JP7090295B2 - シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
シリコンからなるチョクラルスキーウェーハであって、
バルク層の酸素濃度が、0.5×1018/cm3以上であり、
表面から深さ300nmまでの表面層における酸素濃度が2×1018/cm3以上であるシリコンウェーハを構成した。
チョクラルスキー法で育成された単結晶シリコンのインゴットをスライスして得られたシリコンウェーハに対し、酸化性雰囲気下において、1315℃以上1375℃以下の範囲内の最高温度に5秒以上30秒以下の間保持した後に、前記最高温度から1100℃まで50℃/秒以上150℃/秒以下の冷却速度で冷却し、前記冷却後に、酸素濃度が2×1018/cm3以上となる深さまで表面層を除去するシリコンウェーハの製造方法を構成した。
2 表面層
3 バルク層
Claims (10)
- 酸素濃度が0.5×10 18 /cm 3 以上、1.5×10 18 /cm 3 以下の単結晶シリコンのインゴットをスライスしたチョクラルスキーウェーハ(1)であって、
表面から深さ300nmまでの表面層(2)における酸素濃度が2.5×10 18 /cm 3 以上であるシリコンウェーハ。 - 表面から深さ30μmまでの領域において、サイズ15nm以上のボイド欠陥の密度が1×106/cm3以下であり、かつ、球形換算での直径が15nm以上の酸素析出物の密度が1×106/cm3以下である請求項1に記載のシリコンウェーハ。
- 深さ100μmから厚み中心までの空孔濃度が1×1012/cm3以上である請求項1又は2に記載のシリコンウェーハ。
- 前記単結晶シリコンの空孔濃度CVと格子間シリコン原子濃度CIの濃度差CV-CIが、-2.0×1012/cm3以上、6.0×1012/cm3以下の範囲内である請求項1から3のいずれか1項に記載のシリコンウェーハ。
- 酸素濃度が0.5×10 18 /cm 3 以上、1.5×10 18 /cm 3 以下のチョクラルスキー法で育成された単結晶シリコンのインゴットをスライスして得られたシリコンウェーハ(1)に対し、酸化性雰囲気下において、1315℃以上1375℃以下の範囲内の最高温度に5秒以上30秒以下の間保持した後に、前記最高温度から1100℃まで50℃/秒以上150℃/秒以下の冷却速度で冷却し、前記冷却後に、酸素濃度が2.5×10 18 /cm 3 以上となる深さまで表面を除去し、表面から深さ300nmまでの表面層(2)における酸素濃度を2.5×10 18 /cm 3 以上とするシリコンウェーハの製造方法。
- 前記最高温度が1325℃以上1350℃以下の範囲内である請求項5に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記酸化性雰囲気が酸素雰囲気であって、その酸素分圧が1%以上100%以下の範囲内である請求項5又は6に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 800℃以上1000℃以下の範囲内で1時間以上4時間以下の範囲内で熱処理を行い、深さ100μmから厚み中心までの領域内に、球形換算での直径が15nm以上の酸素析出物を1×108/cm3以上の密度で形成した請求項5から7のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記酸化性雰囲気での熱処理によって、深さ100μmから厚み中心までの空孔濃度が1×1012/cm3以上となるよう空孔を導入する請求項5から8のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記単結晶シリコンの空孔濃度CVと格子間シリコン原子濃度CIの濃度差CV-CIが、-2.0×1012/cm3以上、6.0×1012/cm3以下の範囲内となるよう空孔及び格子間シリコン原子を導入する請求項5から9のいずれか1項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
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