JP7111157B2 - 樹脂多層基板および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、特に積層体と、積層体の表面に形成されるキャビティを有する樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器に関する。

従来、複数の絶縁基材を積層してなる積層体と、積層体の主面側に形成されるキャビティ（凹部）と、を備えた多層基板が知られている。例えば、特許文献１には、積層体の主面側に形成されたキャビティ内に、部品が配置された構造の多層基板が開示されている。

特開２００５－１９７３５４号公報

樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層を積層して積層体を形成する場合がある。しかし、その場合、多層基板が外力等によって撓んだり曲がったりすると曲げ応力が生じ、この曲げ応力がキャビティの側面と底面との境界に集中して、上記境界に亀裂が生じる虞がある。特に、上記境界に導体パターンが配置されている場合（上記境界が、底面に形成された導体パターンと絶縁基材層との界面である場合）、絶縁基材層と導体パターンとの界面は絶縁基材層同士よりも接合強度が弱いため、上記境界に亀裂が生じやすい。

本発明の目的は、底面に導体パターンが形成されるキャビティが、積層体に設けられた構造において、キャビティの側面と底面との境界における曲げ応力による亀裂の発生や、曲げ応力によるキャビティの変形を抑制できる樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器を提供することにある。

（１）本発明の樹脂多層基板は、
第１主面を有し、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
前記第１主面に形成され、側面および底面を有するキャビティと、
前記積層体に形成される導体パターンと、
を備え、
前記側面と前記底面との境界の少なくとも一部は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成されることを特徴とする。

この構成によれば、キャビティの側面と底面の境界の少なくとも一部が、導体パターンと絶縁基材層との異種材料間の界面ではなく、一連の導体パターンで構成されるため、積層体に曲げ応力が生じた場合でも、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生が抑制される。また、この構成によれば、導体パターンのヤング率が、樹脂である絶縁基材層のヤング率よりも高いため、積層体に生じた曲げ応力によるキャビティの変形を抑制できる。

（２）上記（１）において、前記積層体は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、前記積層体のうち、前記複数の絶縁基材層の積層方向における前記底面から前記第２主面までの厚みは、前記積層体のうち前記積層体における前記第１主面から前記底面までの厚みよりも薄くてもよい。この場合、外力が加わることによって積層体は変形しやすく、キャビティの側面と底面との境界に亀裂が生じやすくなる。そのため、上記構成の場合には、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生を抑制するという点で、上記（１）の構成が特に有効である。

（３）上記（１）または（２）において、前記積層体に形成される層間接続導体を備え、前記層間接続導体は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記キャビティに重ならないことが好ましい。この構成によれば、切削加工機でキャビティを形成する際に、応力が集中することに起因した層間接続導体の破損を抑制できる。

（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記導体パターンは、前記積層体に埋設される第１領域と、少なくとも一部が前記底面に露出する第２領域とを有し、前記第２領域の厚みは、前記第１領域の厚みの１／２よりも厚いことが好ましい。導体パターンの第２領域の厚みが薄いと、第２領域の機械的強度が弱くなり、積層体に曲げ応力が生じた場合に側面と底面との境界に亀裂が生じやすい。一方、この構成によれば、積層体に曲げ応力が生じた場合でもキャビティの側面と底面との境界に亀裂を生じ難くできる。

（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記積層体は曲げ部を有し、前記境界のうち、前記曲げ部に最も近接する部分は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成されることが好ましい。積層体を曲げた場合、曲げ部に近いほど曲げ応力は大きい。そのため、この構成によれば、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生をより効果的に抑制できる。

（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記底面は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、多角形であり、前記導体パターンは、前記積層方向から視て、少なくとも前記底面の角部に配置されることが好ましい。この構成によれば、積層体が捻れた場合等に、曲げ応力が集中しやすいキャビティの底面の角部での裂けが抑制される。

（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記境界全体は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成されることが好ましい。この構成によれば、キャビティの側面と底面との境界の一部が導体パターンで構成される場合と比べて、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生をさらに抑制できる。

（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記底面全体に形成されていてもよい。

（９）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、少なくとも一部が前記キャビティ内に配置される部品を備え、前記部品は前記導体パターンに導通していてもよい。

（１０）上記（９）において、前記導体パターンは、前記積層体に埋設される第１領域と、少なくとも一部が前記底面に露出する第２領域とを有し、前記第２領域のうち前記底面に露出する面の表面粗さは、前記第１領域の表面の表面粗さより小さいことが好ましい。この構成によれば、導体パターンの一部の面が平滑化されているため、導電性接合材に対する上記導体パターンの一部の面の密着度は高くなる。そのため、導電性接合材と導体パターンとを高い接合強度で接合でき、積層体からの部品の剥離を抑制できる。

（１１）本発明の電子機器は、
筐体と、前記筐体に収納される樹脂多層基板と、を備え、
前記樹脂多層基板は、
樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
前記積層体の表面に形成され、側面および底面を有するキャビティと、
前記積層体に形成される導体パターンと、
を有し、
前記側面と前記底面との境界の少なくとも一部は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成されることを特徴とする。

この構成によれば、キャビティの側面と底面との境界の少なくとも一部が、導体パターンと絶縁基材層との異種材料間の界面ではなく、一連の導体パターンで構成されるため、積層体に曲げ応力が生じた場合でも、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生が抑制される。また、この構成によれば、導体パターンのヤング率が、樹脂である絶縁基材層のヤング率よりも高いため、積層体に生じた曲げ応力によるキャビティの変形を抑制できる。

（１２）上記（１１）において、少なくとも一部が前記キャビティ内に配置される部品を備え、前記導体パターンは前記部品に導通していなくてもよい。この構成により、部品から生じるノイズが上記導体パターンで遮蔽されるため、樹脂多層基板に対する部品からのノイズの影響を抑制できる。または、この構成により、樹脂多層基板から生じるノイズが上記導体パターンで遮蔽されるため、部品に対する樹脂多層基板からのノイズの影響を抑制できる。

（１３）上記（１２）において、前記導体パターンは、前記底面全体に形成されることが好ましい。この構成によれば、導体パターンが底面の一部に形成されている場合と比べて、ノイズの遮蔽効果をさらに高めることができる。

本発明によれば、底面に導体パターンが形成されたキャビティが、積層体に設けられた構造において、キャビティの側面と底面との境界における曲げ応力による亀裂の発生や、曲げ応力によるキャビティの変形を抑制できる樹脂多層基板、およびその樹脂多層基板を備える電子機器を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図である。 図２（Ａ）は樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大断面図であり、図２（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大平面図である。 図３は、部品をキャビティＣＶに配置する前の状態の、樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大断面図である。 図４は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図５は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。 図６は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。 図７（Ａ）は樹脂多層基板１０２の第１端部を示す拡大断面図であり、図７（Ｂ）は樹脂多層基板１０２の第１端部を示す拡大平面図である。 図８は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。 図９は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。 図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の第１端部を示す拡大断面図であり、図１０（Ｂ）は部品をキャビティＣＶに配置する前の状態の、樹脂多層基板１０３の第１端部を示す拡大断面図である。 図１１は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の外観斜視図である。 図１２は、樹脂多層基板１０４の第１端部を示す拡大平面図である。 図１３は、変形例である樹脂多層基板１０４Ａの第１端部を示す拡大平面図である。 図１４（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の第１端部を示す拡大断面図であり、図１４（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の第１端部を示す拡大平面図である。 図１５は、第５の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。 図１６（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図である。図２（Ａ）は樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大断面図であり、図２（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大平面図である。図３は、部品をキャビティＣＶに配置する前の状態の、樹脂多層基板１０１の第１端部の拡大断面図である。

樹脂多層基板１０１は、積層体１０、キャビティＣＶ、複数の導体パターン２１，２２，３１，３２、外部電極Ｐ１，Ｐ２、および部品１等を備える。

積層体１０は、互いに対向する第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を有し、折り曲げられた樹脂平板である。積層体１０は曲げ部ＣＲを有する。積層体１０は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂を主材料とする矩形の平板を、長手方向の中央付近でクランク形に折り曲げたものである。なお、曲げられた積層体の形状は、図１に示すようなクランク形に限らず、Ｌ形やＵ形でもよい。

積層体１０は、樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５をこの順に積層して形成される。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５は、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂を主材料とする樹脂シートである。

キャビティＣＶは、積層体１０の第１主面ＶＳ１から第２主面ＶＳ２に向かって形成される略直方体状の凹部であり、側面ＳＳおよび底面ＢＳを有する。キャビティＣＶは、積層体１０の第１端部（図１に示す積層体１０の左端部）付近に設けられている。後に詳述するように、キャビティＣＶは、第１主面ＶＳ１側から積層体１０を（導体パターン３１，３２の一部とともに）切削加工機で研削・研磨することにより形成される。

導体パターン２１，２２，３１，３２および外部電極Ｐ１，Ｐ２は、積層体１０に形成されている。具体的には、導体パターン２１，２２は、積層体１０の内部に形成される導体パターンである。導体パターン３１，３２は、一部がキャビティＣＶの側面ＳＳおよび底面ＢＳに露出する導体パターンである。外部電極Ｐ１，Ｐ２は、積層体１０の第２主面ＶＳ２に形成される導体パターンである。外部電極Ｐ１は、積層体１０の第１端部付近に設けられている。外部電極Ｐ２は、積層体１０の第２端部（図１に示す積層体の右端部）付近に設けられている。なお、導体パターン２１，２２，３１，３２のヤング率Ｅ１は、樹脂である絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５のヤング率Ｅ２よりも高い（Ｅ１＞Ｅ２）。導体パターン２１，２２，３１，３２および外部電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

図３に示すように、導体パターン３１，３２は第１領域Ｆ１と第２領域Ｆ２とを有する。第１領域Ｆ１は、導体パターン３１，３２のうち積層体１０に埋設される部分である。第２領域Ｆ２は、導体パターン３１，３２のうち、少なくとも一部がキャビティＣＶの底面ＢＳに露出する部分である。

部品１は、全体がキャビティ内に配置され、キャビティＣＶの底面ＢＳに実装される。部品１は、底面ＢＳに形成された導体パターン３１，３２に導通している。具体的には、部品１の入出力端子が、導電性接合材５を介して導体パターン３１，３２にそれぞれ接続されている。部品１は、例えば半導体素子、またはチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等である。導電性接合材５は例えばはんだである。

外部電極Ｐ１，Ｐ２は、部品１の入出力端子にそれぞれ接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を介して導体パターン２１の第１端に接続される。導体パターン２１の第２端は、層間接続導体Ｖ３を介して導体パターン３１に接続される。導体パターン３１は、導電性接合材５を介して、部品１の一方の入出力端子に接続される。また、外部電極Ｐ２は、層間接続導体Ｖ５，Ｖ６を介して導体パターン２２の第１端に接続される。導体パターン２２の第２端は、層間接続導体Ｖ４を介して導体パターン３２に接続される。導体パターン３２は、導電性接合材５を介して、部品１の他方の入出力端子に接続される。

図２（Ａ）および図３等に示すように、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳの境界の一部（部分ＣＰ１，ＣＰ２）は、側面ＳＳおよび底面ＢＳに連続する導体パターン３１，３２で構成されている。また、本実施形態では、側面ＳＳと底面ＢＳとの境界のうち、曲げ部ＣＲに最も近接する部分（図２（Ｂ）に示すキャビティＣＶの右辺部分における上記境界）の一部（部分ＣＰ２）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに連続する導体パターン３１，３２で構成されている。

本発明において導体パターン３１，３２の第１領域Ｆ１の厚みＤ１と、導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２の厚みＤ２との差は５μｍ以上である。なお、本実施形態では、第２領域Ｆ２の厚みＤ２が、第１領域Ｆ１の厚みＤ１の１／２よりも厚い（Ｄ２＞Ｄ１／２）。第１領域Ｆ１の厚みＤ１は例えば１５μｍであり、第２領域Ｆ２の厚みＤ２は例えば１０μｍである。

また、図示省略するが、第２領域Ｆ２のうち底面ＢＳに露出する面ＣＳは平滑化されている。上記面ＣＳの表面粗さＲ２は、第１領域Ｆ１の表面の表面粗さＲ１より小さい（Ｒ２＜Ｒ１）。表面粗さの算定は、［ＪＩＳ Ｂ ０６０１－２００１］で定められた規格（算術平均粗さ）を採用する。

さらに、積層体１０のうち、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の積層方向（Ｚ軸方向）における底面ＢＳから第２主面ＶＳ２までの厚みＴ２は、積層体１０のうちＺ軸方向における第１主面ＶＳ１から底面ＢＳまでの厚みＴ１よりも薄い（Ｔ２＜Ｔ１）。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１によれば、次のような作用効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳの境界の一部（部分ＣＰ１，ＣＰ２）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに一連の導体パターン３１，３２で構成されている。この構成によれば、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳの境界の少なくとも一部が導体パターン３１，３２と絶縁基材層との境界ではない、つまり異種材料間の界面ではないため、積層体に曲げ応力が生じた場合でも、曲げ応力によるキャビティの亀裂の発生が抑制される。また、この構成によれば、導体パターン３１，３２のヤング率が、樹脂（絶縁基材層）のヤング率よりも高いため、積層体１０に生じた曲げ応力によるキャビティＣＶの変形を抑制できる。

（ｂ）また、本実施形態では、側面ＳＳと底面ＢＳとの境界のうち、曲げ部ＣＲに最も近接する部分（図２（Ｂ）に示すキャビティＣＶの右辺部分における上記境界）の一部（部分ＣＰ２）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに一連の導体パターン３１，３２で構成されている。積層体１０を折り曲げる場合、曲げ部ＣＲに近いほど曲げ応力が大きい。そのため、上記構成により、曲げ応力によるキャビティＣＶの亀裂の発生をより効果的に抑制できる。なお、スパッタ法や電解めっきなどにより、キャビティＣＶの底面だけでなく側面全体を覆う導体パターンを形成することもできる。その場合には、曲げ応力に対する強度がさらに高まる。

（ｃ）本実施形態では、導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２の厚みＤ２が、第１領域Ｆ１の厚みＤ１の１／２よりも厚い（Ｄ２＞Ｄ１／２）。導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２の厚みＤ２が薄いと、第２領域Ｆ２の機械的強度が弱くなり、積層体１０に曲げ応力が生じた場合に側面ＳＳと底面ＢＳとの境界に亀裂が生じやすい。一方、この構成によれば、積層体１０に曲げ応力が生じた場合でもキャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界に亀裂を生じ難くできる。

（ｄ）本実施形態では、積層体１０のうちＺ軸方向における底面ＢＳから第２主面ＶＳ２までの厚みＴ２が、積層体１０のうちＺ軸方向における第１主面ＶＳ１から底面ＢＳまでの厚みＴ１よりも薄い（Ｔ２＜Ｔ１）。この場合、外力が加わることによって積層体１０は変形しやすくなり、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界に亀裂が生じやすくなる。したがって、積層体１０のうちＺ軸方向における底面ＢＳから第２主面ＶＳ２までの厚みＴ２が、積層体１０のうちＺ軸方向における第１主面ＶＳ１から底面ＢＳまでの厚みＴ１よりも薄い場合には、曲げ応力によるキャビティＣＶの亀裂の発生を抑制するという点で、本実施形態に係る構成が特に有効である。

（ｅ）また、本実施形態では、第２領域Ｆ２のうち底面ＢＳに露出する面ＣＳの表面粗さＲ２が、第１領域Ｆ１の表面の表面粗さＲ１より小さい（Ｒ２＜Ｒ１）。この構成によれば、導体パターン３１，３２の面ＣＳが平滑化されているため、導電性接合材５に対する面ＣＳの接触面積は大きくなる。そのため、導電性接合材５と導体パターン３１，３２とを高い接合強度で接合でき、積層体１０からの部品１の剥離を抑制できる。

なお、本実施形態では、導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２のうち底面ＢＳに露出する面ＣＳのみが平滑化されている例を示したが、この構成に限定されるものではない。導体パターン３１，３２のうち絶縁基材層に接する面（例えば、図３における導体パターン３１，３２の下面）が粗面化されていてもよい。その場合には、積層体１０から導体パターン３１，３２を剥離し難くできる。なお、導体パターン３１，３２の表面を切削加工機によって切削する際（後に詳述する）には、導体パターン３１，３２が積層体１０から剥離しやすくなるため、上記構成は特に有効である。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次のような工程で製造される。図４および図５は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図４では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

まず、図４中の（１）に示すように、複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を準備する。絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）等の熱可塑性樹脂を主材料とする樹脂シートである。

その後、複数の絶縁基材層１１，１２，１３に、導体パターン２１，２２，３１，３２および外部電極Ｐ１，Ｐ２等を形成する。具体的には、絶縁基材層１１，１２，１３の片面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、絶縁基材層１１の裏面に外部電極Ｐ１，Ｐ２を形成し、絶縁基材層１２の表面に導体パターン２１，２２を形成し、絶縁基材層１３の表面に導体パターン３１，３２を形成する。

また、絶縁基材層１１には層間接続導体Ｖ１，Ｖ６が形成され、絶縁基材層１２には層間接続導体Ｖ２，Ｖ５が形成され、絶縁基材層１３には層間接続導体Ｖ３，Ｖ４が形成される。層間接続導体は、絶縁基材層にそれぞれレーザー等で貫通孔を設けた後、Ｃｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレス処理により固化させることによって設けられる。

次に、絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５の順に積層し、積層した複数の絶縁基材層１１，１２，１３，１４，１５を加熱プレス（一括プレス）することにより図４中の（２）に示すような積層体１０を形成する。

その後、図４中の（３）に示すように、集合基板状態の積層体１０の第１主面ＶＳ１にキャビティＣＶを形成する。具体的には、キャビティＣＶは、切削加工機２で、第１主面ＶＳ１側から積層体１０を研削・研磨することにより形成される。切削加工機２は、例えばルーターまたはダイサーである。

キャビティＣＶを形成する際、導体パターン３１，３２の表面の一部は、切削加工機２により厚み方向（Ｚ軸方向）に研削・研磨される。これにより、導体パターン３１，３２は、積層体１０に埋設される第１領域と、少なくとも一部がキャビティＣＶの底面ＢＳに露出する第２領域とを有する。また、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界の少なくとも一部（部分ＣＰ１，ＣＰ２）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに連続する導体パターン３１，３２で構成される。

本発明では、導体パターン３１，３２の表面の一部は５μｍ以上研削・研磨される。

また、切削加工機２により導体パターン３１，３２の表面の少なくとも一部が研削・研磨されることにより、第２領域のうち底面ＢＳに露出する面ＣＳ（切削加工機２により研削された導体パターン３１，３２の面）は、平滑化される。面ＣＳの表面粗さＲ２は、第１領域の表面の表面粗さＲ１よりも小さい（Ｒ２＜Ｒ１）。なお、面ＣＳや、導体パターン３１，３２のうち側面ＳＳを構成する面にめっき膜を形成してもよい。導体パターン３１，３２の表面を切削した場合、導体パターン３１，３２の表面に形成されている酸化防止材等も同様に切削・研磨される。そのため、めっき処理することにより、導体パターン３１，３２の表面を酸化やはんだ食われから保護できる。

次に、図５中の（４）に示すように、部品１をキャビティＣＶの底面ＢＳに実装する。具体的には、導体パターン３１，３２にペースト状の導電性接合材５を印刷した後、部品１をマウンター等でマウントする。その後、リフロープロセスにより、部品１の入出力端子が導電性接合材５を介して導体パターン３１，３２にそれぞれ接合される。

その後、集合基板から個々の個片に分離して樹脂多層基板１０１Ａを得る。

次に、図５中の（５）に示すように、上部金型３および下部金型４を用いて、Ｚ軸方向に向かって、積層体１０の第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱・加圧する（図５中の（５）に示す矢印参照）。なお、加熱・加圧する位置は、積層体１０の長手方向（Ｘ軸方向）の中央付近である。上部金型３および下部金型４は、断面形状がＬ字形の構造である。

積層体１０が冷えて固化した後、上部金型３および下部金型４から積層体１０を取り外して、図５中の（６）に示すような曲げ加工された形状を保持した樹脂多層基板１０１を得る。このように、熱可塑性樹脂を主材料とする積層体１０を備えることにより、実装状態（実装先の凹凸等）に合わせて形状を容易に塑性加工できる。

また、上記製造方法によれば、積層した複数の絶縁基材層１１～１５を一括プレスすることにより、積層体１０を容易に形成できるため、製造工程の工数が削減され、コストを低く抑えることができる。

上記製造方法によれば、切削加工機２で第１主面ＶＳ１側から積層体１０を、導体パターン３１，３２の一部とともに研削・研磨することによって、キャビティＣＶを形成しつつ、導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２の面ＣＳを容易に平滑化できる。

上記製造方法によれば、切削加工機２でキャビティＣＶを形成する際に、導体パターン３１，３２の表面の一部が削られるため、導体パターン３１，３２の第２領域Ｆ２近傍の温度が３００℃近くまで上昇する。そして、この熱により、液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主材料とする積層体１０の底面ＢＳのうち、第２領域Ｆ２近傍部分の結晶化が進んで耐熱性が向上する。そのため、後の加熱時（リフロープロセス時）におけるキャビティＣＶの底面ＢＳの変形（軟化または溶融に依る変形）が抑制され、積層体１０に対する部品１の接合不良を抑制できる。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態で説明した方法とは異なる製造方法で製造した樹脂多層基板の例を示す。

図６は、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図である。図７（Ａ）は樹脂多層基板１０２の第１端部を示す拡大断面図であり、図７（Ｂ）は樹脂多層基板１０２の第１端部を示す拡大平面図である。図７（Ａ）および図７（Ｂ）では、構造を分かりやすくするため、部品の図示を省略している。

樹脂多層基板１０２は、積層体１０Ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。積層体１０Ａは、絶縁基材層の積層数が第１の実施形態で説明した積層体１０と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、実質的に樹脂多層基板１０１と同じである。

以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

積層体１０Ａは、４つの絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａをこの順に積層して形成される。絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの構成は、第１の実施形態で説明した絶縁基材層１１，１２，１３，１４と実質的に同じである。

外部電極Ｐ１，Ｐ２は、部品１の入出力端子にそれぞれ接続されている。具体的には、外部電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して導体パターン２１の第１端に接続される。導体パターン２１の第２端は、層間接続導体Ｖ２を介して導体パターン３１の第１端に接続される。導体パターン３１の第２端は、導電性接合材５を介して、部品１の一方の入出力端子に接続される。また、外部電極Ｐ２は層間接続導体Ｖ４を介して導体パターン２２の第１端に接続される。導体パターン２２の第２端は、層間接続導体Ｖ３を介して導体パターン３２の第１端に接続される。導体パターン３２の第２端は、導電性接合材５を介して、部品１の他方の入出力端子に接続される。

図７（Ａ）等に示すように、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は、Ｚ軸方向から視て、キャビティＣＶに重ならない位置に配置される。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０２によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

本実施形態では、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４が、Ｚ軸方向から視て、キャビティＣＶに重ならない位置に配置される。この構成によれば、切削加工機でキャビティＣＶを形成する際に、応力が集中することに起因する層間接続導体の破損を抑制できる。

また、本実施形態によれば、後に詳述するように、切削加工機でキャビティＣＶを形成した後に、キャビティＣＶの底面ＢＳに絶縁基材層の薄膜（図３における底面ＢＳに位置する絶縁基材層１４の薄膜を参照）が残り難い。そのため、キャビティＣＶの底面ＢＳに絶縁基材層の薄膜が残っている場合に比べて、切削加工機でキャビティＣＶを形成する際や、外力等によって積層体に曲げ応力が生じた際に、キャビティＣＶの底面ＢＳにおいて絶縁基材層同士の界面剥離が生じ難い。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０２は、例えば次のような工程で製造される。図８および図９は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。なお、図８では、説明の都合上ワンチップ（個片）での製造工程で説明するが、実際の樹脂多層基板の製造工程は集合基板状態で行われる。

まず、図８中の（１）に示すように、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを準備する。

その後、複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａに、導体パターン２１，２２，３１，３２および外部電極Ｐ１，Ｐ２等を形成する。具体的には、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａの片面に、金属箔（例えばＣｕ箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターニングする。これにより、絶縁基材層１１ａの裏面に外部電極Ｐ１，Ｐ２を形成し、絶縁基材層１２ａの裏面に導体パターン２１，２２を形成し、絶縁基材層１３ａの裏面に導体パターン３１，３２を形成する。

また、絶縁基材層１１ａには層間接続導体Ｖ１，Ｖ４が形成され、絶縁基材層１２ａには層間接続導体Ｖ２，Ｖ３が形成される。

次に、絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａの順に積層し、積層した複数の絶縁基材層１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａを加熱プレス（一括プレス）することにより図８中の（２）に示すような積層体１０Ａを形成する。

その後、図８中の（３）に示すように、切削加工機２で、第１主面ＶＳ１側から積層体１０Ａを研削・研磨することによりキャビティＣＶを形成する。なお、図８中の（３）に示すキャビティＣＶの底面ＢＳには、絶縁基材層の薄膜は存在しない。このように、裏面に導体パターン３１，３２を形成した絶縁基材層を積層して形成された積層体を、研削・研磨してキャビティＣＶを形成することで、キャビティＣＶを形成した後に、絶縁基材層の薄膜を残り難くできる。そのため、キャビティＣＶの底面ＢＳに絶縁基材層の薄膜が残っている場合に比べて、切削加工機２でキャビティＣＶを形成する際に、キャビティＣＶの底面ＢＳにおいて絶縁基材層同士の界面剥離が生じ難い。

次に、図９中の（４）に示すように、部品１をキャビティＣＶの底面ＢＳに実装し、集合基板から個々の個片に分離して樹脂多層基板１０２Ａを得る。

その後、図９中の（５）に示すように、上部金型３および下部金型４を用いて、Ｚ軸方向に向かって、積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１および第２主面ＶＳ２を加熱・加圧する（図９中の（５）に示す矢印参照）。

積層体１０Ａが冷えて固化した後、上部金型３および下部金型４から積層体１０Ａを取り外して、図９中の（６）に示すような曲げ加工された形状を保持した樹脂多層基板１０２を得る。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、保護層を備える樹脂多層基板の例を示す。

図１０（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の第１端部を示す拡大断面図であり、図１０（Ｂ）は部品をキャビティＣＶに配置する前の状態の、樹脂多層基板１０３の第１端部を示す拡大断面図である。

樹脂多層基板１０３は、保護層６をさらに備える点で、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０２と同じである。

以下、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる部分について説明する。

保護層６はキャビティＣＶの底面ＢＳに形成される絶縁膜である。保護層６のヤング率Ｅ６は、積層体１０Ａのヤング率Ｅ１０よりも高い（Ｅ６＞Ｅ１０）。保護層６は、例えばカバーレイフィルム、またはソルダーレジスト膜である。

このように、導電性接合材５等による導体パターン３１，３２間の短絡防止ため、キャビティＣＶの底面ＢＳに保護層６を形成してもよい。また、本実施形態では、積層体１０Ａよりもヤング率の高い保護層６をキャビティＣＶの底面ＢＳに形成するため、積層体１０Ａに曲げ応力が生じた場合でも、キャビティＣＶの変形を生じ難くできる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、以上に示した各実施形態とは導体パターンの形状が異なる例を示す。

図１１は、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４の外観斜視図である。図１２は、樹脂多層基板１０４の第１端部を示す拡大平面図である。図１２では、構造を分かりやすくするため、部品１を破線で示している。

樹脂多層基板１０４は、導体パターン３１ａ，３２ａを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０４の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

導体パターン３１ａ，３２ａは、平面形状が正方形の導体パターンであり、第１の実施形態で説明した導体パターン３１，３２よりも面積が大きい。図１２に示すように、導体パターン３１ａ，３２ａは、Ｚ軸方向から視て、少なくともキャビティＣＶの底面の４つの角部に配置されている。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０４によれば、第１の実施形態で述べた効果以外に、次のような効果を奏する。

積層体に曲げや外力が加わった場合には、キャビティの角部に曲げ応力が集中しやすい。一方、本実施形態では、導体パターン３１ａ，３２ａが、少なくともキャビティＣＶの底面の角部に配置されているため、樹脂多層基板１０４（積層体１０Ａ）が捻れた場合等に（図１１に示す白抜き矢印を参照）、曲げ応力が集中しやすいキャビティＣＶの底面の角部での裂けが抑制される。

なお、本発明の導体パターンは次に示すような構成でもよい。図１３は、変形例である樹脂多層基板１０４Ａの第１端部を示す拡大平面図である。図１３では、構造を分かりやすくするため、部品１を破線で示している。

樹脂多層基板１０４Ａは、導体パターン３１ｂ，３２ｂを備える点で、樹脂多層基板１０４と異なる。樹脂多層基板１０４Ａの他の構成については、樹脂多層基板１０４と同じである。

導体パターン３１ｂ，３２ｂは、平面形状がＣ字形の導体パターンである。図１３に示すように、導体パターン３１ｂ，３２ｂは、Ｚ軸方向から視て、キャビティＣＶの底面の４つの角部に配置されている。

このような構成でも、樹脂多層基板１０４と同様の作用・効果を奏する。但し、キャビティの側面と底面との境界における亀裂の発生を抑制する点では、樹脂多層基板１０４の方が好ましい。

なお、本実施形態では、キャビティＣＶの底面が矩形であり、導体パターンが４つの角部に配置される例を示したがこの構成に限定されるものではない。キャビティＣＶの底面は矩形以外の多角形でもよく、導体パターンが複数の角部のいくつかに配置される構成でもよい。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では、部品がキャビティの底面に実装されていない樹脂多層基板の例を示す。

図１４（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の第１端部を示す拡大断面図であり、図１４（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の第１端部を示す拡大平面図である。

樹脂多層基板１０５は、導体パターン３０を備える点で、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる。樹脂多層基板１０５の他の構成については、樹脂多層基板１０２と同じである。

以下、第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２と異なる部分について説明する。

導体パターン３０は、平面形状が矩形の導体パターンである。導体パターン３０は、Ｚ軸方向から視て、キャビティＣＶ全体に重なる。言い換えると、導体パターン３０は、キャビティＣＶの底面ＢＳ全体に亘って形成されている。本実施形態では、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界全体（部分ＣＰ）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに連続する導体パターン３０で構成されている。

本実施形態に係る樹脂多層基板１０５は、例えば次のように用いられる。図１５は、第５の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

電子機器３０１は、樹脂多層基板１０５、回路基板２０１および部品１Ａ等を備える。部品１Ａは、回路基板２０１の第１面ＰＳ１に実装されている。なお、電子機器３０１は上記以外の構成も備えるが、図１５では図示省略している。回路基板２０１は例えばガラス／エポキシ基板である。

樹脂多層基板１０５と回路基板２０１とは、キャビティＣＶ内に部品１Ａの一部が配置された状態で、互いに近接して配置されている。図１５に示すように、樹脂多層基板１０５が備える積層体１０Ａの第１主面ＶＳ１は、回路基板２０１の第１面ＰＳ１と平行である。また、導体パターン３０は、部品１Ａに導通していない。なお、図示省略するが、導体パターン３０はグランドに接続されている。

本実施形態で示したように、近接して配置される回路基板に実装された部品１Ａ等を避けるために、上記部品１Ａ等をキャビティＣＶ内に配置してもよい。この構成により、回路基板２０１に実装された部品１Ａから生じるノイズが導体パターン３０で遮蔽されるため、樹脂多層基板１０５に対する部品１Ａからのノイズの影響を抑制できる。また、この構成により、樹脂多層基板１０５から生じるノイズが導体パターン３０で遮蔽されるため、回路基板２０１や部品１Ａに対する、樹脂多層基板１０５からのノイズの影響を抑制できる。

また、本実施形態では、グランドに接続された導体パターン３０が、キャビティＣＶの底面ＢＳ全体に亘って形成されることが好ましい。言い換えると、導体パターン３０が、Ｚ軸方向から視て、キャビティＣＶ全体に重なることが好ましい。この構成によれば、導体パターン３０が底面ＢＳの一部に形成されている場合と比べて、ノイズの遮蔽効果をさらに高めることができる。

本実施形態では、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界全体（部分ＣＰ）が、側面ＳＳおよび底面ＢＳに連続する導体パターン３０で構成されている。この構成によれば、キャビティＣＶの側面ＳＳと底面ＢＳとの境界の一部が導体パターンで構成される場合と比べて、曲げ応力によるキャビティＣＶの亀裂の発生をさらに抑制できる。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では、第５の実施形態に係る電子機器３０１とは異なる電子機器の例を示す。

図１６（Ａ）は第６の実施形態に係る電子機器３０２の主要部を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は図１６（Ａ）におけるＡ－Ａ断面図である。

電子機器３０２は、筐体８、回路基板２０２，２０３、樹脂多層基板１０２Ａ、電子部品７１，７２，７３，７４，７５，７６等を備える。樹脂多層基板１０２Ａは、プラグ５１，５２を有する点以外は、第２の実施形態で説明した樹脂多層基板１０２と実質的に同じである。なお、電子機器３０２は、上記以外の構成も備えるが、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）では図示省略している。回路基板２０２，２０３は例えばプリント配線板である。

回路基板２０２，２０３、樹脂多層基板１０２Ａ、電子部品７１～７６は、筐体８に収納されている。回路基板２０２の主面と回路基板２０３の主面とは、いずれもＸＹ平面に平行であり、Ｚ軸方向における高さが互いに異なる面である。回路基板２０２の表面には電子部品７１，７２，７３，７４等が実装されている。回路基板２０３の表面には電子部品７５，７６等が実装されている。電子部品７１～７６は、例えば半導体素子、またはチップ型インダクタやチップ型キャパシタ等のチップ部品、ＲＦＩＣ素子またはインピーダンス整合回路等である。

回路基板２０２と回路基板２０３とは、樹脂多層基板１０２Ａを介して接続されている。具体的には、樹脂多層基板１０２Ａのプラグ５１が、回路基板２０２の表面に配置されたレセプタクル６１に接続される。また、樹脂多層基板１０２Ａのプラグ５２が、回路基板２０３の表面に配置されたレセプタクル６２に接続される。

このように、樹脂多層基板１０２Ａ（積層体１０Ａ）は曲げ部ＣＲを有することにより、主面のＺ軸方向における高さが異なる回路基板２０２，２０３間を容易に接続できる。

なお、本実施形態では、コネクタ（プラグおよびレセプタクル）を用いて樹脂多層基板と回路基板とが接続される例を示したが、この構成に限定されるものではなく、はんだ等の導電性接合材を用いて樹脂多層基板と回路基板とが接続されてもよい。

《その他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、積層体が矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体の平面形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。

以上に示した各実施形態では、４または５の絶縁基材層を積層して形成される積層体の例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体を形成する絶縁基材層の積層数は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能である。また、積層体の第１主面ＶＳ１または第２主面ＶＳ２に、カバーレイフィルムやソルダーレジスト膜等の保護層が形成されていてもよい。

また、以上に示した各実施形態では、熱可塑性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成される積層体の例を示したが、この構成に限定されるものではない。積層体が、例えば熱硬化性樹脂からなる複数の絶縁基材層を積層して形成されていてもよい。

以上に示した各実施形態では、キャビティＣＶが直方体状の凹部である例を示したが、この構成に限定されるものではない。キャビティＣＶは、例えば多角柱や円柱等でもよい。また、キャビティＣＶの底面の平面形状も、矩形に限定されるものではなく、例えば、例えば多角形、円形、楕円形等であってもよい。さらに、キャビティＣＶは、一部が積層体１０の端面に達する溝であってもよい。

また、以上に示した各実施形態では、部品１が、キャビティＣＶの底面ＢＳに形成される導体パターン３１，３２に、導電性接合材５を介して接続される例を示したが、この構成に限定されるものではない。部品１が、膜状に形成した絶縁異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）を介して、導体パターン３１，３２に接続されていてもよい。絶縁異方性導電膜は、加熱加圧時に所定圧力以上の圧力が掛かった箇所が導電性を示す部材であり、半硬化状態のプリプレグ樹脂シートに微細な導電性粒子を分散させたものを、膜状に成型して形成される。

また、以上に示した各実施形態では、導体パターンの平面形状が矩形またはＣ字形である例を示したが、この構成に限定されるものではない。導体パターンの平面形状は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形、クランク形等でもよい。

また、樹脂多層基板に形成される回路構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではない。樹脂多層基板に形成される回路は、本発明の作用効果を奏する範囲において適宜変更可能であり、例えば導体パターンで構成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ等を備えていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、ミアンダ、コプレーナ等）等が、形成されていてもよい。さらに、樹脂多層基板には、部品１，１Ａ以外の他の電子部品が実装されていてもよい。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＣＰ１，ＣＰ２…部分
ＣＳ…（導体パターンの第２領域のうち底面に露出する）面
ＣＶ…キャビティ
Ｄ１…（導体パターンの）第１領域の厚み
Ｄ２…（導体パターンの）第２領域の厚み
Ｆ１…第１領域
Ｆ２…第２領域
Ｐ１，Ｐ２…外部電極
ＰＳ１…回路基板の第１面
Ｒ１…第１領域の表面の表面粗さ
Ｒ２…第２領域のうち底面に露出する面の表面粗さ
ＢＳ…キャビティの底面
ＳＳ…キャビティの側面
Ｔ１…積層体のうち、積層方向における第１主面から底面までの厚み
Ｔ２…積層体のうち、積層方向における底面から第２主面までの厚み
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６…層間接続導体
ＶＳ１…積層体の第１主面
ＶＳ２…積層体の第２主面
１，１Ａ…部品
２…切削加工機
３…上部金型
４…下部金型
５…導電性接合材
６…保護層
８…筐体
１０，１０Ａ…積層体
１１，１１ａ，１２，１２ａ，１３，１３ａ，１４，１４ａ，１５…絶縁基材層
２１，２２…導体パターン
３０，３１，３１ａ，３１ｂ，３２，３２ａ，３２ｂ…導体パターン
５１，５２…プラグ
６１，６２…レセプタクル
７１，７２，７３，７４，７５，７６…電子部品
１０１，１０１Ａ，１０２，１０２Ａ，１０３，１０４，１０４Ａ，１０５…樹脂多層基板
２０１，２０２，２０３…回路基板
３０１，３０２…電子機器

Claims (22)

1. 第１主面を有し、熱可塑性樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
   前記第１主面に形成され、側面および底面を有するキャビティと、
   前記積層体に形成される導体パターンと、
   を備え、
   前記積層体は曲げ部を有し、
   前記側面と前記底面との境界の少なくとも一部は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成される、樹脂多層基板。
2. 前記積層体は、前記第１主面に対向する第２主面を有し、
   前記積層体のうち、前記複数の絶縁基材層の積層方向における前記底面から前記第２主面までの厚みは、前記積層体のうち前記積層方向における前記第１主面から前記底面までの厚みよりも薄い、請求項１に記載の樹脂多層基板。
3. 前記積層体に形成される層間接続導体を備え、
   前記層間接続導体は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記キャビティに重ならない、請求項１または２に記載の樹脂多層基板。
4. 前記導体パターンは、前記積層体に埋設される第１領域と、少なくとも一部が前記底面に露出する第２領域とを有し、
   前記第２領域の厚みは、前記第１領域の厚みの１／２よりも厚い、請求項１から３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
5. 前記境界のうち、前記曲げ部に最も近接する部分は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成される、請求項１から４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
6. 前記底面は、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、多角形であり、
   前記導体パターンは、前記積層方向から視て、少なくとも前記底面の角部に配置される、請求項１から５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
7. 前記境界全体は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成される、請求項１から６のいずれかに記載の樹脂多層基板。
8. 前記導体パターンは、前記複数の絶縁基材層の積層方向から視て、前記底面全体に形成される、請求項１から７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
9. 少なくとも一部が前記キャビティ内に配置される部品を備え、
   前記部品は前記導体パターンと導通する、請求項１から７のいずれかに記載の樹脂多層基板。
10. 前記導体パターンは、前記積層体に埋設される第１領域と、少なくとも一部が前記底面に露出する第２領域とを有し、
    前記第２領域のうち前記底面に露出する面の表面粗さは、前記第１領域の表面の表面粗さより小さい、請求項９に記載の樹脂多層基板。
11. 前記積層体は、前記第１主面と対向する第２主面に設けられている外部電極と、
    前記導体パターンと前記外部電極を接続する１つまたは複数の層間接続導体とを備え、
    前記キャビティは、前記１つまたは複数の層間接続導体と重ならない、
    請求項１から１０のいずれかに記載の樹脂多層基板。
12. 前記曲げ部は、前記キャビティと異なる位置に存在している、
    請求項１から１１のいずれかに記載の樹脂多層基板。
13. 前記曲げ部では、前記導体パターンに接している前記絶縁基材層が曲がっている、
    請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の樹脂多層基板。
14. 前記曲げ部では、キャビティに面する前記絶縁基材層が曲がっている、
    請求項１ないし請求項１３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
15. 筐体と、前記筐体に収納される樹脂多層基板と、を備え、
    前記樹脂多層基板は、
    熱可塑性樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
    前記積層体の表面に形成され、側面および底面を有するキャビティと、
    前記積層体に形成される導体パターンと、
    を有し、
    前記積層体は曲げ部を有し、
    前記側面と前記底面との境界の少なくとも一部は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成される、電子機器。
16. 少なくとも一部が前記キャビティ内に配置される部品を備え、
    前記導体パターンは、前記部品に導通していない、請求項１５に記載の電子機器。
17. 前記導体パターンは、前記底面全体に形成される、請求項１６に記載の電子機器。
18. 前記積層体は、第１主面と対向する第２主面に設けられている外部電極と、
    前記導体パターンと前記外部電極を接続する１つまたは複数の層間接続導体とを備え、
    前記キャビティは前記１つまたは複数の層間接続導体と重ならない、
    請求項１５ないし請求項１７のいずれかに記載の電子機器。
19. 前記曲げ部は、前記キャビティと異なる位置に存在している、
    請求項１５から１８のいずれかに記載の電子機器。
20. 前記曲げ部では、前記導体パターンに接している前記絶縁基材層が曲がっている、
    請求項１５ないし請求項１９のいずれかに記載の電子機器。
21. 前記曲げ部では、キャビティに面する前記絶縁基材層が曲がっている、
    請求項１５ないし請求項１８のいずれかに記載の電子機器。
22. 樹脂多層基板と、回路基板と、部品と、を備え、
    前記樹脂多層基板は、
    樹脂を主材料とする複数の絶縁基材層が積層されて形成される積層体と、
    前記積層体の表面に形成され、側面および底面を有するキャビティと、
    前記積層体に形成される導体パターンと、
    を有し、
    前記部品は、前記回路基板に実装され、
    前記樹脂多層基板と前記回路基板とは、前記キャビティ内に前記部品の一部が配置されるように配置され、
    前記側面と前記底面との境界の少なくとも一部は、前記側面および前記底面に連続する前記導体パターンで構成される、電子機器。

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