JP2016122728A - キャビティ付き配線板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導体回路層31Bと導体プレーン層31Aとを形成した第2導体層16Bと、第2導体層16Bに積層される第3絶縁層15Cと、第3絶縁層15Cを貫通して導体プレーン層31Aの上表面31aの少なくとも一部を底面として露出させた電子部品搭載用のキャビティ30と、を備えるキャビティ付き配線板10である。導体プレーン層31Aの上表面31aのうち露出した表面36は、導体回路層31Bの上表面31bよりも平滑な表面である。
【選択図】図1
Description
1.キャビティ付き配線板10について
図1は、第1実施形態に係るキャビティ付き配線板10の模式的断面図であり、図2は、図1に示すキャビティ付き配線板10のキャビティ30近傍の部分拡大図である。
以下に、配線板10の製造方法を説明する。図3は、図1に示す配線板10の製造方法を示したフロー図であり、図4A〜図4Gは、配線板10の製造工程を示した図である。
まず、図3に示すステップS31で、コア基板11を準備し、スルーホール13Aを形成する。具体的には、ガラス繊維布からなる芯材にエポキシ樹脂が含浸されたコア基板11を準備する。このコア基板11の第1および第2主面11F,11Bにはそれぞれ銅箔が形成されている(図示せず)。
図1に示す配線板10は、たとえばインターポーザなどの電子部品80を搭載した電子部品搭載配線板100(以下、単に搭載基板という)に用いられる。図5は、図1は、配線板10に電子部品80を搭載した搭載基板100の模式的断面図である。図6は、図5に示す搭載基板100の電子部品80近傍の部分拡大図である。
以下に、搭載基板100の製造方法について説明する。まず、図7Aに示すように、配線板10のキャビティ30の底面として、導体プレーン層31Aの露出した表面36に接着層33を積層するともに、接着層33の上に電子部品80を載置し、接着層33を熱硬化させる。
図8は、図2に示す配線板10の変形例に係る配線板10Aの要部拡大断面図である。図9(a)〜(d)は、導体プレーン層31Aの露出した表面36の外周部に形成された凹部32を説明するための平面図である。本実施形態に係る配線板10Aが、図1に示す配線板と相違する点は、導体プレーン層31Aの上表面の露出した表面36(すなわち、キャビティ30の底面)に凹部32が形成されている点である。
図1に示す実施形態では、配線板10がコア基板11を有する基板であったが、図13(b)に示すように、配線板10Dのように、コア基板を有さない、所謂、コアレス基板であってもよい。このような配線板10Dは、例えば、以下に示す方法により製造される。
11 コア基板
12 コア導体層
13 スルーホール導体
13A スルーホール
11F 第1主面
11B 第2主面
15A 第1絶縁層
15B 第2絶縁層
15C 第3絶縁層
16A 第1導体層
16B 第2導体層
16C 第3導体層
18A 第1導体ビア
18B 第2導体ビア
18C 第3導体ビア
31A 導体プレーン層
31a 上表面
31B 導体回路層
31b 上表面
34 外側絶縁層
36 露出した表面
80 電子部品
100,100A 電子部品搭載配線板(搭載基板)
Claims (20)
- 導体回路層と導体プレーン層とを形成した導体層と、
前記導体層に積層される絶縁層と、
前記絶縁層を貫通して前記導体プレーン層の上表面の少なくとも一部を底面として露出させた電子部品搭載用のキャビティと、を備えるキャビティ付き配線板であって、
前記導体プレーン層の上表面のうち露出した表面は、前記導体回路層の上表面よりも平滑な表面である。 - 請求項1に記載のキャビティ付き配線板において、
前記導体プレーン層の前記露出した表面は、エッチングされた表面である。 - 請求項1または2に記載のキャビティ付き配線板において、
前記露出した表面により形成された導体プレーン層の厚さは、前記導体回路層の厚さよりも薄くなっている。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記露出した表面の表面粗さは、中心線平均粗さRa0.1〜0.6μmの範囲にあり、前記導体回路層の上表面の表面粗さは、中心線平均粗さRa0.5〜1.0μmの範囲にある。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記キャビティ内に前記電子部品を搭載したときに、前記電子部品の上表面がキャビティ付き配線板の上表面よりも高い位置に配置されるような深さを、前記キャビティは有している。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記絶縁層の上に積層され、前記絶縁層を貫通する導体ビアを介して前記導体回路層と接続する外側導体層と、
前記外側導体層の上に積層される絶縁材料からなる外側絶縁層と、をさらに有し、
前記キャビティは、前記外側絶縁層と前記絶縁層とを貫通するように形成されている。 - 請求項6に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記絶縁層よりも薄くなっている。 - 請求項6または7に記載のキャビティ付き配線板において、
前記外側絶縁層は、前記絶縁層と同じ材料である。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記キャビティの底面積は、前記導体プレーン層の上表面の面積よりも小さい。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記導体プレーン層の前記露出した表面の外周部に凹部が形成されている。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記キャビティは、前記キャビティの底面から開口に向かって広がるように、形成されている。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板において、
前記導体プレーン層は、グランド層である。 - 導体回路層と導体プレーン層とを形成した導体層の上に、絶縁層を積層する工程と、
前記絶縁層を貫通して前記導体プレーン層の上表面のうち少なくとも一部を、底面として露出させる電子部品搭載用のキャビティを形成する工程、とを少なくとも含むキャビティ付き配線板の製造方法であって、
前記キャビティを形成する工程の後に、前記導体プレーン層の上表面のうち露出した表面が、前記導体回路層の上表面よりも平滑な表面となるように、前記露出した表面に平滑化処理を行う。 - 請求項13に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記平滑化処理を、前記導体プレーン層の前記露出した表面をエッチングすることにより行う。 - 請求項13または14に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記キャビティの形成をレーザー加工により行う。 - 請求項15に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記レーザー加工により、前記キャビティの形成と共に、前記導体プレーン層の前記露出した表面の外周部に凹部を形成する。 - 請求項15または16に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記キャビティを形成する工程において、前記レーザー加工後に前記導体プレーン層の前記露出した表面にデスミア処理を行う。 - 請求項15〜17のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記レーザー加工を行う前に、前記絶縁層の上に導体ビアを介して前記導体回路層に接続される外側導体層を形成し、前記外側導体層の上に絶縁材料からなる外側絶縁層を形成する。 - 請求項13〜18のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記キャビティを形成する工程において、
前記平滑化処理後の前記キャビティ内に前記電子部品を搭載したときに、前記電子部品の上表面が、キャビティ付き配線板の上表面よりも高い位置に配置されるような深さに、前記キャビティを形成する。 - 請求項13〜19のいずれか一項に記載のキャビティ付き配線板の製造方法において、
前記キャビティを形成する工程において、前記キャビティの底面から開口に向かって広がるように、前記キャビティを形成する。
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