JP7106108B2 - 窒化アルミニウム結晶の製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7106108B2 JP7106108B2 JP2018136934A JP2018136934A JP7106108B2 JP 7106108 B2 JP7106108 B2 JP 7106108B2 JP 2018136934 A JP2018136934 A JP 2018136934A JP 2018136934 A JP2018136934 A JP 2018136934A JP 7106108 B2 JP7106108 B2 JP 7106108B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- gan
- aln
- crystal
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
GaN(s)+Al(l)→AlN(s)+Ga(l) (1)
本発明の実施の形態の窒化アルミニウム結晶の製造方法は、所定の温度でGaN結晶とAlとを接触させることにより、(1)式に示す、GaN結晶中のGaとAlとの置換反応を起こさせて窒化アルミニウム結晶を生成する。
AlNを製造するために、図2に示す反応装置10を用いた。図2に示すように、反応装置10は、反応容器11とヒーター12と雰囲気ガス導入管13とガス排気管14とるつぼ15と基板ホルダー16とを有している。
AlNを製造するために、Ga極性((+c)-polar GaN)およびN極性((-c)-polar GaN)のGaN基板の表面に、アルゴンガス雰囲気(アルゴンの流量;10 mL/min at 20℃)中で、マグネトロンスパッタ装置(島津エミット株式会社製「HSR-552」)を用いて、スパッタリング(直流電源、600W、27分間)によりAl膜を成膜した。GaN基板は、縦10.0mm×横10.5mm、厚み350μmで、m軸に対して0.35°の角度で切り出したものである。また、Alターゲットとして、Al濃度が99.999 mass%で、直径が101.6 mmのものを用いた。Al膜の成膜後、Al膜を下にして設置し、所定温度で所定時間の熱処理(Heat treatment)を行った。
熱処理温度:1673K 熱処理時間:0時間、1時間、3時間
熱処理温度:1573K 熱処理時間:0時間、1時間
熱処理温度:1473K 熱処理時間:0時間、1時間、3時間
熱処理温度:1073K 熱処理時間:0時間
熱処理温度: 823K 熱処理時間:0時間
10 反応装置
11 反応容器
12 ヒーター
13 雰囲気ガス導入管
14 ガス排気管
15 るつぼ
16 基板ホルダー
17 融液
Claims (8)
- GaN結晶とAlの融液または前記Alを含む合金の融液とを接触させ、前記GaN結晶中のGaと前記Alとの置換反応により窒化アルミニウム結晶を生成することを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 所定の温度で前記GaN結晶と前記Alとを接触させることにより、前記置換反応を起こさせて前記窒化アルミニウム結晶を生成することを特徴とする請求項1記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 前記GaN結晶を、前記Alの融液または前記Alを含む合金の融液に浸漬させ、前記置換反応により窒化アルミニウム結晶を生成することを特徴とする請求項1または2記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 1073K乃至1573Kの温度の前記融液に浸漬させることを特徴とする請求項3記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 前記GaN結晶と固体の前記Alとを接触させた状態で熱処理を行うことにより、前記置換反応を起こさせて前記窒化アルミニウム結晶を生成することを特徴とする請求項1または2記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 前記GaN結晶の表面に前記Alの膜を形成した後、前記熱処理を行い、前記置換反応により窒化アルミニウム結晶を生成することを特徴とする請求項5記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 前記熱処理は、1373K乃至1773Kの温度に加熱することを特徴とする請求項5または6記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
- 1073K乃至1773Kの温度で前記置換反応を起こさせることを特徴とする請求項1、2、3、5または6記載の窒化アルミニウム結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018136934A JP7106108B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018136934A JP7106108B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020011882A JP2020011882A (ja) | 2020-01-23 |
JP7106108B2 true JP7106108B2 (ja) | 2022-07-26 |
Family
ID=69169335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018136934A Active JP7106108B2 (ja) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7106108B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186350A (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Tama Tlo Kk | 窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。 |
JP2008162855A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 |
JP2010251505A (ja) | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Toyota Motor Corp | 窒化物半導体装置 |
JP2014207258A (ja) | 2013-04-10 | 2014-10-30 | 古河電気工業株式会社 | 光素子及びその製造方法 |
JP2015189650A (ja) | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5821818A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム薄膜の製造方法 |
JPS6016899A (ja) * | 1983-07-07 | 1985-01-28 | Nec Corp | 2−5化合物結晶及びその引き上げ方法 |
JPH1053487A (ja) * | 1996-08-03 | 1998-02-24 | Tokuzo Sukegawa | 窒素化合物結晶の製造方法 |
JPH10287499A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-27 | Japan Energy Corp | 単結晶の製造方法 |
-
2018
- 2018-07-20 JP JP2018136934A patent/JP7106108B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007186350A (ja) | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Tama Tlo Kk | 窒化アルミニウム含有膜の製造方法、窒化ガリウム含有膜の製造方法、窒化アルミニウムガリウム含有膜の製造方法、及び窒化アルミニウムガリウムインジウム含有膜の製造方法。 |
JP2008162855A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板 |
JP2010251505A (ja) | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Toyota Motor Corp | 窒化物半導体装置 |
JP2014207258A (ja) | 2013-04-10 | 2014-10-30 | 古河電気工業株式会社 | 光素子及びその製造方法 |
JP2015189650A (ja) | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の製造方法及び製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2020011882A (ja) | 2020-01-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5656697B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP6144630B2 (ja) | 複合基板の製造方法、13族元素窒化物からなる機能層の製造方法 | |
US20140227527A1 (en) | Inorganic materials, methods and apparatus for making same, and uses thereof | |
JP6418343B2 (ja) | アルミナ基板の製造方法 | |
WO2007015572A1 (ja) | 窒化アルミニウム単結晶膜、窒化アルミニウム単結晶積層基板およびそれらの製造方法 | |
JP6362378B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP6189664B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP6491488B2 (ja) | エピタキシャル成長用基板及びその製造方法 | |
JP7051094B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP7106108B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP2008056553A (ja) | 窒化アルミニウム単結晶 | |
JP5865728B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP2009221056A (ja) | 結晶成長方法、結晶成長装置、および半導体デバイス | |
JP4481118B2 (ja) | 高結晶性窒化アルミニウム積層基板の製造方法 | |
CN107532330A (zh) | 氧化铝基板 | |
JP2007145679A (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造装置及びその製造方法 | |
JP2014172797A (ja) | 窒化ガリウム(GaN)自立基板の製造方法及び製造装置 | |
JP2022037713A (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP6797398B2 (ja) | 窒化アルミニウム結晶の製造方法 | |
JP4466121B2 (ja) | 酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法 | |
JP2009084136A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
US20110117376A1 (en) | Method of Gallium Nitride growth over metallic substrate using Vapor Phase Epitaxy | |
WO2012173520A1 (ru) | Способ выращивания монокристалла a1n и устройство для его реализации | |
JP2009249201A (ja) | 窒化アルミニウム単結晶の製造装置 | |
JP4919401B2 (ja) | 素子基板とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20180723 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210602 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220316 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220329 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7106108 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |