JP2019102785A - リジッドフレキシブルプリント回路基板及びリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】リジッドフレキシブルプリント回路基板を提供する。【解決手段】リジッドフレキシブルプリント回路基板は、フレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒを含むフレキシブル絶縁部１００と、フレキシブル絶縁部に埋め込まれ、一面がフレキシブル絶縁部の一面に露出した第１内層導体パターン層１０と、シード金属箔２１、シード金属箔に形成される無電解メッキ層２２及び無電解メッキ層に形成される電解メッキ層２３を含みフレキシブル絶縁部の他面に形成される第２内層導体パターン層２０と、フレキシブル絶縁部に形成され、リジッド領域に配置されるリジッド絶縁部と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、リジッドフレキシブルプリント回路基板（ｒｉｇｉｄ ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）及びリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法に関する。

リジッドフレキシブルプリント回路基板にはフレキシブル領域が形成される。このため、リジッドフレキシブルプリント回路基板の場合は、通常のリジッドプリント回路基板と異なって屈曲が可能となる。

このリジッドフレキシブルプリント回路基板は、配置空間の制限されたスマートフォン等の電子機器に用いられる場合が多い。

最近電子機器の高機能化により、リジッドフレキシブルプリント回路基板にも導体パターンの高密度化及び微細化が要求されている。

韓国公開特許第１０−２００５−００２９０４２号公報

本発明の一実施例によれば、微細パターンが形成されたリジッドフレキシブルプリント回路基板が提供される。

本発明の他の実施例によれば、配線密度が向上されたリジッドフレキシブルプリント回路基板が提供される。

本発明の第１実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 図１のＡ部分を拡大した図である。 本発明の第２実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 図２のＢ部分を拡大した図である。 本発明の第３実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 本発明の第４実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 本発明の第５実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板を示す図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。 本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するための図である。

本出願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明白に表現しない限り、複数の表現を含む。

本出願において、「含む」または「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在を指定するものであって、１つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたもの等の存在または付加可能性を予め排除するものではないことを理解しなくてはならない。

また、明細書の全般にわたって、「上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準にして上側に位置することを意味するものではない。

また、「結合」とは、各構成要素の間の接触関係において、各構成要素が物理的に直接接触する場合のみを意味するものではなく、他の構成が各構成要素の間に介在され、該他の構成に構成要素がそれぞれ接触している場合まで包括する概念として使用する。

図面に示された各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜上任意に示したものであって、本発明が必ずしもそれらに限定されるものではない

以下、本発明に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板及びリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法の実施例を添付図面を参照して詳細に説明し、添付図面を参照して説明するに当たって、同一または対応する構成要素には同一の図面符号を付し、これに対する重複説明を省略する。

＜リジッドフレキシブルプリント回路基板＞
図１から図７を参照すると、フレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒは、それぞれリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００、２０００、３０００、４０００、５０００においての部分的領域を意味するが、フレキシブル絶縁部及びリジッド絶縁部の説明においても、リジッドフレキシブルプリント回路基板１０００、２０００、３０００、４０００、５０００においてのフレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒを用いて説明する。

すなわち、フレキシブル絶縁部のフレキシブル領域Ｆとは、フレキシブル絶縁部においてリジッドフレキシブルプリント回路基板のフレキシブル領域Ｆに対応する一部分を意味する。 同じく、フレキシブル絶縁部のリジッド領域Ｒとは、フレキシブル絶縁部においてリジッドフレキシブルプリント回路基板のリジッド領域Ｒに対応する他の部分を意味する。

（実施例）
（第１実施例）
図１は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板を示す図である。図２は、図１のＡ部分を拡大した図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の第１実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、フレキシブル絶縁部１００と、第１リジッド絶縁部４００と、第２リジッド絶縁部５００と、第１内層導体パターン層１０と、第２内層導体パターン層２０と、内層ビアホールＩＶＨと、内層ビアＩＶと、カバーレイ６００と、を含む。

フレキシブル絶縁部１００は、フレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒを含む。具体的に、フレキシブル絶縁部１００は、フレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒに連続して一体に形成される。

フレキシブル絶縁部１００は、フレキシブル絶縁層１２０と接着層１１０とを含むことができる。接着層１１０は、フレキシブル絶縁層１２０と、後述する第１内層導体パターン層１０とを接着する。

接着層１１０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）を含むことができるが、これに制限されない。

フレキシブル絶縁層１２０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）フィルムで形成することができるが、これに制限されない。すなわち、可撓性のある電気絶縁物質であれば制限されず、本実施例で適用するフレキシブル絶縁層１２０に使用されることができる。

接着層１１０及びフレキシブル絶縁層１２０は、一面にのみ金属箔が形成され、他面には金属箔が形成されない片面軟性銅張積層板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＦＣＣＬ）のような片面軟性金属積層板として同時に形成されることができる。または、接着層１１０及びフレキシブル絶縁層１２０は、順次的に形成されることも可能である。

第１内層導体パターン層１０は、フレキシブル絶縁部１００に埋め込まれ、一面がフレキシブル絶縁部１００の一面に露出する。具体的に、第１内層導体パターン層１０は、接着層１１０に埋め込まれ、一面が接着層１１０の一面に露出する。第１内層導体パターン層１０の一面を除いた残りの表面はフレキシブル絶縁部１００によりカバーされる。

第２内層導体パターン層２０は、第１シード金属箔２１、第１シード金属箔２１に形成される第１無電解メッキ層２２及び第１無電解メッキ層２２に形成される第１電解メッキ層２３を含み、フレキシブル絶縁部１００の他面に形成される。第２内層導体パターン層２０は、フレキシブル絶縁部１００の他面に突出形成される。

第１シード金属箔２１は、片面軟性金属積層板の金属箔の一部が残存して形成されることができる。第１無電解メッキ層２２は、第１電解メッキ層２３を電解メッキにより形成する場合、第１シード金属箔２１とともに給電層として機能する。第１電解メッキ層２３は、電解メッキにより形成される。

内層ビアＩＶは、第１内層導体パターン層１０と第２内層導体パターン層２０とを接続するために、フレキシブル絶縁部１００を貫通して形成される。具体的に、内層ビアホールＩＶＨが第１内層導体パターン層１０の他面の一部を露出させるようにフレキシブル絶縁部１００に形成され、内層ビアホールＩＶＨに内層ビアＩＶが形成されることにより、第１内層導体パターン層１０と第２内層導体パターン層２０とを内層ビアＩＶにより互いに接続することができる。

このとき、第１無電解メッキ層２２は、第１シード金属箔２１の一面、内層ビアホールＩＶＨの側壁及び内層ビアホールＩＶＨの底面である第１内層導体パターン層１０の他面に連続して形成される。すなわち、図１及び図２を参照すると、第１無電解メッキ層２２は、第１シード金属箔２１の上面から、内層ビアホールＩＶＨの側壁及び内層ビアホールＩＶＨの底面に延長形成される。

内層ビアＩＶは、電解メッキにより形成されることができる。この場合、内層ビアＩＶと第１電解メッキ層２３とは、同じ電解メッキ工程により形成され、一体に形成されることができる。

内層ビアＩＶは、内層ビアホールＩＶＨを充填するフィルドビアであってもよい。ただし、これは例示に過ぎず、内層ビアＩＶは、図１及び図２とは異なって、コンフォーマルビアの形態に形成されることも可能である。

内層ビアＩＶは、第２内層導体パターン層２０に接触する一端から第１内層導体パターン層１０側に形成された他端に行くほど直径が減少する形態に形成されることができる。すなわち、内層ビアＩＶは、テーパ状（Ｔａｐｅｒｅｄ）に形成されることができる。ただし、これは例示に過ぎず、内層ビアＩＶは、一端の直径と他端の直径とが同一であってもよい。

内層ビアＩＶの直径に関する説明は、内層ビアＩＶが形成される内層ビアホールＩＶＨにも同様に適用される。

第１リジッド絶縁部４００は、フレキシブル絶縁部１００の他面に形成される。第２リジッド絶縁部５００は、フレキシブル絶縁部１００の一面に形成される。

第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００のそれぞれは、フレキシブル領域Ｆに開放部７００を形成することができる。

開放部７００は、フレキシブル絶縁部１００のフレキシブル領域Ｆと、フレキシブル領域Ｆに配置された第１内層導体パターン層１０及び第２内層導体パターン層２０のそれぞれの一部を露出する。

第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００は、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含むプリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）で形成可能である。または、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００は、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含むＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）などの絶縁フィルムで形成可能である。または、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００は、感光性電気絶縁性樹脂を含む感光性絶縁層であってもよい。

プリプレグ（Ｐｒｅｐｒｅｇ、ＰＰＧ）は、ローフロー（Ｌｏｗ−ｆｌｏｗ）タイプであってもよいが、これに制限されない。

第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００は、電気絶縁性樹脂に含有された補強材を含むことができる。補強材としては、ガラスクロス、グラスファイバー、無機フィラー及び有機フィラーのうちの少なくともいずれか１種を用いることができる。

補強材は、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００の剛性を補強し、熱膨脹係数を低くすることができる。

無機フィラーとしては、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、炭化珪素（ＳｉＣ）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）、タルク、クレー、雲母パウダー、水酸化アルミニウム（Ａｌ（ＯＨ）_３）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）_２）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ_３）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ_３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、ホウ酸アルミニウム（ＡｌＢＯ_３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）及びジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）より構成された群から選択される少なくとも１種以上を用いることができる。

第１外層導体パターン層４０は、第１リジッド絶縁部４００に形成される。第２外層導体パターン層５０は、第２リジッド絶縁部５００に形成される。

第１外層導体パターン層４０は、第３シード金属箔４１と、第３シード金属箔４１に形成される第３無電解メッキ層４２と、第３無電解メッキ層４２に形成される第３電解メッキ層４３と、を含む。

第２外層導体パターン層５０は、第４シード金属箔５１と、第４シード金属箔５１に形成される第４無電解メッキ層５２と、第４無電解メッキ層５２に形成される第４電解メッキ層５３と、を含む。

外層ビアＢＶは、第１外層導体パターン層４０と第２内層導体パターン層２０とを接続するために第１リジッド絶縁部４００に形成されることができる。また、外層ビアＢＶは、第２外層導体パターン層５０と第１内層導体パターン層１０とを接続するために第２リジッド絶縁部５００に形成されることができる。

このとき、第３シード金属箔４１の一面に形成された第３無電解メッキ層４２は、外層ビアホールの側壁及び外層ビアホールの底面に延長して形成されることができる。また、第４シード金属箔５１の一面に形成された第４無電解メッキ層５２は、外層ビアホールの側壁及び外層ビアホールの底面に延長して形成されることができる。

第１リジッド絶縁部４００に形成された外層ビアＢＶは、第３電解メッキ層４３と一体に形成されることができる。第２リジッド絶縁部５００に形成された外層ビアＢＶは、第４電解メッキ層５３と一体に形成されることができる。

図１には、第１リジッド絶縁部４００が１つの層を有することを前提に、第１リジッド絶縁部４００に形成された第１外層導体パターン層４０及び外層ビアＢＶのそれぞれが１層のみ形成されたことを示しているが、これは例示に過ぎない。すなわち、第１リジッド絶縁部４００は、複数形成され、順次積層されることができる。この場合、第１外層導体パターン層４０及び外層ビアＢＶは、第１リジッド絶縁部４００の数に対応して複数の層を有することができる。この説明は、第２リジッド絶縁部５００、第２リジッド絶縁部５００に形成される第２外層導体パターン層５０、及び外層ビアＢＶにも同様に適用できる。

カバーレイ６００は、フレキシブル絶縁部１００の両面にそれぞれ形成され、フレキシブル領域Ｆに配置された第１内層導体パターン層１０及びフレキシブル領域Ｆに配置された第２内層導体パターン層２０をカバーする。すなわち、カバーレイ６００は、開放部７００により露出されたフレキシブル絶縁部１００に形成され、フレキシブル領域Ｆに配置された第１内層導体パターン層１０及び第２内層導体パターン層２０を保護する。

カバーレイ６００は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルムの単層構造であってもよく、または接着層及び接着層上に形成されたポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルムのように複層構造であってもよい。

図１に示すソルダーレジスト層ＳＲは、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００の最外層導体パターン層である第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０を保護するために、それぞれ第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００に形成される。

ソルダーレジスト層ＳＲには、第１外層導体パターン層４０及び／または第２外層導体パターン層５０の少なくとも一部を露出する開口ＳＲＯが形成される。

ソルダーレジスト層ＳＲは、感光性絶縁樹脂を含むことができるが、これに制限されない。 ソルダーレジスト層ＳＲが感光性絶縁樹脂を含む場合は、開口ＳＲＯは、フォトリソグラフィ工程により形成可能である。

一方、上述した第１内層導体パターン層１０、第２内層導体パターン層２０、第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれは、ビアパッド、信号パターン、パワーパターン、グラウンドパターン及び外部接続パッドのうちの少なくとも１種を含む。

また、第１内層導体パターン層１０、第１シード金属箔２１、第３シード金属箔４１、第４シード金属箔５１、第１無電解メッキ層２２、第３無電解メッキ層４２、第４無電解メッキ層５２、第１電解メッキ層２３、第３電解メッキ層４３、第４電解メッキ層５３、内層ビアＩＶ及び外層ビアＢＶのそれぞれは、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等を含むことができる。

以上のように、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００は、フレキシブル絶縁部１００に形成される第１内層導体パターン層１０及び第２内層導体パターン層２０を微細に形成することができる。

（第２実施例）
図３は、本発明の第２実施例に係るプリント回路基板を示す図である。図４は、図３のＢ部分を拡大した図である。

図１から図４を参照して、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板２０００と本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００とを比べると、第１内層導体パターン層１０及び第２リジッド絶縁部５００が異なる。

したがって、本実施例を説明するに当たり、本実施例と第１実施例との差異を中心に説明する。本実施例のその他の構成は、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００で説明した内容をそのまま適用することができる。

図３及び図４を参照すると、第１内層導体パターン層１０の一面には、溝８００が形成される。すなわち、第１内層導体パターン層１０の一面とフレキシブル絶縁部１００の一面との間には段差が形成される。

溝８００は、本発明の製造方法の特徴により形成される。本発明の場合は、キャリア（図８のＣ参照）の極薄金属層（図８のＭ２参照）に第１内層導体パターン層１０を形成し、フレキシブル絶縁層１００を積層した後にキャリア（図８のＣ参照）を除去する。キャリア（図８のＣ参照）は、極薄金属層Ｍ２とキャリア金属層Ｍ１との間の界面が分離することにより除去されることができる。これにより、キャリア（図８のＣ参照）の極薄金属層Ｍ２はフレキシブル絶縁層１００の一面に付着して残存する。極薄金属層Ｍ２は、エッチングによりフレキシブル絶縁層１００の一面から除去されるが、極薄金属層Ｍ２と第１内層導体パターン層１０とが同じ金属を含む場合は、極薄金属層Ｍ２を除去するためのエッチング液により第１内層導体パターン層１０の一部がともに除去され得る。これにより、第１内層導体パターン層１０の一面には溝８００が形成される。

第２リジッド絶縁部５００は、フレキシブル絶縁部１００の一面に形成され、溝８００を充填する。

（第３実施例）
図５は、本発明の第３実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

図１、図２及び図５を参照して、本実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板３０００と本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００とを比べると、フレキシブル絶縁部、内層導体パターン層及び内層ビアの層数が異なる。

すなわち、本実施例の場合は、本発明の第１実施例と異なって、複数のフレキシブル絶縁部１００、２００が形成される。これにより、内層導体パターン層１０、２０、３０及び内層ビアＩＶ１、ＩＶ２の層数が複数形成される。

具体的に、本実施例の場合、第１フレキシブル絶縁部１００に第２フレキシブル絶縁部２００が形成され、第２フレキシブル絶縁部２００に第３内層導体パターン層３００が形成される。 また、第１フレキシブル絶縁部１００に第１内層ビアホールＩＶＨ１及び第１内層ビアＩＶ１が形成され、第２フレキシブル絶縁部２００に第２内層ビアホールＩＶＨ２及び第２内層ビアＩＶ２が形成される。

第２フレキシブル絶縁部２００には、本発明の第１実施例でのフレキシブル絶縁部（図１の１００参照）に関する説明を適用できる。

第３内層導体パターン層３０は、第２シード金属箔３１、第２シード金属箔３１に形成される第２無電解メッキ層３２及び第２無電解メッキ層３２に形成される第２電解メッキ層３３を含む。

第３内層導体パターン層３０には、本発明の第１実施例での第２内層導体パターン層（図１の２０参照）に関する説明を適用できる。

第２内層ビアホールＩＶＨ２及び第２内層ビアＩＶ２には、本発明の第１実施例での内層ビアホール（図１のＩＶＨ参照）及び内層ビアＩＶに関する説明を適用できる。

（第４実施例及び第５実施例）
図６は、本発明の第４実施例に係るプリント回路基板を示す図である。図７は、本発明の第５実施例に係るプリント回路基板を示す図である。

図１、図２、図６及び図７を参照して、本発明の第４実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板４０００及び本発明の第５実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板５０００と、本発明の第１実施例に係るプリント回路基板１０００とを比べると、第１外層導体パターン層４０、第２外層導体パターン層５０及び外層ビアＢＶが異なり、以下ではこれらを中心に説明する。本実施例のその他の構成については、本発明の第１実施例での説明をそのまま適用することができる。

本発明の第４実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板４０００の場合、第１外層導体パターン層４０、第２外層導体パターン層５０及び外層ビアＢＶは、サブトラクティブ法（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成される。

すなわち、第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれは、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００にそれぞれ形成された第１外層導体パターン層形成用金属層と第２外層導体パターン層形成用金属層とを選択的にエッチングして除去することにより形成可能である。

したがって、第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれは、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００と接触する一端から、一端に対向する他端を向ける方向に沿って断面積が減少する形態に形成されることができる。すなわち、第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれは、テーパ状（ｔａｐｅｒｅｄ）に形成されることができる。

第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれは、電気的特性に優れた銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを含むことができる。

外層ビアＢＶは、メッキにより形成することができる。このために、第１リジッド絶縁部４００に形成された外層ビアホールの側壁及び底面には第３無電解メッキ層４２が形成されることができ、第２リジッド絶縁部５００に形成された外層ビアホールの内側壁及び底面には第４無電解メッキ層５２が形成されることができる。

本発明の第１実施例とは異なって、本実施例では、第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２のそれぞれが外層ビアホールの側壁及び底面にのみ形成される。

本発明の第５実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板５０００の場合、第１外層導体パターン層４０、第２外層導体パターン層５０及び外層ビアＢＶは、セミアディティブ法（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ）により形成される。

すなわち、本実施例の場合は、第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２が本発明の第１実施例とは異なって、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００に接触する。

＜リジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法＞

図８から図２３は、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法を説明するために製造工程を順次示す図である。

図８から図２３を参照すると、本発明の一実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法は、キャリアの一面に第１内層導体パターン層を形成する段階と、第１内層導体パターン層をカバーするためにキャリアの一面にフレキシブル絶縁部を形成する段階と、フレキシブル絶縁部にシード金属箔、無電解メッキ層及び電解メッキ層を含む第２内層導体パターン層を形成する段階と、キャリアを除去する段階と、フレキシブル絶縁部に開放部が形成されたリジッド絶縁部を形成する段階と、を含む。

一方、フレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒは、それぞれ本実施例に係る製造方法により製造された最終製品であるリジッドフレキシブルプリント回路基板においての領域を意味するが、最終製品ではなく中間段階の製品においてもリジッドフレキシブルプリント回路基板の部分的領域であるフレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒを用いて説明する。

例として、キャリアＣのフレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒとは、当該領域がリジッドフレキシブルプリント回路基板においてのフレキシブル領域Ｆ及びリジッド領域Ｒに対応する意味として使用する。

また、図８から図１４には、キャリアＣの両面で工程が行われることを示しているが、説明の便宜上、以下ではキャリアの一面を基準にしてのみ製造工程を説明する。

図８から図１０を参照すると、キャリアの一面に、第１内層導体パターン層を形成する。

キャリアＣは、コアレス工法を行うときに使用される通常の副資材であり得る。キャリアＣは、支持部材Ｓ、支持部材の両面に形成されたキャリア金属層Ｍ１、及びキャリア金属層Ｍ１に形成された極薄金属層Ｍ２を含む構造を有することができる。または、キャリアＣは、支持部材、極薄金属層、及び支持部材と極薄金属層との間に介在された離型層を含む構造を有することができる。

本実施例で使用するキャリアＣは、支持部材Ｓ、支持部材Ｓの両面に形成されたキャリア銅箔Ｍ１、及びキャリア銅箔Ｍ１に形成された極薄銅箔Ｍ２を含む。

第１内層導体パターン層１０は、キャリアＣの一面に第１メッキレジストパターンＤＦ１を形成し、極薄銅箔Ｍ１を給電層とする電解銅メッキを行って第１メッキレジストパターンＤＦ１の開口を充填することにより形成可能である。

第１メッキレジストパターンＤＦ１は、ドライフィルムをキャリアＣの一面に積層した後にフォトリソグラフィ工程を行うことにより形成可能である。

第１内層導体パターン層１０を形成した後に、第１メッキレジストパターンＤＦ１はキャリアＣから除去される。

図１１を参照すると、第１内層導体パターン層をカバーするように、キャリアの一面にフレキシブル絶縁部を形成する。

フレキシブル絶縁部１００は、接着層１１０及び接着層１１０上に形成されたフレキシブル絶縁層１２０を含む軟性絶縁資材をキャリアＣに積層することにより同時に形成可能である。または、 先ずキャリアＣの一面に接着層１１０を形成した後に、接着層１１０にフレキシブル絶縁層１２０を接着することによりフレキシブル絶縁部１００を形成することができる。

図１１から図１４を参照すると、フレキシブル絶縁部に第１シード金属箔、第１無電解メッキ層、及び第１電解メッキ層を含む第２内層導体パターン層を形成する。

先ず、図１１に示すように、第１シード金属箔２１をフレキシブル絶縁部１００の他面に形成する。

第１シード金属箔２１は、片面軟性銅張積層板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ、ＦＣＣＬ）のように片面軟性金属積層板をキャリアＣに積層することでフレキシブル絶縁部１００と同時に形成することができる。ただし、これは例示に過ぎず、先ずフレキシブル絶縁部１００をキャリアＣに形成した後に、フレキシブル絶縁部１００に第１シード金属箔２１を形成することもできる。

以後、図１２に示すように、第１シード金属箔２１及びフレキシブル絶縁部１００を貫通する内層ビアホールＩＶＨを加工し、内層ビアホールＩＶＨの内壁を含むフレキシブル絶縁部１００の表面に第１無電解メッキ層２２を形成する。

内層ビアホールＩＶＨは、レーザドリルまたはメカニカルドリルで形成することができる。内層ビアホールＩＶＨは、第１内層導体パターン層１０の他面の少なくとも一部が露出するようにフレキシブル絶縁部１００を貫通する。

第１無電解メッキ層２２は、無電解銅メッキにより形成可能である。

以後、図１３に示すように、第１無電解メッキ層２２に第２メッキレジストパターンＤＦ２を形成し、第２メッキレジストパターンＤＦ２の開口に電解メッキにより第１電解メッキ層２３を形成する。

第２メッキレジストパターンＤＦ２は、第１無電解メッキ層２２をカバーするようにドライフィルムを積層した後に、フォトリソグラフィ工程を行うことにより形成することができる。

以後、図１４に示すように、第２メッキレジストパターンＤＦ２は、第１電解メッキ層２３を形成した後に除去される。

図１５を参照すると、フレキシブル絶縁部からキャリアを除去する。

キャリアＣは、キャリア銅箔Ｍ１と極薄銅箔Ｍ２との間の界面で分離が行われて、フレキシブル絶縁部１００から除去される。よって、第１内層導体パターン層１０が埋め込まれているフレキシブル絶縁層１００の一面には、キャリアＣの極薄銅箔Ｍ２が残存することになる。

図１６を参照すると、フレキシブル絶縁部から極薄銅箔、露出された第１シード金属箔及び第１無電解メッキ層を除去する。

極薄銅箔Ｍ２、第１シード金属箔２１及び第１無電解メッキ層２２は、フラッシュエッチングまたはハーフエッチング等により除去することができる。極薄銅箔Ｍ２を除去することにより第１内層導体パターン層１０の一面がフレキシブル絶縁部１００の一面に露出する。

一方、極薄銅箔Ｍ２及び第１内層導体パターン層１０がすべて銅を含むことができ、この場合、極薄銅箔Ｍ２を除去する過程で第１内層導体パターン層３００の一部がともに除去され得る。すなわち、本発明の第２実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板２０００で説明した溝（図４のＲ参照）が本工程で形成されることができる。

図１７を参照すると、カバーレイを形成し、第１リジッド絶縁部及び第２リジッド絶縁部を形成する。

フレキシブル絶縁部１００から極薄銅箔Ｍ２を除去した後に、フレキシブル絶縁部１００のフレキシブル領域Ｆにそれぞれカバーレイ６００を形成する。すなわち、カバーレイ６００は、第１内層導体パターン層１０のうちのフレキシブル領域Ｆに配置された一部及び第２内層導体パターン層２０のうちのフレキシブル領域Ｆに形成された一部にそれぞれ形成されることができる。

第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００は、フレキシブル絶縁部１００のリジッド領域Ｒにのみ形成されるように、フレキシブル領域Ｆに対応する開放部７００が形成される。

第１リジッド絶縁部４００、第２リジッド絶縁部５００及び開放部７００は、予め開放部７００に対応するキャビティが形成された硬性絶縁資材をフレキシブル絶縁部１００に積層することにより形成可能であり、または硬性絶縁資材をフレキシブル絶縁部１００に積層した後に、硬性絶縁資材のフレキシブル領域Ｆに開放部７００を加工することにより形成可能である。

第１リジッド絶縁部４００及び第３シード金属箔４１は、ＲＣＣ（Ｒｅｓｉｎ Ｃｏａｔｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）のように、リジッド絶縁層の一面にのみ金属箔が形成された資材を用いることにより、フレキシブル絶縁部１００の他面に同時に形成することができる。第２リジッド絶縁部５００及び第４シード金属箔５１の場合も、上述した資材を用いることによりフレキシブル絶縁部１００の一面に同時に形成することができる。

図１８を参照すると、第３シード金属箔及び第１リジッド絶縁部を貫通する外層ビアホールが加工される。

外層ビアホールＢＶＨは、レーザドリルまたはメカニカルドリルにより形成可能である。第１リジッド絶縁部４００に形成された外層ビアホールＢＶＨは、第２内層導体パターン層２０の少なくとも一部が露出するように、第１リジッド絶縁部４００を貫通する。

外層ビアホールＢＶＨは、第４シード金属箔５１及び第２リジッド絶縁部５００を貫通して第１内層導体パターン層１０の少なくとも一部を露出することもできる。

図１９を参照すると、外層ビアホールＢＶＨの内壁を含む第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００の表面にそれぞれ第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２を形成する。

第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２は、同じ無電解メッキ工程により同時に形成することができる。

図２０を参照すると、第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２にそれぞれ第３メッキレジストパターンＤＦ３及び第４メッキレジストパターンＤＦ４を形成する。

第３メッキレジストパターンＤＦ３及び第４メッキレジストパターンＤＦ４のそれぞれは、第３無電解メッキ層４２及び第４無電解メッキ層５２をカバーするようにドライフィルムを積層した後に、フォトリソグラフィ工程を行うことで形成することができる。

図２１を参照すると、第３メッキレジストパターンＤＦ３及び第４メッキレジストパターンＤＦ４の開口に、第３電解メッキ層４３及び第４電解メッキ層５３をそれぞれ形成する。

第３電解メッキ層４３及び第４電解メッキ層５３は、同じ電解メッキ工程により同時に形成することができる。ただし、これは例示に過ぎず、第３電解メッキ層４３及び第４電解メッキ層５３は、設計上の必要等により、互いに異なる電解メッキ工程により形成することも可能である。

図２２を参照すると、第３メッキレジストパターンＤＦ３及び第４メッキレジストパターンＤＦ４を除去した後に、第３シード金属箔４１、第３無電解メッキ層４２、第４シード金属箔５１及び第４無電解メッキ層５２のうち、第３電解メッキ層４３及び第４電解メッキ層５３によりカバーされていない部分を除去する。

露出した第３シード金属箔４１、第３無電解メッキ層４２、第４シード金属箔５１及び第４無電解メッキ層５２は、フラッシュエッチングまたはハーフエッチング等により除去することができる。

図２３を参照すると、第１外層導体パターン層４０及び第２外層導体パターン層５０のそれぞれをカバーするように、第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００のそれぞれに開口ＳＲＯが形成されたソルダーレジスト層ＳＲを形成する。

ソルダーレジスト層ＳＲ及び開口ＳＲＯは、感光性のソルダーレジストフィルムを第１リジッド絶縁部４００及び第２リジッド絶縁部５００にそれぞれ積層し、フォトリソグラフィ工程を行うことにより形成することができる。

このようにして、本発明の第１実施例に係るリジッドフレキシブルプリント回路基板１０００を製造することができる。

以上、本発明の一実施例について説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば特許請求の範囲に記載した本発明の思想から逸脱しない範囲内で、構成要素の付加、変更または削除などにより本発明を様々に修正及び変更することができ、これも本発明の権利範囲内に含まれるものといえよう。

１０ 第１内層導体パターン層
２０ 第２内層導体パターン層
３０ 第３内層導体パターン層
４０ 第１外層導体パターン層
５０ 第２外層導体パターン層
２１、３１、４１、５１ シード金属箔
２２、３２、４２、５２ 無電解メッキ層
２３、３３、４３、５３ 電解メッキ層
１００、２００ フレキシブル絶縁部
１１０、２１０ 接着層
１２０、２２０ フレキシブル絶縁層
４００、５００ リジッド絶縁部
６００ カバーレイ
７００ 開放部
８００ 溝
Ｒ リジッド領域
Ｆ フレキシブル領域
ＩＶ、ＩＶ１、ＩＶ２ 内層ビア
ＩＶＨ、ＩＶＨ１、ＩＶＨ２ 内層ビアホール
ＢＶ 外層ビア
ＢＶＨ 外層ビアホール
ＳＲ ソルダーレジスト層
ＳＲＯ 開口
Ｃ キャリア
Ｓ 支持部材
Ｍ１ キャリア金属層
Ｍ２ 極薄金属層
ＤＦ１、ＤＦ２、ＤＦ３、ＤＦ４ メッキレジストパターン
１０００、２０００、３０００、４０００、５０００ リジッドフレキシブルプリント回路基板

Claims (14)

1. フレキシブル領域及びリジッド領域を含むフレキシブル絶縁部と、
   前記フレキシブル絶縁部に埋め込まれ、一面が前記フレキシブル絶縁部の一面に露出した第１内層導体パターン層と、
   シード金属箔、前記シード金属箔に形成される無電解メッキ層及び前記無電解メッキ層に形成される電解メッキ層を含み、前記フレキシブル絶縁部の他面に形成される第２内層導体パターン層と、
   前記フレキシブル絶縁部に形成され、前記リジッド領域に配置されるリジッド絶縁部と、
   を含むリジッドフレキシブルプリント回路基板。
2. 前記フレキシブル絶縁部は、
   一面に前記第１内層導体パターン層の一面が露出する接着層と、
   前記接着層の他面に形成されるフレキシブル絶縁層と、を含む請求項１に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
3. 前記第１内層導体パターン層の一面には溝が形成される請求項１または２に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
4. 前記シード金属箔は、銅（Ｃｕ）を含む請求項１から３のいずれか一項に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
5. 前記フレキシブル絶縁部の両面にそれぞれ形成され、
   前記フレキシブル領域に配置された前記第１内層導体パターン層及び前記フレキシブル領域に配置された前記第２内層導体パターン層をカバーするカバーレイをさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
6. 前記フレキシブル絶縁部に形成される内層ビアホールと、
   前記第１内層導体パターン層と前記第２内層導体パターン層とを互いに接続するために前記内層ビアホールに形成される内層ビアをさらに含む請求項１から５のいずれか一項に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
7. 前記無電解メッキ層は、前記内層ビアホールの内壁に延長する請求項６に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
8. 前記フレキシブル絶縁部及び前記第２内層導体パターン層は、それぞれ複数形成される請求項１から７のいずれか一項に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板。
9. 接着層及び前記接着層に形成されたフレキシブル絶縁層を含むフレキシブル絶縁部と、
   前記フレキシブル絶縁部に埋め込まれ、一面が前記フレキシブル絶縁部の一面に露出した第１内層導体パターン層と、
   シード金属箔、前記シード金属箔に形成される無電解メッキ層及び前記無電解メッキ層に形成される電解メッキ層を含み、前記フレキシブル絶縁部の他面に形成される第２内層導体パターン層と、
   前記第１内層導体パターン層及び前記第２内層導体パターン層の少なくとも一方をカバーするように前記フレキシブル絶縁部に形成されるリジッド絶縁部と、
   前記フレキシブル絶縁部の一部が露出するように、前記リジッド絶縁部に形成される開放部と、を含むリジッドフレキシブルプリント回路基板。
10. キャリアの一面に第１内層導体パターン層を形成する段階と、
    前記第１内層導体パターン層をカバーするように、前記キャリアの一面にフレキシブル絶縁部を形成する段階と、
    前記フレキシブル絶縁部に、シード金属箔、無電解メッキ層及び電解メッキ層を含む第２内層導体パターン層を形成する段階と、
    前記キャリアを除去する段階と、
    前記フレキシブル絶縁部に開放部が形成されたリジッド絶縁部を形成する段階と、
    を含むリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
11. 前記フレキシブル絶縁部は、
    前記第１内層導体パターン層が埋め込まれる接着層と、
    前記接着層に形成されるフレキシブル絶縁層と、を含む請求項１０に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
12. 前記第１内層導体パターン層は、
    前記キャリアの一面にメッキ工程により形成される請求項１０または１１に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
13. 前記フレキシブル絶縁部及び前記シード金属箔は、
    片面軟性銅張積層板を前記キャリアの一面に積層して形成される請求項１０から１２のいずれか一項に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。
14. 前記第２内層導体パターン層を形成する段階は、
    前記シード金属箔に前記無電解メッキ層を形成する段階と、
    前記無電解メッキ層にメッキレジストパターンを形成する段階と、
    前記メッキレジストパターンの開口に前記電解メッキ層を形成する段階と、を含む請求項１３に記載のリジッドフレキシブルプリント回路基板の製造方法。

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