JPH0897222A - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハInfo
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- JPH0897222A JPH0897222A JP6229766A JP22976694A JPH0897222A JP H0897222 A JPH0897222 A JP H0897222A JP 6229766 A JP6229766 A JP 6229766A JP 22976694 A JP22976694 A JP 22976694A JP H0897222 A JPH0897222 A JP H0897222A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的高い酸素濃度範囲のウェーハであって
も、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部のＢ
ＭＤは低密度であるシリコンウェーハを提供する。 【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶
シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏ
ｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシ
リコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度
を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜４８
時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温度範
囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの条件
で熱処理を施す。
も、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部のＢ
ＭＤは低密度であるシリコンウェーハを提供する。 【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶
シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏ
ｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシ
リコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度
を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜４８
時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温度範
囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの条件
で熱処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩなどの半導体
のデバイス用のシリコンウェーハおよびその製造方法に
関するものである。
のデバイス用のシリコンウェーハおよびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ用半導体デバイスの製造プロセ
スにおいて、ウェーハに混入している微量金属不純物お
よびウェーハのデバイス活性領域（ウェーハ表面から深
さ１０μｍ程度）内に存在する微小欠陥が製造される半
導体デバイスの特性および信頼性劣化の原因となること
がある。そのため、従来よりこれらの金属不純物および
微小欠陥を極力低減するためにさまざまな対策がなされ
ている。
スにおいて、ウェーハに混入している微量金属不純物お
よびウェーハのデバイス活性領域（ウェーハ表面から深
さ１０μｍ程度）内に存在する微小欠陥が製造される半
導体デバイスの特性および信頼性劣化の原因となること
がある。そのため、従来よりこれらの金属不純物および
微小欠陥を極力低減するためにさまざまな対策がなされ
ている。
【０００３】金属不純物を低減させる方法としては、金
属不純物を捕獲（ゲッタリング）するためにサンドブラ
ストなどにより、ウェーハ裏面に微小な歪みを設けるバ
ックサイドダメージ法（ＢＳＤ法）がある。また、ウェ
ーハ裏面に多結晶シリコンを堆積する方法も用いられて
いる。
属不純物を捕獲（ゲッタリング）するためにサンドブラ
ストなどにより、ウェーハ裏面に微小な歪みを設けるバ
ックサイドダメージ法（ＢＳＤ法）がある。また、ウェ
ーハ裏面に多結晶シリコンを堆積する方法も用いられて
いる。
【０００４】また、後者の対策としては、デバイス活性
領域に微小欠陥を有さない、気相成長させた単結晶シリ
コン層をもつエピタキシャルウェーハが用いられてい
る。
領域に微小欠陥を有さない、気相成長させた単結晶シリ
コン層をもつエピタキシャルウェーハが用いられてい
る。
【０００５】さらに、両者の対策を同時に行うためにイ
ントリンシックゲッタリング法（ＩＧ法）が開発され
た。ＩＧ法はウェーハを高温熱処理することにより、ウ
ェーハ表面の酸素を外方に拡散させて微小欠陥の核とな
る格子間酸素を減少させ、デバイス活性領域に微小欠陥
のないｄｅｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ（ＤＺ層）を形成させ
る。さらにＤＺ層以下の深い領域（バルク部）では含ま
れている過剰な格子間酸素が高温熱処理によって析出
し、微小なＳｉＯ2 析出物に代表されるＢＭＤを生成す
る。これらのＢＭＤがバルク部のシリコンマトリックス
に歪みを及ぼして二次的な転位や積層欠陥を誘起し、金
属不純物をゲッタリングする。
ントリンシックゲッタリング法（ＩＧ法）が開発され
た。ＩＧ法はウェーハを高温熱処理することにより、ウ
ェーハ表面の酸素を外方に拡散させて微小欠陥の核とな
る格子間酸素を減少させ、デバイス活性領域に微小欠陥
のないｄｅｎｕｄｅｄ ｚｏｎｅ（ＤＺ層）を形成させ
る。さらにＤＺ層以下の深い領域（バルク部）では含ま
れている過剰な格子間酸素が高温熱処理によって析出
し、微小なＳｉＯ2 析出物に代表されるＢＭＤを生成す
る。これらのＢＭＤがバルク部のシリコンマトリックス
に歪みを及ぼして二次的な転位や積層欠陥を誘起し、金
属不純物をゲッタリングする。
【０００６】ＩＧ法においては、引き上げられた単結晶
シリコンインゴットの熱履歴に影響を受けないこと、お
よびより広い含有酸素濃度範囲のウェーハを利用するこ
とを目的として、複数段の熱処理を施している。まず、
前熱処理においては、酸素含有の不活性ガス雰囲気中で
高温（〜１２００℃）で熱処理を施してウェーハ表面か
ら酸素を外方に拡散させ、もともと存在していた酸素に
起因するＢＭＤ核を縮小・消滅させる。次に酸素雰囲気
中の中段の低温（５００〜９００℃）の熱処理を施して
バルク部にＢＭＤ核を生成させる。そして最終的に酸素
雰囲気中の中温（〜１０００℃）熱処理により、ＢＭＤ
核を成長させてＢＭＤを生成・成長させている。中段の
熱処理には種々の工夫がなされており、例えば等温アニ
ール、低温からの多段階アニールおよび低温からのラン
ピングアニールなどが代表的である。
シリコンインゴットの熱履歴に影響を受けないこと、お
よびより広い含有酸素濃度範囲のウェーハを利用するこ
とを目的として、複数段の熱処理を施している。まず、
前熱処理においては、酸素含有の不活性ガス雰囲気中で
高温（〜１２００℃）で熱処理を施してウェーハ表面か
ら酸素を外方に拡散させ、もともと存在していた酸素に
起因するＢＭＤ核を縮小・消滅させる。次に酸素雰囲気
中の中段の低温（５００〜９００℃）の熱処理を施して
バルク部にＢＭＤ核を生成させる。そして最終的に酸素
雰囲気中の中温（〜１０００℃）熱処理により、ＢＭＤ
核を成長させてＢＭＤを生成・成長させている。中段の
熱処理には種々の工夫がなされており、例えば等温アニ
ール、低温からの多段階アニールおよび低温からのラン
ピングアニールなどが代表的である。
【０００７】上記ＩＧ法においては、実際には前段の熱
処理による酸素の外方拡散が十分でなくデバイス活性領
域に微小な酸素析出物（ＢＭＤなど）が残ってしまうこ
とがある。また、複数の熱処理工程が必要なため、作業
性の問題およびコストの問題などにより実用化があまり
進んでいない。
処理による酸素の外方拡散が十分でなくデバイス活性領
域に微小な酸素析出物（ＢＭＤなど）が残ってしまうこ
とがある。また、複数の熱処理工程が必要なため、作業
性の問題およびコストの問題などにより実用化があまり
進んでいない。
【０００８】最近、このような多段階の熱処理を必要と
する方法に代わり、１００％還元性ガスまたは１００％
不活性ガスあるいは還元性ガスと不活性ガスの混合ガス
雰囲気中で高温の熱処理を施すことにより、ウェーハ表
面にＤＺ層、バルク部にＢＭＤを形成し、イントリンシ
ックゲッタリング効果（ＩＧ効果）をもたせるウェーハ
の製造方法も行われている。これらの製造方法に関して
本出願人は特開昭６０−２４７９３５号、特開昭６１−
１９３４５８号、特開昭６１−１９３４５９号、特開昭
６１−１９３４５６号、特開昭６２−１２３０９８号、
特開平２−１７７５４１号などの出願を行っている。
する方法に代わり、１００％還元性ガスまたは１００％
不活性ガスあるいは還元性ガスと不活性ガスの混合ガス
雰囲気中で高温の熱処理を施すことにより、ウェーハ表
面にＤＺ層、バルク部にＢＭＤを形成し、イントリンシ
ックゲッタリング効果（ＩＧ効果）をもたせるウェーハ
の製造方法も行われている。これらの製造方法に関して
本出願人は特開昭６０−２４７９３５号、特開昭６１−
１９３４５８号、特開昭６１−１９３４５９号、特開昭
６１−１９３４５６号、特開昭６２−１２３０９８号、
特開平２−１７７５４１号などの出願を行っている。
【０００９】この方法の代表的な不活性ガス雰囲気での
熱処理は、次のような温度プロセスによって行われてい
る。熱処理温度まで昇温する昇温プロセスは、室温から
１０００℃までは約１０℃／ｍｉｎ程度、１０００℃か
ら１２００℃までは３℃／ｍｉｎ以下、熱処理は約１２
００℃において１時間以上、降温プロセスは１２００℃
から９００℃程度まで３℃／ｍｉｎ以下である。図１に
代表的な温度プロセスを示す。図１の熱処理操作は、昇
温プロセスは室温から１０００℃までは１０℃／ｍｉ
ｎ、１０００℃から１２００℃の間は３℃／ｍｉｎ、熱
処理は１２００℃で１時間、降温プロセスは１２００℃
から１０００℃まで３℃／ｍｉｎ、１０００℃以下は１
０℃／ｍｉｎで行っている。
熱処理は、次のような温度プロセスによって行われてい
る。熱処理温度まで昇温する昇温プロセスは、室温から
１０００℃までは約１０℃／ｍｉｎ程度、１０００℃か
ら１２００℃までは３℃／ｍｉｎ以下、熱処理は約１２
００℃において１時間以上、降温プロセスは１２００℃
から９００℃程度まで３℃／ｍｉｎ以下である。図１に
代表的な温度プロセスを示す。図１の熱処理操作は、昇
温プロセスは室温から１０００℃までは１０℃／ｍｉ
ｎ、１０００℃から１２００℃の間は３℃／ｍｉｎ、熱
処理は１２００℃で１時間、降温プロセスは１２００℃
から１０００℃まで３℃／ｍｉｎ、１０００℃以下は１
０℃／ｍｉｎで行っている。
【００１０】この熱処理操作において、１０００℃以上
の領域の昇温プロセスでは昇温速度を３℃／ｍｉｎ程度
より高くすると処理中のウェーハにスリップが発生して
しまう恐れがある。また、通常使用されている熱処理炉
は断熱や発熱体の制約のため、早い速度で昇温を行うこ
とはされていなかった。
の領域の昇温プロセスでは昇温速度を３℃／ｍｉｎ程度
より高くすると処理中のウェーハにスリップが発生して
しまう恐れがある。また、通常使用されている熱処理炉
は断熱や発熱体の制約のため、早い速度で昇温を行うこ
とはされていなかった。
【００１１】上記熱処理過程によるウェーハ構造の形成
のメカニズムについて以下のように推測できる。昇温プ
ロセス中では昇温速度が遅いため、バルク部ではＢＭＤ
の成長が起こるとともに同時に表層部では酸素の外方拡
散が起こり、表層部の酸素濃度は低下する。熱処理温度
に到達後は、表層部の酸素の外方拡散がより行われ表層
部のＢＭＤ核となる格子間酸素が減少し表層部のＢＭＤ
の消滅が加速される。バルク部では高温熱処理のため酸
素がウェーハ内を拡散しＢＭＤの収縮が生じる。しかし
酸素減少量が少ないためＢＭＤの消滅は生じない。降温
プロセス中では、昇温速度が遅いため、理論上はウェー
ハ表層部でもＢＭＤの成長が生じるが表層部の酸素は外
方拡散により減少しているためＢＭＤは形成されずにＤ
Ｚ層となる。これに対し、バルク部では再びＢＭＤの成
長・析出が生じる。
のメカニズムについて以下のように推測できる。昇温プ
ロセス中では昇温速度が遅いため、バルク部ではＢＭＤ
の成長が起こるとともに同時に表層部では酸素の外方拡
散が起こり、表層部の酸素濃度は低下する。熱処理温度
に到達後は、表層部の酸素の外方拡散がより行われ表層
部のＢＭＤ核となる格子間酸素が減少し表層部のＢＭＤ
の消滅が加速される。バルク部では高温熱処理のため酸
素がウェーハ内を拡散しＢＭＤの収縮が生じる。しかし
酸素減少量が少ないためＢＭＤの消滅は生じない。降温
プロセス中では、昇温速度が遅いため、理論上はウェー
ハ表層部でもＢＭＤの成長が生じるが表層部の酸素は外
方拡散により減少しているためＢＭＤは形成されずにＤ
Ｚ層となる。これに対し、バルク部では再びＢＭＤの成
長・析出が生じる。
【００１２】図２にウェーハにアルゴンガス１００％
中、図１に示す様な熱処理を行った場合のウェーハ初期
酸素濃度と熱処理後のウェーハのバルク部のＢＭＤ密度
との関係を●で示す。図２より熱処理後のバルク部のＢ
ＭＤ密度はウェーハの初期酸素濃度に依存し、初期酸素
濃度が高くなるにつれバルク部のＢＭＤ密度が大きくな
ることが理解される。
中、図１に示す様な熱処理を行った場合のウェーハ初期
酸素濃度と熱処理後のウェーハのバルク部のＢＭＤ密度
との関係を●で示す。図２より熱処理後のバルク部のＢ
ＭＤ密度はウェーハの初期酸素濃度に依存し、初期酸素
濃度が高くなるにつれバルク部のＢＭＤ密度が大きくな
ることが理解される。
【００１３】近年、高集積化の進むメモリーデバイスな
どではその特性向上のため、出発原料としてのシリコン
ウェーハには表面のデバイス活性層を無欠陥にすること
のほうが、デバイス製造プロセス中に混入する金属不純
物をゲッタリングすることよりも必要かつ重要となって
いる。
どではその特性向上のため、出発原料としてのシリコン
ウェーハには表面のデバイス活性層を無欠陥にすること
のほうが、デバイス製造プロセス中に混入する金属不純
物をゲッタリングすることよりも必要かつ重要となって
いる。
【００１４】また、初期酸素濃度が高い（１．６×１０
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上）ウェーハは、図２より従来
の還元性または不活性ガス中の高温熱処理で１０9 個／
ｃｍ3 以上のＢＭＤが形成される。このようなＢＭＤの
形成されたウェーハは金属不純物のゲッタリング効果と
いう面では優れているが、過剰のＢＭＤが形成されると
ウェーハの機械的強度が低下するだけでなくデバイス活
性層またはその近傍にもＢＭＤが形成されることになる
ためデバイス特性を悪化させる恐れがある。
18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上）ウェーハは、図２より従来
の還元性または不活性ガス中の高温熱処理で１０9 個／
ｃｍ3 以上のＢＭＤが形成される。このようなＢＭＤの
形成されたウェーハは金属不純物のゲッタリング効果と
いう面では優れているが、過剰のＢＭＤが形成されると
ウェーハの機械的強度が低下するだけでなくデバイス活
性層またはその近傍にもＢＭＤが形成されることになる
ためデバイス特性を悪化させる恐れがある。
【００１５】このような状況のため、最近ではより完全
な無欠陥層をもつウェーハが要求され、したがってウェ
ーハはより低酸素濃度（１．４×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3未満）のものが要求され始めているが、このような
ウェーハは従来の製造方法・条件では製造が難しく生産
性、コストなどの面から問題が多い。
な無欠陥層をもつウェーハが要求され、したがってウェ
ーハはより低酸素濃度（１．４×１０18ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ3未満）のものが要求され始めているが、このような
ウェーハは従来の製造方法・条件では製造が難しく生産
性、コストなどの面から問題が多い。
【００１６】本発明は、以上のような問題を解決するた
めになされたものであり、比較的高い酸素濃度範囲のウ
ェーハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、か
つバルク部のＢＭＤは低密度であるシリコンウェーハの
製造方法およびそのようなシリコンウェーハを提供する
ことを目的とする。
めになされたものであり、比較的高い酸素濃度範囲のウ
ェーハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、か
つバルク部のＢＭＤは低密度であるシリコンウェーハの
製造方法およびそのようなシリコンウェーハを提供する
ことを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段と作用】本願の第１の発明
は、チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコ
ンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏｉ］が
１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコン
ウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を１１
００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜４８時間、
熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温度範囲内に
おける昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの条件で熱処
理を施すことによって、ウェーハ表面から少なくとも深
さ１０μｍ以上にわたって大きさが２０ｎｍ以上のＢＭ
Ｄが１０3 個／ｃｍ3 以下である無欠陥層を有し、ウェ
ーハ内部バルク部の酸素析出物密度［ＢＭＤ］が、［Ｂ
ＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘ
ｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏｉ］＋３．２２４｝個
／ｃｍ3 であるウェーハを製造することを特徴とするシ
リコンウェーハの製造方法を要旨とする。また、本願の
第２の発明は、チョクラルスキー法により製造された単
結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
［Ｏｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理
温度を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜
４８時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温
度範囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの
条件で熱処理を施すことによって製造された、ウェーハ
表面から少なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大きさ
が２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下である
無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密
度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、
かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏ
ｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 であることを特徴とする
シリコンウェーハを要旨とする。
は、チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコ
ンインゴットから製造された格子間酸素濃度［Ｏｉ］が
１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のシリコン
ウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を１１
００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜４８時間、
熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温度範囲内に
おける昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの条件で熱処
理を施すことによって、ウェーハ表面から少なくとも深
さ１０μｍ以上にわたって大きさが２０ｎｍ以上のＢＭ
Ｄが１０3 個／ｃｍ3 以下である無欠陥層を有し、ウェ
ーハ内部バルク部の酸素析出物密度［ＢＭＤ］が、［Ｂ
ＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘ
ｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏｉ］＋３．２２４｝個
／ｃｍ3 であるウェーハを製造することを特徴とするシ
リコンウェーハの製造方法を要旨とする。また、本願の
第２の発明は、チョクラルスキー法により製造された単
結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
［Ｏｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理
温度を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜
４８時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温
度範囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの
条件で熱処理を施すことによって製造された、ウェーハ
表面から少なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大きさ
が２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下である
無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密
度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、
かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏ
ｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 であることを特徴とする
シリコンウェーハを要旨とする。
【００１８】また、本明細書中の酸素濃度はすべてＯｌ
ｄ ＡＳＴＭによる換算係数による値である。
ｄ ＡＳＴＭによる換算係数による値である。
【００１９】一般的にウェーハを熱処理する際のＢＭＤ
の挙動について説明する。
の挙動について説明する。
【００２０】古典的核形成理論によれば、ＢＭＤは酸素
クラスタを均一核として過飽和な酸素が付着および脱離
することによりそれぞれ成長および収縮する。
クラスタを均一核として過飽和な酸素が付着および脱離
することによりそれぞれ成長および収縮する。
【００２１】ある時点で存在するＢＭＤが成長するか縮
小・消滅するかは、その時点でのＢＭＤの大きさ、およ
びそのときの温度（および酸素濃度）によって定まる臨
界核半径によってきまる。臨界核半径は温度に依存し、
高温になれば臨界核半径は増大する。ある温度にウェー
ハを保持すると、その温度での臨界核半径よりも既に大
きく成長しているＢＭＤは成長を続け、臨界核半径より
小さい径のＢＭＤは縮小・消滅する。
小・消滅するかは、その時点でのＢＭＤの大きさ、およ
びそのときの温度（および酸素濃度）によって定まる臨
界核半径によってきまる。臨界核半径は温度に依存し、
高温になれば臨界核半径は増大する。ある温度にウェー
ハを保持すると、その温度での臨界核半径よりも既に大
きく成長しているＢＭＤは成長を続け、臨界核半径より
小さい径のＢＭＤは縮小・消滅する。
【００２２】本発明者らは以上の知見に基づきこれをウ
ェーハの製造方法に応用することによってＢＭＤを制御
し、高集積デバイス製造に適したウェーハが製造できる
ことを知得して本発明をなし得たものである。
ェーハの製造方法に応用することによってＢＭＤを制御
し、高集積デバイス製造に適したウェーハが製造できる
ことを知得して本発明をなし得たものである。
【００２３】本発明は通常のチョクラルスキー法で製造
されたシリコンインゴットから製造されるシリコンウェ
ーハで一般的に得ることができる、含有酸素濃度が比較
的高い領域である１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 のウェーハの熱処理に適用される。これより低い
酸素濃度を有するウェーハは前に述べたように本発明の
熱処理を施さなくてもＢＭＤ密度を低くできる。
されたシリコンインゴットから製造されるシリコンウェ
ーハで一般的に得ることができる、含有酸素濃度が比較
的高い領域である１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／
ｃｍ3 のウェーハの熱処理に適用される。これより低い
酸素濃度を有するウェーハは前に述べたように本発明の
熱処理を施さなくてもＢＭＤ密度を低くできる。
【００２４】本発明の熱処理は、１００％不活性ガス雰
囲気中で行われる。１００％不活性ガス雰囲気中で行う
ことは１００％水素ガス雰囲気中と同様に無欠陥層の形
成、酸素の外方拡散のしやすさおよび熱処理の際の面荒
れが生じにくいなどの面から好ましい。
囲気中で行われる。１００％不活性ガス雰囲気中で行う
ことは１００％水素ガス雰囲気中と同様に無欠陥層の形
成、酸素の外方拡散のしやすさおよび熱処理の際の面荒
れが生じにくいなどの面から好ましい。
【００２５】本発明の熱処理は１１００℃〜１３００℃
で行われる。１１００℃以下では本発明による効果が得
られず、１３００℃以上では酸素の外方拡散効果は優れ
ているが、装置の安全性と信頼性に問題がある。
で行われる。１１００℃以下では本発明による効果が得
られず、１３００℃以上では酸素の外方拡散効果は優れ
ているが、装置の安全性と信頼性に問題がある。
【００２６】本発明の熱処理時間は１分間〜４８時間で
ある。１分間未満では本発明の効果が得られず、４８時
間を越えて熱処理を行っても効果の向上は見込めない。
ある。１分間未満では本発明の効果が得られず、４８時
間を越えて熱処理を行っても効果の向上は見込めない。
【００２７】本発明の熱処理過程中、１０００℃以上か
ら熱処理温度に到るまでの温度範囲内では昇温速度を１
５〜１００℃／ｍｉｎで昇温する事が必要である。
ら熱処理温度に到るまでの温度範囲内では昇温速度を１
５〜１００℃／ｍｉｎで昇温する事が必要である。
【００２８】１０００℃以上の領域において昇温速度を
１５℃／ｍｉｎとすることにより、前述した臨界核半径
の増大速度の方を、既に存在するＢＭＤのその温度にお
ける成長速度よりも大きくすることができる。その結
果、臨界核半径が存在するＢＭＤの径より大きくなり、
ＢＭＤは成長せず縮小の方向に向かう。ただし、実際に
は昇温過程の時間は短いので昇温過程中に完全に消滅に
致るものはほとんど存在しない。好ましくは昇温速度は
２０℃／ｍｉｎ以上、さらに好ましくは３０℃／ｍｉｎ
以上である 熱処理温度においては、表面領域では酸素の外方拡散が
進むため、表面近傍のＢＭＤの周りの酸素濃度が低くな
りよりいっそう消滅は進みＤＺ層が形成される。バルク
部でもＢＭＤは縮小の方向に進み、消滅することもあ
る。しかし、バルク部では直接、酸素の外方拡散による
酸素濃度の低下の影響は少なく、また、ＢＭＤの縮小に
よりＢＭＤの周りに融け出した固溶酸素濃度が高くなる
ため完全に消滅するには時間がかかる。
１５℃／ｍｉｎとすることにより、前述した臨界核半径
の増大速度の方を、既に存在するＢＭＤのその温度にお
ける成長速度よりも大きくすることができる。その結
果、臨界核半径が存在するＢＭＤの径より大きくなり、
ＢＭＤは成長せず縮小の方向に向かう。ただし、実際に
は昇温過程の時間は短いので昇温過程中に完全に消滅に
致るものはほとんど存在しない。好ましくは昇温速度は
２０℃／ｍｉｎ以上、さらに好ましくは３０℃／ｍｉｎ
以上である 熱処理温度においては、表面領域では酸素の外方拡散が
進むため、表面近傍のＢＭＤの周りの酸素濃度が低くな
りよりいっそう消滅は進みＤＺ層が形成される。バルク
部でもＢＭＤは縮小の方向に進み、消滅することもあ
る。しかし、バルク部では直接、酸素の外方拡散による
酸素濃度の低下の影響は少なく、また、ＢＭＤの縮小に
よりＢＭＤの周りに融け出した固溶酸素濃度が高くなる
ため完全に消滅するには時間がかかる。
【００２９】降温プロセス中は、すでにＢＭＤの大きさ
および密度ならびに表層部では酸素濃度が小さくなって
いるため降温速度を変化させてもＢＭＤはそれほど成長
しないと考えられる。ただし、降温速度は生産性、ウェ
ーハの品質（スリップ、面荒れ発生の防止）、および使
用する炉の構造上の問題などから２〜３００℃／ｍｉｎ
であることが望ましい。
および密度ならびに表層部では酸素濃度が小さくなって
いるため降温速度を変化させてもＢＭＤはそれほど成長
しないと考えられる。ただし、降温速度は生産性、ウェ
ーハの品質（スリップ、面荒れ発生の防止）、および使
用する炉の構造上の問題などから２〜３００℃／ｍｉｎ
であることが望ましい。
【００３０】このような熱処理を施すことによって、初
期酸素濃度が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 のシリコンウェーハを使用して、ウェーハ表面から１
０μｍ以上の深さにわたって大きさが２０ｎｍ以上のＢ
ＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下であるＤＺ層を有し、か
つ、ＤＺ層より深い領域のバルク部のＢＭＤ密度［ＢＭ
Ｄ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 以上かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘ
ｐ｛９．２１０×１０-1 8 ×［Ｏｉ］＋３．２２４｝で
あるウェーハを製造することができる。
期酸素濃度が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ
3 のシリコンウェーハを使用して、ウェーハ表面から１
０μｍ以上の深さにわたって大きさが２０ｎｍ以上のＢ
ＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下であるＤＺ層を有し、か
つ、ＤＺ層より深い領域のバルク部のＢＭＤ密度［ＢＭ
Ｄ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 以上かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘ
ｐ｛９．２１０×１０-1 8 ×［Ｏｉ］＋３．２２４｝で
あるウェーハを製造することができる。
【００３１】このようなウェーハは図２のグラフ中の領
域Ａ＋Ｂ＋Ｃで示される。
域Ａ＋Ｂ＋Ｃで示される。
【００３２】上述のような初期酸素濃度を有するウェー
ハであって、表層部に良好なＤＺ層を有し、バルク部の
ＢＭＤ密度が上述の範囲内にあるウェーハは従来存在せ
ず、本発明によって初めて提供されるものである。
ハであって、表層部に良好なＤＺ層を有し、バルク部の
ＢＭＤ密度が上述の範囲内にあるウェーハは従来存在せ
ず、本発明によって初めて提供されるものである。
【００３３】より好ましいＢＭＤ密度の範囲としては、
１×１０3 ≦［ＢＭＤ］≦１×１０8 、かつ［ＢＭＤ］
≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏｉ］＋３．２２
４｝個／ｃｍ3 （図２中の領域Ｂ＋Ｃ）であり、さらに
好ましくは［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛５．７５７×１０-18
×［Ｏｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 （図２中の領域
Ｃ）である。
１×１０3 ≦［ＢＭＤ］≦１×１０8 、かつ［ＢＭＤ］
≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏｉ］＋３．２２
４｝個／ｃｍ3 （図２中の領域Ｂ＋Ｃ）であり、さらに
好ましくは［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛５．７５７×１０-18
×［Ｏｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 （図２中の領域
Ｃ）である。
【００３４】このような範囲のＢＭＤ密度を有するウェ
ーハはゲッタリング機能を有し、かつ表層のデバイス活
性層は良好な無欠陥のＤＺ層となり機械的強度も低下し
ないものである。
ーハはゲッタリング機能を有し、かつ表層のデバイス活
性層は良好な無欠陥のＤＺ層となり機械的強度も低下し
ないものである。
【００３５】表層部のＤＺ層中のＢＭＤは実質的に０で
あることが好ましい。ＤＺ層中のＢＭＤを上記のように
規定した理由は、現在の装置のＢＭＤの大きさの検出限
界が２０ｎｍであるからであり、ＢＭＤ密度が１０3 個
／ｃｍ3 を越えるともはや無欠陥とはいえず、製造され
るデバイスの特性に悪影響を及ぼすためである。
あることが好ましい。ＤＺ層中のＢＭＤを上記のように
規定した理由は、現在の装置のＢＭＤの大きさの検出限
界が２０ｎｍであるからであり、ＢＭＤ密度が１０3 個
／ｃｍ3 を越えるともはや無欠陥とはいえず、製造され
るデバイスの特性に悪影響を及ぼすためである。
【００３６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する 使用したウェーハはすべてチョクラルスキー法によって
引き上げられたシリコンインゴットから切り出し、通常
の方法によって製造され、鏡面加工を施したシリコンウ
ェーハを用いた。これらのウェーハは、Ｎタイプ、面方
位（１００）、比抵抗１〜１０００Ω／ｃｍ、初期格子
間酸素濃度［Ｏｉ］は１．４５〜１．７４×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 である。
引き上げられたシリコンインゴットから切り出し、通常
の方法によって製造され、鏡面加工を施したシリコンウ
ェーハを用いた。これらのウェーハは、Ｎタイプ、面方
位（１００）、比抵抗１〜１０００Ω／ｃｍ、初期格子
間酸素濃度［Ｏｉ］は１．４５〜１．７４×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 である。
【００３７】また、使用する炉は断熱性を向上し、加熱
源の発生熱量を多くした。例えば赤外線加熱方式の炉を
使用した。
源の発生熱量を多くした。例えば赤外線加熱方式の炉を
使用した。
【００３８】実施例１ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７２×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を３０℃／ｍ
ｉｎ、降温速度を３００℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を３０℃／ｍ
ｉｎ、降温速度を３００℃／ｍｉｎとした。
【００３９】実施例２ ［Ｏｉ］が１．６１×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のウェ
ーハを使用した以外は実施例１と同一の条件で熱処理を
施した。
ーハを使用した以外は実施例１と同一の条件で熱処理を
施した。
【００４０】実施例３ ［Ｏｉ］が１．５５×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 のウェ
ーハを使用した以外は実施例１と同一の条件で熱処理を
施した。
ーハを使用した以外は実施例１と同一の条件で熱処理を
施した。
【００４１】比較例１ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．５０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を６．３℃／
ｍｉｎ、降温速度を１０℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を６．３℃／
ｍｉｎ、降温速度を１０℃／ｍｉｎとした。
【００４２】比較例２ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６１×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を６．３℃／
ｍｉｎ、降温速度を１０℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を６．３℃／
ｍｉｎ、降温速度を１０℃／ｍｉｎとした。
【００４３】比較例３ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を３．８℃／
ｍｉｎ、降温速度を３．８℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を３．８℃／
ｍｉｎ、降温速度を３．８℃／ｍｉｎとした。
【００４４】比較例４ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．４５×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を８．５℃／
ｍｉｎ、降温速度を３．８℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を８．５℃／
ｍｉｎ、降温速度を３．８℃／ｍｉｎとした。
【００４５】比較例５ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．５０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
【００４６】比較例６ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．５６×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
【００４７】比較例７ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．６０×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
【００４８】比較例８ 前記ウェーハのうち、［Ｏｉ］が１．７４×１０18ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
ｏｍｓ／ｃｍ3 のウェーハを１００％アルゴンガス雰囲
気中、１２００℃で１時間熱処理を行った。ただし、１
０００℃から１２００℃の範囲の昇温速度を２〜３℃／
ｍｉｎ、降温速度を２〜３℃／ｍｉｎとした。
【００４９】これらの実施例および比較例の熱処理を行
ったウェーハを断面（（１１０）面）から赤外線トモグ
ラフ法により生成したＢＭＤの密度を測定した。使用し
た赤外線トモグラフ法における、検出可能なＢＭＤ最小
サイズは２０ｎｍである。この方法は測定領域によりＢ
ＭＤ密度の検出限界が異なる。本測定ではウェーハ表面
上で４×２００μｍ、深さ１８５μｍの直方体形状の領
域で測定を行った。この場合のＢＭＤ密度の測定限界は
６．８×１０6 個／ｃｍ3 である。このような条件では
本発明で規定する、大きさ２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０
3 個／ｃｍ3 以下のＤＺ層の厚さは典型的視野で初めて
ＢＭＤが検出される表面からの深さに相当する。
ったウェーハを断面（（１１０）面）から赤外線トモグ
ラフ法により生成したＢＭＤの密度を測定した。使用し
た赤外線トモグラフ法における、検出可能なＢＭＤ最小
サイズは２０ｎｍである。この方法は測定領域によりＢ
ＭＤ密度の検出限界が異なる。本測定ではウェーハ表面
上で４×２００μｍ、深さ１８５μｍの直方体形状の領
域で測定を行った。この場合のＢＭＤ密度の測定限界は
６．８×１０6 個／ｃｍ3 である。このような条件では
本発明で規定する、大きさ２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０
3 個／ｃｍ3 以下のＤＺ層の厚さは典型的視野で初めて
ＢＭＤが検出される表面からの深さに相当する。
【００５０】測定結果を熱処理条件と併せて表１、表２
に示す。また、図２にウェーハの初期酸素濃度とＢＭＤ
密度の関係をグラフにしたものを示す。
に示す。また、図２にウェーハの初期酸素濃度とＢＭＤ
密度の関係をグラフにしたものを示す。
【００５１】
【表１】
【表２】 表１、表２および図２から明らかなように、本発明の熱
処理を施したウェーハは初期酸素濃度［Ｏｉ］が高いも
のであっても良好なＤＺ層が形成され、更にバルク部に
形成されるＢＭＤを低密度とすることができる。すなわ
ち、表面から少なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大
きさが２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下で
ある無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出
物密度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ
3 、かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×
［Ｏｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 であるウェーハを製
造することができる。
処理を施したウェーハは初期酸素濃度［Ｏｉ］が高いも
のであっても良好なＤＺ層が形成され、更にバルク部に
形成されるＢＭＤを低密度とすることができる。すなわ
ち、表面から少なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大
きさが２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下で
ある無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出
物密度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ
3 、かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×
［Ｏｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 であるウェーハを製
造することができる。
【００５２】これに対し、比較例から理解されるよう
に、本発明の範囲外の条件で熱処理を行ったウェーハは
初期酸素濃度が高いほど形成されるＢＭＤも多いことが
わかる。比較例２〜３および７、８では無欠陥層は形成
されるもののウェーハ内部のバルク部にＢＭＤが多量に
形成されてしまい、表面の無欠陥層近傍にも多くのＢＭ
Ｄが形成されてしまう。結果としてウェーハ表面のデバ
イス活性層に近い部分にＢＭＤが存在することになるの
で製造されるデバイスの特性に悪影響を及ぼす。また、
ウェーハの機械的強度も低下する。
に、本発明の範囲外の条件で熱処理を行ったウェーハは
初期酸素濃度が高いほど形成されるＢＭＤも多いことが
わかる。比較例２〜３および７、８では無欠陥層は形成
されるもののウェーハ内部のバルク部にＢＭＤが多量に
形成されてしまい、表面の無欠陥層近傍にも多くのＢＭ
Ｄが形成されてしまう。結果としてウェーハ表面のデバ
イス活性層に近い部分にＢＭＤが存在することになるの
で製造されるデバイスの特性に悪影響を及ぼす。また、
ウェーハの機械的強度も低下する。
【００５３】また、本発明のウェーハは、上記のように
構成されているのでデバイス活性層が無欠陥となり、活
性層近傍のＢＭＤが少ないので、良好な特性を有するデ
バイスを歩留まりよく製造することができる。
構成されているのでデバイス活性層が無欠陥となり、活
性層近傍のＢＭＤが少ないので、良好な特性を有するデ
バイスを歩留まりよく製造することができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明により初期酸素濃度の高いウェー
ハでも形成されるＢＭＤ密度を低くできるので、良好な
特性を有する高集積デバイスを歩留まりよく製造するこ
とができる。また、そのようなウェーハを提供すること
ができる。また、高酸素濃度のウェーハでも高集積デバ
イスの製造に適するウェーハとすることができるのでウ
ェーハの歩留まりも向上することができる。
ハでも形成されるＢＭＤ密度を低くできるので、良好な
特性を有する高集積デバイスを歩留まりよく製造するこ
とができる。また、そのようなウェーハを提供すること
ができる。また、高酸素濃度のウェーハでも高集積デバ
イスの製造に適するウェーハとすることができるのでウ
ェーハの歩留まりも向上することができる。
【図１】従来の熱処理の温度プロセスを示す図。
【図２】ウェーハの初期酸素濃度と熱処理後のＢＭＤ密
度の関係を示す図。
度の関係を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿島 一日児 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内 (72)発明者 桐野 好生 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社開発研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法により製造された単
結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
［Ｏｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理
温度を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜
４８時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温
度範囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの
条件で熱処理を施すことによって、ウェーハ表面から少
なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大きさが２０ｎｍ
以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下である無欠陥層を
有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密度［ＢＭ
Ｄ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、かつ［Ｂ
ＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18 ×［Ｏｉ］＋
３．２２４｝個／ｃｍ3 であるウェーハを製造すること
を特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 【請求項２】 チョクラルスキー法により製造された単
結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度
［Ｏｉ］が１．５〜１．８×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理
温度を１１００℃〜１３００℃、熱処理時間を１分間〜
４８時間、熱処理過程中１０００℃から１３００℃の温
度範囲内における昇温速度を１５〜１００℃／ｍｉｎの
条件で熱処理を施すことによって製造された、ウェーハ
表面から少なくとも深さ１０μｍ以上にわたって大きさ
が２０ｎｍ以上のＢＭＤが１０3 個／ｃｍ3 以下である
無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密
度［ＢＭＤ］が、［ＢＭＤ］≧１×１０3 個／ｃｍ3 、
かつ［ＢＭＤ］≦ｅｘｐ｛９．２１０×１０-18×［Ｏ
ｉ］＋３．２２４｝個／ｃｍ3 であることを特徴とする
シリコンウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22976694A JP3294723B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22976694A JP3294723B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897222A true JPH0897222A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3294723B2 JP3294723B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=16897344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22976694A Expired - Lifetime JP3294723B2 (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3294723B2 (ja) |
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1994
- 1994-09-26 JP JP22976694A patent/JP3294723B2/ja not_active Expired - Lifetime
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