は偏向素子を備え、当該偏向素子は、レーザダイオードチップから出射されたレーザをカバー部材の方向に偏向する。
The laser diode device of
特許文献3のシステムは、スペックルを低減するためのシステムであって、複数のレーザ光源から出射された複数のレーザを結合する。
The system of
特許文献4の装置は、スペックルを低減するための装置であって、マイクロスキャナーとホログラフィック・ディフーザーとを備える。マイクロスキャナーは、能動素子で構成されており、印加電圧によって屈折率が変化する。
The device of
レーザは、高輝度、長寿命、及び狭帯域スペクトルの複数のレーザを重ね合わせることにより得られる高色域といった利点を有する。そのため、レーザは、高出力プロジェクターの光源などに用いられる。一方、レーザがプロジェクターの光源として用いられた場合、投影される映像に知覚可能なスペックルが発生するという問題が生じうる。 Lasers have the advantages of high brightness, long life, and high color gamut obtained by superimposing multiple lasers with a narrow band spectrum. Therefore, the laser is used as a light source of a high-power projector or the like. On the other hand, when a laser is used as a light source for a projector, there may be a problem that a perceptible speckle is generated in the projected image.
そこで、スペックルを低減するために、機械的に振動するディフーザーなどの能動素子が用いられる。しかしながら、能動素子は、プロジェクターに含まれる他の部品(レーザ光源など)と比較すると、故障するまでの平均時間が短い。また、ディフーザーは、光損失をもたらすため、輝度を低下させ、かつ発熱する。 Therefore, in order to reduce speckle, an active element such as a diffuser that vibrates mechanically is used. However, the active element has a shorter average time to failure than other components (laser light source, etc.) included in the projector. In addition, the diffuser causes light loss, so that the brightness is lowered and heat is generated.
特許文献1の発光装置および特許文献2のレーザダイオード装置はいずれも、スペックルを低減するための光学素子を備えておらず、かつ、各レーザから出射されたレーザビームを2以上のビームに分割するビームスプリッターを備えていない。
Neither the light emitting device of Patent Document 1 nor the laser diode device of
特許文献3のシステムは、マルチチップパッケージに適用することが困難である。さらに、特許文献3のシステムは、光学部材(マイクロレンズアレイ等)が可動である。そのため、特許文献3のシステムは、コンパクト、頑丈さ、エネルギー効率、及び音などに課題を有する。
The system of
特許文献4の装置は、マルチチップパッケージに適用することが困難である。また、特許文献4の装置は、スペックルを低減するために能動素子を用いる。
The device of
本発明の一態様は、受動素子を用いてスペックルを低減することが可能なマルチチップパッケージを実現することを目的とする。 One aspect of the present invention is to realize a multi-chip package capable of reducing speckle by using a passive element.
(1)上記の課題を解決するために、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、複数の半導体レーザチップと、上記複数の半導体レーザチップそれぞれに対応し、かつ、当該複数の半導体レーザチップそれぞれから出射されたレーザビームをそれぞれ複数のサブビームに分割する、受動素子で構成された複数のビーム分割部と、上記複数のサブビームを上記マルチチップパッケージの外部に反射する1以上の反射部と、を備える。
(2)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)の構成に加え、上記複数のビーム分割部はそれぞれ、上記レーザビームを上記複数のサブビームに分割する1以上のビームスプリッターと、上記1以上のビームスプリッターによって分割された上記複数のサブビームのうち少なくとも1つのサブビームを反射する1以上のリフレクターと、を備える。
(3)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(2)の構成に加え、上記1以上のリフレクターは、少なくとも、第1リフレクター、第2リフレクター、及び第3リフレクターを含み、上記1以上のビームスプリッターは、少なくとも、第1ビームスプリッターを含み、上記1以上の反射部は、上記複数のサブビームのうち、少なくとも上記第1リフレクター及び上記第2リフレクターと上記第1ビームスプリッターとで構成された循環光路内を循環したサブビームを上記マルチチップパッケージの外部に反射する。
(4)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(2)または(3)の構成に加え、上記1以上のビームスプリッターは偏光依存ビームスプリッターである。
(5)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)の構成に加え、上記複数のビーム分割部のうち少なくとも1つのビーム分割部は、上記レーザビームを上記複数のサブビームに分割するビーム分割機能部と、上記ビーム分割機能部を内部または表面上に含む基体部と、を備える。
(6)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(5)の何れかの構成に加え、上記マルチチップパッケージの外部に出射される上記複数のサブビームの平行化を促進する1以上のコリメート部を備える。
(7)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(6)の構成に加え、上記1以上のコリメート部は、上記複数の半導体レーザチップと上記複数のビーム分割部との間に設けられるレンズである。
(8)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(6)の構成に加え、上記1以上のコリメート部は、上記複数の半導体レーザチップと上記複数のビーム分割部との間に設けられる曲面ミラーである。
(9)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(6)の構成に加え、上記1以上のコリメート部は、上記1以上の反射部の後流側に設けられる。
(10)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(6)から(9)の何れかの構成に加え、上記1以上のコリメート部は、複数のコリメート部を含み、上記複数のコリメート部は不規則に配置されている。
(11)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(10)の何れかの構成に加え、上記1以上の反射部は、上記複数のサブビームのうち少なくとも1つのサブビームを他のサブビームと異なる方向に反射する。
(12)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(11)の何れかの構成に加え、上記1以上の反射部は、上記複数のサブビームのうち少なくとも1つのサブビームを他のサブビームと異なる方向に出射する。
(13)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(12)の何れかの構成に加え、上記複数のサブビームの光路内に、不均一な厚みを有する光透過性の光路長変化部を備える。
(14)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(13)の何れかの構成に加え、上記1以上の反射部は、異なる方向から入射する2つのレーザビームを交差させる少なくとも2つのレーザ反射面を有する。
(15)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(1)から(14)の何れかの構成に加え、上記複数の半導体レーザチップのうち少なくとも1つの半導体レーザチップと他の半導体レーザチップは速軸方向が互いに異なる。
(16)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(3)の構成に加え、上記循環光路内に偏光回転子を備える。
(17)また、本開示の一態様に係るマルチチップパッケージは、上記(5)の構成に加え、上記ビーム分割機能部は誘電体または1以上の金属反射膜であり、上記基体部はガラスである。
(18)また、本開示の一態様に係るプロジェクターは、上記(1)から(17)の何れかのマルチチップパッケージを備える。
(1) In order to solve the above problems, the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure corresponds to a plurality of semiconductor laser chips and each of the plurality of semiconductor laser chips, and the plurality of semiconductor laser chips. A plurality of beam dividing parts composed of passive elements that divide the laser beam emitted from each into a plurality of subbeams, and one or more reflecting parts that reflect the plurality of subbeams to the outside of the multi-chip package. To be equipped.
(2) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (1) above, each of the plurality of beam splitting portions is one or more beams that split the laser beam into the plurality of subbeams. It includes a splitter and one or more reflectors that reflect at least one of the plurality of subbeams split by the one or more beam splitters.
(3) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (2) above, the one or more reflectors include at least a first reflector, a second reflector, and a third reflector. The one or more beam splitters include at least a first beam splitter, and the one or more reflecting portions are at least the first reflector, the second reflector, and the first beam splitter among the plurality of subbeams. The sub-beam circulating in the configured circulating optical path is reflected to the outside of the multi-chip package.
(4) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (2) or (3) above, one or more beam splitters are polarization-dependent beam splitters.
(5) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (1) above, at least one beam dividing portion among the plurality of beam dividing portions uses the laser beam as the plurality of subbeams. It is provided with a beam dividing function unit that divides the beam into the above, and a base unit that includes the beam dividing function unit inside or on the surface.
(6) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (1) to (5) above, the plurality of sub-beams emitted to the outside of the multi-chip package are parallelized. It is provided with one or more collimating portions that promote.
(7) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (6) above, the one or more collimating portions are located between the plurality of semiconductor laser chips and the plurality of beam dividing portions. It is a lens provided in.
(8) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (6), the one or more collimating portions are located between the plurality of semiconductor laser chips and the plurality of beam dividing portions. It is a curved mirror provided in.
(9) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (6) above, the one or more collimating portions are provided on the wake side of the one or more reflecting portions.
(10) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (6) to (9) above, the one or more collimating portions include a plurality of collimating portions, and the plurality of collimating portions are included. The collimated parts of are irregularly arranged.
(11) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (1) to (10), the one or more reflecting portions are at least one of the plurality of subbeams. The subbeam is reflected in a different direction from the other subbeams.
(12) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (1) to (11), the one or more reflecting portions are at least one of the plurality of subbeams. The subbeam is emitted in a direction different from that of other subbeams.
(13) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (1) to (12) above, light transmission having a non-uniform thickness in the optical path of the plurality of subbeams. It has a sex optical path length change part.
(14) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration according to any one of (1) to (13) above, the one or more reflecting portions are two laser beams incident from different directions. Has at least two laser reflecting surfaces that intersect.
(15) Further, in addition to the configuration according to any one of (1) to (14), the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure includes at least one semiconductor laser chip among the plurality of semiconductor laser chips and another. Semiconductor laser chips have different speed axis directions.
(16) Further, the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure includes a polarized rotator in the circulating optical path in addition to the configuration of (3).
(17) Further, in the multi-chip package according to one aspect of the present disclosure, in addition to the configuration of (5) above, the beam dividing function portion is a dielectric or one or more metal reflective films, and the substrate portion is glass. is there.
(18) Further, the projector according to one aspect of the present disclosure includes the multi-chip package according to any one of (1) to (17) above.
以下、本開示の実施形態を図面に基づいて説明する。以下に説明する実施形態は、本開示の実現手段としての一例であり、本開示が適用される装置の構成又は各種条件によって適宜修正又は変更されるべきものであり、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下に説明する図面において、同一または機能的に同様の構成要素については同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。さらに、各図面は、以下の説明と併せて参照したときに分かりやすいように示したものであり、必ずしも一定の比率の縮尺で描かれていない。 Hereinafter, embodiments of the present disclosure will be described with reference to the drawings. The embodiments described below are an example as means for realizing the present disclosure, and should be appropriately modified or changed depending on the configuration of the device to which the present disclosure is applied or various conditions, and the present disclosure is the following embodiments. It is not limited to. Further, in the drawings described below, the same or functionally similar components are designated by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted. Further, each drawing is shown for easy understanding when referred to together with the following description, and is not necessarily drawn at a certain ratio of scale.
〔マルチチップパッケージの用途例〕
近年、光源として、To−CANパッケージではなく、高出力のマルチチップパッケージが使用されている。これは、マルチチップパッケージは、コンパクトであり、かつ、コストダウンを実現しやすいためである。マルチチップパッケージは、理想的には、マルチチップパッケージのコヒーレンス特性を低下させることによって光源後方においてスペックルが低減されるように設計する。この設計によって、スペックルを低減する素子を光源後方の光路中に設ける必要がなくなり、かつ、プロジェクターのコスト及び寿命などに影響を与えにくい受動素子を使用しやすくなる。
[Example of application of multi-chip package]
In recent years, a high-power multi-chip package has been used as a light source instead of the To-CAN package. This is because the multi-chip package is compact and it is easy to realize cost reduction. The multi-chip package is ideally designed so that the speckle is reduced behind the light source by reducing the coherence characteristics of the multi-chip package. This design eliminates the need to provide an element that reduces speckle in the optical path behind the light source, and makes it easier to use a passive element that does not easily affect the cost and life of the projector.
説明の便宜のため、最初に、本開示に係るマルチチップパッケージ1(後述)を備えたプロジェクター200の構成例を説明する。図30は、本開示に係るプロジェクター200の概略図である。 For convenience of explanation, first, a configuration example of the projector 200 provided with the multi-chip package 1 (described later) according to the present disclosure will be described. FIG. 30 is a schematic view of the projector 200 according to the present disclosure.
〔プロジェクター〕
プロジェクター200は、マルチチップパッケージ1、ビーム成形光学系201、ホモジナイザ202、空間光変調部203、投影光学系204、及びスクリーン205を備える。ビーム成形光学系201、ホモジナイザ202、空間光変調部203、投影光学系204、及びスクリーン205は公知の技術を使用してよい。
〔projector〕
The projector 200 includes a multi-chip package 1, a beam forming
プロジェクター200は、実施形態1に係るマルチチップパッケージ1(後述)を備える。プロジェクター200は、マルチチップパッケージ1に代えて、本開示に係る他のマルチチップパッケージを備えてもよい。以下では、プロジェクター200は、マルチチップパッケージ1を備えるものとして説明する。マルチチップパッケージ1から出射されたレーザビームはビーム成形光学系201に入射する。
The projector 200 includes a multi-chip package 1 (described later) according to the first embodiment. The projector 200 may include another multi-chip package according to the present disclosure instead of the multi-chip package 1. Hereinafter, the projector 200 will be described as including the multi-chip package 1. The laser beam emitted from the multi-chip package 1 is incident on the beam forming
ビーム成形光学系201は、スクリーン205への投影に必要なレーザビームを得るために用いられる。ビーム成形光学系201は、マルチチップパッケージ1から出射されたレーザビームを屈折させてホモジナイザ202に集束する。ビーム成形光学系201は、例えば、1以上のレンズで構成されてよい。
The beam forming
ホモジナイザ202は、ビーム成形光学系201から入射したレーザビームを均一な光強度分布のレーザビームに成形する。ホモジナイザ202は、例えば、単レンズをアレイ状に並べたフライアイレンズを用いる方式、非球面レンズを用いる方式、又は回折光学素子を用いる方式が採用されてよい。また、ホモジナイザ202は、ディフーザーまたは光パイプを含んでもよい。
The
ホモジナイザ202に入射するレーザビームの空間的および時間的コヒーレンス特性は、スペックルを低減するために従来のマルチチップパッケージよりも低下している方が好ましい。このために、プロジェクター200は、本発明の一態様に係るマルチチップパッケージ1を備える。
The spatial and temporal coherence characteristics of the laser beam incident on the
空間光変調部203は、ホモジナイザ202から入射したレーザビームの空間的な分布(振幅、位相、偏光など)を電気的に制御することによりレーザビームを変化(変調)させる。
The spatial
投影光学系204は、空間光変調部203によって変調されたレーザビームを合成し、スクリーン205に投影する。
The projection
プロジェクター200はマルチチップパッケージ1を備える。詳細は後述するが、マルチチップパッケージ1は、レーザビームの、角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させる。これにより、プロジェクター200は、スペックルを低減することができる。 The projector 200 includes a multi-chip package 1. As will be described in detail later, the multi-chip package 1 variously changes the angle, spatial spread, and / or optical path length of the laser beam. As a result, the projector 200 can reduce the speckle.
マルチチップパッケージ1は複数の半導体レーザチップ4を備え、それら複数の半導体レーザチップ4は互いに離間している。このため、既存のマルチチップパッケージで使用するヒートシンクと比較すると、本開示に係るヒートシンク(サブマウント3)は、より簡易かつ小型にできる。
The multi-chip package 1 includes a plurality of
これに対して、マルチチップパッケージの内部にディフーザーを設けた場合、レーザビームの、角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させうるが、許容しがたい程度の光損失と迷光が生じうる。 On the other hand, when the diffuser is provided inside the multi-chip package, the angle, spatial spread, and / or optical path length of the laser beam can be changed in various ways, but the light loss and stray light are unacceptable. Can occur.
プロジェクター200は、マルチチップパッケージ1を光源として使用する。マルチチップパッケージ1は、スペックルを低減し、かつ、光損失の少ない、高輝度のレーザビームを出射することができる。従って、プロジェクター200も、マルチチップパッケージ1により得られる効果と同様の効果を享受することができる。 The projector 200 uses the multi-chip package 1 as a light source. The multi-chip package 1 can emit a high-intensity laser beam with reduced speckle and low light loss. Therefore, the projector 200 can also enjoy the same effect as that obtained by the multi-chip package 1.
以下、各実施形態に係るマルチチップパッケージを説明する。 Hereinafter, the multi-chip package according to each embodiment will be described.
〔実施形態1〕
図1は、実施形態1に係るマルチチップパッケージ1の概略図であり、上図が上面図であり、下図が側面図である。マルチチップパッケージ1は、例えばプロジェクター200の光源として用いられる。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a schematic view of the multi-chip package 1 according to the first embodiment, the upper view is a top view, and the lower view is a side view. The multi-chip package 1 is used, for example, as a light source for the projector 200.
マルチチップパッケージ1は、パッケージ2、複数のサブマウント3、複数の半導体レーザチップ4、複数のビームスプリッター5、複数の折り返しミラー6(リフレクター)、複数のアングルミラー7(反射部)、及びカバー8を備える。
The multi-chip package 1 includes a
図1において、マルチチップパッケージ1は、サブマウント3、半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、折り返しミラー6それぞれ1つを1組として計16組備える。また、マルチチップパッケージ1は、2つのアングルミラー7を備える。1つのアングルミラー7に対して、8組の、サブマウント3、半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、及び折り返しミラー6が対応する。
In FIG. 1, the multi-chip package 1 includes a
なお、図1は一例であって、マルチチップパッケージ1に含まれる上記各部材の個数は特定の数に限定されない。 Note that FIG. 1 is an example, and the number of each of the above-mentioned members included in the multi-chip package 1 is not limited to a specific number.
また、ビームスプリッター5および折り返しミラー6それぞれ1つを纏めて「ビーム分割部」と称してもよい。同様に、後述の実施形態2等においても、半導体レーザチップ4とアングルミラー7(または、実施形態3では曲面ミラー37)との間に配された1以上の光学素子を纏めて「ビーム分割部」と称してもよい。このビーム分割部は、受動素子により構成される。
Further, each of the
パッケージ2は、基板2aと側壁2bとで構成される。基板2aは、複数のサブマウント3、複数のビームスプリッター5、複数の折り返しミラー6、及び複数のアングルミラー7を支持する。側壁2bは、基板2aの周囲を取り囲む。パッケージ2は、好ましくは、高熱伝導性材料で形成され、強靭で壊れにくい。マルチチップパッケージ1は、基板2a、側壁2b、及びカバー8により密閉されている。基板2a及び側壁2bは、同じ材料又は異なる材料で形成されてよい。
複数のサブマウント3はそれぞれ、基板2aに支持され、複数の半導体レーザチップ4それぞれで発生する熱を基板2aに伝熱する。複数のサブマウント3は、例えば、半導体材料、金属、又は半導体材料と金属により形成される。複数のサブマウント3が半導体材料で形成されている場合、複数のサブマウント3の熱膨張係数と複数の半導体レーザチップ4の熱膨張係数をそれぞれ近い値にすることができる。複数のサブマウント3が金属で形成されている場合、金属は伝熱性が高いことから、複数の半導体レーザチップ4の昇温を抑制することができる。複数のサブマウント3が半導体材料及び金属により形成されている場合、半導体材料及び金属のそれぞれの長所を活かすことができる。
Each of the plurality of
複数のサブマウント3は、好ましくは基板2a上に規則的に配置されている。複数のサブマウント3はそれぞれ、複数の半導体レーザチップ4のうち対応する半導体レーザチップ4を実装する。
The plurality of
複数の半導体レーザチップ4はそれぞれ、複数のサブマウント3のうち対応するサブマウント3上に実装される。複数の半導体レーザチップ4はそれぞれ、活性層を含む複数の半導体層が積層された構成を有する。例えば、複数の半導体レーザチップ4はそれぞれ、n型半導体基板上に、少なくともn型クラッド層(第1クラッド層)、活性層、p型クラッド層(第2クラッド層)およびp型コンタクト層が、この順に積層された構成を有してよい。複数の半導体レーザチップ4はそれぞれ、所定の注入電流が供給されることで、少なくとも一方の端面から所定の発振波長を有するレーザビームを出射する。複数の半導体レーザチップ4それぞれが発するレーザビームの発振波長は特に限定されない。
Each of the plurality of
複数のビームスプリッター5はそれぞれ、複数の半導体レーザチップ4のうち対応する半導体レーザチップ4から出射されたレーザビームを2つに分割する。複数のビームスプリッター5それぞれに入射したレーザビームは、一部が反射し、その他が透過する。以下、分割されたレーザビームを「サブビーム」と称する場合もある。
Each of the plurality of
複数のビームスプリッター5それぞれで反射したサブビームは、複数の折り返しミラー6のうち対応する折り返しミラー6に入射する。複数のビームスプリッター5それぞれで透過したサブビームは、2つのアングルミラー7のうち対応するアングルミラー7に入射する。複数のビームスプリッター5はそれぞれ、プリズム型、平面型、及びウェッジ基板型の何れであってもよい。また、複数のビームスプリッター5はそれぞれ、偏光ビームスプリッターおよび非偏光ビームスプリッターの何れであってもよい。
The subbeam reflected by each of the plurality of
複数のビームスプリッター5が偏光ビームスプリッターの場合には、好ましくは、複数のビームスプリッター5それぞれの軸は、複数の半導体レーザチップ4それぞれから入射するレーザビームの偏光方向に対して約45度傾斜する。これにより、複数のビームスプリッター5それぞれに入射するレーザビームは、略等しい出力を有する2つの直交偏光成分を有する2つのサブビームに分割される。
When the plurality of
複数のビームスプリッター5が非偏光ビームスプリッターの場合、好ましくは、複数のビームスプリッター5は、複数の半導体レーザチップ4のうち対応する半導体レーザチップ4から入射するレーザビームを、略等しい出力を有する2つのサブビームに分割する。ビームスプリッター5については、図2等を用いて後ほど詳述する。
When the plurality of
複数の折り返しミラー6はそれぞれ、入射したサブビームを、2つのアングルミラー7のうち対応するアングルミラー7の方向に反射する。複数の折り返しミラー6はそれぞれ、同様の機能を果たすのであれば、特定の種類に限定されない。
Each of the plurality of folded
2つのアングルミラー7はそれぞれ、入射した複数のサブビームをカバー8の方向に反射する。具体的に、2つのアングルミラー7はそれぞれ、入射した複数のサブビームをx軸方向からz軸方向に反射する(図1下図)。2つのアングルミラー7はそれぞれ、同様の機能を果たすのであれば、特定の種類に限定されない。
Each of the two angle mirrors 7 reflects the plurality of incident subbeams in the direction of the
以上、マルチチップパッケージ1の各構成部材を説明した。複数のサブマウント3、複数の半導体レーザチップ4、複数のビームスプリッター5、複数の折り返しミラー6、及び複数のアングルミラー7は、基板2a上に規則的に配置されている。
Each component of the multi-chip package 1 has been described above. The plurality of
カバー8は、側壁2b上に設けられ、基板2aと側壁2bとで囲まれる空間を密封する。カバー8は、レーザビームの少なくとも一部を透過する、1または2以上の材料で形成される。カバー8は、マルチチップパッケージ1の内部への湿気または埃の浸入を防止する。
The
上述したように、マルチチップパッケージ1は、サブマウント3、半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、折り返しミラー6それぞれ1つを1組として計16組備える。各組を介してマルチチップパッケージ1の外部に出射されるサブビームは、互いに非平行であることが好ましい。複数のビームスプリッター5及び/又は複数の折り返しミラー6は、マルチチップパッケージ1の外部に出射されるサブビームそれぞれが非平行となるように配置される。これにより、マルチチップパッケージの後方(下流側)において光照射野の角度、空間的広がり、及び/又は光路を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ1は、その下流側においてスペックルを低減することができる。
As described above, the multi-chip package 1 includes a
〔ビームスプリッター5〕
以下、図2、図3を用いてビームスプリッター5をさらに説明する。
[Beam Splitter 5]
Hereinafter, the
図2は、シンプルな構成のビームスプリットを説明する概略図である。図2の構成は、図1で説明した構成と同様であるため、ここでの説明は省略する。 FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a beam split having a simple configuration. Since the configuration of FIG. 2 is the same as the configuration described with reference to FIG. 1, the description thereof will be omitted here.
図3は、キャビティ式のビームスプリットを説明する概略図であり、左図はビームスプリッター5が偏光無依存ビームスプリッターである場合を示し、右図はビームスプリッター5が偏光依存ビームスプリッターである場合を示す。
FIG. 3 is a schematic view illustrating a cavity-type beam split, the left figure shows a case where the
図3において、半導体レーザチップ4からビームスプリッター5に入射したレーザビームは、ビームスプリッター5において複数のサブビームに分割される。
In FIG. 3, the laser beam incident on the
具体的に、レーザビームは、ビームスプリッター5において2つのサブビームに分割される(第1、第2のサブビーム)。第1のサブビームは折り返しミラー6aの方向に反射する。第2のサブビームは、ビームスプリッター5を透過して折り返しミラー6bに入射する。第2のサブビームは、折り返しミラー6b、折り返しミラー6c、及び折り返しミラー6dで反射し、再びビームスプリッター5に入射する。
Specifically, the laser beam is split into two subbeams in the beam splitter 5 (first and second subbeams). The first subbeam is reflected in the direction of the folded
第2のサブビームは、ビームスプリッター5において、さらに2つのサブビームに分割される(第3、第4のサブビーム)。第3のサブビームは、折り返しミラー6bの方向に反射して再びキャビティ内を循環する。第4のサブビームは、ビームスプリッター5を透過して折り返しミラー6aに入射する。
The second subbeam is further split by the
このように、複数のサブビームが、ビームスプリッター5と複数の折り返しミラー6とにより形成された循環光路を循環する。この循環光路をキャビティと称する。キャビティ式のビームスプリットとは、キャビティ内において複数のサブビームを循環させ、少なくとも1つの折り返しミラー(折り返しミラー6a)を介して、それら複数のサブビームをマルチチップパッケージ1の外部に取り出す方式をいう。
In this way, the plurality of subbeams circulate in the circulating optical path formed by the
ビームスプリッター5は、実質的に偏光無依存ビームスプリッターおよび偏光依存ビームスプリッターの何れであってもよい。
The
ビームスプリッター5が偏光無依存ビームスプリッターである場合、反射率と透過率が適宜選択される。図2の場合、反射率および透過率はそれぞれ約50%であることが好ましい。図3左図の場合、反射率および透過率に応じて、キャビティ内に進入するレーザビームの割合、及び、キャビティ内を循環するごとにキャビティの外部に取り出されるレーザビームの割合がそれぞれ調整される。
When the
ビームスプリッター5が偏光依存ビームスプリッターである場合、ビームスプリッター5の軸は、好ましくは、入射レーザビームの偏光方向に対して角度θの方向に方向付けされる。角度θを調整することにより、ビームスプリッター5での反射率および透過率が決まる。
When the
キャビティ式のビームスプリットにおいて偏光依存ビームスプリッターが使用される場合(図3右図)、キャビティ内をサブビームが循環するように、光路中に偏光回転子9を設けてよい。偏光回転子9は、キャビティ内をサブビームが循環するごとにキャビティの外部に取り出されるレーザビームの割合を決定する。 When a polarization-dependent beam splitter is used in a cavity-type beam split (right figure in FIG. 3), a polarization rotator 9 may be provided in the optical path so that the subbeam circulates in the cavity. The polarized rotator 9 determines the proportion of the laser beam taken out of the cavity each time the subbeam circulates in the cavity.
レーザビームの進行方向を変化させるだけでは複数のレーザビームの互いのスペックルパターンを十分に失わせることができない場合には、レーザビームを、異なる偏光成分を有する複数のサウビームに分割する構成を採用することが好ましい。この構成は、レーザビームを、同じ偏光成分を有する複数のサブビームに分割するよりも、より効率的にスペックルを低減することができる。 When it is not possible to sufficiently lose the speckle patterns of a plurality of laser beams simply by changing the traveling direction of the laser beam, a configuration is adopted in which the laser beam is divided into a plurality of saw beams having different polarization components. It is preferable to do so. This configuration can reduce speckle more efficiently than splitting the laser beam into a plurality of subbeams having the same polarization component.
シンプルな構成のビームスプリット(図2)及びキャビティ式のビームスプリット(図3)の何れの場合にも、マルチチップパッケージ1の外部に出射される複数のサブビームは、互いに非平行であることが好ましい。複数のサブビームの角度を多様に変化させることにより、マルチチップパッケージ1の後方において生じるスペックルを低減することができる。マルチチップパッケージ1の後方に光学素子を設け、さらにスペックルを低減することもできる。 In both the simple beam split (FIG. 2) and the cavity beam split (FIG. 3), the plurality of subbeams emitted to the outside of the multi-chip package 1 are preferably non-parallel to each other. .. By changing the angles of the plurality of subbeams in various ways, it is possible to reduce the speckle generated behind the multichip package 1. An optical element can be provided behind the multi-chip package 1 to further reduce speckle.
キャビティ式のビームスプリットにおいて、サブビームがキャビティ内を一回循環するときの光路長は、半導体レーザチップ4のコヒーレンス長(lc)よりも長いことが好ましい。複数のサブビームは互いにコヒーレントではない。これにより、マルチチップパッケージ1の後方に設けられる光学素子にほとんど制限を加えることなく、複数のサブビームそれぞれから生ずる強度パターンを、強度パターンの重畳する任意の領域に付加することができる。複数のサブビームはそれぞれ出射角度が異なるため、任意のスペックル強度変化が互いに共通することはない。
In the cavity type beam split, the optical path length when the subbeam circulates once in the cavity is preferably longer than the coherence length (lc) of the
同様に、シンプルな構成のビームスプリットにより分割された2つのサブビームの光路長差は、半導体レーザチップ4のコヒーレンス長よりも長いことが好ましい。光路長は、半導体レーザチップ4のレーザビームの出射点とレーザビームがマルチチップパッケージ1から出射される出射点との間の距離である。
Similarly, the optical path length difference between the two subbeams divided by the beam split having a simple configuration is preferably longer than the coherence length of the
マルチチップパッケージ1から出射される複数のサブビーム間の角度差の最大値は、マルチチップパッケージ1の後方で使用される光学素子によって決まる。その光学素子がレーザビームの多くを捕捉できないほどに角度差を設けるのは好ましくない。 The maximum value of the angle difference between the plurality of subbeams emitted from the multi-chip package 1 is determined by the optical element used behind the multi-chip package 1. It is not preferable that the optical element has an angular difference so that it cannot capture most of the laser beam.
エネルギーを消散しやすいキャビティ式のビームスプリットに入射する前のレーザビームが平行化されていない場合、マルチチップパッケージ1の後方にレンズ等を設けても、マルチチップパッケージ1から出射された複数のサブビームを平行化することは難しい。これは、分割された2つのサブビームが、互いに異なる光路長を有し、かつ、空間中で交差するためである。従って、分割された2つのサブビームの角度差を小さくする必要がある場合には、ビームスプリッター5に入射する前のレーザビームを平行化しておくことが好ましい。ここで、「平行化」とは、光を完全に平行にすることに限定されず、光をより平行に近づくようにすることの意味も含む。このことは、他の実施形態においても同様である。
When the laser beam before being incident on the cavity type beam split that easily dissipates energy is not parallelized, even if a lens or the like is provided behind the multi-chip package 1, a plurality of sub-beams emitted from the multi-chip package 1 are provided. Is difficult to parallelize. This is because the two divided subbeams have different optical path lengths and intersect in space. Therefore, when it is necessary to reduce the angle difference between the two divided subbeams, it is preferable to parallelize the laser beam before it is incident on the
〔レンズ10〕
次に、カバー8の上部に設けるレンズ10を図4〜6により説明する。
[Lens 10]
Next, the
図4は、カバー8の上部に設けられたレンズ10を説明するための概略図であり、上図が上面図であり、下図が側面図である。
FIG. 4 is a schematic view for explaining the
カバー8が単なるガラスである場合、カバー8の上部に複数のレンズ10から構成されたレンズアレイを設けることが好ましい。これにより、マルチチップパッケージ1の後方に設けられる光学素子(例えば、ホモジナイザ)へのカップリング効率を高めることができる。
When the
図4は、カバー8の上部に16個のレンズ10を設けた様子を示す。16個のレンズ10はそれぞれ、x軸方向に隣接する2つのビームスプリッター5、又は、x軸方向に隣接する2つの折り返しミラー6に対応し、かつ、2つのアングルミラー7のうち対応するアングルミラー7の上方に位置する。これにより、複数のサブビームはいずれも、16個のレンズ10のうち何れかのレンズ10を透過する。
FIG. 4 shows a state in which 16
図5は、カバー8の上部に設けられたレンズ10を説明するための概略図であり、上図が上面図であり、下図が側面図である。
FIG. 5 is a schematic view for explaining the
図5は、マルチチップパッケージ1の一変形例であるマルチチップパッケージ11の上部に32個のレンズ10が設けられた構成を示す。マルチチップパッケージ11は、4つのアングルミラー7aを備える。32個のレンズ10はそれぞれ、1つのビームスプリッター5、及び、1つの折り返しミラー6に対応し、かつ、4つのアングルミラー7aのうち対応するアングルミラー7aの上方に位置する。これにより、4つのアングルミラー7aで反射したサブビームはいずれも、32個のレンズ10のうち何れかのレンズ10を透過する。
FIG. 5 shows a configuration in which 32
図6は、カバー8の上部に設けられたレンズ10を説明するための概略図であり、上図が上面図であり、下図が側面図である。マルチチップパッケージ12は、構成要素の配置を変更した点でマルチチップパッケージ11と異なることから、詳細な説明は省略する。
FIG. 6 is a schematic view for explaining the
以上の構成により、マルチチップパッケージ1、マルチチップパッケージ11、マルチチップパッケージ12は何れも、後方に設けられる光学素子へのカップリング効率を高めることができる。
With the above configuration, the multi-chip package 1, the
なお、レンズ10は、カバー8の上部ではなく、カバー8の下面に設けられてもよい。
The
〔マルチチップパッケージ15〕
図7は、マルチチップパッケージ1の変形例である、本実施形態に係るマルチチップパッケージ15の上面図である。マルチチップパッケージ15は、マルチチップパッケージ1と以下(1)〜(3)において相違する。
[Multi-chip package 15]
FIG. 7 is a top view of the
(1)x軸方向において隣接する2つの半導体レーザチップ4が、y軸方向において互いに距離Δyだけ離れている。
(1) Two
(2)x軸方向において隣接する2つのビームスプリッター5が、y軸方向において互いに距離Δyだけ離れている。
(2) Two
(3)x軸方向において隣接する2つの折り返しミラー6が、y軸方向において互いに距離Δyだけ離れている。
(3) Two folded
上記(1)〜(3)により、y軸方向において、マルチチップパッケージ15から出射される複数のサブビームの位置を多様に変化させることができる。これにより、マルチチップパッケージ15は、複数のサブビームの空間的広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ15は、マルチチップパッケージ15の後方においてスペックルを低減することができる。
According to the above (1) to (3), the positions of the plurality of subbeams emitted from the
〔実施形態2〕
図8は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ20の上面図である。マルチチップパッケージ20は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 2]
FIG. 8 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ20は、複数のコリメートレンズ16(コリメート部)を備える。複数のコリメートレンズ16は、複数のサブビームを平行化する。複数のコリメートレンズ16はそれぞれ、複数のアングルミラー7の後流に設けられる。例えば、複数のコリメートレンズ16はそれぞれ、カバー8の上面またはカバー8の下面に設けられる。複数のコリメートレンズ16は規則的に配置されている。図8では、複数のコリメートレンズ16は格子状に配置されている。
Specifically, the
複数のコリメートレンズ16はそれぞれ、マルチチップパッケージ20から外部に出射される複数のサブビームそれぞれに対応して設けられ、複数のサブビームを平行化する。複数のサブビームはそれぞれ、複数のコリメートレンズ16のうち対応するコリメートレンズ16のレンズ中心位置近くに入射する。複数のサブビームの入射位置はそれぞれ、例えば、折り返しミラー6を適当な角度に傾斜させることで調整することができる。このように折り返しミラー6を傾斜させることにより、複数のサブビームそれぞれの進行方向をZ軸と非平行にすることができる。
Each of the plurality of
複数のコリメートレンズ16は、互いのレンズ特性がそれぞれ異なっていてよい。複数のコリメートレンズ16それぞれのサブビーム入射面と複数の半導体レーザチップ4のうち複数のコリメートレンズ16それぞれに対応する半導体レーザチップ4との間の光路長はそれぞれ異なってよい。従って、マルチチップパッケージ20の外部に出射される複数のサブビームの総角度拡がりを制御するために、複数のコリメートレンズ16それぞれの焦点距離を異なるものとするのがよい。
The plurality of
マルチチップパッケージ20は、上記構成を備えることにより、複数のサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ20は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
次に、マルチチップパッケージ20の一変形例であるマルチチップパッケージ21を図9により説明する。
Next, the
図9は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ21に含まれる複数のコリメートレンズ16の上面図である。図9において、複数のコリメートレンズ16以外の部材は記載していない。マルチチップパッケージ21は、以下の点を除きマルチチップパッケージ20と構成が同一である。
FIG. 9 is a top view of a plurality of
具体的に、マルチチップパッケージ21では、コリメートレンズ16は、格子状に配置されておらず、不規則に配置されている。格子の交点を格子位置と称する。複数のコリメートレンズ16それぞれのレンズ中心位置と対応する格子位置との位置ずれの程度または方向はランダムに決められてよい。複数のサブビームはそれぞれ、複数のコリメートレンズ16のうち対応するコリメートレンズ16のレンズ中心位置近くに入射する。複数のサブビームの入射位置はそれぞれ、例えば、折り返しミラー6を適当な角度に傾斜させることで調整することができる。このように、格子位置、コリメートレンズ16の中心位置、及びサブビームのビーム中心位置をそれぞれ異なる位置としてもよい。マルチチップパッケージ21はその一例である。
Specifically, in the
マルチチップパッケージ21は、上記構成を備えることにより、複数のサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ21は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
〔実施形態3〕
図10は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ30の概略図であり、上図が上面図であり、下図が側面図である。マルチチップパッケージ30は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 3]
FIG. 10 is a schematic view of a
具体的に、マルチチップパッケージ30は、2つのアングルミラー7の代わりに、複数の曲面ミラー37(コリメート部)を備える。複数の曲面ミラー37はそれぞれ、複数のサブビームのうち対応するサブビームをマルチチップパッケージ30の外部に出射させ、かつ、複数のサブビームを互いに平行化する。
Specifically, the
複数の曲面ミラー37それぞれの曲率および焦点距離は、対応する半導体レーザチップ4からの光学距離により決まる。ビームスプリッター5を透過したサブビームを反射する曲面ミラー37の曲率は、ビームスプリッター5を反射したサブビームを反射する曲面ミラー37の曲率よりも大きくてよい。
The curvature and focal length of each of the plurality of
マルチチップパッケージ30は、複数のサブビームそれぞれに対応して複数の曲面ミラー37をそれぞれ備える。これにより、マルチチップパッケージ30は、複数のサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ30は、スペックルを低減することができる。
The
〔実施形態4〕
図11は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ40の上面図である。マルチチップパッケージ40は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 4]
FIG. 11 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ40は、レーザビームを平行化する複数のコリメートレンズ41(コリメート部)を備える。複数のコリメートレンズ41はそれぞれ、対応する半導体レーザチップ4と対応するビームスプリッター5との間に設けられる。
Specifically, the
マルチチップパッケージ40は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ1よりも、ビームスプリッター5に入射するレーザビームの角広がりを抑えることができる。その結果、マルチチップパッケージ40は、ビームスプリッター5、折り返しミラー6、又はアングルミラー7にサブビームが入射しないという事態を防止できる。
By providing the above configuration, the
さらに、マルチチップパッケージ40は、(1)不必要な迷光を抑制する、(2)マルチチップパッケージの効率を高める、(3)マルチチップパッケージ40内の光学素子類を小型化することができる、といったさらなる効果を奏する。
Further, the
複数のコリメートレンズ41それぞれの光軸は、対応するレーザビームのビーム中心からずれていてよい。これにより、マルチチップパッケージ40は、マルチチップパッケージ40から出射される複数のサブビームの角広がりを増し、スペックルをさらに低減することができる。
The optical axis of each of the plurality of
複数のコリメートレンズ41は、以下の理由により、キャビティ式のビームスプリットに好適に用いることができる。
The plurality of
具体的に、キャビティ式のビームスプリットでは、キャビティ内をサブビームが何度も循環し、光路が長くなる。そのため、複数のコリメートレンズ41を用いない場合には、キャビティ内での角広がりが大きくなり過ぎる可能性がある。そこで、キャビティ式のビームスプリットに係る構成に複数のコリメートレンズ41を用いることにより、キャビティ内での角広がりを抑制することができる。
Specifically, in the cavity type beam split, the sub-beam circulates in the cavity many times, and the optical path becomes long. Therefore, when a plurality of
マルチチップパッケージ40は、上記構成を備えることにより、スペックルを低減することができる。複数のコリメートレンズ41に係る構成は、他の実施形態(例えば、実施形態1、6、7、8、9、10、11、12、13など)に係るマルチチップパッケージにも適用することができる。
By providing the
〔実施形態5〕
図12は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ50の概略図であり、上図が上面図であり、下図は曲面レンズ51(コリメート部)でレーザビームが平行化される様子を示す図である。マルチチップパッケージ50は、マルチチップパッケージ40と以下の点で相違する。
[Embodiment 5]
FIG. 12 is a schematic view of the
具体的に、マルチチップパッケージ50は、複数のコリメートレンズ41の代わりに、複数の曲面レンズ51を備える。複数の曲面レンズ51はそれぞれ、y軸方向に入射するレーザビームをビームスプリッター5の方向(x軸方向)に平行化する。これにより、ビームスプリッター5に入射するレーザビームの角広がりを抑制することができる。そして、マルチチップパッケージ41は、ビームスプリッター5、折り返しミラー6、又はアングルミラー7にサブビームが入射しない事態を防止できる。
Specifically, the
さらに、マルチチップパッケージ41は、(1)不必要な迷光を抑制する、(2)マルチチップパッケージの効率を高める、(3)マルチチップパッケージ41内の光学素子類を小型化することができる、といったさらなる効果を奏する。
Further, the
マルチチップパッケージ50は、上記構成を備えることにより、スペックルを低減することができる。複数の曲面レンズ51は、他の実施形態(例えば、実施形態1、6〜13など)に係るマルチチップパッケージにも適用することができる。
By providing the
〔実施形態6〕
図13は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ60の側面図である。マルチチップパッケージ60は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 6]
FIG. 13 is a side view of the
具体的に、マルチチップパッケージ1は、アングルミラー7を備える。アングルミラー7は、サブビームが入射する入射面と基板2aとのなす角度が約45度である。
Specifically, the multi-chip package 1 includes an
これに対して、マルチチップパッケージ60は、アングルミラー7bを備える。アングルミラー7bは、サブビームが入射する入射面と基板2aとのなす角度(図13中の角度α)が45度ではない。これにより、図13中のサブビームL1及びサブビームL2に示されるように、マルチチップパッケージ60では、アングルミラー7bからマルチチップパッケージ60の外部に出射される複数のサブビームを互いに交差させることができる。角度αはアングルミラー7bごとに異なる数値としてよい。言い換えると、アングルミラー7bは、異なる方向から入射する2つのレーザビームを交差させる少なくとも2つのレーザ反射面を有する。
On the other hand, the
マルチチップパッケージ60は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ60から出射される複数のサブビームの角広がりをそれぞれ変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ60は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
図14は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ61の上面図である。マルチチップパッケージ61は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
FIG. 14 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ61は、複数のアングルミラー7bを備える。複数のアングルミラー7bはそれぞれ、複数のビームスプリッター5それぞれ、及び複数の折り返しミラー6それぞれに対して設けられる。
Specifically, the
複数のアングルミラー7bはそれぞれ又は少なくとも1つがx軸に対して非平行である。図14において、複数のアングルミラー7bはx軸に対して角度βを有する。角度βはアングルミラー7bごとに異なってよい。
Each or at least one of the plurality of
マルチチップパッケージ61は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ61から出射される複数のサブビームの角広がりをそれぞれ変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ61は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
図15は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ62の概略図である。マルチチップパッケージ62は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
FIG. 15 is a schematic view of a
半導体レーザチップ4がx軸と平行にレーザビームを出射すると仮定する。この場合、マルチチップパッケージ1では、ビームスプリッター5のレーザビーム入射面とx軸とのなす角度は約45度であり、かつ、折り返しミラー6のサブビーム光入射面とx軸とのなす角度も約45度に設定されている。
It is assumed that the
これに対して、マルチチップパッケージ62では、ビームスプリッター5のレーザビーム入射面とx軸とのなす角度は約45度である。しかしながら、折り返しミラー6のサブビーム入射面とx軸とのなす角度γは、45度よりも大きいか、あるいは、45度よりも小さく設定されている。
On the other hand, in the
マルチチップパッケージ62において、x軸と折り返しミラー6のサブビーム入射面とのなす角度を約45度とし、x軸とビームスプリッター5のレーザビーム入射面とのなす角度を、45度よりも大きいか、あるいは、45度よりも小さく設定してもよい。
In the
このように、ビームスプリッター5、及び/又は、折り返しミラー6を設ける角度を変化させることにより、複数のサブビームがアングルミラー7に入射する角度をそれぞれ変化させることができる。
In this way, by changing the angle at which the
マルチチップパッケージ62は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ62から出射される複数のサブビームの角広がりをそれぞれ変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ62は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
〔実施形態7〕
図16は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ70の概略図であり、上図が上面図であり、下図は半導体レーザチップ4からレーザビームが照射される様子を示す。マルチチップパッケージ70は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 7]
FIG. 16 is a schematic view of the
具体的に、マルチチップパッケージ70は、マルチチップパッケージ1における少なくとも一対のサブマウント3及び半導体レーザチップ4が90度回転して基板2a上に設けられている。これにより、ある半導体レーザチップ4は、速軸(X2)がx軸に沿い、遅軸(X1)がy軸に沿い、他の半導体レーザチップ4は、遅軸(X1)がx軸に沿い、速軸(X2)がy軸に沿う(図16右図)。言い換えると、複数の半導体レーザチップ4のうち少なくとも1つの半導体レーザチップ4及び他の半導体レーザチップ4は互いの速軸方向が異なる。
Specifically, the
マルチチップパッケージ70は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ70から出射されるレーザビームの角広がりを変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ70は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
「90度回転」は一例であって、30度、45度といった回転角度でもよい。 "Rotation by 90 degrees" is an example, and rotation angles such as 30 degrees and 45 degrees may be used.
〔実施形態8〕
図17は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ80の上面図である。マルチチップパッケージ80は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 8]
FIG. 17 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ1は、サブマウント3、半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、折り返しミラー6それぞれ1つを1組として計16組備える。マルチチップパッケージ1では、半導体レーザチップ4から出射されたレーザビームはビームスプリッター5によって2つのサブビームに分割される。
Specifically, the multi-chip package 1 includes a total of 16 sets including a
これに対して、マルチチップパッケージ80は、サブマウント3、半導体レーザチップ4、折り返しミラー6それぞれを1つずつ、及び、ビームスプリッター5を2つ(ビームスプリッター5a、ビームスプリッター5b)を一組として計16組備える。マルチチップパッケージ80では、半導体レーザチップ4から出射されたレーザビームはビームスプリッター5a及びビームスプリッター5bによって3つのサブビームに分割される。
On the other hand, the
マルチチップパッケージ80では、一つの半導体レーザチップ4から出射されたレーザビームが3つのサブビームに分割される。それら3つのサブビームが互いに略等しい出力を有するように、ビームスプリッター5a及びビームスプリッター5bの反射率および透過率が設定される。例えば、ビームスプリッター5aは、透過率が約33%で、反射率が約67%である。ビームスプリッター5bは、透過率が約50%で、反射率が約50%である。このようにして、光損失は考慮せずに、3つのサブビームが互いに略等しい出力を有するように設定する。
In the
ビームスプリッター5a及びビームスプリッター5bは、実質的に偏光無依存である偏光無依存ビームスプリッターおよび偏光依存ビームスプリッターの何れであってもよいし、その2つの組み合わせであってもよい。偏光依存ビームスプリッターが用いられる場には、ビームスプリッターの軸方向を調整してレーザビームの分割比率を決めればよい。
The
このように、マルチチップパッケージ80は、レーザビームから分割されるサブビームの数を増やすことにより、サブビームの空間的な広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ80は、スペックルを低減することができる。
As described above, the
図18は、マルチチップパッケージ80の一変形例に係るマルチチップパッケージ81の上面図である。マルチチップパッケージ81は、マルチチップパッケージ80に対して以下(1)、(2)を行うことにより得られる。
FIG. 18 is a top view of the
(1)マルチチップパッケージ80のx軸方向2列目および4列目に位置する、ビームスプリッター5a、ビームスプリッター5b、及び折り返しミラー6の位置を反転させる。そして、反転させたビームスプリッター5a、ビームスプリッター5b、及び折り返しミラー6をy軸方向にずらす。
(1) The positions of the
(2)マルチチップパッケージ80のx軸方向2列目および4列目に位置する半導体レーザチップ4をy軸方向にずらす。半導体レーザチップ4を、ビームスプリッター5aの中心にレーザビームが入射する位置までずらす。
(2) The
以上(1)、(2)により、マルチチップパッケージ81は、サブビームの空間的な広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ81は、スペックルを低減することができる。
From the above (1) and (2), the
図19は、マルチチップパッケージ80の一変形例に係るマルチチップパッケージ82の上面図である。マルチチップパッケージ82は、マルチチップパッケージ80に対して以下(1)、(2)を行うことにより得られる。
FIG. 19 is a top view of the
(1)マルチチップパッケージ80のx軸方向2列目および3列目に位置するビームスプリッター5a、ビームスプリッター5b、及び折り返しミラー6の位置を反転させる。反転させたビームスプリッター5a、ビームスプリッター5b、及び折り返しミラー6の位置をy軸方向にずらす。
(1) The positions of the
(2)マルチチップパッケージ80のx軸方向2列目および3列目に位置する半導体レーザチップ4をy軸方向にずらす。半導体レーザチップ4を、ビームスプリッター5aの中心にレーザビームが入射する位置までずらす。
(2) The
マルチチップパッケージ82は、上記構成を備えることにより、サブビームの空間的な広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ82は、スペックルを低減することができる。
By providing the
〔実施形態9〕
図20は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ90の上面図である。マルチチップパッケージ90は、マルチチップパッケージ1と以下の点で相違する。
[Embodiment 9]
FIG. 20 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ90は、1つのビームスプリッター5と4つの折り返しミラー6を1組とした計16組を備える。半導体レーザチップ4から出射されたレーザビームは、ビームスプリッター5によって2つのサブビーム(第1、第2のサブビーム)に分割される。第1のサブビームはビームスプリッター5を透過してアングルミラー7に向かう。第2のサブビームは、ビームスプリッター5で反射して、その後に4つの折り返しミラー6(折り返しミラー6a〜折り返しミラー6d)によって反射し、再びビームスプリッター5に入射する。
Specifically, the
第2のサブビームは、ビームスプリッター5によってさらに2つのサブビーム(第3、第4のサブビーム)に分割される。第3のサブビームは、ビームスプリッター5を透過して、その後に4つの折り返しミラー6(折り返しミラー6a〜折り返しミラー6d)によって反射し、再びビームスプリッター5に入射する。第4のサブビームはビームスプリッター5で反射してアングルミラー7に向かう。
The second subbeam is further split by the
このように、マルチチップパッケージ90は、キャビティ式のビームスプリットに相当する構成を備える。これにより、マルチチップパッケージ90は、複数のサブビームをアングルミラー7に入射させ、その複数のサブビームをマルチチップパッケージ90の外部に出射させることができる。
As described above, the
1つのビームスプリッター5と4つの折り返しミラー6の配置を適宜調整することにより、あるサブビームがキャビティ内を一回循環する前後でサブビームの光路(角度)を僅かに変化させることができる。サブビームの角度を変化させることにより、マルチチップパッケージ90の外部に出射されるサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路帳を様々に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ90は、マルチチップパッケージ90の後方でスペックルを低減することができる。
By appropriately adjusting the arrangement of the one
実際には、半導体レーザチップ4から出射されるレーザビームの角広がり、及びキャビティ内において循環するサブビームの角広がりのため、キャビティ内でサブビームが循環する循環回数は制限を受ける。キャビティ内にサブビームをできるだけ長く保持するために、好ましくは、キャビティ内を一回循環するときの光路長は可能な限り短くする。半導体レーザチップ4から出射されるレーザビームを平行化しない場合、サブビームがキャビティ内を循環する回数は数回程度である。
In reality, the number of circulations of the subbeam circulating in the cavity is limited due to the angular spread of the laser beam emitted from the
ビームスプリッター5の反射率および透過率は、マルチチップパッケージの効率、スペックルの低減率、又はマルチチップパッケージから出射される迷光(拡散光)を制御するときに要求される要件などを考慮して決めればよい。ビームスプリッター5の反射率が高い場合には、サブビームがキャビティ内を循環する循環回数は増加し、スペックルは低減しやすくなる。しかしながら、マルチチップパッケージの効率は低下し、大型のディフーザーが必要となりうる。実際には、ビームスプリッター5の反射率が70%を超えるときに最適となるケースは少ないと考えられる。
The reflectance and transmittance of the
ビームスプリッター5は、実質的に偏光無依存である偏光無依存ビームスプリッターおよび偏光依存ビームスプリッターの何れであってもよい。ビームスプリッター5が偏光依存ビームスプリッターである場合、半導体レーザチップ4から入射するレーザビームの偏光方向に対してビームスプリッター5の軸方向を選択することで最初のビームスプリットが調整される。キャビティ内をサブビームが循環するごとにキャビティの外部にサブビームが出射される。そのキャビティの外部に出射されるサブビームを制御するために、キャビティの光路内に偏光回転子(不図示)を設けてもよい。
The
このように、マルチチップパッケージ90は、キャビティ式のビームスプリットを備え、これによりスペックルを低減することができる。
As described above, the
図21は、マルチチップパッケージ90の変形例である、本実施形態に係るマルチチップパッケージ91の上面図である。マルチチップパッケージ91は、マルチチップパッケージ90と以下(1)〜(3)において相違する。
FIG. 21 is a top view of the
(1)複数の半導体レーザチップ4のうち、マルチチップパッケージ90のx軸方向中央2列に位置する半導体レーザチップ4をy軸方向に距離Δy’ずらす。
(1) Of the plurality of
(2)Δy’ずらした半導体レーザチップ4に対応する、ビームスプリッター5及び折り返しミラー6もy軸方向に距離Δy’ずらす。
(2) The
(3)すべての半導体レーザチップ4から出射されるレーザビームを利用するために、必要に応じて、アングルミラー7、カバー8、及び/又はパッケージ2のサイズを大きくする。
(3) The size of the
上記(1)〜(3)により、y軸方向において、マルチチップパッケージ91から出射される複数のサブビームの位置を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ91は、マルチチップパッケージ91の後方において生じるスペックルをより低減することができる。
According to the above (1) to (3), the positions of the plurality of subbeams emitted from the
〔実施形態10〕
図22は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ100の上面図である。マルチチップパッケージ100は、図3左図に示すキャビティ構成を備える点でマルチチップパッケージ90と相違する。具体的な内容は図3を参照して説明したため、ここでの説明は省略する。
[Embodiment 10]
FIG. 22 is a top view of the
マルチチップパッケージ100は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ90よりもキャビティをコンパクトにできる。これによりマルチチップパッケージ100自体を小型化することができる。また、マルチチップパッケージ100は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージの効率を改善し、かつ、迷光が減少するように、キャビティ内をサブビームが1回循環するごとに生じるサブビームの角広がりを抑えることができる。
By providing the above configuration, the
図23は、マルチチップパッケージ100の変形例である、本実施形態に係るマルチチップパッケージ101の上面図である。マルチチップパッケージ101は、マルチチップパッケージ100のx軸方向2列目および4列目に位置するビームスプリッター5及び折り返しミラー6を180度回転させた構成を備える点を除き、マルチチップパッケージ100と同じ構成を備える。
FIG. 23 is a top view of the
図23において、S1およびS2はそれぞれ、アングルミラー7に入射する複数のサブビームの入射位置を示す。マルチチップパッケージ101は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ100よりも、S1とS2との距離を離すことができる。
In FIG. 23, S1 and S2 each indicate the incident positions of the plurality of subbeams incident on the
マルチチップパッケージ101は、上記構成を備えることにより、サブビームの空間的な広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ101は、スペックルを低減することができる。
By providing the
〔実施形態11〕
図24は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ110の上面図である。マルチチップパッケージ110は、マルチチップパッケージ100と以下の点で相違する。
[Embodiment 11]
FIG. 24 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ110は、1つのビームスプリッター5と3つの折り返しミラー6を1組として計16組を備える。
Specifically, the
マルチチップパッケージ110は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ100よりもキャビティをコンパクトにできる。これによりマルチチップパッケージ自体を小型化することができる。また、マルチチップパッケージ110は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージの効率を改善し、かつ、迷光が減少するように、キャビティ内をサブビームが1回循環するごとに生じるサブビームの角広がりを抑えることができる。マルチチップパッケージ110では、好ましくは、サブビームがキャビティ内を一回循環するときの光路長は半導体レーザチップ4のコヒーレンス長よりも長い。
By providing the above configuration, the
図25は、マルチチップパッケージ110の変形例である、本実施形態に係るマルチチップパッケージ111の上面図である。マルチチップパッケージ111は、マルチチップパッケージ110と以下の点で相違する。
FIG. 25 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ110のx軸方向2列目および4列目に位置するビームスプリッター5及び折り返しミラー6を180度回転させる。その回転によって得られたマルチチップパッケージがマルチチップパッケージ111である。
Specifically, the
図25において、S1およびS2はそれぞれ、アングルミラー7に入射する複数のサブビームの入射位置を示す。マルチチップパッケージ111は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ110よりも、S1とS2との距離を離すことができる。
In FIG. 25, S1 and S2 each indicate the incident positions of the plurality of subbeams incident on the
マルチチップパッケージ111は、上記構成を備えることにより、サブビームの空間的な広がりを得ることができる。その結果、マルチチップパッケージ111は、スペックルを低減することができる。
By providing the
〔実施形態12〕
図26は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ120の上面図である。マルチチップパッケージ120は、マルチチップパッケージ100と以下の点で相違する。
[Embodiment 12]
FIG. 26 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ120では、キャビティを構成するビームスプリッター5及び折り返しミラー6の代わりに、ビームスプリッター18を備える。
Specifically, the
ビームスプリッター18は、例えば、レーザビームを複数のサブビームに分割するビーム分割機能部と、ビーム分割機能部を内部または表面上に含む基体部とで構成される。
The
基体部は、例えば、ガラス又は合成樹脂などであってよい。 The substrate portion may be, for example, glass or synthetic resin.
ビーム分割機能部は、複数のサブビームを反射する。ビーム分割機能部は、例えば、誘電体または反射膜で構成される。反射膜は、例えば金属材料であってよい。ビーム分割機能部は、基体部の表面上に設けられた、基体部とは異なる複数層の薄膜であってもよい。 The beam dividing function unit reflects a plurality of sub-beams. The beam dividing function unit is composed of, for example, a dielectric or a reflective film. The reflective film may be, for example, a metal material. The beam dividing function portion may be a thin film having a plurality of layers different from the substrate portion, which is provided on the surface of the substrate portion.
マルチチップパッケージ120では、ビーム分割機能部がキャビティとして機能する。ビーム分割機能部は、サブビームを全反射してよい。基体部は、表面がビーム分割機能部によりコーティングされてよい。基体部は、内部にビーム分割機能部を含んでいてもよい。
In the
マルチチップパッケージ120は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ100よりも容易に組み立てることができる。さらに、ビームスプリッター18のビーム分割機能部を複数のサブビームが伝搬するところ、それら複数のサブビームは互いの光路長が異なる。この光路長の差は、誘電材料の屈折率によって増幅される。
By providing the above configuration, the
マルチチップパッケージ120は、上記構成を備えることにより、複数のサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させることができる。その結果、マルチチップパッケージ120は、スペックルを低減することができる。
By providing the above configuration, the
図27は、マルチチップパッケージ120の変形例である、本実施形態に係るマルチチップパッケージ121の上面図である。マルチチップパッケージ121は、マルチチップパッケージ120と以下の点で相違する。
FIG. 27 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ120のx軸方向2列目および4列目に位置するビームスプリッター18を180度回転させる。その回転によって得られたマルチチップパッケージがマルチチップパッケージ121である。
Specifically, the
図27において、S1およびS2はそれぞれ、アングルミラー7に入射する複数のサブビームの入射位置を示す。マルチチップパッケージ121は、上記構成を備えることにより、マルチチップパッケージ120よりもS1とS2との距離を離すことができる。
In FIG. 27, S1 and S2 show the incident positions of the plurality of subbeams incident on the
マルチチップパッケージ121は、上記構成を備えることにより、さらにスペックルを低減することができる。
By providing the
〔実施形態13〕
図28は、本発明の一実施形態に係るマルチチップパッケージ130の上面図である。図29は、マルチチップパッケージ130の斜視図である。マルチチップパッケージ130は、マルチチップパッケージ80と以下の点で相違する。
[Embodiment 13]
FIG. 28 is a top view of the
具体的に、マルチチップパッケージ130は、光路長を変化させるための2つの光路長変化部19を備える。2つの光路長変化部19はそれぞれ、2つのアングルミラー7のうち対応するアングルミラー7の上方に設けられる。
Specifically, the
2つ光路長変化部19はそれぞれ、誘電体が階段状に形成されており、z軸方向に複数段の不均一な厚みを有する。その複数段の厚みを有する箇所それぞれにアングルミラー7から複数のサブビームがそれぞれ入射する。これにより、複数のサブビーム間の光路長の差が大きく変化する。その結果、マルチチップパッケージ130は、スペックルを低減することができる。光路長変化部19は、他の実施形態(例えば、実施形態1−8など)に係るマルチチップパッケージに含まれてもよい。
Each of the two optical path
2つの光路長変化部19はそれぞれ、2つのアングルミラー7のうち対応するアングルミラー7の上方であって、かつ、カバー8の下面に設けられてもよい。あるいは、2つの光路長変化部19はそれぞれ、ビームスプリッター5及び折り返しミラー6とアングルミラー7との間に設けられてもよい。2つの光路長変化部19はそれぞれ、複数のサブビームの光路内に、不均一な厚みを有する光透過性の媒質で形成されておればよい。光路長変化部19は、1または3以上の数であってもよい。
The two optical path
〔各実施形態に共通する事項〕
以上、各実施形態に係るマルチチップパッケージを説明した。各図に記載された半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、折り返しミラー6、アングルミラー7等の数は一例であって、図面に記載された数に限定されない。
[Matters common to each embodiment]
The multi-chip package according to each embodiment has been described above. The numbers of the
(例1)図1には、サブマウント3、半導体レーザチップ4、ビームスプリッター5、折り返しミラー6を1組として16組記載されている。しかしながら、組数は、2組でもよいし、48組でもよい。アングルミラー7は、その組数に応じて適宜設ければよい。
(Example 1) In FIG. 1, 16 sets of a
(例2)実施形態2に係る説明では、マルチチップパッケージ20は複数のコリメートレンズ16を備えるものとして説明した。しかしながら、マルチチップパッケージ20は、1つのコリメートレンズ16を備える構成で実現されてもよい。この構成であっても、スペックルの低減には有用なためである。
(Example 2) In the description according to the second embodiment, the
(例3)実施形態3に係る説明では、マルチチップパッケージ30は複数の曲面ミラー37を備えるものとして説明した。しかしながら、マルチチップパッケージ30は、1つの曲面ミラー37を備える構成で実現されてもよい。
(Example 3) In the description according to the third embodiment, the
このように、本開示に係るマルチチップパッケージは、構成部材の数を柔軟に変更することができる。 As described above, in the multi-chip package according to the present disclosure, the number of constituent members can be flexibly changed.
本開示に係るマルチチップパッケージは、各実施形態に対応する構成をそれぞれ組み合わせてもよい。例えば、本開示に係るマルチチップパッケージは、実施形態1、実施形態2、及び実施形態3に対応する構成をそれぞれ組み合わせて実現されてもよい。 The multi-chip package according to the present disclosure may be combined with configurations corresponding to each embodiment. For example, the multi-chip package according to the present disclosure may be realized by combining the configurations corresponding to the first embodiment, the second embodiment, and the third embodiment, respectively.
図9において、コリメートレンズ16は、不規則に配置されていること、それゆえ、マルチチップパッケージ21は、複数のサブビームの角度、空間的広がり、及び/又は光路長を多様に変化させることができることを説明した。同様に、図10の複数の曲面ミラー37は、互いに不規則に配置されてもよい。このことは、図12の曲面レンズ51などにも当てはまる。
In FIG. 9, the
本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。 The present disclosure is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the different embodiments. Is also included in the technical scope of the present disclosure. Furthermore, new technical features can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.
1、11、12、15、20、21、30、40、50、60、61、62、70、80、81、82、90、91、100、101、110、111、120、121、130 マルチチップパッケージ
2 パッケージ
2a 基板
2b 側壁
3 サブマウント
4 半導体レーザチップ
5、5a、5b ビームスプリッター(ビーム分割部)
6、6a、6b、6c、6d 折り返しミラー(ビーム分割部、リフレクター)
7、7a、7b アングルミラー(反射部)
8 カバー
9 偏光回転子
10 レンズ
16、41 コリメートレンズ(コリメート部)
18 ビームスプリッター(ビーム分割部)
19 光路長変化部
37 曲面ミラー(コリメート部)
51 曲面レンズ(コリメート部)
200 プロジェクター
201 ビーム成形光学系
202 ホモジナイザ
203 空間光変調部
204 投影光学系
205 スクリーン
1,11,12,15,20,21,30,40,50,60,61,62,70,80,81,82,90,91,100,101,110,111,120,121,130
6, 6a, 6b, 6c, 6d Folded mirror (beam splitting part, reflector)
7, 7a, 7b angle mirror (reflecting part)
8 Cover 9
18 Beam splitter (beam splitting part)
19 Optical path
51 Curved lens (collimated part)
200
Claims (18)
複数の半導体レーザチップと、
上記複数の半導体レーザチップそれぞれに対応し、かつ、当該複数の半導体レーザチップそれぞれから出射されたレーザビームをそれぞれ複数のサブビームに分割する、受動素子で構成された複数のビーム分割部と、
上記複数のサブビームを上記マルチチップパッケージの外部に反射する1以上の反射部と、を備えるマルチチップパッケージ。 It's a multi-chip package
With multiple semiconductor laser chips
A plurality of beam dividing portions composed of passive elements, which correspond to each of the plurality of semiconductor laser chips and divide the laser beam emitted from each of the plurality of semiconductor laser chips into a plurality of subbeams.
A multi-chip package including one or more reflecting portions that reflect the plurality of sub-beams to the outside of the multi-chip package.
上記レーザビームを上記複数のサブビームに分割する1以上のビームスプリッターと、
上記1以上のビームスプリッターによって分割された上記複数のサブビームのうち少なくとも1つのサブビームを反射する1以上のリフレクターと、を備える請求項1に記載のマルチチップパッケージ。 Each of the above multiple beam divisions
One or more beam splitters that split the laser beam into the plurality of subbeams,
The multi-chip package according to claim 1, further comprising one or more reflectors that reflect at least one of the plurality of subbeams split by the one or more beam splitters.
上記1以上のビームスプリッターは、少なくとも、第1ビームスプリッターを含み、
上記1以上の反射部は、上記複数のサブビームのうち、少なくとも上記第1リフレクター及び上記第2リフレクターと上記第1ビームスプリッターとで構成された循環光路内を循環したサブビームを上記マルチチップパッケージの外部に反射する、請求項2に記載のマルチチップパッケージ。 The one or more reflectors include at least a first reflector, a second reflector, and a third reflector.
The one or more beam splitters include at least a first beam splitter.
Among the plurality of sub-beams, the one or more reflecting portions are external to the multi-chip package, the sub-beams circulating in the circulating optical path composed of at least the first reflector, the second reflector, and the first beam splitter. The multi-chip package according to claim 2, which reflects on the surface.
上記レーザビームを上記複数のサブビームに分割するビーム分割機能部と、
上記ビーム分割機能部を内部または表面上に含む基体部と、
を備える、請求項1に記載のマルチチップパッケージ。 At least one beam dividing part among the plurality of beam dividing parts
A beam division function unit that divides the laser beam into the plurality of sub-beams,
A substrate portion containing the beam dividing function portion inside or on the surface, and a substrate portion.
The multi-chip package according to claim 1.
上記複数のコリメート部は不規則に配置されている、請求項6から9の何れか1項に記載のマルチチップパッケージ。 The above-mentioned one or more collimating portions include a plurality of collimating portions, and includes a plurality of collimating portions.
The multi-chip package according to any one of claims 6 to 9, wherein the plurality of collimating portions are irregularly arranged.
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