JP2010251505A - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体装置100は、nチャネル型の縦型のHEMTである。窒化物半導体装置100は、n型の第3窒化物半導体層4の表面の一部にマグネシウムが含有されているp型の第1窒化物半導体層6a、6bを備えている。第1窒化物半導体層6a、6bの表面に臨む範囲には、イオン注入されたアルミニウムが含有されているAl含有領域8a、8bが形成されている。Al含有領域8a、8bはマグネシウムの拡散を防止する。また、Al含有領域8a、8bの表裏両面に二次元電子ガス層が発生することが抑制され、リーク電流が流れることが抑制される。
【選択図】図1
Description
(形態1)第2窒化物半導体層上に第4窒化物半導体層が積層されている。第2窒化物半導体層は、n型のGaNである。第4窒化物半導体層は、一般式がAlXGaYIn1-X-YN(ただし、0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦1−X−Y≦1)である。この形態によると、第2窒化物半導体層と第4窒化物半導体層の間にヘテロ接合界面を形成することができる。
(形態2)第1窒化物半導体層の表面に臨む範囲の一部にAl含有領域が形成されている。この形態によると、Mgが第1窒化物半導体層の表面に臨む範囲の端部から第2窒化物半導体層へ拡散することを防止することができる。
(形態3)Al含有領域の深さが第1窒化物半導体層の裏面まで達していない。この形態によると、III族窒化物半導体装置の耐圧の低下を防止することができる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
4、34:第3窒化物半導体層
6a、6b、36a、36b:第1窒化物半導体層
8a、8b、38a、38b:Al含有領域
10a、10b、40a、40b:ソース電極
12a、12b、42a、42b:ソース領域
14、44:第2窒化物半導体層
16、46:第4窒化物半導体層
18、48:ゲート絶縁膜
20、50:ゲート電極
22、52:ドレイン電極
100、200:窒化物半導体装置
Claims (2)
- マグネシウムを含有するp型の第1窒化物半導体層と、その第1窒化物半導体層の表面に形成されているn型又はi型の第2窒化物半導体層を備えているnチャネル型の窒化物半導体装置であり、
前記第1窒化物半導体層の少なくとも表面に臨む範囲にアルミニウムが含有されていることを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記第1窒化物半導体層の表面に臨む範囲に含有されているアルミニウムの不純物濃度が前記第1窒化物半導体層の表面に臨む範囲に含有されているマグネシウムの不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項1の窒化物半導体装置。
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