WO2020162473A1

WO2020162473A1 - 樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法

Info

Publication number: WO2020162473A1
Application number: PCT/JP2020/004219
Authority: WO
Inventors: 知大古村; 茂多胡; 洋隆藤井
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2019-02-05
Filing date: 2020-02-05
Publication date: 2020-08-13
Also published as: JPWO2020162473A1; US20210337656A1; JP7147885B2; CN216531888U; US11963294B2

Abstract

樹脂多層基板（１０１）は、開口樹脂層（樹脂層（１１ａ））を含む複数の樹脂層（１１ａ，１２ａ）が積層された形成される基材（１０Ａ）と、導体パターン（３１）と、層間接続導体（Ｖ１，Ｖ２）とを備える。基材（１０Ａ）には凹部（Ｄ１１）が形成されている。開口樹脂層（樹脂層（１１ａ））は他の樹脂層（１２ａ）よりも第１主面（Ｓ１）側に配置される樹脂層である。凹部（Ｄ１１）は、開口樹脂層の一方面（ＶＳ１）側からの切削加工によって形成された第１開口（ＡＰ１１）と、他の樹脂層（１２ａ）とで構成される。層間接続導体（Ｖ１，Ｖ２）は、開口樹脂層の他方面（ＶＳ２）側からの切削加工によって形成された第２開口に、導体を充填して形成される。第１開口（ＡＰ１１）の一方面（ＶＳ１）側の縁端部は、導体パターン（３１）に接していない。

Description

樹脂多層基板および樹脂多層基板の製造方法

　本発明は、複数の樹脂層が積層されて形成され、凹部を有する基材と、基材に形成される導体パターンおよび層間接続導体とを備える樹脂多層基板、およびその製造方法に関する。

　従来、複数の樹脂層が積層されて形成される基材と、樹脂層の一方面（片面）のみに形成される導体パターンと、樹脂層に形成される層間接続導体と、を備える樹脂多層基板が知られている（特許文献１）。特許文献１に開示された樹脂多層基板では、樹脂層の一方面に導体パターンを形成し、樹脂層に形成した貫通孔内に導体（後の層間接続導体）を充填した後、これらの樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して加熱プレスすることにより形成される。

特許第３４０７７３７号公報

　一方、樹脂多層基板の周囲に配置される構造物や他の部品を避けるため、または樹脂多層基板を曲げ加工するため、基材の一部に厚みが他の部分よりも薄い凹部（例えば、キャビティ等）を設けることがある。

　凹部を有する樹脂多層基板は、例えば、積層前の樹脂層のうち後に凹部となる部分に開口（孔）を形成し、この開口が形成された樹脂層を含む複数の樹脂層を積層して加熱プレスすることにより形成される。一般的に、樹脂層に形成される小さな開口（層間接続導体用の開口や、加熱プレス後に凹部となる開口）は、樹脂層の他方面（導体パターンが形成された一方面の反対面）側からの切削加工により設けられるが、その際、樹脂層の飛沫（特に、組成変化した樹脂や、樹脂の炭化物等）が他方面の開口周辺に付着しやすい。また、一般的に、加熱プレス後に上記飛沫が付着した樹脂層の接合面の接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層同士の接合面の接合強度に比べて弱い。これは、樹脂層同士の接合条件が、飛沫の付着していない樹脂層同士の接合のみを想定して設定されていることや、飛沫が付着した樹脂層と飛沫が付着していない樹脂層との接合面が異種材料界面となる等の理由による。また、飛沫が付着した樹脂層の表面と導体パターンとの接合面における接合強度は、樹脂層同士の接合面に比べて特に弱く、上記接合面（飛沫が付着した樹脂層の表面と導体パターンとの接合面）において層間剥離（デラミネーション）が生じやすい。

　本発明の目的は、一方面（片面）のみに導体パターンが形成された樹脂層と、層間接続導体用の開口および加熱プレス後に凹部となる開口が設けられた樹脂層とを含む複数の樹脂層を積層して形成される構成において、凹部での層間剥離を抑制した樹脂多層基板を提供することにある。

　本発明の樹脂多層基板は、
　凹部が形成された第１主面を有し、開口樹脂層を含む複数の樹脂層が積層されて形成される基材と、
　前記複数の樹脂層の一方面のみに形成される導体パターンと、
　少なくとも前記開口樹脂層に形成される層間接続導体と、
　を備え、
　前記凹部は、前記一方面側からの切削加工によって形成された第１開口と、前記開口樹脂層、および、前記開口樹脂層とは異なる他の樹脂層とで構成され、
　前記層間接続導体は、前記一方面の反対面である他方面側からの切削加工によって形成された第２開口に金属材料を充填して形成され、
　前記第１開口の前記一方面側の縁端部は、前記導体パターンに接していないことを特徴とする。

　片面（一方面）のみに導体パターンが形成された複数の樹脂層同士を積層して形成される本発明の樹脂多層基板において、上記複数の樹脂層には、凹部を形成するための第１開口と、層間接続導体用の第２開口とが形成された開口樹脂層が含まれる。そして、これら複数の開口（第１開口および第２開口）は、工程（樹脂層を裏返す工程）が増加する等の理由から、樹脂層の同じ面（導体パターンが形成されていない樹脂層の他方面）側からの切削加工により形成されるのが一般的である。第１開口および第２開口が開口樹脂層の他方面側からの切削加工により形成される場合に、開口樹脂層の他方面が他の樹脂層の一方面に接合されると、第１開口の他方面側の縁端部（多量の飛沫が付着する部分）が、他の樹脂層に形成された導体パターンに接する場合がある。一般的に、加熱プレス後の基材において、飛沫が付着した樹脂層の接合面における接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層同士の接合強度に比べて弱い。また、飛沫が付着した樹脂層の表面と導体パターンとの接合面の接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層と導体パターンとの接合強度に比べて特に弱く、この接合面において層間剥離が生じやすい。

　一方、上記構成によれば、第１開口が、開口樹脂層の他方面（層間接続導体用の第２開口を切削加工する方の面）側ではなく、一方面側からの切削加工によって形成されている。そして、一方面に導体パターンが形成された複数の樹脂層が積層された基材において、第１開口の一方面側の縁端部（多量の飛沫が付着する部分）が導体パターンに接していない。そのため、第１開口の一方面側の縁端部が導体パターンに接する場合に比べて、凹部の内周縁（特に、開口樹脂層と他の樹脂層との境界）での層間剥離は抑制される。

　本発明の樹脂多層基板の製造方法は、
　凹部が形成された第１主面を有する基材を備える樹脂多層基板の製造方法であって、
　開口樹脂層を含む前記複数の樹脂層の一方面のみに導体パターンを形成する、導体パターン形成工程と、
　前記導体パターン形成工程の後に、前記開口樹脂層の一方面側から切削加工して、第１開口を形成する、第１開口形成工程と、
　前記導体パターン形成工程の後に、少なくとも前記開口樹脂層の他方面側から切削加工して層間接続用の第２開口を形成する、第２開口形成工程と、
　前記第２開口形成工程の後に、前記第２開口内に金属材料を充填して層間接続導体を形成する、層間導体形成工程と、
　前記第１開口形成工程および前記層間導体形成工程の後に、前記第１開口の前記一方面側の縁端部に前記導体パターンが接しないように前記複数の樹脂層を積層して加熱プレスすることにより前記基材を形成し、前記第１開口と他の樹脂層とで前記凹部を構成する、基材形成工程と、
　を備えることを特徴とする。

　この製造方法によれば、第１開口の一方面側の縁端部（多量の飛沫が付着した部分）が導体パターンに接しないため、凹部での層間剥離を抑制した樹脂多層基板を容易に得られる。

　本発明によれば、一方面（片面）に導体パターンが形成された樹脂層と、層間接続導体用の開口および加熱プレス後に凹部となる開口が設けられた樹脂層とを含む複数の樹脂層を積層して形成される構成において、凹部での層間剥離を抑制した樹脂多層基板を実現できる。

図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の分解断面図である。図２（Ａ）は、比較例である樹脂多層基板１００の断面図であり、図２（Ｂ）は樹脂多層基板１００の分解断面図である。図３は、積層前の樹脂層１１ａの製造工程を順に示す断面図である。図４は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。図６（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図であり、図６（Ｂ）は樹脂多層基板１０２の分解断面図である。図７は、積層前の樹脂層１１ａの製造方法を順に示す断面図である。図８は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。図９（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図であり、図９（Ｂ）は樹脂多層基板１０３の分解断面図である。図１０（Ａ）は第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４Ａの断面図であり、図１０（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ａの分解断面図である。図１１（Ａ）は第４の実施形態に係る別の樹脂多層基板１０４Ｂの断面図であり、図１１（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ｂの分解断面図である。図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る別の樹脂多層基板１０４Ｃの断面図であり、図１２（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ｃの分解断面図である。図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の断面図であり、図１３（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の分解斜視図である。

　以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

　《第１の実施形態》
　図１（Ａ）は第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１の断面図であり、図１（Ｂ）は樹脂多層基板１０１の分解断面図である。

　樹脂多層基板１０１は、基材１０Ａ，導体パターン３１、電極Ｐ１，Ｐ２および層間接続導体Ｖ１，Ｖ２等を備える。

　基材１０Ａは、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の樹脂（熱可塑性樹脂）平板である。基材１０Ａは、第１主面Ｓ１、および第１主面Ｓ１の反対面である第２主面Ｓ２を有する。基材１０Ａの第１主面Ｓ１には、Ｚ軸方向の厚み（複数の樹脂層の積層方向の厚み）が他の部分よりも薄い凹部Ｄ１１が形成されている。図示省略するが、本実施形態の凹部Ｄ１１は、基材１０Ａの幅方向（Ｙ軸方向）全体に亘って形成される溝である。

　また、基材１０Ａは、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂおよび第２領域Ｆ２を有する。第１領域Ｆ１Ａ、第２領域Ｆ２および第１領域Ｆ１Ｂは、＋Ｘ方向にこの順番で配置されている。図１（Ａ）に示すように、第２領域Ｆ２は、基材１０Ａのうち凹部Ｄ１１が形成された部分である。第２領域Ｆ２の厚みは第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも薄いため、第２領域Ｆ２は第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも変形しやすく、可撓性を有する。

　基材１０Ａは、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ａ，１２ａが積層されて形成される積層体である。樹脂層１１ａ，１２ａは、それぞれ長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の樹脂平板である。樹脂層１１ａ，１２ａは、一方面ＶＳ１と、一方面ＶＳ１の反対面である他方面ＶＳ２とを有する。後に詳述するように、一方面ＶＳ１は導体パターンが形成される面である。樹脂層１１ａ，１２ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）やポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。

　本実施形態では、樹脂層１１ａが本発明における「開口樹脂層」に相当する。開口樹脂層（樹脂層１１ａ）は、他の樹脂層（樹脂層１２ａ）よりも第１主面Ｓ１側に配置される樹脂層である。

　樹脂層１１ａの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）には、電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。電極Ｐ１は、樹脂層１１ａの一端（図１（Ｂ）における樹脂層１１ａの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。電極Ｐ２は、樹脂層１１ａの他端（図１（Ｂ）における樹脂層１１ａの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。電極Ｐ１，Ｐ２のうち一方面ＶＳ１側に接する面（図１（Ｂ）における電極Ｐ１，Ｐ２の上面）の表面粗さは、その反対面（図１（Ｂ）における電極Ｐ１，Ｐ２の下面）の表面粗さよりも大きい。これにより、樹脂層１１ａと電極Ｐ１，Ｐ２との接合強度が高まる。電極Ｐ１，Ｐ２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、樹脂層１１ａには層間接続導体Ｖ１，Ｖ２が形成されている。後に詳述するように、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、樹脂層１１ａの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側からの切削加工によって形成された第２開口（不図示）内に、金属材料を充填して形成された導体である。第２開口は、例えば、開口樹脂層の他方面ＶＳ２側からのレーザー照射により形成された円形の貫通孔である。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、例えば、上記第２開口内に、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設（充填）し、後の加熱プレスで固化させることによって設けられる。なお、導電性ペーストを第２開口の全体に充填する場合に限らない。すなわち、後述の第２の実施形態に示すように、第２開口の一部がフィルドメッキビアによって形成され、第２開口におけるフィルドメッキビアが形成されていない空間に導電ペーストを充填する場合も、本願の充填に対応する。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２（第２開口）は、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａの下面）側の面積（本発明の「第２開口の第３面」の面積）が小さく、他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側の面積（本発明の「第２開口の第４面」の面積）が大きな錐台形である。また、上記第２開口は、一方面ＶＳ１を平面視して（Ｚ軸方向から視て）、導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）に重なる位置に形成される。

　また、樹脂層１１ａには第１開口ＡＰ１１が形成されている。第１開口ＡＰ１１は、樹脂層１１ａの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工によって形成された矩形の貫通孔である。第１開口ＡＰ１１は、例えば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側からのレーザー照射によって形成される。第１開口ＡＰ１１は、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側（樹脂層１１ａの下面）側の面積（本発明の「第１開口の第１面」の面積）が大きく、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側の面積（本発明の「第１開口の第２面」の面積）が小さな錐台形である。第１開口ＡＰ１１は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）に重ならない位置に形成されている。

　レーザー照射して第１開口ＡＰ１１を形成する際、開口樹脂層１１の一方面ＶＳ１側には、飛沫が付着しやすい。この飛沫は、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部（レーザー照射された位置）に近いほど多く付着する（図１（Ｂ）における飛沫ＴＲを参照）。上記飛沫は、レーザー照射時に開口樹脂層の樹脂材料が蒸発または気化したものが一方面ＶＳ１に付着したものであり、レーザー照射によって変質したもの（例えば、樹脂材料が組成変化したものや、樹脂材料の炭化物等）となる可能性がある。

　また、第１開口ＡＰ１１は、例えば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側からのドリル等による切削加工によって形成されていてもよい。ドリル等で切削加工して第１開口ＡＰ１１を形成する際も、飛沫（ドリルで切削加工した際に生じる切削くず）が開口樹脂層の一方面ＶＳ１側に付着しやすい。この飛沫は、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部に近いほど多く付着する。また、上記飛沫も、切削時の熱によって樹脂層の樹脂材料から変質したものになる可能性がある。

　ここで、「第１開口の一方面側の縁端部」とは、例えば、Ｚ軸方向から視て、開口樹脂層の一方面のうち第１開口の縁から、第１開口の厚み分離れた位置までを言う。

　樹脂層１２ａの下面（一方面ＶＳ１）には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１は、Ｘ軸方向（伝送方向）に延伸する線状の導体パターンである。導体パターン３１のうち一方面ＶＳ１側に接する面（図１（Ｂ）における導体パターン３１の上面）の表面粗さは、その反対面（図１（Ｂ）における導体パターン３１の下面）の表面粗さよりも大きい。これにより、樹脂層１２ａと導体パターン３１との接合強度が高まる。導体パターン３１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　本実施形態では、樹脂層１１ａ（開口樹脂層）の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１に接していない。より具体的には、図１（Ａ）等に示すように、樹脂層１１ａ（開口樹脂層）の他方面ＶＳ２が、他の樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１に接合されている。また、電極Ｐ１は、層間接続導体Ｖ１を介して、導体パターン３１の一端に接続されている。導体パターン３１の他端は、層間接続導体Ｖ２を介して電極Ｐ２に接続されている。凹部Ｄ１１は、樹脂層１１ａに形成された第１開口ＡＰ１１と、樹脂層１１ａに隣接する樹脂層１２ａとで構成される。

　図１（Ｂ）等に示すように、導体パターン（導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２）は、複数の樹脂層１１ａ，１２ａの一方面ＶＳ１のみに形成されている。また、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａのうち、第１開口ＡＰ１１を形成するために切削加工する方の面）側の縁端部は、導体パターン（導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２）に接していない。

　次に、第１開口の一方面側の縁端部が導体パターンに接しないことによる利点について、比較例を挙げて説明する。図２（Ａ）は、比較例である樹脂多層基板１００の断面図であり、図２（Ｂ）は樹脂多層基板１００の分解断面図である。

　比較例である樹脂多層基板１００は、第１主面Ｓ１に凹部Ｄ１１Ａが形成されている点（樹脂層１１ａに第１開口ＡＰ１１Ａが形成されている点）で、樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１００の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

　凹部Ｄ１１Ａは、樹脂層１１ａに形成された第１開口ＡＰ１１Ａと、樹脂層１１ａに隣接する樹脂層１２ａとで構成される。なお、図１（Ａ）等では、凹部Ｄ１１Ａの底面は、導体パターン３１によって形成されている。しかしながら、導体パターン３１は、樹脂層１２ａに形成されていることから、このような場合にも、凹部Ｄ１１Ａは、樹脂層１２ａを用いて構成されていると言うことができる。第１開口ＡＰ１１Ａは、樹脂層１１ａの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側からの切削加工（レーザー照射）により形成された矩形の貫通孔である。第１開口ＡＰ１１Ａは、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側の面積が大きく、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａの下面）の面積が小さな錐台形である。なお、第１開口ＡＰ１１Ａの他方面ＶＳ２側の縁端部には多くの飛沫が付着している（図２（Ｂ）における飛沫ＴＲを参照）。

　片面（一方面）のみに導体パターンが形成された複数の樹脂層同士を積層して形成される本発明の樹脂多層基板１０１において、上記複数の樹脂層１１ａ，１２ａには、凹部Ｄ１１を形成するための第１開口ＡＰ１１と、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２用の第２開口（不図示）とが形成される開口樹脂層（樹脂層１１ａ）が含まれる。そして、これら複数の開口（第１開口ＡＰ１１および第２開口）は、工程（樹脂層を裏返す工程）の増加等の理由から、樹脂層の同じ面（導体パターンが形成されていない樹脂層の他方面ＶＳ２）側からの切削加工により形成されるのが一般的である。

　図２（Ａ）および図２（Ｂ）に示す比較例である樹脂多層基板１００のように、第１開口ＡＰ１１Ａおよび第２開口（不図示）が開口樹脂層（樹脂層１１ａ）の他方面ＶＳ２側からの切削加工により形成されている場合に、開口樹脂層の他方面ＶＳ２が他の樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１に接合されると、第１開口ＡＰ１１Ａの他方面ＶＳ２側の縁端部（多量の飛沫が付着する部分）が、他の樹脂層１２ａに形成された導体パターン３１に接する場合がある。一般的に、加熱プレス後の基材において、飛沫が付着した樹脂層の接合面における接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層同士の接合強度に比べて弱い。これは、樹脂層同士の接合条件が、飛沫の付着していない樹脂層同士の接合のみを想定して設定されていることや、飛沫が付着した樹脂層と飛沫が付着していない樹脂層との接合面が異種材料界面となる等の理由による。また、飛沫が付着した樹脂層の表面と導体パターンとの接合面（例えば、図２（Ａ）における樹脂層１１ａの上面と導体パターン３１との接合面）の接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層と導体パターンとの接合強度に比べて特に弱く、この接合面において層間剥離が生じやすい。

　一方、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、次のような作用・効果を奏する。

（ａ）本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、第１開口ＡＰ１１および第２開口（不図示）が、それぞれ異なる面からの切削加工により形成されている。すなわち、第１開口ＡＰ１１は、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（層間接続導体Ｖ１，Ｖ２用の第２開口を切削加工する方の面）側からではなく、一方面ＶＳ１（導体パターンの形成面）からの切削加工によって形成される。そして、樹脂多層基板１０１では、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部（多量の飛沫が付着する部分）が導体パターン（導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２）に接していない。特に、本実施形態では、開口樹脂層（樹脂層１１ａ）の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１に接していない。この構成により、第１開口の一方面ＶＳ１側の縁端部が導体パターンに接する場合（例えば、図２（Ｂ）に示す樹脂多層基板１００を参照）と比較して、凹部Ｄ１１の内周縁（特に、樹脂層１１ａ，１２ａの境界）での層間剥離は抑制される。

（ｂ）また、本実施形態に係る樹脂多層基板１０１では、開口樹脂層（樹脂層１１ａ）の一方面ＶＳ１が、導体パターン３１が形成された他の樹脂層１２ａの他方面ＶＳ２（導体パターンが形成されていない面）に接合されている。例えば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１と他の樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１とが接合されている場合、第１開口ＡＰ１１を形成する際に開口樹脂層の一方面ＶＳ１に付着した飛沫（特に、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部に付着した飛沫ＴＲ）と樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１に形成された導体パターン３１とが接してしまい、樹脂多層基板の電気特性に変動が生じる虞がある。一方、上記構成によれば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１が他の樹脂層の一方面ＶＳ１に接合されていないため、上記飛沫が他の樹脂層１２ａの導体パターン３１に直接接することはなくなり、電気特性の変動が抑制される。

　なお、開口樹脂層（樹脂層１１ａ）の一方面ＶＳ１側からの切削加工によって層間接続導体Ｖ１，Ｖ２用の第２開口を形成する際、第２開口の一方面ＶＳ１側の縁端部には飛沫が付着しやすい。但し、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２と他の導体（導体パターン３１）との接合強度は、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部と導体パターンとの接合強度に比べて遙かに高い。そのため、第２開口の一方面ＶＳ１側の縁端部の接合面では、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部の接合面に比べて、層間剥離が生じ難い。また、Ｚ軸方向から視た第２開口の面積（開口面積）は、Ｚ軸方向から視た第１開口ＡＰ１１の面積（開口面積）より小さいため、第２開口の一方面ＶＳ１側の縁端部に付着する飛沫の量は、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部に付着する飛沫の量に比べて少ない。

（ｃ）また、樹脂多層基板１０１では、複数の樹脂層１１ａ，１２ａが熱可塑性樹脂からなる。この構成によれば、後に詳述するように、積層した複数の樹脂層１１ａ，１２ａを加熱プレス（一括プレス）することにより、基材１０Ａを容易に形成できる。そのため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。

（ｄ）樹脂多層基板１０１では、樹脂層１２ａの一方面ＶＳ１側に形成された導体パターン３１が、樹脂層１１ａ（開口樹脂層）の他方面ＶＳ２に接合されており、且つ、樹脂層１１ａに形成された層間接続導体Ｖ１，Ｖ２に接続されている。また、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２は、Ｚ軸方向から視て、それぞれ全体が導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２に重なっている。複数の層間接続導体同士を積層方向（Ｚ軸方向）に接続する場合、積層時等の位置ずれによって導通不良が生じやすい。一方、この構成によれば、複数の層間接続導体を積層方向に連続して接続する構造ではないため、積層時等の位置ずれに伴う導通不良を抑制できる。

（ｅ）樹脂多層基板１０１では、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２の一方面ＶＳ１側に導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）が形成されている。換言すると、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２の一方面ＶＳ１側は導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）で覆われている。この構成によれば、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２内に配設（充填）した導電性ペーストを保持されやすくできる。また、この構成によれば、後の加熱プレスで導電性ペーストを固化した際に、一方面ＶＳ１側に形成された導体パターンと容易に導通できる。

（ｆ）さらに、樹脂多層基板１０１では、第２開口（不図示）が、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａの下面）側の面積が小さく、他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側の面積が大きな錐台形である。この構成によれば、第２開口が一方面ＶＳ１に向かって先細った錐台形であるため、導電性ペーストを充填させやすい。また、第２開口が錐台形であるため、第２開口が円柱形である場合と比較して、少ない導電性ペーストで層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を形成でき、低コスト化が図れる。

（ｇ）また、樹脂多層基板１０１では、一方面ＶＳ１側よりも他方面ＶＳ２側の面積が小さな錐台形の第１開口ＡＰ１１が、開口樹脂層（樹脂層１１ａ）に形成されていて、開口樹脂層の他方面ＶＳ２が他の樹脂層１２ａに接合される構造である。この構成によれば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１２ａに接合される場合に比べて、開口樹脂層と他の樹脂層との接合面積を大きくできるため、開口樹脂層と他の樹脂層との接合強度は高まる。そのため、開口樹脂層の一方面ＶＳ１を他の樹脂層１２ａに接合する場合に比べて、開口樹脂層と他の樹脂層１２ａとの層間剥離が抑制される。

　本実施形態に係る樹脂多層基板１０１は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図３は、積層前の樹脂層１１ａの製造工程を順に示す断面図である。図４は、樹脂多層基板１０１の製造工程を順に示す断面図である。なお、図３および図４では、説明の都合上、ワンチップ（個片）の図で説明するが、実際の樹脂多層基板１０１の製造工程は集合基板状態で行われる。「集合基板」とは、複数の樹脂多層基板１０１が含まれるマザー基板を言う。このことは、以降の製造工程を示す図でも同様である。

　まず、図３中の（１）に示すように、熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１ａ，１２ａ（図示省略）を準備する。なお、樹脂層１１ａ，１２ａは、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等を主成分とする樹脂シートである。

　次に、樹脂層１１ａの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）に電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。具体的には、樹脂層１１ａの下面にラミネートされた金属箔（例えばＣｕ箔）をフォトリソグラフィでパターニングすることで、樹脂層１１ａの下面に電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。なお、図示省略するが、樹脂層１２ａの下面（一方面）にも導体パターン３１を形成する。

　開口樹脂層（樹脂層１１ａ）を含む複数の樹脂層１１ａ，１２ａの一方面ＶＳ１のみに導体パターンを形成するこの工程が、本発明の「導体パターン形成工程」の一例である。

　その後、樹脂層１１ａの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側から切削加工して、第１開口ＡＰ１１を形成する。具体的には、図３中の（１）に示すように、樹脂層１１ａの下面（一方面ＶＳ１）側からレーザーＬＲ１１を照射して、図３中の（２）に示すような第１開口ＡＰ１１を形成する。レーザー照射して第１開口ＡＰ１１を形成する際、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側には飛沫が付着しやすい。この飛沫は、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１側の縁端部（レーザー照射された位置）に近いほど多く付着する（図３中の（２）に示す飛沫ＴＲを参照）。一方、レーザー照射して第１開口ＡＰ１１を形成する際、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）は台座（不図示）等に固定されるため、他方面ＶＳ２側には飛沫は付着し難い。なお、上記飛沫は、レーザー照射時に開口樹脂層の樹脂材料が蒸発または気化したものが一方面ＶＳ１に付着したものであり、レーザー照射によって変質したもの（例えば、樹脂材料が組成変化したものや炭化物等）となる可能性がある。

　導体パターン形成工程の後に、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側から切削加工して第１開口ＡＰ１１を形成するこの工程が、本発明の「第１開口形成工程」の一例である。

　また、樹脂層１１ａの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側からレーザーＬＲ２１，ＬＲ２２を照射して、図３中の（２）に示すような第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２を形成する。第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２は層間接続導体（Ｖ１，Ｖ２）用の孔である。第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２は、一方面ＶＳ１を平面視して（Ｚ軸方向から視て）、導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）に重なる位置に形成される。そのため、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２の一方面ＶＳ１側には導体パターンが形成されている（第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２の一方面ＶＳ１側は導体パターンで覆われている）。

　導体パターン形成工程の後に、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側からレーザー照射して第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２を形成するこの工程が、本発明の「第２開口形成工程」の一例である。

　次に、図３中の（３）に示すように、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２内に金属材料を充填して層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を形成する。具体的には、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２内に、Ｃｕ，Ｓｎもしくはそれらの合金等の金属粉と樹脂材料とを含む導電性ペーストを充填する。上記導電性ペーストは後の加熱プレスにより固化し、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２となる。

　第２開口形成工程の後に、第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２内に金属材料を充填して層間接続導体Ｖ１，Ｖ２を形成するこの工程が、本発明の「層間導体形成工程」の一例である。

　その後、図４中の（４）（５）に示すように、複数の樹脂層１１ａ，１２ａを積層して加熱プレス（一括プレス）することにより基材１０Ａを形成する。複数の樹脂層１１ａ，１２ａを積層する際、樹脂層１１ａ（開口樹脂層）が他の樹脂層（樹脂層１２ａ）よりも第１主面側になるように積層する。また、複数の樹脂層１１ａ，１２ａは、第１開口ＡＰ１１の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａの下面）側の縁端部が導体パターン（導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２）が接しないように積層される。加熱プレスによって形成された基材１０Ａには、樹脂層１１ａに形成された第１開口ＡＰ１１と、樹脂層１１ａに隣接する樹脂層１２ａとで凹部Ｄ１１が構成される。

　第１開口形成工程および層間導体形成工程の後に、複数の樹脂層１１ａ，１２ａを積層して加熱プレスすることにより基材１０Ａを形成するこの工程が、本発明の「基材形成工程」の一例である。

　上記製造方法によれば、第１開口ＡＰ１１の一方面側の縁端部が導体パターンに接している樹脂多層基板に比べて、凹部Ｄ１１での層間剥離を抑制した樹脂多層基板１０１を容易に得られる。

　また、上記製造方法によれば、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ａ，１２ａを積層して加熱プレス（一括プレス）することにより基材１０Ａが形成されるため、樹脂多層基板１０１の製造工程が削減され、コストを低く抑えることができる。また、この構成により、容易に塑性変形が可能で、且つ、所望の形状を維持（保持）できる樹脂多層基板を実現できる。

　本発明の樹脂多層基板は、例えば以下のように用いられる。図５は、第１の実施形態に係る電子機器３０１の主要部を示す断面図である。

　電子機器３０１は、樹脂多層基板１０１Ａおよび回路基板２０１，２０２等を備える。なお、電子機器３０１は、他の電子部品等も備えるが、図５では図示省略している。樹脂多層基板１０１Ａは、第２領域Ｆ２が曲げ加工（塑性変形）されている点で樹脂多層基板１０１と異なる。言い換えると、第２領域Ｆ２は、積層方向に曲げられた曲げ部を有する。樹脂多層基板１０１Ａの他の構成については樹脂多層基板１０１と同じである。

　第２領域Ｆ２の曲げ加工は、例えば、金型等を用いて基材１０Ａを加熱しながら曲げて、基材１０Ａの熱可塑性樹脂が冷えて固化した後に、金型等を取り除くことにより行われる。これにより、曲げ形状を保持（維持）した樹脂多層基板１０１Ａが得られる。

　回路基板２０１は第１面ＰＳ２１を有し、回路基板２０２は第２面ＰＳ２２を有する。図５に示すように、第１面ＰＳ２１はＹＺ平面に平行な面であり、第２面ＰＳ２２はＸＹ平面に平行な面である。回路基板２０１の第１面ＰＳ２１には外部電極ＥＰ１が形成されており、回路基板２０２の第２面ＰＳ２２には外部電極ＥＰ２が形成されている。樹脂多層基板１０１Ａは、第２領域Ｆ２が曲げられた状態で回路基板２０１，２０２に実装される。具体的には、樹脂多層基板１０１Ａの電極Ｐ１が、はんだ等の導電性接合材５を介して、回路基板２０１の外部電極ＥＰ１に接続される。樹脂多層基板１０１Ａの電極Ｐ２は、導電性接合材５を介して、回路基板２０２の外部電極ＥＰ２に接続される。

　樹脂多層基板１０１Ａのように、第２領域Ｆ２が曲げられた場合（変形する場合）には、凹部Ｄ１１に応力が掛かって、凹部Ｄ１１で層間剥離が生じる虞がある。一方、本発明の樹脂多層基板は、第１開口（凹部Ｄ１１の一部を構成する開口）の一方面ＶＳ１側の縁端部（多量の飛沫が付着した部分）が導体パターンに接していないため、上記応力が凹部Ｄ１１に掛かる場合でも、凹部Ｄ１１付近での層間剥離が抑制される。

　《第２の実施形態》
　第２の実施形態では、層間接続導体にめっきビアおよび導電性接合材を用いた例を示す。

　図６（Ａ）は第２の実施形態に係る樹脂多層基板１０２の断面図であり、図６（Ｂ）は樹脂多層基板１０２の分解断面図である。

　樹脂多層基板１０２は、層間接続導体Ｖ１Ｐ，Ｖ２Ｐを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０２の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

　以下、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　層間接続導体Ｖ１Ｐは、めっきビアＭＰ１と、導電性接合材４と、合金層（不図示）と、を有する。合金層は、めっきビアＭＰ１と導電性接合材４との間に形成される金属間化合物である。図６（Ａ）に示すように、めっきビアＭＰ１は、導電性接合材４を介して、他の導体（導体パターン３１の一端）に接続されている。めっきビアＭＰ１は、例えば、樹脂層１１ａの第２開口（貫通孔）内に、めっき処理によって設けられたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。導電性接合材４は、例えば、Ｃｕ，Ｓｎ等の金属材料と樹脂材料とを含んだ低融点の導電性接合材である。

　層間接続導体Ｖ２Ｐは、めっきビアＭＰ２と、導電性接合材４と、合金層（不図示）と、を有する。合金層は、めっきビアＭＰ２と導電性接合材４との間に形成される金属間化合物である。図６（Ａ）に示すように、めっきビアＭＰ２は、導電性接合材４を介して、他の導体（導体パターン３１の他端）に接続されている。めっきビアＭＰ２は、例えば、樹脂層１１ａの第２開口（貫通孔）内に、めっき処理によって設けられたＣｕ等のスルーホールめっき、またはフィルドビアめっきである。

　樹脂多層基板が高周波伝送線路の用途に用いられる場合、配線用導体には導体損失の小さなＣｕ等を用いることが好ましいが、Ｃｕは融点が高い。そこでＣｕよりも融点の低い導電性接合材が層間接続導体に用いられるが（第１の実施形態を参照）、導電性接合材のみで形成された層間接続導体は導電率が比較的に低い。一方、本実施形態では、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２および導電性接合材４を併用して、層間接続導体Ｖ１Ｐ，Ｖ２Ｐが形成されるため、導電性接合材のみで形成された層間接続導体に比べて、導体損失を低減できる。

　また、本実施形態では、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２が、めっき処理によって設けられたＣｕ等のスルーホールめっき（または、フィルドビアめっき）であり、導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）と同材料である。そのため、めっきビアと導体パターンとは一体化される。そのため、合金層（金属間化合物）がめっきビアと導体パターンの接続箇所に形成されることは少なく、めっきビアと導体パターンとの接続箇所の機械的強度が高まる。

　樹脂多層基板１０２は、例えば次に示す製造方法によって製造される。図７は、積層前の樹脂層１１ａの製造方法を順に示す断面図である。図８は、樹脂多層基板１０２の製造工程を順に示す断面図である。

　まず、図７中の（１）に示すように、熱可塑性樹脂からなる樹脂層１１ａ，１２ａ（図示省略）を準備し、樹脂層１１ａの下面に電極Ｐ１，Ｐ２を形成する。なお、図示省略するが、樹脂層１２ａの下面にも導体パターン３１を形成する。

　その後、樹脂層１１ａの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側から切削加工（レーザーＬＲ１１を照射）して、図７中の（２）に示すような第１開口ＡＰ１１を形成する。

　導体パターン形成工程の後に、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ａの下面）側から切削加工して、第１開口ＡＰ１１を形成するこの工程が、本発明の「第１開口形成工程」の一例である。

　また、樹脂層１１ａの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側から切削加工（レーザーＬＲ２１，ＬＲ２２を照射）して、図７中の（２）に示すような第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２を形成する。

　導体パターン形成工程の後に、開口樹脂層の他方面ＶＳ２（樹脂層１１ａの上面）側から切削加工して第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２を形成するこの工程が、本発明の「第２開口形成工程」の一例である。

　次に、図７中の（３）（４）に示すように、第２開口ＡＰ２１内に金属材料（Ｃｕ等）を充填してめっきビアＭＰ１を形成した後、めっきビアＭＰ１の表面（上面）に導電性接合材４Ｐを配設する。また、第２開口ＡＰ２２内に金属材料（Ｃｕ等）を充填してめっきビアＭＰ２を形成した後、めっきビアＭＰ２の表面（上面）に導電性接合材４Ｐを配設する。導電性接合材４Ｐは、例えばＣｕ，Ｓｎ等の金属と樹脂材料とを含んだ導電性ペーストである。

　第２開口ＡＰ２１，ＡＰ２２内にめっきビアＭＰ１，ＭＰ２を形成し、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２の表面に導電性接合材４Ｐを配設するこの工程が、本発明の「層間導体形成工程」の一例である。

　その後、図８中の（５）に示すように、複数の樹脂層１１ａ，１２ａを積層する。このとき、めっきビアＭＰ１の表面に配設された導電性接合材４Ｐは、導体パターン３１の一端に当接する。また、めっきビアＭＰ２の表面に配接された導電性接合材４Ｐは、導体パターン３１の他端に当接する。その後、積層された複数の樹脂層１１ａ，１２ａを加熱プレスすることにより基材１０Ａが形成される。加熱プレス時の熱により導電性接合材４Ｐ（導電性ペースト）は固化する（図８中の（６）に示す導電性接合材４となる）。これにより、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２と導電性接合材４との間にそれぞれ合金層（不図示）が形成される。

　加熱プレスにより基材１０Ａを形成するとともに、加熱プレスにより導電性接合材４Ｐを固化させて、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２と導電性接合材４との合金層を形成するこの工程が、本発明の「基材形成工程」の一例である。

　上記製造方法によれば、めっきビアＭＰ１，ＭＰ２および導電性接合材４を併用して層間接続導体Ｖ１Ｐ，Ｖ２Ｐが形成されるため、導電性接合材のみで層間接続導体を形成する場合に比べて、導体損失を低減した樹脂多層基板を得られる。

　なお、本実施形態では、めっき処理によって設けられたＣｕ等のスルーホールめっき（または、フィルドビアめっき）を有する層間接続導体の例を示したが、これに限定されるものではない。層間接続導体は、例えば直径の小さなＣｕ製ピン、またはＣｕ製ワイヤーを所定長単位で切断したものと、導電性接合材とを用いて形成されてもよい。

　《第３の実施形態》
　第３の実施形態では、第１開口の一方面側の縁端部が、樹脂層の表面に接合された樹脂多層基板の例を示す。

　図９（Ａ）は第３の実施形態に係る樹脂多層基板１０３の断面図であり、図９（Ｂ）は樹脂多層基板１０３の分解断面図である。

　樹脂多層基板１０３は、凹部Ｄ１２が形成された基材１０Ｂを備える点、導体パターン３２，４１を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。また、樹脂多層基板１０３は、導体パターン３１が基材１０Ｂの第２主面Ｓ２に形成されている点で、樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０３の他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。

　基材１０Ｂは、長手方向がＸ軸方向に一致する矩形の平板である。基材１０Ｂは、第１主面Ｓ１１，Ｓ１２、および第１主面Ｓ１１，Ｓ１２の反対面である第２主面Ｓ２を有する。基材１０Ｂの第１主面Ｓ１１には、Ｚ軸方向の厚みが他の部分よりも薄い凹部Ｄ１２が形成されている。

　基材１０Ｂは、第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂおよび第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂを有する。第１領域Ｆ１Ａ、第２領域Ｆ２Ａ、第１領域Ｆ１Ｂおよび第２領域Ｆ２Ｂは、Ｘ軸方向にこの順番で配置されている。第２領域Ｆ２Ａは、基材１０Ｂのうち凹部Ｄ１２が形成された部分である。第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂの厚みは第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも薄いため、第２領域Ｆ２Ａ，Ｆ２Ｂは第１領域Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂよりも変形しやすい。

　基材１０Ｂは、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂが積層されて形成される積層体である。樹脂層１１ｂ，１２ｂ，１３ｂの構成については、第１の実施形態で説明した樹脂層１１ａ，１２ａと実質的に同じである。本実施形態では、樹脂層１２ｂが本発明における「開口樹脂層」に相当する。

　樹脂層１１ｂの上面（一方面ＶＳ１）には、導体パターン３２が形成されている。導体パターン３２は、Ｘ軸方向（伝送方向）に延伸する線状の導体パターンである。導体パターン３２は例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　樹脂層１２ｂの上面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）には、導体パターン４１が形成されている。導体パターン４１は、樹脂層１２ｂの他端（図９（Ｂ）における樹脂層１２ｂの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４１は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、樹脂層１２ｂには、層間接続導体Ｖ２が形成されている。層間接続導体Ｖ２は、樹脂層１２ｂの下面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側からの切削加工によって形成された第２開口（不図示）内に、金属材料を充填して形成された導体である。第２開口は、例えば、開口樹脂層の他方面ＶＳ２側からのレーザー照射により形成された円形の貫通孔である。層間接続導体Ｖ２は、例えば、上記第２開口内に、Ｃｕ，Ｓｎ等のうち１以上もしくはそれらの合金を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱プレスで固化させることによって設けられる。層間接続導体Ｖ２（第２開口）は、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｂの上面）側の面積が小さく、他方面ＶＳ２（樹脂層１２ｂの下面）側の面積が大きな錐台形である。上記第２開口は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン４１に重なる位置に形成される。

　さらに、樹脂層１２ｂには、第１開口ＡＰ１２が形成されている。第１開口ＡＰ１２は、樹脂層１１ｂの上面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工によって形成された矩形の貫通孔である。第１開口ＡＰ１２は、例えば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側からのレーザー照射によって形成される。第１開口ＡＰ１２は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン４１が形成されていない位置に形成されている。

　樹脂層１３ｂの上面（一方面ＶＳ１）には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１は、Ｘ軸方向（伝送方向）に延伸する線状の導体パターンである。また、樹脂層１３ｂには、層間接続導体Ｖ１が形成されている。層間接続導体Ｖ１は、樹脂層１２ｂの下面（他方面ＶＳ２）側からの切削加工によって形成された第２開口（不図示）内に、金属材料を充填して形成された導体である。層間接続導体Ｖ１は、樹脂層１３ｂの他方面ＶＳ２側の面積が大きく、一方面ＶＳ１側の面積が小さな錐台形である。

　本実施形態では、開口樹脂層（樹脂層１２ｂ）の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１１ｂ，１３ｂの一方面ＶＳ１に接していない。具体的には、図９（Ａ）に示すように、樹脂層１１ｂの一方面ＶＳ１が、樹脂層１２ｂ（開口樹脂層）の他方面ＶＳ２に接合されており、樹脂層１２ｂの一方面ＶＳ１が、樹脂層１３ｂの他方面ＶＳ２に接合されている。また、導体パターン３１は、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および導体パターン４１を介して、導体パターン３２に接続されている。凹部Ｄ１２は、樹脂層１２ｂに形成された第１開口ＡＰ１２と、樹脂層１２ｂに隣接する樹脂層１３ｂとで構成される。

　本実施形態に係る樹脂多層基板１０３でも、第１開口ＡＰ１２の一方面ＶＳ１側の縁端部（多量の飛沫が付着した部分）は導体パターン（導体パターン３１および電極Ｐ１，Ｐ２）に接していない。この構成により、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と同様に、第１開口ＡＰ１２の一方面ＶＳ１側の縁端部が導体パターンに接する場合に比べて、凹部Ｄ１２での層間剥離は抑制される。

　また、本実施形態に係る樹脂多層基板１０３では、開口樹脂層（樹脂層１２ｂ）の一方面ＶＳ１が、導体パターン３１が形成された他の樹脂層１３ｂの他方面ＶＳ２に接合されている。この構成によれば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１３ｂの一方面ＶＳ１に接合されていないため、第１開口ＡＰ１２を形成する際に付着した飛沫（特に、第１開口ＡＰ１２の一方面ＶＳ１側の縁端部に付着した飛沫ＴＲ）が他の樹脂層１３ｂの導体パターン３１に直接接することに起因する電気特性の変動が抑制される。

　さらに、本実施形態に係る樹脂多層基板１０３では、開口樹脂層（樹脂層１２ｂ）の他方面ＶＳ２が、導体パターン３２が形成された他の樹脂層１１ｂの一方面ＶＳ１に接合されている。例えば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１と他の樹脂層１１ｂの一方面ＶＳ１とが接合されている場合、上記飛沫（特に、飛沫ＴＲ）と樹脂層１１ｂの一方面ＶＳ１に形成された導体パターン３２とが、積層時の位置ずれによって接してしまい、樹脂多層基板の電気特性に変動が生じる虞がある。一方、上記構成によれば、開口樹脂層の一方面ＶＳ１が他の樹脂層１１ｂの一方面ＶＳ１に接合されていないため、積層時の位置ずれ等に伴って上記飛沫と他の樹脂層１１ｂの導体パターン３２とが接することに起因した、電気特性の変動は抑制される。

　《第４の実施形態》
　第４の実施形態では、開口樹脂層の数が複数である樹脂多層基板の例を示す。

　図１０（Ａ）は第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４Ａの断面図であり、図１０（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ａの分解断面図である。

　樹脂多層基板１０４Ａは、基材１０Ｃ、導体パターン４１，４２および層間接続導体Ｖ３，Ｖ４等を備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０４Ａの他の構成については、樹脂多層基板１０１と実質的に同じである。以下、樹脂多層基板１０１と異なる部分について説明する。

　基材１０Ｃは、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃが積層されて形成された積層体である。基材１０Ｃの第１主面Ｓ１には、凹部Ｄ１３が形成されている。樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃの構成については、第１の実施形態で説明した樹脂層１１ａ，１２ａと実質的に同じである。

　本実施形態では、樹脂層１１ｃ，１２ｃが本発明における「開口樹脂層」に相当する。開口樹脂層（樹脂層１１ｃ，１２ｃ）は、他の樹脂層（樹脂層１３ｃ）よりも第１主面Ｓ１側に配置されている。具体的には、複数の開口樹脂層（樹脂層１１ｃ，１２ｃ）はＺ軸方向に連続して積層されている。なお、樹脂層１１ｃは、複数の開口樹脂層のうち最も第１主面Ｓ１側に配置された樹脂層である。

　樹脂層１１ｃの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）には、電極Ｐ１，Ｐ２が形成されている。電極Ｐ１，Ｐ２は、第１の実施形態で説明した電極Ｐ１，Ｐ２と同じである。また、樹脂層１１ｃには、第１開口ＡＰ１３Ａが形成されている。第１開口ＡＰ１３Ａは、樹脂層１１ｃの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された矩形の貫通孔である。第１開口ＡＰ１３Ａは、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１１ｃの下面）側の面積が大きく、他方面ＶＳ２（樹脂層１１ｃの上面）側の面積が小さな錐台形である。第１開口ＡＰ１３Ａは、Ｚ軸方向から視て、導体パターン（電極Ｐ１，Ｐ２）に重ならない位置に形成されている。図１０（Ｂ）に示すように、第１開口ＡＰ１３Ａの一方面側の縁端部には、多量の飛沫ＴＲが付着している。

　また、樹脂層１１ｃには、層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および第２開口（不図示）が形成されている。層間接続導体Ｖ１，Ｖ２および第２開口の構成については、第１の実施形態で説明したものと同じである。

　樹脂層１２ｃの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）には、導体パターン４１，４２が形成されている。導体パターン４１は、樹脂層１２ｃの一端（図１０（Ｂ）における樹脂層１２ｃの左端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４２は、樹脂層１２ｃの他端（図１０（Ｂ）における樹脂層１２ｃの右端）付近に配置される矩形の導体パターンである。導体パターン４１，４２は、例えばＣｕ箔等の導体パターンである。

　また、樹脂層１２ｃには、第１開口ＡＰ１３Ｂが形成されている。第１開口ＡＰ１３Ｂは、樹脂層１２ｃの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された矩形の貫通孔である。第１開口ＡＰ１３Ｂは、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｃの下面）側の面積が大きく、他方面ＶＳ２（樹脂層１２ｃの上面）側の面積が小さな錐台形である。第１開口ＡＰ１３Ｂは、Ｚ軸方向から視て、導体パターン４１，４２に重ならない位置に形成されている。図１０（Ｂ）に示すように、第１開口ＡＰ１３Ｂの一方面側の縁端部には、多量の飛沫ＴＲが付着している。

　さらに、樹脂層１２ｃには、層間接続導体Ｖ３，Ｖ４が形成されている。層間接続導体Ｖ３，Ｖ４は、樹脂層１２ｃの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された第２開口（不図示）内に、金属材料を充填して形成された導体である。層間接続導体Ｖ３，Ｖ４（上記第２開口）は、開口樹脂層の一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｃの下面）側の面積が小さく、他方面ＶＳ２（樹脂層１２ｃの上面）側の面積が大きな錐台形である。上記第２開口は、Ｚ軸方向から視て、導体パターン４１，４２にそれぞれ重なる位置に形成されている。

　樹脂層１３ｃの下面（一方面ＶＳ１）には、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１の構成については、第１の実施形態で説明した導体パターン３１と同じである。

　樹脂多層基板１０４Ａでは、図１０（Ａ）に示すように、樹脂層１１ｃ（開口樹脂層）の他方面ＶＳ２が、樹脂層１２ｃ（開口樹脂層）の一方面ＶＳ１に接合されており、樹脂層１２ｃの他方面ＶＳ２が、樹脂層１３ｃの一方面ＶＳ１に接合されている。また、電極Ｐ１は、導体パターン４１および層間接続導体Ｖ１，Ｖ３を介して、導体パターン３１の一端に接続される。導体パターン３１の他端は、導体パターン３１の他端は、導体パターン４２および層間接続導体Ｖ２，Ｖ４を介して電極Ｐ２接続される。図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すように、凹部Ｄ１３は、第１開口ＡＰ１３Ａ，ＡＰ１３Ｂと、樹脂層１２ｃに隣接する樹脂層１３ｃとで構成される。

　上述したように、飛沫が付着した樹脂層の接合面の接合強度は、飛沫が付着していない樹脂層の接合面の接合強度に比べて弱い。一方、樹脂多層基板１０４Ａでは、第１開口ＡＰ１３Ａ，ＡＰ１３Ｂの一方面ＶＳ１側の縁端部（多量の飛沫が付着した部分）が、導体パターンに接していない。この構成により、第１開口ＡＰ１３Ａ，ＡＰ１３ＢがＺ軸方向に連続して配置される構成でも、凹部での層間剥離が抑制される。

　なお、図１０（Ａ）に示す構成では、凹部の壁が、深さ方向の途中位置に角部を有する態様を示した。しかしながら、凹部の壁面は、当該角部を切削、研磨、熱処理等して、例えば、平面状や曲面状等の滑らかな面になるようにしてもよい。

　次に、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４Ａの変形例を示す。図１１（Ａ）は第４の実施形態に係る別の樹脂多層基板１０４Ｂの断面図であり、図１１（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ｂの分解断面図である。

　樹脂多層基板１０４Ｂは、導体パターン３１が基材１０Ｃの表面（第２主面Ｓ２）に形成されている点で、樹脂多層基板１０４Ａと異なる。また、樹脂多層基板１０４Ｂは、層間接続導体Ｖ５，Ｖ６をさらに備える点で、樹脂多層基板１０４Ａと異なる。樹脂多層基板１０４Ｂの他の構成については、樹脂多層基板１０４Ａと同じである。以下、樹脂多層基板１０４Ａと異なる部分について説明する。

　樹脂多層基板１０４Ｂでは、樹脂層１３ｃの上面（一方面ＶＳ１）に、導体パターン３１が形成されている。導体パターン３１の構成については、第１の実施形態で説明した導体パターン３１と同じである。また、樹脂層１３ｃには、層間接続導体Ｖ５，Ｖ６が形成されている。層間接続導体Ｖ５，Ｖ６は、樹脂層１３ｃの下面（他方面ＶＳ２）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された第２開口（不図示）内に、金属材料を充填して形成された導体である。

　樹脂多層基板１０４Ｂでは、図１１（Ａ）に示すように、樹脂層１１ｃ（開口樹脂層）の他方面ＶＳ２が、樹脂層１２ｃ（開口樹脂層）の一方面ＶＳ１に接合されており、樹脂層１２ｃの他方面ＶＳ２が、樹脂層１３ｃの他方面ＶＳ２に接合されている。また、電極Ｐ１は、導体パターン４１および層間接続導体Ｖ１，Ｖ３，Ｖ５を介して、導体パターン３１の一端に接続される。導体パターン３１の他端は、導体パターン４２および層間接続導体Ｖ２，Ｖ４，Ｖ６を介して電極Ｐ２に接続される。

　さらに、第４の実施形態に係る樹脂多層基板１０４Ａの変形例を示す。図１２（Ａ）は第４の実施形態に係る別の樹脂多層基板１０４Ｃの断面図であり、図１２（Ｂ）は樹脂多層基板１０４Ｃの分解断面図である。

　樹脂多層基板１０４Ｃは、基材１０Ｄを備える点で、樹脂多層基板１０４Ａと異なる。樹脂多層基板１０４Ｃの他の構成については、樹脂多層基板１０４Ａと同じである。以下、樹脂多層基板１０４Ａと異なる部分について説明する。

　基材１０Ｄは、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄが積層されて形成された積層体である。基材１０Ｄの第１主面Ｓ１には、凹部Ｄ１４が形成されている。樹脂層１１ｄ，１２ｄ，１３ｄの構成については、樹脂多層基板１０４Ａの樹脂層１１ｃ，１２ｃ，１３ｃと同じである。

　樹脂層１１ｄには、第１開口ＡＰ１４Ａが形成されている。第１開口ＡＰ１４Ａは、樹脂層１１ｄの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された矩形の貫通孔である。

　樹脂層１２ｄには、第１開口ＡＰ１４Ｂが形成されている。第１開口ＡＰ１４Ｂは、樹脂層１２ｄの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された矩形の貫通孔である。図１２（Ｂ）に示すように、第１開口ＡＰ１４Ａ，ＡＰ１４Ｂは、Ｚ軸方向に隣接している。また、第１開口ＡＰ１４Ｂの一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｄの下面）側の面積は、第１開口ＡＰ１４Ａの他方面ＶＳ２（樹脂層１１ｄの上面）側の面積よりも大きい。

　樹脂多層基板１０４Ｃでは、第１主面Ｓ１側に位置する第１開口ＡＰ１４Ａの他方面ＶＳ２（樹脂層１１ｄの上面）側の縁端部が、Ｚ軸方向から視て、第２主面Ｓ２側に位置する第１開口ＡＰ１４Ｂの一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｄの下面）側の縁端部よりも外側に位置している。第１開口ＡＰ１４Ａの他方面ＶＳ２側の縁端部が他の樹脂層に接合されていない場合、凹部に応力（衝撃や外部応力、曲げ加工等によって生じた応力）が掛かったときに、上記応力が凹部における第１開口の縁端部と他の樹脂層との境界に集中して層間剥離が生じやすい。一方、この構成によれば、第１開口ＡＰ１４Ａの他方面ＶＳ２側の縁端部が他の樹脂層（樹脂層１２ｄ）に接合されているため、凹部における第１開口ＡＰ１４Ａの縁端部と他の樹脂層との境界に応力が集中することによる、層間剥離が抑制される。

　さらに、上記構成によれば、第１開口ＡＰ１４Ｂの一方面ＶＳ１（樹脂層１２ｄの下面）側の縁端部（多量の飛沫が付着した部分）が、他の樹脂層（樹脂層１１ｄ）に接していないため、第１開口の一方面ＶＳ１側の縁端部が他の樹脂層に接する場合（樹脂多層基板１０４Ａ，１０４Ｂを参照）に比べて、凹部での層間剥離がさらに抑制される。

　《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、複数種の樹脂層が貼り合わされた構造の開口樹脂層を備える樹脂多層基板の例を示す。

　図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る樹脂多層基板１０５の断面図であり、図１３（Ｂ）は樹脂多層基板１０５の分解斜視図である。

　樹脂多層基板１０５は、基材１０Ｅを備える点で、第１の実施形態に係る樹脂多層基板１０１と異なる。樹脂多層基板１０５の他の構成については、樹脂多層基板１０１と同じである。

　基材１０Ｅは、熱可塑性樹脂からなる複数の樹脂層１１ｅ，１２ｅが積層されて形成される積層体である。基材１０Ｅの第１主面Ｓ１には、凹部Ｄ１５が形成されている。樹脂層１２ｅは、第１の実施形態で説明した樹脂層１２ａと同じである。

　本実施形態では、樹脂層１１ｅが本発明における「開口樹脂層」に相当する。

　樹脂層１１ｅは、第１樹脂層Ｌ１と、第１樹脂層Ｌ１に貼り合わされた第２樹脂層Ｌ２と、を有する。第１樹脂層Ｌ１は、樹脂層１１ｅの上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側に位置する樹脂層であり、第２樹脂層Ｌ２は、樹脂層１１ｅの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側に位置する樹脂層である。第２樹脂層Ｌ２は、第１樹脂層Ｌ１よりもレーザー照射によって気化しやすい樹脂材料からなる。第１樹脂層Ｌ１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主成分とする樹脂シートである。第２樹脂層Ｌ２は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。

　本実施形態では、第２樹脂層Ｌ２の比誘電率（ε２）が、他の樹脂層（樹脂層１２ｅおよび第１樹脂層Ｌ１）の比誘電率（ε１）よりも低い（ε１＞ε２）。また、本実施形態では、第２樹脂層Ｌ２の誘電正接（ｔａｎδ２）が、他の樹脂層（樹脂層１２ｅおよび第１樹脂層Ｌ１）の誘電正接（ｔａｎδ１）よりも小さい（ｔａｎδ１＞ｔａｎδ２）。

　樹脂層１１ｅには、第１開口ＡＰ１５が形成されている。第１開口ＡＰ１５は、樹脂層１１ｅの下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側からの切削加工（レーザー照射）によって形成された矩形の貫通孔である。上述したように、樹脂層１１ｅのうち一方面ＶＳ１側に位置する第２樹脂層Ｌ２は、第１樹脂層Ｌ１よりもレーザー照射によって気化しやすい。そのため、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側からのレーザー照射により、第２樹脂層Ｌ２の他方面ＶＳ２側の縁端部が、Ｚ軸方向から視て、第１樹脂層Ｌ１の一方面ＶＳ１側の縁端部よりも外側に位置する。すなわち、第１開口ＡＰ１５では、第２樹脂層Ｌ２の他方面ＶＳ２側の縁端部が、第１樹脂層Ｌ１に接した状態となる。

　開口樹脂層の他方面ＶＳ２側に位置する第１樹脂層が、第２樹脂層よりもレーザー照射によって気化しやすい場合に、開口樹脂層の一方面ＶＳ１側からレーザー照射すると、第２樹脂層の他方面ＶＳ２（上面）側の縁端部が、第１樹脂層に接していない状態となる。そして、第１開口において第１樹脂層の縁端部が第２樹脂層に貼り合わされていないと、凹部（第１開口）に応力が掛かったときに、上記応力が凹部における第１樹脂層と第２樹脂層との境界に集中して層間剥離が生じやすい。一方、樹脂多層基板１０５では、第１開口ＡＰ１５における第２樹脂層Ｌ２の他方面ＶＳ２側の縁端部が、第１樹脂層Ｌ１に貼り合わされた状態である。そのため、凹部における第１樹脂層Ｌ１の縁端部と第２樹脂層Ｌ２との境界に応力が集中することによる、層間剥離は抑制される。

　また、本実施形態では、開口樹脂層（樹脂層１１ｅ）が、他の樹脂層（樹脂層１２ｅ）よりも高周波特性に優れる第２樹脂層Ｌ２を含んで形成されているため、高周波特性に優れる樹脂多層基板を実現できる。具体的に説明すると、第２樹脂層Ｌ２の比誘電率（ε２）は、他の樹脂層（樹脂層１２ｅおよび第１樹脂層Ｌ１）の比誘電率（ε１）よりも低い（ε１＞ε２）。そのため、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成する場合に、基材１０Ｅに形成される導体パターン（例えば、導体パターン３１）とその他の導体パターンとの間で形成するキャパシタンスを不必要に高くすることなく、導体パターンの線幅を太くでき、上記回路の導体損失を低減できる。また、所定の特性を有する回路を樹脂多層基板に形成した場合に、導体パターンの線幅を細くしなくても樹脂層１１ｅを薄くでき、基材１０Ｅを薄型化できる。さらに、本実施形態では、第２樹脂層Ｌ２の誘電正接（ｔａｎδ２）が、他の樹脂層（樹脂層１２ｅおよび第１樹脂層Ｌ１）の誘電正接（ｔａｎδ１）よりも小さい（ｔａｎδ１＞ｔａｎδ２）。そのため、基材が相対的に誘電正接の高い樹脂層のみ積層されて、形成された場合に比べて、誘電体損を低減できる。

　本実施形態に係る樹脂層１１ｅは、例えば次に示す製造方法によって製造される。

（１）まず、第１樹脂層Ｌ１および第２樹脂層Ｌ２を準備する。第２樹脂層Ｌ２は、第１樹脂層Ｌ１よりもレーザー照射によって気化しやすい樹脂材料からなる。第１樹脂層Ｌ１は、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）を主成分とする樹脂シートである。第２樹脂層Ｌ２は、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のようなフッ素樹脂を主成分とする樹脂シートである。

（２）次に、第１樹脂層Ｌ１が上面（開口樹脂層の他方面ＶＳ２）側となり、第２樹脂層Ｌ２が下面（開口樹脂層の一方面ＶＳ１）側となるように、第１樹脂層Ｌ１と第２樹脂層Ｌ２とを貼り合わせて樹脂層１１ｅを得る。

　第１開口形成工程の前に、第１樹脂層Ｌ１が他方面ＶＳ２側となり、第２樹脂層Ｌ２が一方面ＶＳ１側となるように、第１樹脂層Ｌ１および第２樹脂層Ｌ２を貼り合わせて樹脂層１１ｅ（開口樹脂層）を形成するこの工程が、本発明の「開口樹脂層形成工程」の一例である。

　なお、上記「開口樹脂層形成工程」は、導体パターン形成工程の前に行われてもよく、導体パターン形成工程の後に行われてもよい。

　《その他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、樹脂多層基板が、二つの回路基板同士を接続するケーブルである例を示したが、本発明の樹脂多層基板はこれに限定されるものではない。樹脂多層基板は、回路基板と他の部品との間を接続するケーブルでもよく、一つの回路基板等に面実装される表面実装部品（電子部品）でもよい。また、樹脂多層基板には必要に応じてコネクタが設けられていてもよい。

　以上に示した各実施形態では、基材が矩形の樹脂平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材の平面形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲で適宜変更可能であり、例えばＬ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形、クランク形等でもよい。

　また、以上に示した各実施形態では、凹部が基材の幅方向（Ｙ軸方向）全体に亘って形成される平面形状が矩形の溝である例を示したが、この構成に限定されるものではない。凹部の平面形状は、例えば多角形、円形、楕円形、Ｌ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、Ｕ字形、クランク形等でもよい。また、凹部は、基材の幅方向全体に亘って形成される溝に限定されず、第１主面Ｓ１内に形成されたキャビティでもよい。また、以上に示した各実施形態では、凹部が第２領域Ｆ２を曲げやすくするために設けられた例を示したが、本発明の凹部はこの用途に限定されるものではない。凹部は、例えば樹脂多層基板の周囲に配置される構造物や他の部品を避けるために設けられるキャビティでもよい。

　以上に示した各実施形態では、絶縁基材が矩形または略矩形の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。絶縁基材の形状は、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。絶縁基材の平面形状は、例えばＬ字形、クランク形、Ｔ字形、Ｙ字形等であってもよい。また、樹脂多層基板の折り曲げ形状は、以上に示した各実施形態での構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。

　以上に示した各実施形態では、第１領域Ｆ１Ａ、第２領域Ｆ２および第１領域Ｆ１Ｂの順番に配置される基材の例を示したが、これに限定されるものではない。第１領域の個数・配置、および第２領域の個数・配置は適宜変更可能である。

　また、以上に示した各実施形態では、２つの樹脂層が積層されて形成された基材、３つの樹脂層が積層されて形成された基材の例を示したが、本発明の基材はこれに限定されるものではない。基材を形成する樹脂層の層数は、本発明の作用・効果を奏する範囲で適宜変更可能である。また、開口樹脂層は、１層または２層に限定されず、３層以上でもよい。また、第１主面Ｓ１または第２主面Ｓ２に保護膜が形成されていてもよい。

　以上に示した各実施形態では、基材が熱可塑性樹脂の平板である例を示したが、この構成に限定されるものではない。基材は、熱硬化性樹脂の平板でもよい。なお、第５の実施形態でも示したように、基材は全て同一の材料からなるものに限定されず、異なる樹脂材料の複合体でもよい。

　また、樹脂多層基板に形成される回路の構成は、以上に示した各実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の作用・効果を奏する範囲において適宜変更可能である。樹脂多層基板に形成される回路は、例えば導体パターンで形成されるコイルや、導体パターンで形成されるキャパシタ、各種フィルタ（ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ）等の周波数フィルタが形成されていてもよい。また、樹脂多層基板には、例えば他の各種伝送線路（ストリップライン、マイクロストリップライン、コプレーナ等）が形成されていてもよい。さらに樹脂多層基板には、チップ部品等の各種電子部品が実装または埋設されていてもよい。

　以上に示した各実施形態では、矩形の電極Ｐ１，Ｐ２が、基材の第１主面Ｓ１に形成される例を示したが、この構成に限定されるものではない。電極の形状・個数・配置は、本発明の作用・効果を奏する範囲で適宜変更可能である。電極の平面形状は、例えば、多角形、円形、楕円形、円弧状、リング状、Ｌ字形、Ｕ字形、Ｔ字形、Ｙ字形、クランク形等でもよい。

　最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＡＰ１１，ＡＰ１１Ａ，ＡＰ１２，ＡＰ１３Ａ，ＡＰ１３Ｂ，ＡＰ１４Ａ，ＡＰ１４Ｂ…第１開口
ＡＰ２１，ＡＰ２２…第２開口
Ｄ１１，Ｄ１１Ａ，Ｄ１２，Ｄ１３，Ｄ１４，Ｄ１５…凹部
ＥＰ１，ＥＰ２…回路基板の外部電極
Ｆ１Ａ，Ｆ１Ｂ…第１領域
Ｆ２…第２領域
Ｌ１…第１樹脂層
Ｌ２…第２樹脂層
ＬＲ１１，ＬＲ２１，ＬＲ２２…レーザー
ＭＰ１，ＭＰ２…めっきビア
Ｓ１…基材の第１主面
Ｓ２…基材の第２主面
ＶＳ１…開口樹脂層の一方面
ＶＳ２…開口樹脂層の他方面
ＰＳ２１…回路基板の第１面
ＰＳ２２…回路基板の第２面
ＴＲ…飛沫
Ｖ１，Ｖ１Ｐ，Ｖ２，Ｖ２Ｐ，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６…層間接続導体
４，４Ｐ…導電性接合材
５…導電性接合材
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ…基材
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１２ｃ，１２ｄ…樹脂層（開口樹脂層）
１２ａ，１２ｂ，１２ｅ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…樹脂層
３１，４１，４２…導体パターン
Ｐ１，Ｐ２…電極（導体パターン）
１００，１０１，１０１Ａ，１０２，１０３，１０４Ａ，１０４Ｂ，１０４Ｃ，１０５…樹脂多層基板
２０１，２０２…回路基板
３０１…電子機器

Claims

　凹部が形成された第１主面を有し、開口樹脂層を含む複数の樹脂層が積層されて形成される基材と、
　前記複数の樹脂層の一方面のみに形成される導体パターンと、
　少なくとも前記開口樹脂層に形成される層間接続導体と、
　を備え、
　前記凹部は、前記一方面側からの切削加工によって形成された第１開口、前記開口樹脂層、および、前記開口樹脂層とは異なる他の樹脂層とで構成され、
　前記層間接続導体は、前記一方面の反対面である他方面側からの切削加工によって形成された第２開口に金属材料を充填して形成され、
　前記第１開口の前記一方面側の縁端部は、前記導体パターンに接していない、
　樹脂多層基板。
　凹部が形成された第１主面を有し、開口樹脂層を含む複数の樹脂層が積層されて形成される基材と、
　前記複数の樹脂層の一方面のみに形成される導体パターンと、
　少なくとも前記開口樹脂層に形成される層間接続導体と、
　を備え、
　前記凹部は、前記積層方向において、前記一方面側から順に位置し、互いに対向する第１面および第２面を有する第１開口と、前記開口樹脂層および前記開口樹脂層とは異なる他の樹脂層とで構成され、
　前記第１面は、前記第２面よりも面積が大きく、
　前記層間接続導体は、前記積層方向において、前記一方面側から順に位置し、互いに対向する第３面および第４面を有する第２開口内に形成され、
　前記第３面は、前記第４面よりも面積が小さく、
　前記積層方向から見て、前記凹部は、前記導体パターンと前記第１開口との間に、前記第１開口の前記一方面側の縁端部を有する、
　樹脂多層基板。
　前記層間接続導体は、前記第２開口内に設けられためっきビアと、前記導体パターンに接合される導電性接合材と、前記めっきビアと前記導電性接合材との間に形成される合金層と、を有する、
　請求項１または請求項２に記載の樹脂多層基板。
　前記基材は、前記第１主面の反対面である第２主面を有し、
　前記開口樹脂層の数、および前記第１開口の数は複数であり、
　複数の前記開口樹脂層は前記積層方向に連続して積層され、
　前記積層方向に隣接する２つの前記第１開口のうち、前記第１主面側に位置する第１開口の前記他方面側の縁端部は、前記積層方向から視て、前記第２主面側に位置する第１開口の前記一方面側の縁端部よりも外側に位置する、
　請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の樹脂多層基板。
　前記開口樹脂層は、前記他方面側に位置する第１樹脂層と、前記第１樹脂層に貼り合わされ、前記一方面側に位置する第２樹脂層とを有し、
　前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層よりもレーザー照射によって気化しやすい樹脂材料からなる、
　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の樹脂多層基板。
　前記複数の樹脂層は熱可塑性樹脂からなる、
　請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の樹脂多層基板。
　凹部が形成された第１主面を有する基材を備える樹脂多層基板の製造方法であって、
　開口樹脂層を含む前記複数の樹脂層の一方面のみに導体パターンを形成する、導体パターン形成工程と、
　前記導体パターン形成工程の後に、前記開口樹脂層の一方面側から切削加工して第１開口を形成する、第１開口形成工程と、
　前記導体パターン形成工程の後に、少なくとも前記開口樹脂層の他方面側から切削加工して層間接続用の第２開口を形成する、第２開口形成工程と、
　前記第２開口形成工程の後に、前記第２開口内に金属材料を充填して層間接続導体を形成する、層間導体形成工程と、
　前記第１開口形成工程および前記層間導体形成工程の後に、前記第１開口の前記一方面側の縁端部に前記導体パターンが接しないように前記複数の樹脂層を積層して加熱プレスすることにより前記基材を形成し、前記第１開口と他の樹脂層とで前記凹部を構成する、基材形成工程と、
　を備える、
　樹脂多層基板の製造方法。
　前記層間導体形成工程は、前記第２開口内にめっきビアを形成し、前記めっきビアの表面に導電性接合材を配設する工程を含み、
　前記基材形成工程は、加熱プレスにより前記導電性接合材を固化させて、前記めっきビアと前記導電性接合材との間に合金層を形成する工程を含む、
　請求項７に記載の樹脂多層基板の製造方法。
　前記第１開口形成工程は、複数の前記開口樹脂層に前記第１開口をそれぞれ形成する工程を含み、
　前記基材形成工程は、前記積層方向に隣接する２つの第１開口のうち前記第１主面側に位置する第１開口の前記他方面側の縁端部が、前記積層方向から視て、前記第１主面の反対面である第２主面側に位置する、第１開口の前記一方面側の縁端部よりも外側に位置するように、前記複数の開口樹脂層を連続して積層する工程を含む、
　請求項７または請求項８に記載の樹脂多層基板の製造方法。
　前記第１開口形成工程の前に、前記第１樹脂層と、前記第１樹脂層よりもレーザー照射によって気化しやすい第２樹脂層と準備し、前記第１樹脂層が前記他方面側となり、前記第２樹脂層が前記一方面側となるよう前記第１樹脂層および前記第２樹脂層を貼り合わせて前記開口樹脂層を形成する、開口樹脂層形成工程をさらに備える、
　請求項７乃至請求項９のいずれかに記載の樹脂多層基板の製造方法。