JP7094335B2 - 真空積層システムおよび真空積層方法 - Google Patents

Description

本開示は、積層システムおよび積層方法に関し、より詳細には、真空積層システムおよびその方法に関する。

現在、１つの一般的な積層方法は、ローラを使用して、大気環境においてフィルムを基板に積層することである。しかし、表面に平坦でない構造のある基板については、フィルムと基板との間に気泡が容易に形成される。別の一般的な積層方法は、最初に大気環境においてフィルムを基板に事前積層し、次いで基板、および基板に事前積層されたフィルムを真空チャンバに入れて、真空積層を実施することである。

しかし、真空積層の工程ではフィルムが加熱および加圧されて基板に付着する。基板と基板上の事前積層されたフィルムとの間に気泡が形成されている場合には、真空チャンバが真空にされても基板とフィルムとの間の気泡を取り除くことができない。

本開示は、フィルムと基板との間の気泡を防ぐことができる真空積層システムを提供する。

本開示は、フィルムと基板との間の気泡を防ぐことができる真空積層方法を提供する。

フィルムを基板に固着させるように構成された本開示の真空積層システムは、フィルム供給アセンブリと、フィルム回収アセンブリと、下側積層本体と、上側積層本体と、空気抜き取り器と、移動アセンブリと、切断アセンブリとを含む。フィルム供給アセンブリは、フィルムを提供するように構成される。フィルム回収アセンブリは、フィルムを再利用するように構成される。下側積層本体は、フィルム供給アセンブリとフィルム回収アセンブリとの間に位置し、第１の筐体ベースと、垂直方向に移動可能で第１の筐体ベースに配置された下側加熱アセンブリとを含む。下側加熱アセンブリは、基板が第１の筐体ベースの上面と同一平面になり、基板が第１の筐体ベースの上面から突出し、または第１の筐体ベース内に後退するように、基板を運び移動させるように構成される。上側積層本体は、垂直方向に移動可能で、下側積層本体の上方に配置され、上側筐体と、上側筐体に配置された上側加熱アセンブリとを有する。空気抜き取り器は、下側積層本体に連結されている。移動アセンブリは、フィルム供給アセンブリとフィルム回収アセンブリとの間に移動可能に配設され、下側積層本体と上側積層本体との間でフィルムの一部分の高さを変えるように構成される。切断アセンブリは、下側積層本体の上方に移動可能に配設され、基板に積層されたフィルムの一部分を切断するように構成される。

本開示の実施形態では、下側積層本体は、垂直方向に移動可能で第１の筐体ベースの下に配設された第２の筐体ベースと、第２の筐体ベースと第１の筐体ベースとの間に配置された可撓性気密アセンブリとをさらに含む。下側加熱アセンブリは、第２の筐体ベースとともに移動する。

本開示の実施形態では、上側積層本体は、可撓性パッドをさらに含む。可撓性パッドの周囲は上側筐体に固定され、上側加熱アセンブリは、上側筐体と可撓性パッドとの間に位置し、上側筐体は上側穴を有し、上側加熱アセンブリと可撓性パッドとの間の空間が、上側穴と連通している。

本開示の実施形態では、上側積層本体は、上側加熱アセンブリを上側筐体に対して移動させるように上側加熱アセンブリに連結された上側駆動アセンブリをさらに含む。

本開示の実施形態では、上側積層本体は、上側加熱アセンブリに配設された可撓性パッドをさらに含む。

本開示の実施形態では、上側加熱アセンブリは、連続して配置された上側断熱層と上側加熱層とを含み、上側加熱層は、下側積層本体に近い。

本開示の実施形態では、下側加熱アセンブリは、連続して配置された下側加熱層と、下側ウェーハ・キャリア・トレイとを含み、下側ウェーハ・キャリア・トレイは、上側積層本体に近い。

本開示の真空積層方法は、以下のステップを含む。フィルムと基板との間に隙間が形成されるように、フィルムが基板の上方に配設される。フィルムと基板との間で空気が抜き取られる。基板がフィルムに近づけられ、基板およびフィルムが加熱および加圧される。基板に積層されたフィルムの一部分が切断される。

本開示の実施形態では、フィルムを基板の上方に配設するステップは、以下のステップをさらに含む。第１の筐体ベース、および垂直方向に移動可能で第１の筐体ベースに配置された下側加熱アセンブリを備える下側積層本体が提供される。基板が下側加熱アセンブリに配設され、第１の筐体ベースの上面よりも基板が低くなるように下側加熱アセンブリが下降する。フィルムが第１の筐体ベースの上面に配設される。

本開示の実施形態では、フィルムと基板との間の空気を抜き取るステップは、以下のステップをさらに含む。上側積層本体が、下側積層本体の第１の筐体ベースに向かって下降し、フィルムの上側表面に押し当てられる。上側積層本体と下側積層本体との間で空気が抜き取られる。

本開示の実施形態では、基板およびフィルムを加熱および加圧するステップは、以下のステップをさらに含む。下側積層本体の下側加熱アセンブリが上昇して、基板をフィルムの下側表面に近づける。上側積層本体の可撓性パッド、および下側積層本体の下側加熱アセンブリが、基板およびフィルムを加熱および加圧して、それによりフィルムが基板に加熱プレスされる。

本開示の実施形態では、基板およびフィルムを加熱および加圧した後で、フィルムを切断する前に、この方法は以下のステップをさらに含む。基板およびフィルムに対する加圧が停止される。上側積層本体と下側積層本体との間の負圧または真空状態が解消される。上側積層本体が上昇し、基板および基板に積層されたフィルムの一部分が露出される。

上記に基づき、本開示の真空積層のシステムおよび方法では、下側積層本体の下側加熱アセンブリは、基板が第１の筐体ベースの上面とほぼ同一平面になるように、または第１の筐体ベース内に後退するように、第１の筐体ベースに対して垂直方向に移動してもよい。したがって、フィルムが下側積層本体の上面に置かれ、上側積層本体が下側積層本体に向かって押し下げられるとき、下側加熱アセンブリは下降して、基板をフィルムに接触させることなく第１の筐体ベース内に後退させてもよい。その間に、空気抜き取り器は、フィルムと基板との間の空間が真空状態になるように、下側積層本体と上側積層本体との間の空間から空気を抜き取ってもよい。その後、下側加熱アセンブリおよび可撓性パッドは、フィルムおよび基板を加熱および加圧して、フィルムを基板に積層する。こうして、フィルムと基板との間に気泡が形成されなくなる。

添付図面は、本開示のさらなる理解を実現するために含まれ、本明細書に組み込まれ、その一部を構成する。図面は本開示の実施形態を図解し、記述とともに、本開示の原理を説明する役割を果たす。

本開示の実施形態による真空積層システムの概略図である。

図１の真空積層システムの上側積層本体の概略図である。

空気が入ったときの図２Ａの上側積層本体の概略図である。

図１の真空積層システムの下側積層本体の概略図である。

上昇したときの図３Ａの下側加熱アセンブリの概略図である。

上昇したときの図３Ａのピンの概略図である。

本開示の実施形態による真空積層方法の工程を示す概略図である。

本開示の別の実施形態による真空積層システムの上側積層本体の概略図である。

本開示のさらに別の実施形態による真空積層システムの上側積層本体の概略図である。

図１は、本開示の実施形態による真空積層システムの概略図である。図１を参照すると、本実施形態では、真空積層システム１００は、フィルム２０を基板３０に固着させるのに適している。本実施形態では、フィルム２０は、たとえばドライ・フィルム・レジストから作られたフォトレジスト・ストリップであり、基板３０は、たとえばウェーハである。しかし、フィルム２０および基板３０のタイプは、これに限定されない。一般に、高さの異なる複数のダイまたはパターンがウェーハ表面に配設されることから、ウェーハ表面は平坦ではなく、フォトレジストをウェーハに良好に積層するのが困難になる。本実施形態では、真空積層システム１００は、フォトレジストとウェーハとの間に気泡を生じさせることなく、フォトレジストをウェーハに積層することができ、これについて以下に説明する。

図１に示すように、真空積層システム１００は、フィルム供給アセンブリ１０と、フィルム回収アセンブリ１４と、下側積層本体１２０と、上側積層本体１１０と、空気抜き取り器１５０と、移動アセンブリ１３０と、切断アセンブリ１４０とを含む。フィルム供給アセンブリ１０は、フィルム２０を提供するのに適している。本実施形態では、フィルム２０を保護するために、最初に保護フィルム２２がフィルム２０に付けられている。フィルム２０は、下側積層本体１２０に供給される前に保護フィルム２２から分離される。真空積層システム１００はさらに、保護フィルム２２を再利用するための保護フィルム巻取りホイール１２を含む。フィルム回収アセンブリ１４は、使われていないフィルム２０を再利用するのに適している。

下側積層本体１２０は、フィルム供給アセンブリ１０とフィルム回収アセンブリ１４との間に位置しており、上側積層本体１１０は、垂直方向に移動可能であり、下側積層本体１２０の上方に配設される。空気抜き取り器１５０は、下側積層本体１２０に連結されている。上側積層本体１１０が下側積層本体１２０に向かって押し下げられるとき、空気抜き取り器１５０は、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間の空間内の空気を抜き取ってもよい。

移動アセンブリ１３０は、フィルム供給アセンブリ１０とフィルム回収アセンブリ１４との間で移動可能であり、それらの間に配設される。移動アセンブリ１３０は、たとえば、フィルム２０を巻き取るのに適した、垂直方向に配設された２つのローラを含み、移動アセンブリ１３０が水平方向に移動した後に、下側積層本体１２０と上側積層本体１１０との間に位置するフィルム２０の一部分の高さが変わる。

切断アセンブリ１４０は、水平方向に移動可能であり、下側積層本体１２０の上方に配設されており、基板３０に積層されたフィルム２０の一部分を切断するのに適している。

図２Ａは、図１の真空積層システムの上側積層本体の概略図である。図２Ａを参照すると、上側積層本体１１０は、上側筐体１１１と、上側筐体１１１に配設された上側加熱アセンブリ１１８とを含む。本実施形態では、上側加熱アセンブリ１１８は、連続して配設された上側断熱層１１３と上側加熱層１１４とを含む。上側加熱層１１４は、下側部分に（すなわち、より下側積層本体１２０の近くに）位置する。当然ながら、上側加熱アセンブリ１１８のタイプはこれに限定されない。

本実施形態では、上側積層本体１１０はさらに、可撓性パッド１１６を含む。可撓性パッド１１６の周囲は、上側筐体１１１に固定されているが、可撓性パッド１１６の中央は上側筐体１１１に固定されていない。上側加熱アセンブリ１１８は、上側筐体１１１と可撓性パッド１１６との間に位置する。上側筐体１１１は上側穴１１２を有し、上側加熱アセンブリ１１８と可撓性パッド１１６との間の空間は、上側穴１１２と連通している。

図２Ｂは、空気が入ったときの図２Ａの上側積層本体の概略図である。図２Ｂを参照すると、上側加熱アセンブリ１１８と可撓性パッド１１６との間の空間に上側穴１１２から空気が入るとき、可撓性パッド１１６は空気によって押され、下方に突き出て、これにより基板３０の平坦ではない上側表面にフィルム２０を付けやすくなり、基板３０に良好に積層できるようになる。

図３Ａは、図１の真空積層システムの下側積層本体の概略図である。図３Ａを参照すると、本実施形態では、下側積層本体１２０は、第１の筐体ベース１２１と、垂直方向に移動可能であり、第１の筐体ベース１２１の空間１２８に配設された下側加熱アセンブリ１２９と、下側加熱アセンブリ１２９から調節可能に突出する、またはその中に後退するピン１２７とを含む。本実施形態では、下側加熱アセンブリ１２９は、連続して配設された下側加熱層１２５と下側ウェーハ・キャリア・トレイ１２６とを含む。下側ウェーハ・キャリア・トレイ１２６は、上側部分に（すなわち、より上側積層本体１１０の近くに）位置する。当然ながら、下側加熱アセンブリ１２９のタイプはこれに限定されない。

本実施形態では、下側積層本体１２０はさらに、垂直方向に移動可能で第１の筐体ベース１２１の下に配設された第２の筐体ベース１２２と、第２の筐体ベース１２２と第１の筐体ベース１２１との間に配設された可撓性気密アセンブリ１２３とを含む。下側加熱アセンブリ１２９は、第２の筐体ベース１２２とともに移動する。第２の筐体ベース１２２は、たとえばモータ（図示せず）に連結されており、第１の筐体ベース１２１に対して垂直方向に移動することができる。可撓性気密アセンブリ１２３は、たとえば真空ベローズであり、これは短縮および伸長することができ、気密性を維持することができるが、可撓性気密アセンブリ１２３のタイプはこれに限定されない。

図３Ｂは、上昇したときの図３Ａの下側加熱アセンブリの概略図である。図３Ｂを参照すると、本実施形態では、第２の筐体ベース１２２は上向きに移動してもよく、それに応じて可撓性気密アセンブリ１２３が収縮し、下側加熱アセンブリ１２９が第２の筐体ベース１２２とともに上向きに移動する。下側加熱アセンブリ１２９は、基板３０が第１の筐体ベース１２１内に後退した位置（図３Ａ）から、第１の筐体ベース１２１の上面１２１１とほぼ同一平面の位置（図３Ｂ）に上昇するように、基板３０を支持するのに適している。いわゆる「ほぼ同一平面の位置」は、第１の筐体ベース１２１の上面１２１１よりわずかに高くてもよく、それと同一平面にあってもよく、またはそれよりわずかに低くてもよい。

図３Ｃは、上昇したときの図３Ａのピンの概略図である。図３Ｃを参照すると、本実施形態では、ピン１２７は、下側加熱アセンブリ１２９に対して垂直方向に移動して、下側加熱アセンブリ１２９から突出してもよく、またはその中に後退してもよい。本実施形態では、ピン１２７は、第１の筐体ベース１２１の上面１２１１から突出して、基板３０を支持してもよく、または基板３０を下側加熱アセンブリ１２９から分離してもよい。

図４Ａ～図４Ｆは、本開示の実施形態による真空積層方法の工程を示す概略図である。まず図４Ａを参照すると、本実施形態の真空積層方法は、以下のステップを含む。まず、ピン１２７が、下側加熱アセンブリ１２９から突出し、第１の筐体ベース１２１の上面１２１１から突出する。次に、基板３０が、下側積層本体１２０のピン１２７に配設される。

次いで図４Ｂに示すように、ピン１２７は下側加熱アセンブリ１２９内に後退し、それにより下側加熱アセンブリ１２９が基板３０を支持する。次に、基板３０が第１の筐体ベース１２１の上面１２１１よりも低くなるように、下側加熱アセンブリ１２９が下降する。次に、フィルム２０が基板３０の上方に配設される。本実施形態では、基板３０の上方にフィルム２０を配設するやり方は、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間を通るように移動アセンブリ１３０を左向きに移動させ、その後フィルム２０が、第１の筐体ベース１２１の上面１２１１に配設されるというものである。

図４Ｂで確認できるように、フィルム２０と基板３０との間に隙間が形成される。本実施形態では、下側加熱アセンブリ１２９が第１の筐体ベース１２１に対して垂直方向に移動できることから、フィルム２０が基板３０の上方に配設される前に、フィルム２０が基板３０に接触しないように下側加熱アセンブリ１２９が下降して、それによりフィルム２０と基板３０との間に距離が維持されてもよい。

図４Ｃに示すように、上側積層本体１１０が下側積層本体１２０に向かって下降する。その間に、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間の空間が閉じられる。次に、フィルム２０と基板３０との間の空気が抜き取られる。本実施形態では、空気抜き取り器１５０は、フィルム２０と基板３０との間の空間が真空状態になるように、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間のチャンバを真空にしてもよい。

次に、図４Ｄに示すように、基板３０がフィルム２０に近づけられ、基板３０とフィルム２０が加熱および加圧される。本実施形態では、第２の筐体ベース１２２が上昇して、下側加熱アセンブリ１２９を上昇させ、その後基板３０を上昇させて、それにより基板３０がフィルム２０に近づいて加圧できるようになる。フィルム２０と基板３０との間の空気は前のステップで抜き取られているので、このときには、フィルム２０が基板３０に積層された後、フィルム２０と基板３０との間に気泡は見られず、これは無気泡の効果を実現するのに有効である。

さらに、可撓性パッド１１６および下側加熱アセンブリ１２９が、基板３０およびフィルム２０を加熱する。上側加熱アセンブリ１１８と可撓性パッド１１６との間に、上側穴１１２から空気が入るとき、可撓性パッド１１６は空気圧によって押され、下方に突き出て、基板３０およびフィルム２０を加圧し、それによりフィルム２０が基板３０に積層される。

積層後、基板３０およびフィルム２０に対する加圧が停止される。次に図４Ｅに示すように、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間の負圧または真空状態が解消される。上側積層本体１１０が上昇し、基板３０に積層されたフィルム２０の一部分および基板３０が露出する。次に、切断アセンブリ１４０が、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間の位置まで水平方向に移動して、基板３０に積層されたフィルム２０の一部分を切断する。

図４Ｆに示すように、切断アセンブリ１４０は、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間の位置から離れるように移動し、移動アセンブリ１３０も右向きに移動して元の位置に戻る。最後に、ピン１２７が、基板３０を基板３０に積層されたフィルム２０とともに、下側加熱アセンブリ１２９から離れるように取り外し、積層工程全体が終了する。

上述したように、本実施形態では、真空積層を実行する前にフィルム２０が基板３０に接触しないようにするために、またはフィルム２０が基板３０に近づきすぎて熱によってフィルム２０が柔らかくなり、落ち込んでフィルム２０の下方の基板３０に接触もしくは付着して、気泡がその中に覆われ除去できなくなることのないようにするために、本実施形態では、第２の筐体ベース１２２および下側加熱アセンブリ１２９を下降させて、最初に基板３０をフィルム２０から引き離すことができる。次いで、上側積層本体１１０と下側積層本体１２０との間のチャンバが真空状態にされ、またはフィルム２０と基板３０との間の空気が抜き取られた後に、第２の筐体ベース１２２および下側加熱アセンブリ１２９が再び上昇し、それにより基板をフィルム２０に近づけ、次いで積層が実行される。こうして、フィルム２０と基板３０との間に気泡が形成されなくなる。

上側積層本体の他の実施形態を以下に説明する。以下の実施形態では、図２Ａの上側積層本体と同じ、またはそれと同様の構成要素は、同じまたは同様の参照番号を用いて符号付けされ、主な相違点のみが説明される。

図５は、本開示の別の実施形態による真空積層システムの上側積層本体の概略図である。図５を参照すると、図５の上側積層本体１１０ｂと図２Ａの上側積層本体１１０との主な相違点は、本実施形態の上側積層本体１１０ｂが、空気圧ではなく機械的圧力によって加圧されることである。

詳細には、本実施形態では、上側積層本体１１０ｂは、上側加熱アセンブリ１１８に連結された上側駆動アセンブリ１１７をさらに含み、それにより上側加熱アセンブリ１１８が上側筐体１１１に対して移動する。可撓性パッド１１６の全体が、上側加熱アセンブリ１１８の底面に付着しており、上側加熱アセンブリ１１８とともに下降する。可撓性パッド１１６は、たとえばゴムまたはシリコーンから作られるので、圧縮可能である。したがって、可撓性パッド１１６により、フィルム２０は基板３０の平坦ではない表面になお良好に接触できるようになる。

図６は、本開示のさらに別の実施形態による真空積層システムの上側積層本体の概略図である。図６を参照すると、図６の上側積層本体１１０ｃと図５の上側積層本体１１０ｂとの主な相違点は、本実施形態では上側積層本体１１０ｃに可撓性パッド１１６が設けられていないことである（図５では符号付けされている）。本実施形態の上側積層本体１１０ｃは、フィルムを積層した後に、フィルム２０の表面を直接平坦にするように適用されることが可能である。硬い材料から作られた上側加熱層１１４が、フィルム２０に直接接触してもよい。こうした構成により、フィルム２０が基板３０に良好に接触できるようになるとともに、積層後に、フィルム２０の表面を平坦に保つことができるようになる。

上記に基づき、本開示の真空積層システムおよび方法では、下側積層本体の下側加熱アセンブリは、基板が第１の筐体ベースの上面とほぼ同一平面になるように、または第１の筐体ベース内に後退するように、第１の筐体ベースに対して垂直方向に移動してもよい。したがって、フィルムが下側積層本体の上面に置かれ、上側積層本体が下側積層本体に向かって押し下げられるとき、下側加熱アセンブリは下降して、基板をフィルムに接触させることなく第１の筐体ベース内に後退させてもよい。その間に、空気抜き取り器は、フィルムと基板との間の空間が真空状態になるように、下側積層本体と上側積層本体との間の空間から空気を抜き取ってもよい。その後、下側加熱アセンブリおよび上側加熱アセンブリは、フィルムおよび基板を加熱および加圧して、フィルムを基板に積層する。こうして、フィルムと基板との間に気泡が形成されなくなる。

本開示の範囲または趣旨から逸脱することなく、開示する実施形態に様々な修正および変更を加えられることが、当業者には明らかであろう。上記を考慮し、修正および変更が、添付の請求項およびそれらの等価物の範囲に含まれるならば、本開示はこれらの修正および変更を網羅することが意図される。

本発明の真空積層システムおよび真空積層方法は、フィルム積層工程に適用されてもよい。

１０ フィルム供給アセンブリ
１２ 保護フィルム巻取りホイール
１４ フィルム回収アセンブリ
２０ フィルム
２２ 保護フィルム
３０ 基板
１００ 真空積層システム
１１０ 上側積層本体
１１１ 上側筐体
１１２ 上側穴
１１３ 上側断熱層
１１４ 上側加熱層
１１６ 可撓性パッド
１１７ 上側駆動アセンブリ
１１８ 上側加熱アセンブリ
１２０ 下側積層本体
１２１ 第１の筐体ベース
１２１１ 上面
１２２ 第２の筐体ベース
１２３ 可撓性気密アセンブリ
１２５ 下部加熱層
１２６ 下部ウェーハ・キャリア・トレイ
１２７ ピン
１２８ 空間
１２９ 下側加熱アセンブリ
１３０ 移動アセンブリ
１４０ 切断アセンブリ
１５０ 空気抜き取り器

Claims (10)

1. フィルムを基板に固着させるように構成された真空積層システムであって、
   前記フィルムを提供するように構成されたフィルム供給アセンブリと、
   前記フィルムを再利用するように構成されたフィルム回収アセンブリと、
   前記フィルム供給アセンブリと前記フィルム回収アセンブリとの間に位置し、第１の筐体ベース、および垂直方向に移動可能で前記第１の筐体ベースに配置された下側加熱アセンブリを備える下側積層本体であって、前記基板が前記第１の筐体ベースの上面と同一平面になり、前記基板が前記第１の筐体ベースの前記上面から突出し、または前記第１の筐体ベース内に後退するように、前記下側加熱アセンブリが前記基板を運び移動させるように構成された、下側積層本体と、
   垂直方向に移動可能で、前記下側積層本体の上方に配置され、上側筐体、および前記上側筐体に配置された上側加熱アセンブリを備える上側積層本体と、
   前記下側積層本体に連結された空気抜き取り器と、
   前記フィルム供給アセンブリと前記フィルム回収アセンブリとの間に移動可能に配設され、前記下側積層本体と前記上側積層本体との間で前記フィルムの一部分の高さを変えるように構成された移動アセンブリと、
   前記下側積層本体の上方に移動可能に配設され、前記基板に積層された前記フィルムの一部分を切断するように構成された切断アセンブリとを備え、
   前記下側積層本体が、垂直方向に移動可能で前記第１の筐体ベースの下に配設された第２の筐体ベースと、前記第２の筐体ベースと前記第１の筐体ベースとの間に配置された可撓性気密アセンブリとをさらに備え、前記下側加熱アセンブリが、前記第２の筐体ベースとともに移動する、真空積層システム。
2. 前記上側積層本体が、可撓性パッドをさらに備え、前記可撓性パッドの周囲が前記上側筐体に固定され、前記上側加熱アセンブリが、前記上側筐体と前記可撓性パッドとの間に位置し、前記上側筐体が上側穴を有し、前記上側加熱アセンブリと前記可撓性パッドとの間の空間が、前記上側穴と連通している、請求項１に記載の真空積層システム。
3. 前記上側積層本体が、前記上側加熱アセンブリを前記上側筐体に対して移動させるように前記上側加熱アセンブリに連結された上側駆動アセンブリをさらに備える、請求項１に記載の真空積層システム。
4. 前記上側積層本体が、前記上側加熱アセンブリに配設された可撓性パッドをさらに備える、請求項３に記載の真空積層システム。
5. 前記上側加熱アセンブリが、連続して配置された上側断熱層と上側加熱層とを備え、前記上側加熱層が、前記下側積層本体に近い、請求項１に記載の真空積層システム。
6. 前記下側加熱アセンブリが、連続して配置された下側加熱層と下側ウェーハ・キャリア・トレイとを備え、前記下側ウェーハ・キャリア・トレイが、前記上側積層本体に近い、
   請求項１に記載の真空積層システム。
7. 基板の上方にフィルムを配設するステップであって、前記フィルムと前記基板との間に隙間が形成されるステップと、
   前記フィルムと前記基板との間の空気を抜き取るステップと、
   前記基板を前記フィルムに近づけ、前記基板および前記フィルムを加熱および加圧するステップと、
   前記基板に積層された前記フィルムの一部分を切断するステップと、を含み、
   前記フィルムを前記基板の上方に配設する前記ステップが、
   下側積層本体を提供するステップであって、前記下側積層本体が、第１の筐体ベース、および垂直方向に移動可能で前記第１の筐体ベースに配置された下側加熱アセンブリを備えるステップと、
   前記基板を前記下側加熱アセンブリに配設し、前記第１の筐体ベースの上面よりも前記基板が低くなるように前記下側加熱アセンブリを下降させるステップと、
   前記フィルムを前記第１の筐体ベースの前記上面に配設するステップとをさらに含み、
   前記下側積層本体が、垂直方向に移動可能で前記第１の筐体ベースの下に配設された第２の筐体ベースと、前記第２の筐体ベースと前記第１の筐体ベースとの間に配置された可撓性気密アセンブリとをさらに備え、前記下側加熱アセンブリが、前記第２の筐体ベースとともに移動する、
   真空積層方法。
8. 前記フィルムと前記基板との間の空気を抜き取る前記ステップが、
   上側積層本体を、前記下側積層本体の前記第１の筐体ベースに向けて下降させて、前記フィルムの上側表面に押し当てるステップと、
   前記上側積層本体と前記下側積層本体との間の空気を抜き取るステップとをさらに含む、請求項７に記載の真空積層方法。
9. 前記基板を前記フィルムに近づけ、前記基板および前記フィルムを加熱および加圧する前記ステップが、
   前記下側積層本体の前記下側加熱アセンブリを上昇させて、前記基板を前記フィルムの下側表面に近づけるステップをさらに含み、前記上側積層本体の可撓性パッド、および前記下側積層本体の前記下側加熱アセンブリが、前記基板および前記フィルムを加熱および加圧して、それにより前記フィルムが前記基板に加熱プレスされる、請求項８に記載の真空積層方法。
10. 前記基板および前記フィルムを加熱および加圧した後で、前記フィルムを切断する前に、前記方法が、
    前記基板および前記フィルムの加圧を停止するステップと、
    前記上側積層本体と前記下側積層本体との間の負圧または真空状態を解消するステップと、
    前記上側積層本体を上昇させ、前記基板および前記基板に積層された前記フィルムの一部分を露出するステップとをさらに含む、請求項８に記載の真空積層方法。

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