JP7102665B2 - リジッドフレキシブルプリント回路基板及びその製造方法｛ｒｉｇｉｄ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ ａｎｄ ｔｈｅ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｍｅｔｈｏｄ ｔｈｅｒｅｏｆ｝ - Google Patents

Description

本発明は、リジッドフレキシブルプリント回路基板及びその製造方法に関する。

近年、タブレットＰＣやスマートフォン等の電子製品の需要が増加するに伴って、電子製品の小型化、薄型化、そしてデザインの重要性が増加している。これにより、電子製品の内部に挿入するプリント回路基板に対しても重要性が高まっている。

可撓性のプリント回路基板を必要とする電子製品に挿入するリジッドフレキシブルプリント回路基板は、フレキシブル絶縁層にリジッド絶縁層を選択的に形成したプリント回路基板である。

通常、フレキシブル絶縁層にリジッド絶縁層を選択的に形成するに当たって、流れ性の相対的に低いＬｏｗ－ｆｌｏｗタイプ（または、Ｎｏ－ｆｌｏｗタイプ）であり、かつフレキシブル部に対応する開口が予め形成されているプリプレグを積層する。

韓国公開特許第１０－２００５－００２９０４２号公報

本発明の一実施例によれば、一般のプリプレグを用いて製造されたリジッドフレキシブルプリント回路基板が提供される。

また、本発明の一実施例によれば、カメラモジュールを内蔵することにより電子部品の薄型化が可能であるリジッドフレキシブルプリント回路基板が提供される。

本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図であって、キャビティに電子部品が配置されていることを示す図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための一工程を示す図である。 図３の工程の次の工程を示す図である。 図４の工程の次の工程を示す図である。 図５の工程の次の工程を示す図である。 図６の工程の次の工程を示す図である。 図７の工程の次の工程を示す図である。 図８の工程の次の工程を示す図である。 図９の工程の次の工程を示す図である。 図１０の工程の次の工程を示す図である。 図１１の工程の次の工程を示す図である。 図１２の工程の次の工程を示す図である。 図１３の工程の次の工程を示す図である。 図１４の工程の次の工程を示す図である。

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。

また、「結合」とは、各構成要素間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図面に示されている各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されることはない。

以下、本発明に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これについての重複説明を省略する。

＜リジッドフレキシブルプリント回路基板＞
図１は、発明の一実施例に係るプリント回路基板を示す図である。図２は、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図であって、キャビティに電子部品が配置されていることを示す図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、リジッド部Ｒと、フレキシブル部Ｆと、内層導体パターン層３００とを含む。本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、キャビティ６００と、外層導体パターン層５００と、ソルダーレジスト層８００と、電子部品７００と、をさらに含むことができる。

リジッド部Ｒは、フレキシブル絶縁層１００と、フレキシブル絶縁層１００に積層されているリジッド絶縁層２００とを含む。フレキシブル部Ｆは、リジッド部Ｒに連続して形成されており、フレキシブル絶縁層１００を露出する開口部４００が形成される。

図１を参照すると、フレキシブル部Ｆはリジッド絶縁層２００が形成されていない領域に対応し、リジッド部Ｒはリジッド絶縁層２００が形成されている領域に対応する。

フレキシブル部Ｆには、フレキシブル絶縁層１００を露出させる開口部４００が形成される。開口部４００は、フレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００を除去することにより形成される。

フレキシブル絶縁層１００は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）フィルムにより形成できるが、これに限定されない。

図１に示すように、フレキシブル絶縁層１００は、フレキシブル部Ｆ及びリジッド部Ｒにわたって連続して形成される。すなわち、本実施例においてのフレキシブル部Ｆ及びリジッド部Ｒは、フレキシブル絶縁層１００により連続して形成される。

リジッド絶縁層２００は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）により形成されることができる。または、リジッド絶縁層２００は、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含むＡＢＦ等のビルドアップフィルムにより形成されることもできる。または、リジッド絶縁層２００は、感光性電気絶縁性樹脂を含む感光性絶縁層であってもよい。

リジッド絶縁層２００は、電気絶縁性樹脂に含有される補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクロス、ガラスファイバー、無機フィラーまたは有機フィラーのうちの少なくとも１種を用いることができる。補強材は、リジッド絶縁層２００の剛性を補強し、かつ熱膨脹係数を低くすることができる。

無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム（ＡｌＯＨ_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ほう酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）から構成された群より選択される少なくとも１種以上を用いることができる。

本実施例に適用されるリジッド絶縁層２００は、通常の場合とは異なって、Ｌｏｗ－ｆｌｏｗタイプのプリプレグではなく、一般のプリプレグにより形成されることができる。従来とは異なって、本発明におけるリジッド絶縁層２００は、一般のプリプレグをフレキシブル部Ｆとリジッド部Ｒとの両方に形成した後に、後続工程によりフレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００を除去することにより、リジッド部Ｒのみに形成されることができる。これにより、本実施例の場合は、従来と比べて、ミスアラインメントによる不良率を低減することができる。

内層導体パターン層３００は、金属箔ＳＬ１を含むシード層３１０と、シード層３１０に形成される電解メッキ層３２０とを含み、フレキシブル絶縁層１００の一面に形成される。

内層導体パターン層３００は、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及び外部接続端子のうちの少なくとも１種を含む。

シード層３１０は、一部が開口部４００の内壁から露出され、上面がリジッド絶縁層２００と接触する残留パターン３１１を含む。すなわち、残留パターン３１１の一側面を含む一部は、開口部４００の内壁から露出され、残留パターン３１１の上記一部を除いた残りの部分はリジッド部Ｒのリジッド絶縁層２００に埋め込まれる。

残留パターン３１１の場合、シード層３１０の他の部分（例として、シードパターン３１２）とは異なって、その上に電解メッキ層３２０が形成されない。図示されていないが、残留パターン３１１は、フレキシブル絶縁層１００の幅に対応する幅を有するように形成される。

残留パターン３１１は、ストッパパターン（図８の３１３）の露出している部分が除去されることにより形成される。これについては、後述する。

本実施例に係る内層導体パターン層３００は、ＭＳＡＰ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて形成される。このため、シード層３１０は、シード金属箔ＳＬ１を含む。また、シード層３１０は、場合によって、無電解メッキ層ＳＬ２を含むことができる。シード金属箔ＳＬ１は、銅により形成できるが、これに限定されない。無電解メッキ層ＳＬ２は、無電解銅メッキ層であってもよいが、これに限定されることはない。

電解メッキ層３２０は、シード層３１０を給電層とする電解メッキにより形成される。電解メッキ層３２０は、シード層３１０に形成される。具体的に、電解メッキ層３２０は、シードパターン３１２に対応して形成されるが、残留パターン３１１上には形成されない。

電解メッキ層３２０は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等により形成されることができる。

キャビティ６００は、フレキシブル絶縁層１００及びリジッド絶縁層２００を貫通する。すなわち、キャビティ６００は、リジッド部Ｒに形成される。キャビティ６００は、カメラモジュール等の電子部品７００を、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００に配置するための構成である。

従来の場合、カメラモジュール等の電子部品は、リジッドフレキシブルプリント回路基板の表面に実装されているが、本実施例では、電子部品７００は、フレキシブル絶縁層１００及びリジッド絶縁層２００を貫通するキャビティ６００に配置される。これにより、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は電子製品を薄型化することが可能となる。

外層導体パターン層５００は、キャビティ６００の一側をカバーする載置パターン５１０を含み、リジッド絶縁層２００に形成される。外層導体パターン層５００は、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及び外部接続端子のうちの少なくとも１種をさらに含む。外層導体パターン層５００は、外部接続端子として、電子部品７００をワイヤボンディングするためのワイヤボンディングパッド５２０を含む。

外層導体パターン層５００は、セミアディティブ法、サブトラックティブ法またはＭＳＡＰのうちの１つの方法により形成されることができる。外層導体パターン層５００がセミアディティブ法により形成される場合、外層導体パターン層は、シード層及び電解メッキ層の２層構造を有することができる。

外層導体パターン層５００は、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等により形成されることができる。

載置パターン５１０は、キャビティの一側を閉鎖する。キャビティ６００に配置される電子部品７００は、載置パターン５１０に載置される。

ワイヤボンディングパッド５２０には、表面処理層が形成されてもよい。表面処理層は、ＥＮＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）、ＥＮＥＰＩＧ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉ／Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｐｄ／Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）メッキにより形成可能であり、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）及び金（Ａｕ）のうちの少なくとも１種を含むことができる。または、表面処理層は、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）層であってもよい。

ソルダーレジスト層８００は、外層導体パターン層５００をカバーするように、リジッド絶縁層２００に形成され、外層導体パターン層５００の少なくとも一部を露出させる開口８１０が形成される。開口８１０は、ワイヤボンディングパッド５２０を露出させることができる。

ソルダーレジスト層８００は、感光性絶縁樹脂を含むことができるが、これに限定されない。ソルダーレジスト層８００が感光性絶縁樹脂を含む場合は、ソルダーレジスト層８００の開口８１０は、フォトリソグラフィ工程により形成されることができる。これとは異なって、ソルダーレジスト層８００が熱硬化性絶縁樹脂または熱可塑性絶縁樹脂を含む場合は、開口８１０は、レーザドリリングにより形成されることができる。

本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、フレキシブル絶縁層１００を貫通してフレキシブル絶縁層１００の両面にそれぞれ形成されている内層導体パターン層３００を接続する内層ビアＶ１を含むことができる。この場合、シード層３１０は、シード金属箔ＳＬ１だけでなく、無電解メッキ層ＳＬ２を含む。

また、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、リジッド絶縁層２００を貫通して内層導体パターン層３００と外層導体パターン層５００とを接続する外層ビアＶ２を含むことができる。

また、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、フレキシブル絶縁層１００及びリジッド絶縁層２００を貫通し、図１を基準にして上部に形成されている外層導体パターン層５００と下部に形成されている外層導体パターン層５００とを接続する貫通ビアＴＶを含むことができる。

一方、図１及び図２には、リジッド絶縁層２００がフレキシブル絶縁層１００の両面にそれぞれ１層ずつ形成されていることを示しているが、これは例示に過ぎない。設計上の必要によって、フレキシブル絶縁層１００の両面にそれぞれ形成されるリジッド絶縁層２００は、複数形成されることができる。

＜リジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法＞
図３から図１５は、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するために、製造工程を順次示す図である。

図３から図１５を参照すると、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、フレキシブル部とリジッド部とを含むフレキシブル絶縁層の一面に、シード層と電解メッキ層とを含む内層導体パターン層を形成する段階であって、ここで、シード層は、フレキシブル部の面積よりも大きいかまたは同じ面積で形成されるストッパパターンを含むものである、段階と、内層導体パターン層をカバーするように、フレキシブル部とリジッド部とにリジッド絶縁層を形成する段階と、リジッド部に外層導体パターン層を形成する段階と、ストッパパターンが露出されるように、フレキシブル部に形成されているリジッド絶縁層を除去する段階と、露出されるストッパパターンを除去する段階と、を含む。

先ず、図３から図８を参照すると、フレキシブル部とリジッド部とを含むフレキシブル絶縁層の一面に、シード層と電解メッキ層とを含む内層導体パターン層を形成する。ここで、シード層は、フレキシブル部の面積よりも大きいかまたは同じ面積で形成されるストッパパターンを含む。

図３を参照すると、フレキシブル絶縁層１００の両面にシード銅箔ＳＬ１の形成されたＦＣＣＬ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）１０を準備する。

図４を参照すると、ＦＣＣＬ１０に内層ビアを形成するための内層ビアホールＶＨ１を形成する。内層ビアホールＶＨ１は、レーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより形成されることができる。またはシード銅箔ＳＬ１をエッチングにより選択的に除去してフレキシブル絶縁層１００の一部を露出させた後に、フレキシブル絶縁層１００にレーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより内層ビアホールＶＨ１を形成することができる。

図５を参照すると、内層ビアホールＶＨ１を含むＦＣＣＬ１０の表面に無電解メッキ層ＳＬ２を形成した後に、選択的電解メッキにより電解メッキ層３２０を形成する。このとき、内層ビアＶ１がともに形成されることができる。

無電解メッキ層ＳＬ２は、無電解銅メッキ液により形成されて銅を含むことができるが、これに限定されない。

一方、具体的には示されていないが、電解メッキ層３２０を形成するに当たって、電解メッキ層３２０の形成される領域のみを露出させたメッキレジストを用いることができる。メッキレジストは、ドライフィルム等の感光性資材を形成した後に、フォトリソグラフィ工程により形成されることができる。

図６を参照すると、フレキシブル絶縁層１００のフレキシブル部Ｆをカバーするように、第１マスク２０を形成する。第１マスク２０は、ドライフィルムをＦＣＣＬ１０に積層した後に、フォトリソグラフィ工程によりフレキシブル部（Ｆ）をカバーする領域のみを残留させることにより形成されることができる。

図７を参照すると、第１マスク２０によりカバーされていない領域の無電解メッキ層ＳＬ２とシード銅箔ＳＬ１とを除去する。無電解メッキ層が無電解銅メッキ層である場合は、銅エッチング液により無電解メッキ層とシード銅箔とをともに除去することができる。本段階は、湿式エッチング、フラッシュエッチングまたはクィックエッチングにより行われることができる。第１マスク２０によりカバーされていない領域の無電解メッキ層ＳＬ２とシード銅箔ＳＬ１とを除去することにより、上述のストッパパターン３１３が形成される。

図８を参照すると、第１マスク２０を除去する。

このようにして、フレキシブル部（Ｆ）の面積よりも大きいかまたは同じ面積で形成されるストッパパターン３１３を含むシード層３１０を形成することができる。ストッパパターン３１３は、後述するリジッド絶縁層２００の除去工程においてフレキシブル絶縁層１００が除去されないように保護する。

次に、図９を参照すると、内層導体パターン層をカバーするために、フレキシブル部とリジッド部とにリジッド絶縁層を形成する。

リジッド絶縁層２００は、従来とは異なって、フレキシブル部（Ｆ）及びリジッド部（Ｒ）のすべてに形成される。このため、リジッド部のみにリジッド絶縁層２００を形成する従来とは異なって、本実施例では、リジッド絶縁層２００の形成時にアラインメント不良が発生しない。また、従来とは異なって、リジッド絶縁層２００の樹脂がフレキシブル部Ｆに流出する問題も発生しない。

リジッド絶縁層（２００）は、Ｌｏｗ－ｆｌｏｗタイプのプリプレグを使用してもよいが、一般のプリプレグを使用してもよい。後者の場合は、前者の場合よりも生産コストを低減できる。リジッド絶縁層（２００）は、熱硬化性絶縁樹脂または感光性絶縁樹脂を含むことができる。

リジッド絶縁層（２００）は、リジッド絶縁層形成用の絶縁フィルムをラミネーションすることにより形成可能である。

次に、図１０を参照すると、リジッド絶縁層に外層ビアを形成するための外層ビアホールを形成し、リジッド絶縁層及びフレキシブル絶縁層に貫通ビアを形成するための貫通ビアホールを形成する。

外層ビアホールＶＨ２及び貫通ビアホールＴＶＨのそれぞれは、レーザドリリングまたはメカニカルドリリングにより形成されることができる。リジッド絶縁層２００が感光性絶縁樹脂を含む場合は、外層ビアホールＶＨ２は、フォトリソグラフィ工程により形成されることができる。

次に、図１１を参照すると、外層導体パターン層を形成する。

外層導体パターン層５００は、外層ビアホールＶＨ２及び貫通ビアホールＴＶＨの内壁を含むリジッド絶縁層２００の表面に無電解メッキ層を形成した後に、無電解メッキ層を給電層として電解メッキを行うことにより形成されることができる。このとき、外層ビアＶ２及び貫通ビアＴＶを同時に形成することができる。

外層導体パターン層５００は、後述する工程により形成されるキャビティ６００の一側を閉鎖する載置パターン５１０を含む。

次に、図１２及び図１３を参照すると、ストッパパターンが露出するように、フレキシブル部に形成されているリジッド絶縁層を除去する。

図１２を参照すると、キャビティの形成領域及びフレキシブル部に対応する領域を除いたリジッド絶縁層２００の一面に第２マスク３０を形成する。第２マスク３０としては、ドライフィルム等の有機材料、または金属箔等の無機材料を用いることができる。第２マスク３０には、キャビティの形成領域及びフレキシブル部に対応する開口が形成される。

図１３を参照すると、第２マスク３０の開口を介してリジッド絶縁層２００とフレキシブル絶縁層１００とを除去してキャビティ６００を形成する。このとき、載置パターン５１０は、キャビティ６００の形成時にストッパとして機能する。キャビティ６００は、サンドブラストにより形成されることができるが、これに限定されることはない。すなわち、レーザドリリング、メカニカルドリリングまたは化学的エッチングによりキャビティ６００を形成することができる。

図１３を参照すると、キャビティ６００の形成と同時にまたは異なる時にフレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００を除去することができる。フレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００の除去時にストッパパターン３１３は、ストッパとして機能する。フレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００は、サンドブラストにより形成されることができるが、これに限定されることはない。すなわち、レーザドリリング、メカニカルドリリングまたは化学的エッチングにより、フレキシブル部Ｆに形成されているリジッド絶縁層２００を除去することができる。

次に、図１４を参照すると、露出しているストッパパターン３１３を除去する。すなわち、ストッパパターン３１３のうち、上面がリジッド絶縁層２００または電解メッキ層３２０によりカバーされずに外部に露出している部分を除去する。ストッパパターン３１３は、シード層３１０の一部分であるので、無電解メッキ層ＳＬ２及びシード銅箔ＳＬ１を含む。露出しているストッパパターン３１３を除去するためには、湿式エッチング、フラッシュエッチングまたはクィックエッチングを用いることができる。

ストッパパターン３１３は、露出している部分が除去されることにより、電解メッキ層３２０に対応するシードパターン３１２及びリジッド絶縁層２００によりカバーされる残留パターン３１１が形成される。

次に、図１５を参照すると、リジッド絶縁層にソルダーレジスト層を形成し、フレキシブル部に形成されている内層導体パターン層をカバーするために、フレキシブル部にカバーレイを形成する。

ソルダーレジスト層８００及びカバーレイ９００は、ソルダーレジスト層形成用のフィルム及びカバーレイ形成用のフィルムをそれぞれラミネーションして形成することができる。

示されていないが、以後の工程により外層導体パターン層５００のワイヤボンディングパッド５２０及び載置パターン５１０に表面処理層を形成することができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除等により本発明を多様に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１０ ＦＣＣＬ
２０ 第１マスク
３０ 第２マスク
１００ フレキシブル絶縁層
２００ リジッド絶縁層
３００ 内層導体パターン層
３１０ シード層
３１１ 残留パターン
３１２ シードパターン
３１３ ストッパパターン
３２０ 電解メッキ層
４００ 開口部
５００ 外層導体パターン層
５１０ 載置パターン
５２０ ワイヤボンディングパッド
６００ キャビティ
７００ 電子部品
８００ ソルダーレジスト層
８１０ 開口
９００ カバーレイ
ＳＬ１ シード銅箔
ＳＬ２ 無電解メッキ層
Ｖ１ 内層ビア
ＶＨ１ 内層ビアホール
Ｖ２ 外層ビア
ＶＨ２ 外層ビアホール
ＴＶ 貫通ビア
ＴＨＶ 貫通ビアホール
１０００ プリント回路基板

Claims (9)

1. フレキシブル絶縁層及び前記フレキシブル絶縁層に積層されるリジッド絶縁層を含むリジッド部と、
   前記リジッド部に連続して形成され、前記フレキシブル絶縁層を露出させる開口部が形成されているフレキシブル部と、
   金属箔を含むシード層及び前記シード層に形成される電解メッキ層を含み、前記フレキシブル絶縁層の一面に形成される内層導体パターン層と、
   を含み、
   前記内層導体パターン層は、前記リジッド部及び前記フレキシブル部にそれぞれ配置される第１及び第２内層導体パターン層を含み、
   前記シード層は、前記第１及び第２内層導体パターン層にそれぞれ含まれる第１及び第２シード層と、
   前記開口部の内壁から露出され、上面が前記リジッド絶縁層と接触する第３シード層を含み、
   前記第３シード層の厚さは、前記第１及び第２内層導体パターン層のそれぞれの厚さよりも小さく、
   前記第１から第３シード層は、実質的に同一レベルに位置する、リジッドフレキシブルプリント回路基板。
2. 前記フレキシブル絶縁層及び前記リジッド絶縁層を貫通し、前記リジッド部に形成されるキャビティと、
   前記キャビティの一側をカバーする載置パターンを含み、前記リジッド絶縁層に形成される外層導体パターン層と、をさらに含む請求項１に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
3. 前記シード層は、前記金属箔上に配置される無電解メッキ層をさらに含む多層構造である請求項１または請求項２に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
4. 前記外層導体パターン層をカバーするように前記リジッド絶縁層に形成され、前記外層導体パターン層の少なくとも一部を露出させる開口が形成されるソルダーレジスト層をさらに含む請求項２に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
5. 前記キャビティに配置され、前記載置パターンに載置される電子部品をさらに含む請求項２または請求項４に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
6. フレキシブル絶縁層、及び開口部が形成されているリジッド絶縁層を含み、フレキシブル部及びリジッド部に区画されているリジッドフレキシブルプリント回路基板において、
   前記リジッドフレキシブルプリント回路基板は、
   前記フレキシブル絶縁層の一面に順次形成されたシード層及び電解メッキ層をさらに含み、
   前記シード層は、金属箔を含み、
   前記シード層は、
   前記電解メッキ層に対応するシードパターンと、一部が前記開口部の内壁から露出され、前記一部を除いた残りの部分が前記リジッド絶縁層と接触する残留パターンとに区別され、
   前記フレキシブル絶縁層及び前記リジッド絶縁層を貫通し、前記リジッド部に形成されているキャビティと、
   前記キャビティの一側を閉鎖するように、前記リジッド絶縁層に形成される外層導体パターン層と、をさらに含む、リジッドフレキシブルプリント回路基板。
7. フレキシブル部及びリジッド部を含むフレキシブル絶縁層の一面に、シード層及び電解メッキ層を含む内層導体パターン層を形成する段階であって、前記シード層は、前記フレキシブル部の面積よりも大きいかまたは同じ面積で形成されるストッパパターンを含むものである段階と、
   前記内層導体パターン層をカバーするように、前記フレキシブル部及び前記リジッド部にリジッド絶縁層を形成する段階と、
   前記リジッド部に外層導体パターン層を形成する段階と、
   前記ストッパパターンを露出するために、前記フレキシブル部に形成されている前記リジッド絶縁層を除去する段階と、
   露出している前記ストッパパターンを除去する段階と、
   を含み、
   前記内層導体パターン層を形成する段階は、前記リジッド部及び前記フレキシブル部にそれぞれ配置される第１及び第２内層導体パターン層を形成する段階を含み、
   前記内層導体パターン層を形成する段階で前記シード層は、前記第１及び第２内層導体パターン層にそれぞれ含まれる第１及び第２シード層を含むように形成され、
   前記内層導体パターン層を形成する段階で前記ストッパパターンは、前記第１及び第２シード層と実質的に同一レベルに位置するように形成されるリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
8. 前記フレキシブル部に形成されている前記リジッド絶縁層を除去する段階は、
   サンドブラスト工程により行われる請求項７に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
9. 前記フレキシブル部に形成されている前記リジッド絶縁層を除去する段階は、
   前記リジッド部に、前記リジッド絶縁層と前記フレキシブル絶縁層とを貫通するキャビティを形成する段階を含み、
   前記キャビティを形成する段階は、サンドブラスト工程により行われる請求項８または請求項８に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。

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