JP7066528B2 - 配線回路基板、その製造方法および配線回路シート - Google Patents

Description

本発明は、配線回路基板、その製造方法および配線回路シートに関する。

従来、平坦形状のベース部およびベース部の下面から下方に延びる櫛歯状のフィンを備える金属製ヒートシンクのベース部の上面に樹脂製の基板を配置し、かかる基板の上面に発熱素子を設けた放熱構造が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。

特開昭５５－１４０２５５号公報

しかるに、ヒートシンクには高い耐腐食性（防錆性）が求められる。そのため、ヒートシンクの下面および側面に防錆層をウエットプロセスで形成することが試案される。

しかし、ヒートシンクのベース部の上面の周端縁と、基板の下面の周端縁との間には、微小な隙間が形成され易い。そして、防錆層をウエットプロセスで形成するときに、防錆成分を含む液は、上記した隙間に十分に進入できず、そのため、隙間に臨むベース部の上面の周端縁には、防錆層が形成されず、露出したままとなってしまう。そのため、ヒートシンクの上記した周端縁が腐食（錆）するという不具合がある。

本発明は、耐腐食性に優れる支持金属層を有する配線回路基板、その製造方法、および、配線回路基板を製造するための配線回路シートを提供する。

本発明（１）は、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属層と、前記支持金属層の少なくとも厚み方向一方側に配置される絶縁層と、前記絶縁層の表面に配置される配線層と、前記支持金属層と前記絶縁層との間において、前記支持金属層の表面全面に配置される保護金属膜と、前記支持金属層において前記保護金属膜から露出する露出面に配置される保護薄膜とを備えるとを備える、配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、保護金属膜が、支持金属層と絶縁層との間において、支持金属層の表面に配置されている。そのため、保護薄膜をウエットプロセスで形成するときに、上記した「発明が解決しようとする課題」で記載した隙間に液が進入しないことに起因する、支持金属層の表面の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。さらに、保護薄膜は、支持金属層において保護金属膜から露出する露出面にも配置されている。

従って、支持金属層は、耐腐食性に優れる。

本発明（２）は、互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線体を備え、前記複数の配線体のそれぞれは、前記支持金属層と、前記絶縁層と、前記配線層と、前記保護金属膜と、前記保護薄膜とを備える、（１）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板の配線体における支持金属層は、耐腐食性に優れる。

さらに、この配線回路基板では、配線体が互いに間隔を隔てて並列配置されることから、配線層で生じる熱を、複数の配線体間の空気を介して、対流させ、効率的な放熱を図ることができる。

本発明（３）は、前記保護薄膜が、めっき膜である、（１）または（２）に記載の配線回路基板を含む。

この配線回路基板では、保護薄膜が、めっき膜であれば、硬質のめっき膜が支持金属層の露出面を確実に保護することができる。そのため、めっき膜によって、支持金属層の耐腐食性を向上させることができる。

本発明（４）は、（２）または（３）に記載の配線回路基板を製造する方法であり、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属シートを準備する工程と、前記保護金属膜と、前記保護金属膜と間隔を隔てられ、第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜とを、前記支持金属シートの厚み方向一方面に、同一の金属薄膜から形成する工程と、前記絶縁層を前記保護金属膜の厚み方向一方面に配置する工程と、前記配線層を前記絶縁層の前記厚み方向一方面に配置する工程と、厚み方向に投影したときに前記第１開口部を含み、かつ、前記第１開口部の内端縁が厚み方向他方側に向かって露出するように、第２開口部を前記支持金属シートに形成する工程と、前記内端縁を位置決め基準として、エッチングレジストを、前記支持金属シートの厚み方向一方面および他方面に、厚み方向に投影したときに前記支持金属層と略同一パターンを有するように配置する工程と、前記エッチングレジストから露出する前記支持金属シートを、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、前記支持金属層を形成する工程と、前記保護薄膜を前記支持金属層の前記露出面にウエットプロセスで形成する工程とを備える、配線回路基板の製造方法を含む。

この配線回路基板の製造方法では、アラインメントマーク金属膜の第１開口部の内端縁を位置決め基準として、エッチングレジストを、支持金属シートの厚み方向一方面および他方面に、厚み方向に投影したときに支持金属層と略同一パターンを有するように配置するので、エッチングレジストの位置精度が高い。そのため、エッチングレジストから露出する支持金属シートを、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、短時間で、支持金属層を高い精度で形成することができる。

しかも、保護金属膜とアラインメントマーク金属膜とを同一の金属薄膜から同時に形成できるので、製造工程数を削減することができる。

本発明（５）は、（２）または（３）に記載の配線回路基板を製造するための配線回路シートであり、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、第２開口部を有する支持金属シートと、前記支持金属シートの少なくとも厚み方向一方側に配置される前記絶縁層と、前記配線層と、前記絶縁層と前記支持金属シートとの間において前記第２開口部と間隔を隔てて配置される前記保護金属膜と、前記支持金属シートの厚み方向一方面に配置されており、厚み方向に投影したときに前記第２開口部に含まれる第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜であって、前記第１開口部の内端縁が前記第２開口部を介して厚み方向他方側に向かって露出する前記アラインメントマーク金属膜とを備える、配線回路シートを含む。

この配線回路シートは、第１開口部を有するアラインメントマーク金属膜を備えるので、第１開口部の内端縁を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準にすることができる。

本発明の配線回路基板では、支持金属層は、耐腐食性に優れる。

本発明の配線回路基板の製造方法は、支持金属層を高い精度で形成することができる。

本発明の配線回路シートは、第１開口部の内端縁を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準にすることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の第１実施形態の断面図を示す。 図２Ａ～図２Ｃは、図１に示す配線回路基板の製造方法の工程図であり、図２Ａが、支持金属層を準備する工程、図２Ｂが、保護金属膜を配置する工程、図２Ｃが、ベース絶縁層を配置する工程を示す。 図３Ｄ～図３Ｆは、図２Ｃに引き続き、図１に示す配線回路基板の製造方法の工程図であり、図３Ｄが、配線層を配置する工程、図３Ｅが、カバー絶縁層を配置する工程、図３Ｆが、めっき膜を配置する工程を示す。 図４は、保護金属膜を備えない比較例１の配線回路基板の第１方向両端部の断面図を示す。 図５は、図２に示す配線回路基板の変形例の断面図を示す。 図６は、本発明の配線回路基板の第２実施形態の平面図を示す。 図７は、図６に示す配線回路基板のＸ－Ｘ線に沿う拡大断面図を示す。 図８Ａ～図８Ｆは、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図８Ａが、支持金属シートを準備する工程図８Ｂが、金属薄膜を配置する工程、図８Ｃが、ベース絶縁層を配置する工程、図８Ｄが、配線層を配置する工程、図８Ｅが、保護金属膜およびアラインメントマーク金属膜を形成する工程、図８Ｆが、カバー絶縁部を配置する工程を示す。 図９Ｇ～図９Ｊは、図８Ｆに引き続き、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図９Ｇが、エッチングレジストを配置する工程、図９Ｈが、第２開口部を形成する工程、図９Ｉが、エッチングレジストを除去する工程、図９Ｊが、第１および第２ドライフィルムレジストを準備し、これらに第１および第２フォトマスクを配置し、これらを介して第１および第２ドライフィルムレジストを露光する工程を示す。 図１０Ｋ～図１０Ｎは、図９Ｊに引き続き、図７に示す配線回路基板の製造工程図であり、図１０Ｋが、第１および第２エッチングレジストを形成する工程、図１０Ｌが、支持金属シートをエッチングする工程、図１０Ｍが、第１および第２エッチングレジストを除去する工程、図１０Ｎが、めっき膜を形成する工程を示す。 図１１は、保護金属膜を備えない比較例２の配線回路基板の配線体の断面図を示す。

＜第１実施形態＞
本発明の配線回路基板の第１実施形態を、図１を参照して説明する。

この配線回路基板１は、厚み方向に対向する厚み方向一方面および他方面を有しており、厚み方向に直交する面方向に延びる形状を有する。この配線回路基板１は、支持金属層２と、保護金属膜３と、保護薄膜の一例としてのめっき膜４と、絶縁層の一例としてのベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とを備える。好ましくは、配線回路基板１は、支持金属層２と、保護金属膜３と、めっき膜４と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とのみを備える。

支持金属層２は、配線回路基板１を支持しつつ、配線層６からの熱を外部に拡散するヒートシンクである。支持金属層２は、断面略櫛形状を有する。支持金属層２は、基部８と、突出部９とを一体的に備える。基部８は、面方向に延びる略平板形状を有する。突出部９は、基部８の厚み方向他方面から厚み方向他方側に向かって延びる。突出部９は、第１方向（面方向に含まれる方向であって、後述する配線層６の並列方向に相当）に互いに間隔を隔てて複数並列配置されている。支持金属層２は、厚み方向一方面である第１支持面１０と、厚み方向他方面である第２支持面１１と、側面である支持側面１２とを一体的に有する。

第１支持面１０は、面方向に沿う平坦面である。第１支持面１０は、基部８の厚み方向一方面である。

第２支持面１１は、第１支持面１０の厚み方向他方側に間隔を隔てて配置されている。第２支持面１１は、突出部９に対応する凹凸面である。

支持側面１２は、第１支持面１０の周端縁と、第２支持面１１の周端縁とを連結する連結面である。また、支持側面１２は、支持金属層２の外周側面である。支持側面１２は、厚み方向に沿う平坦面である。

第１支持面１０、第２支持面１１および支持側面１２は、支持金属層２の表面を形成している。

支持金属層２の熱伝導率は、５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。支持金属層２の熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ未満であれば、支持金属層２が配線層６で生じた熱を、厚み方向他方側に向かって効率的に放出することができない。

また、支持金属層２の熱伝導率は、好ましくは、１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには、１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、７５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上が好適である。また、支持金属層２の熱伝導率は、例えば、１００００Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。支持金属層２の熱伝導率が上記した下限以上であれば、支持金属層２が配線層６で生じた熱を、厚み方向他方側に向かって効率的に放出することができる。金属支持層６の熱伝導率は、ＪＩＳ Ｈ ７９０３：２００８（有効熱伝導率測定法）によって求められる。

支持金属層２の材料としては、例えば、熱伝導性に優れる金属が挙げられる。また、支持金属層２の材料としては、後で詳説する保護金属膜３およびめっき膜４によって支持金属層２が保護（防錆加工）されることから、耐腐食性が低い金属でも許容される。具体的には、支持金属層２の材料としては、例えば、銅、銀、鉄、アルミニウム、クロム、それらの合金などの金属が挙げられる。好ましくは、良好な熱伝導性を得る観点から、銅、銅合金などの銅を含む金属が挙げられる。なお、基部８および突出部９の材料は、同一である。

支持金属層２の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定される。基部８の厚みは、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下である。突出部９の、基部８の厚み方向他方面からの突出長さ（厚み方向長さ）は、例えば、１００μｍ以上であり、また、例えば、１００ｍｍ以下である。

保護金属膜３は、支持金属層２と次に説明するベース絶縁層５との間において、支持金属層２の表面全面に配置されている。具体的には、保護金属膜３は、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。つまり、保護金属膜３は、第１支持面１０の全てを被覆している。

保護金属膜３は、例えば、スパッタリング薄膜、めっき薄膜などであって、好ましくは、スパッタリング薄膜である。保護金属膜３の形成方法は、後述する。

保護金属膜３の材料としては、耐腐食性に優れる金属が挙げられる。具体的には、保護金属膜３の材料は、例えば、クロム、ニッケル、これらの合金などの金属が挙げられる。また、金属は、上記した金属酸化物を含んでもよく、例えば、酸化クロムなども挙げられる。好ましくは、クロムが挙げられる。

保護金属膜３の厚みは、例えば、面方向にわたって略同一長さである。保護金属膜３の厚みは、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、２０ｎｍ以上、さらに好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、１００００ｎｍ以下、好ましくは、１０００ｎｍ以下、より好ましくは、５００ｎｍ以下である。

めっき膜４は、支持金属層２において保護金属膜３から露出する露出面の一例である第２支持面１１および支持側面１２の耐腐食性を向上させる耐腐食性付与層（防錆層）である。めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１と、支持側面１２とに配置されている。具体的には、めっき膜４は、第２支持面１１と、支持側面１２とに連続して接触して、これらの面を被覆している。めっき膜４は、第２支持面１１の凹凸面に追従して形成される。

そのため、支持金属層２の表面の全ては、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。つまり、支持金属層２の第１支持面１０は、保護金属膜３によって保護され、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、めっき膜４によって保護されている。

めっき膜４は、後述するめっきによって形成される層である。

めっき膜４は、単層または複層のいずれであってもよい。好ましくは、めっき膜４は、第２支持面１１および支持側面１２に順に形成される第１めっき膜および第２めっき膜を有する。

めっき膜４の材料としては、例えば、ニッケル、金、これらの合金などの耐腐食性金属（防錆金属）が挙げられる。また、めっき膜４が第１めっき膜および第２めっき膜を有する場合には、好ましくは、第１めっき膜の材料がニッケルであり、第２めっき膜の材料が金である。

めっき膜４の厚みは、特に限定されず、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、１０ｎｍ以上、より好ましくは、１００ｎｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

ベース絶縁層５は、配線層６と保護金属膜３との絶縁、ひいては、配線層６と支持金属層２との絶縁を図る絶縁層である。

ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面に配置されている。具体的には、ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面全面に接触している。また、ベース絶縁層５は、支持金属層２の厚み方向一方側に間隔（保護金属膜３が形成される間隔）を隔てて隣接配置されている。ベース絶縁層５は、面方向に沿って延びるシート形状を有する。

ベース絶縁層５の材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などの絶縁性樹脂などが挙げられる。また、ベース絶縁層５の材料は、透明性を有する透明性樹脂を含む。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂などが挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂などが挙げられる。好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられ、より好ましくは、熱硬化性ポリイミド樹脂が挙げられる。

配線層６は、例えば、電気信号を伝送する。

配線層６は、ベース絶縁層５の表面の一例としての厚み方向一方面に配置されている。配線層６は、第１方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。また、配線層６は、第２方向（面方向に含まれる方向であって、第１方向および厚み方向に直交する方向。図１における紙面奥行き方向。）に延びており、配線層６の第２方向両端縁には、図示しない端子が連続する。

配線層６の材料としては、例えば、銅、銀、金、鉄、アルミニウム、クロム、それらの合金などが挙げられる。好ましくは、良好な電気特性を得る観点から、銅が挙げられる。

配線層６の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３μｍ以下である。配線層６の幅および間隔は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

カバー絶縁層７は、配線層６の表面を保護する絶縁層である。カバー絶縁層７は、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に、配線層６を被覆するように、配置されている。詳しくは、カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面と、配線層６の周囲におけるベース絶縁層５の厚み方向一方面とに接触している。カバー絶縁層７の材料は、ベース絶縁層５の材料と同様である。カバー絶縁層７の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

次に、配線回路基板１を製造する方法を、図２Ａ～図３Ｆを参照して説明する。

配線回路基板１の製造方法は、支持金属層２を準備する工程（図２Ａ参照）、保護金属膜３を配置する工程（図２Ｂ参照）、ベース絶縁層５を配置する工程（図２Ｃ参照）、配線層６を配置する工程（図３Ｄ参照）、カバー絶縁層７を配置する工程（図３Ｅ参照）、および、めっき膜４を配置する工程（図３Ｆ参照）を含む。この製造方法では、上記した工程を上記した順に実施する。

図２Ａに示すように、支持金属層２を準備する工程では、例えば、厚肉の板部材を準備し、続いて、突出部９が形成されるように外形加工して、基部８および突出部９を備えるる支持金属層２を形成する。

図２Ｂに示すように、次いで、保護金属膜３を配置する工程では、例えば、ドライプロセス、ウエットプロセスなどの金属薄膜形成方法が用いられる。ドライプロセスとしては、例えば、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着などが挙げられる。ウエットプロセスとしては、例えば、めっきなどが挙げられる。これらは、単独使用または併用することができる。好ましくは、ドライプロセス、より好ましくは、スパッタリングが挙げられる。

上記した金属薄膜形成方法により、保護金属膜３を、支持金属層２の第１支持面１０全面に形成する。なお、上記した金属薄膜形成方法によっても、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、保護金属膜３が形成されず、露出されたままである。

図２Ｃに示すように、次いで、ベース絶縁層５を配置する工程では、例えば、まず、上記した絶縁性樹脂を保護金属膜３の厚み方向一方面に塗布して乾燥し、皮膜を形成し、その後、必要により、加熱する。また、絶縁性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、上記した塗布および乾燥により、Ｂステージの皮膜を形成し、続いて、加熱によりＣステージ化する。

図３Ｄに示すように、次いで、配線層６を配置する工程では、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの配線形成方法が用いられる。

図３Ｅに示すように、次いで、カバー絶縁層７を配置する工程では、例えば、まず、上記した絶縁性樹脂を保護金属膜３の厚み方向一方面に塗布および乾燥して、皮膜を形成し、その後、必要により、加熱する。

これにより、支持金属層２、保護金属膜３、ベース絶縁層５、配線層６およびカバー絶縁層７を備えるめっき準備体２２を作製する。

図３Ｆに示すように、その後、めっき膜４を配置する工程では、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２をめっきして、第２支持面１１および支持側面１２にめっき膜４を形成する。

めっきとしては、例えば、電解めっき、無電解めっきが挙げられる。好ましくは、無電解めっきが挙げられる。

具体的には、めっき準備体２２を、めっき浴（めっき液）に浸漬する。

めっき液は、上記した耐腐食性金属および／またはそのイオンを含有する。上記した各成分の配合比、めっき条件などは、適宜設定される。

めっきでは、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２から、耐腐食性金属（めっき）が成長することにより、めっき膜４が形成される。

これにより、配線回路基板１が得られる。

そして、図４の比較例１で示すように、配線回路基板１が保護金属膜３（図１参照）を備えず、ベース絶縁層５の厚み方向他方面が支持金属層２の第１支持面１０に隣接する場合には、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁と、第１支持面１０の周端縁との間に微小な隙間１９が形成され易い。すると、図３Ｆが参照されるような、支持金属層２の支持側面１２へのめっきにおいて、めっき液が隙間１９に十分に進入できず、そのため、第１支持面１０において隙間１９に臨む周端縁には、めっき膜４（めっき）が形成されず、露出したままとなってしまう。そうすると、かかる第１支持面１０の周端縁が腐食の起点となり、ひいては、支持金属層２全体が腐食する。

しかし、図１に示すように、第１実施形態の配線回路基板１では、保護金属膜３が、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。そのため、図３Ｆに示すように、めっき膜４をめっきで形成するときに、上記した隙間１９にめっき液が進入しなくとも、支持金属層２の第１支持面１０の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。

さらに、めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１と、支持側面１２とにも配置されている。

従って、支持金属層２は、耐腐食性に優れる。

このような配線回路基板１の用途は、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。電子機器用配線回路基板および電気機器用配線回路基板としては、例えば、位置情報センサー、障害物検知センサー、温度センサーなどのセンサーで用いられるセンサー用配線回路基板、例えば、自動車、電車、航空機、工作車両などの輸送車両で用いられる輸送車両用配線回路基板、例えば、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、投影型映像機器などの映像機器で用いられる映像機器用配線回路基板、例えば、ネットワーク機器、大型通信機器などの通信中継機器で用いられる通信中継機器用配線回路基板、例えば、コンピュータ、タブレット、スマートフォン、家庭用ゲームなどの情報処理端末で用いられる情報処理端末用配線回路基板、例えば、ドローン、ロボットなどの可動型機器で用いられる可動型機器用配線回路基板、例えば、ウェアラブル型医療用装置、医療診断用装置などの医療機器で用いられる医療機器用配線回路基板、例えば、冷蔵庫、洗濯機、掃除機、空調機器などの電気機器で用いられる電気機器用配線回路基板、例えば、デジタルカメラ、ＤＶＤ録画装置などの録画電子機器で用いられる録画電子機器用配線回路基板などが挙げられる。

変形例
以下の各変形例において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。

図１に示す配線回路基板１では、本発明の保護薄膜の一例としてめっき膜４を挙げているが、例えば、有機系材料からなる樹脂保護薄膜であってもよい。有機系材料としては、例えば、エポキシ系ポリマー、アクリル系ポリマー、ウレタン系ポリマーなどのポリマー（樹脂）が挙げられる。

また、第１実施形態では、支持金属層２は、突出部９を有するが、例えば、図示しないが、突出部９を備えず、基部８のみから形成されていてもよい。この場合には、支持金属層２は、断面略矩形状であり、第２支持面は、第１支持面１０に平行する平坦面である。

また、第１実施形態では、保護薄膜の一例であるめっき膜４を、めっきにより形成しているが、例えば、保護薄膜（具体的には、樹脂保護薄膜）を、めっき以外のウエットプロセスで形成することができる。

好ましくは、保護薄膜は、めっき膜４である。保護薄膜が、めっき膜であれば、硬質のめっき膜４が支持金属層２の露出面を確実に密着することができる。そのため、めっき膜４によって、支持金属層２の耐腐食性を向上させることができる。

また、保護薄膜に関し、支持金属層２の露出面（第２支持面１１および支持側面１２）を保護できれば、作用の観点から、耐腐食性付与層（防錆層）に限定されず、例えば、コーティング剤（防錆コーティング剤）、耐摩耗層、耐薬品層、耐候性層、マーキング付与層、静電気対策層であってもよい。

また、第１実施形態では、図１に示すように、絶縁層（ベース絶縁層５）は、支持金属層２の厚み方向一方側のみに配置さているが、支持金属層２の少なくとも厚み方向一方側に配置されていればよく、図５に示すように、例えば、支持金属層２の厚み方向一方側および他方側の両側に絶縁層（ベース絶縁層５および次に説明する第２ベース絶縁層３６）が配置されていてもよい。

図５に示すように、この変形例では、支持金属層２の厚み方向両側に絶縁層が配置される配線回路基板１は、上記した各層に加え、さらに、第２保護金属膜３５と、第２ベース絶縁層３６と、第２配線層３７と、第２カバー絶縁層３８とを備える。

第２保護金属膜３５は、支持金属層２の第２支持面１１のうち、配線層６と厚み方向に対向する突出部９における第２支持面１１全面に配置されている。なお、配線層６と厚み方向に対向する突出部９における第２支持面１１全面には、めっき膜４が形成されておらず、第２保護金属膜３５が形成されている。第２保護金属膜３５の材料、寸法などは、保護金属膜３のそれらと同様である。

支持金属層２の表面の全ては、第２保護金属膜３５、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。

第２ベース絶縁層３６は、第２保護金属膜３５の厚み方向他方面に配置されている。これにより、第２ベース絶縁層３６は、支持金属層２の厚み方向他方側に第２保護金属膜３５を介して配置されている。第２保護金属膜３５は、突出部９と第２ベース絶縁層３６との間において、上記した突出部９の第２支持面１１全面に配置される。第２ベース絶縁層３６の第１方向長さ（幅）は、突出部９のそれと同様である。第２ベース絶縁層３６の材料、厚みなどは、ベース絶縁層５のそれらと同様である。

第２配線層３７は、第２ベース絶縁層３６の表面の一例としての厚み方向他方面に配置されている。第２配線層３７の第１方向長さ（幅）は、配線層６で例示した範囲から適宜選択される。第２配線層３７の材料、厚みなどは、配線層６のそれらと同様である。

第２カバー絶縁層３８は、第２ベース絶縁層３６の厚み方向他方面に、第２配線層３７を被覆するように、配置されている。第２カバー絶縁層３８の材料、厚みなどは、カバー絶縁層７のそれらと同様である。

図５に示す配線回路基板１を製造するには、例えば、支持金属層２を準備し、次いで、保護金属膜３および第２保護金属膜３５を配置し、次いで、ベース絶縁層５および第２ベース絶縁層３６を配置し、次いで、配線層６および第２配線層３７を配置し、次いで、カバー絶縁層７および第２カバー絶縁層３８を配置し、その後、めっき膜４を配置する。

第２保護金属膜３５を配置するには、例えば、まず、支持側面１２と、第２保護金属膜３５を形成しない第２支持面１１とをマスクした後、マスクから露出する第２支持面１１に第２保護金属膜３５を形成する。その後、マスクを除去する。なお、第２保護金属膜３５は、保護金属膜３と同時に形成することができる。

そして、この配線回路基板１では、第２保護金属膜３５が、支持金属層２の上記した突出部９における第２支持面１１全面に配置されている。そのため、めっき膜４をめっきで形成するときに、上記した隙間にめっき液が進入しなくとも、突出部９の第２支持面１１の周端縁の露出を防止することができ、その結果、上記した腐食を抑制することができる。

さらに、めっき膜４は、支持金属層２の支持側面１２と、第２保護金属膜３５から露出する第２支持面１１とにも配置されている。

従って、支持金属層２は、耐腐食性に優れる。

＜第２実施形態＞
本発明の配線回路基板およびその製造方法の第２実施形態を、図６～図１０Ｎを参照して、説明する。

なお、以下の第２実施形態において、上記した第１実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、第２実施形態は、特記する以外、第１実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１実施形態および第２実施形態を適宜組み合わせることができる。

図６に示すように、配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０に複数備えられる。

配線回路基板集合体シート２０は、厚み方向一方面および他方面を有しており、厚み方向に直交する面方向（第１方向および第２方向を含む方向）に延びる略矩形シート形状を有する。

配線回路基板集合体シート２０は、複数の配線回路基板１と、複数のアラインメントマーク２１とを備える集合体シートである。また、図７に示すように、配線回路基板集合体シート２０は、上記した支持金属層２、保護金属膜３、めっき膜４、ベース絶縁層５、配線層６およびカバー絶縁層７を備える。

配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０において互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。配線回路基板１は、配線回路基板集合体シート２０において、配線回路基板１の周囲の配線回路基板集合体シート２０に対して、図示しないジョイントによって連結されている。配線回路基板１は、第２方向に長く延びる形状を有する。配線回路基板１は、第２方向に間隔を隔てて配置される２つの連結体２３と、配線体２４とを一体的に備える。

連結体２３は、配線回路基板１の第２方向両端部を形成する。連結体２３は、第１方向にやや長い平面視略矩形平板形状を有する。連結体２３は、端子部３４を備える。各連結体２３において、端子部３４は、第１方向に間隔を隔てて並列配置されている。各端子部３４は、平面視略矩形（ランド）形状を有する。

配線体２４は、配線回路基板１の第２方向中間部を形成する。配線体２４は、平面視において、２つの連結体２３の間に配置されている。配線体２４は、第２方向に延びる形状を有する。配線体２４は、２つの連結体２３を第２方向に架橋している。また、配線体２４は、第１方向において互いに間隔を隔てて複数並列配置されている。複数の配線体２４の第２方向両端部のそれぞれは、２つの第１連結体２のそれぞれによって第２方向に連結されている。

また、隣接する配線体２４間には、開口部２５が形成されている。開口部２５は、例えば、第１方向に配線体２４を隔てて複数並列して形成されている。複数の開口部２５のそれぞれは、第２方向に延びる形状を有し、配線回路基板１を厚み方向に貫通している。配線体２４および開口部２５は、第２方向において交互に配列されている。

複数の配線体２４のそれぞれの第１方向長さ（幅）は、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、３００μｍ以下、より好ましくは、１００μｍ以下であり、また、例えば、１０μｍ以上である。複数の開口部２５のそれぞれの第１方向長さ（幅）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下である。配線体２４の第１方向長さの、開口部２５の第１方向長さに対する比は、例えば、４０以下、好ましくは、１０以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．５以上である。

アラインメントマーク２１は、４つの隅部のそれぞれに配置されている。複数のアラインメントマーク２１のそれぞれは、平面視略円形状を有する。

配線体およびアラインメントマークの層構成
配線体２４およびアラインメントマーク２１のそれぞれの詳細を、図７を参照して説明する。一方、連結体２３については、簡単に説明する。

複数の配線体２４のそれぞれは、支持金属層２と、保護金属膜３と、めっき膜４と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７とを互いに独立して備える。

配線体２４において、支持金属層２は、配線体２４を支持しつつ、配線層６からの熱を外部に拡散するヒートシンクである。支持金属層２は、断面視略矩形状を有する。支持金属層２は、第１支持面１０と第２支持面１１と支持側面１２とを一体的に有する。第２支持面１１は、第１支持面１０に平行する平坦面である。配線体２４における第１支持面１０と第２支持面１１と支持側面１２とは、配線体２４における支持金属層２の表面を形成している。

配線体２４における支持金属層２の厚みは、後述する支持金属シート４２を厚み方向両側からエッチングすることにより形成されることから、比較的厚いことが許容される。支持金属層２の厚みは、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上、好ましくは、２５０μｍ以上、好ましくは、５００μｍ以上、好ましくは、１０００μｍ以上であり、また、例えば、１０ｍｍ以下である。また、支持金属層２の厚みの、幅に対する比（アスペクト比）は、例えば、２以上、好ましくは、２．５以上、より好ましくは、３以上、さらに好ましくは、３．５以上であり、また、例えば、１０００以下である。

支持金属層２の第１方向長さ（幅）は、上記した配線体２４の第１方向長さで例示した範囲から適宜選択され、具体的には、配線体２４の第１方向長さと同一である。

配線体２４において、保護金属膜３は、支持金属層２とベース絶縁層５との間において、支持金属層２の表面全面に配置されている。具体的には、保護金属膜３は、配線体２４において、支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。つまり、保護金属膜３は、支持金属層２の第１支持面１０の全てを被覆している。

配線体２４において、めっき膜４は、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２の耐腐食性を向上させる耐腐食性付与層（防錆層）である。めっき膜４は、支持金属層２から露出する露出面の一例としての第２支持面１１と支持側面１２とに配置されている。めっき膜４は、配線体２４において、厚み方向一方側に向かって開く断面略コ字形状を有する。

そのため、配線体２４における支持金属層２の表面の全ては、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。つまり、配線体２４における支持金属層２の第１支持面１０は、保護金属膜３によって保護され、配線体２４における支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２は、めっき膜４によって保護されている。

配線体２４において、ベース絶縁層５は、配線層６と保護金属膜３との絶縁、ひいては、配線層６と支持金属層２との絶縁を図る絶縁層である。ベース絶縁層５は、保護金属膜３の厚み方向一方面に配置されている。

配線体２４において、配線層６は、ベース絶縁層５の表面の一例としての厚み方向一方面に配置されている。配線層６は、例えば、１つの配線体２４に１つ設けられている。配線層６の第２方向両端縁は、端子部３４（図６参照）に連続する。

配線体２４において、カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面を保護する絶縁層である。カバー絶縁層７は、配線層６の厚み方向一方面および側面と、配線層６の周囲のベース絶縁層５の厚み方向一方面とに接触している。

なお、連結体２３は、上記した各層（配線層６を除く）および各膜に対応する部材を備える。なお、連結体２３は、配線層６と同一の層から形成される端子部３４を備える。

アラインメントマーク２１は、支持金属層２から露出するアラインメントマーク金属膜３１から形成されている。

すなわち、アラインメントマーク金属膜３１が配置されている支持金属層２には、第２開口部４１が形成されている。

第２開口部４１は、支持金属層２を厚み方向に関する貫通孔であって、底面視においてアラインメントマーク開口部３３（後述）を含むように、アラインメントマーク開口部３３より大きい寸法を有する。具体的には、第２開口部４１の面方向における最大長さ（平面視略円形状であれば、内径）は、例えば、０．０２ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上、より好ましくは、２ｍｍ以上であり、また、例えば、５０ｍｍ以下、好ましくは、２５ｍｍ以下である。

アラインメントマーク金属膜３１は、アラインメントマーク開口部３３を中央部に有する。

一方、アラインメントマーク金属膜３１の外形（外端縁）形状は、上記したアラインメントマーク開口部３３を有すれば、特に限定されない。また、アラインメントマーク金属膜３１は、アラインメントマーク開口部３３が底面視において第２開口部４１に含まれることから、底面視において第２開口部４１から露出するフランジ部１３を備える。なお、アラインメントマーク金属膜３１は、配線体２４における保護金属膜３とともに、同一の金属薄膜４３（後述、図８Ａ参照）から上記した形状に形成されている。

アラインメントマーク金属膜３１は、支持金属層２の第１支持面１０に配置される部分と、第１支持面１０に支持されず、第２開口部４１から露出するフランジ部１３とを一体的に備える。

そして、アラインメントマーク金属膜３１のフランジ部１３において、アラインメントマーク開口部３３に臨む内端縁（内周端面）４０が、アラインメントマーク２１を構成する。内端縁４０の形状としては、特に限定されず、例えば、平面視（あるいは底面視）略円形状が挙げられる。

アラインメントマーク金属膜３１（フランジ部１３）の内端縁４０は、第２開口部４１を介して厚み方向他方側に向かって露出（面）している。

アラインメントマーク開口部３３の面方向における最大長さ（平面視略円形状であれば、内径）は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上、より好ましくは、１ｍｍ以上であり、また、例えば、２５ｍｍ以下、好ましくは、１０ｍｍ以下である。また、アラインメントマーク開口部３３の最大長さは、第２開口部４１の面方向における最大長さに対して小さく、アラインメントマーク開口部３３の最大長さの第２開口部４１の最大長さに対する比は、例えば、１未満、好ましくは、０．９以下、より好ましくは、０．８以下、さらに好ましくは、０．７以下であり、また、例えば、０．１以上、好ましくは、０．２以上である。

なお、第２開口部４１に面する内周面にも、めっき膜４が配置されている。

一方、アラインメントマーク金属膜３１の厚み方向一方面には、アラインメントマーク開口部３３と平面視同一形状を有する絶縁開口部５０を有するベース絶縁層５が形成されている。

次に、この配線回路基板集合体シート２０および配線回路基板１を製造する方法を、図８Ａ～図１０Ｎを参照して説明する。なお、配線回路基板１の製造方法では、枚葉式（バッチ式）（図６の実線参照）およびロール・トゥ・ロール式（図６の仮想線参照）のいずれでも実施することができる。

この配線回路基板１の製造方法は、支持金属シート４２を準備する工程（図８Ａ参照）、金属薄膜４３を配置する工程（図８Ｂ参照）、ベース絶縁層５を配置する工程（図８Ｃ参照）、配線層６を配置する工程（図８Ｄ参照）、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成する工程（図８Ｅ参照）、および、カバー絶縁層７を配置する工程（図８Ｆ参照）を備える。

また、配線回路基板１の製造方法は、第２開口部４１を支持金属シート４２に形成する工程（図９Ｇ～図９Ｉ参照）、および、エッチングレジストの一例としての第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を配置する工程（図９Ｊ～図１０Ｋ参照）を備える。

さらに、配線回路基板１の製造方法は、支持金属シート４２を厚み方向一方側および他方側からエッチングする工程（図１０Ｌ～図１０Ｍ参照）、めっき膜４を形成する工程（図１０Ｎ参照）、および、配線回路基板１を配線回路基板集合体シート２０から取り出す工程を備える。

この配線回路基板１の製造方法では、上記した工程を上記した順に実施する。

図８Ａに示すように、支持金属シート４２を準備する工程では、面方向に延びる略シート（板）形状の支持金属シート４２を準備する。

支持金属シート４２は、配線体２４の支持金属層２と、アラインメントマーク２１の第２開口部４１とを形成するための支持金属準備体シートである。とりわけ、支持金属シート４２は、第２開口部４１をエッチングにより形成するためのエッチングシートである。支持金属シート４２は、第１支持面１０および第２支持面１１を有する。支持金属シート４２の熱伝導率および材料は、上記した支持金属層２のそれらと同様である。

図８Ｂに示すように、金属薄膜４３を配置する工程では、金属薄膜４３を、支持金属シート４２の第１支持面１０全面に、上記した金属薄膜形成方法（好ましくは、スパッタリング）により、形成する。金属薄膜４３は、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成するための準備薄膜である。

図８Ｃに示すように、ベース絶縁層５を配置する工程では、上記したパターンで、ベース絶縁層５を、金属薄膜４３の厚み方向一方面に形成する。例えば、保護金属膜３の厚み方向一方面に感光性の樹脂を塗布し、露光および現像するフォトリソ加工により、配線体２４に対応するベース絶縁層５を形成する。なお、ベース絶縁層５には、絶縁開口部５０を形成する。

図８Ｄに示すように、配線層６を配置する工程では、配線層６を、ベース絶縁層５の厚み方向一方面に形成する。

図８Ｅに示すように、保護金属膜３およびアラインメントマーク金属膜３１を形成する工程では、ベース絶縁層５から露出する金属薄膜４３を除去する。例えば、配線体２４のベース絶縁層５の周囲の金属薄膜４３と、絶縁開口部５０から露出する金属薄膜４３とを、同時に除去する。金属薄膜４３の上記した除去には、ベース絶縁層５をマスク（レジスト）とするエッチング、剥離などが用いられる。これによって、配線体２４に対応する保護金属膜３と、アラインメントマーク開口部３３を有するアラインメントマーク金属膜３１とが、同一の金属薄膜４３から同時に形成される。

図８Ｆに示すように、カバー絶縁層７を配置する工程では、カバー絶縁層７をベース絶縁層５の厚み方向一方面に、配線層６を被覆するように、形成する。

図９Ｇ～図９Ｉに示すように、第２開口部４１を支持金属層２に形成する工程では、例えば、エッチングが用いられる。

エッチングにより第２開口部４１を形成するには、まず、図９Ｇに示すように、エッチングレジスト４４を、支持金属シート４２の第１支持面１０に、保護金属膜３の側面と、ベース絶縁層５の側面と、カバー絶縁層７の側面および厚み方向一方面とを被覆するように、面方向全体に連続して配置する。

同時に、エッチングレジスト４４を、支持金属シート４２の第２支持面１１に、次に形成する第２開口部４１と底面視において同一パターンを有するエッチングレジスト開口部５１が形成されるように、配置する。

次いで、図９Ｈに示すように、エッチングレジスト４４から露出する支持金属シート４２をエッチングする。具体的には、エッチングレジスト開口部５１から露出する支持金属シート４２を、厚み方向他方側からエッチングにより除去する。

これにより、第２開口部４１を支持金属シート４２に形成する。

すると、アラインメントマーク開口部３３の内端縁４０が、厚み方向他方側に向かって露出する。そのため、内端縁４０は、第２開口部４１を介して、厚み方向他方側から視認されるアラインメントマーク２１となる。他方、内端縁４０は、ベース絶縁層５が透明性を有するので、厚み方向一方側からも視認される。

その後、図９Ｉに示すように、エッチングレジスト４４を除去する。

これによって、支持金属シート４２と、ベース絶縁層５と、配線層６と、カバー絶縁層７と、保護金属膜３と、アラインメントマーク金属膜３１とを備える配線回路シート６０が得られる。配線回路シート６０は、配線体２４、めっき膜４および開口部２５をまだ備えていない。配線回路シート６０は、配線回路基板集合体シート２０を製造するための準備シートである。

図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を配置する工程では、アラインメントマーク金属膜３１の内端縁４０を位置決め基準として、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５のそれぞれを、支持金属シート４２の厚み方向一方側および他方側のそれぞれに、厚み方向に投影したときに、次に形成する支持金属層２と略同一パターンを有するように配置する。

具体的には、図９Ｊに示すように、まず、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９のそれぞれを、支持金属シート４２の厚み方向一方面全面および他方面全面のそれぞれに配置する。第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９としては、例えば、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）が挙げられる。第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９のそれぞれは、面方向に連続して形成されている。また、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９は、ともに、内端縁４０を厚み方向両側から視認できる程度の透光性（透明性）を有する。

第１ドライフィルムレジスト４９を、絶縁開口部５０およびアラインメントマーク開口部３３を充填するが、第２開口部４１の厚み方向一端縁を閉塞するように、第１支持面１０に配置する。また、第１ドライフィルムレジスト４９を、保護金属膜３の側面と、ベース絶縁層５の側面と、カバー絶縁層７の厚み方向一方面および側面とを被覆するように、支持金属シート４２の第１支持面１０に配置する。

第２ドライフィルムレジスト５９を、第２開口部４１の厚み方向他端縁を閉塞するように、第２支持面１１に配置する。

続いて、第１透光部４７および第１遮光部４８を有する第１フォトマスク４６を、第１ドライフィルムレジスト４９の厚み方向一方側に配置する。第１透光部４７は、第１ドライフィルムレジスト４９を露光するときに、光を透過する部分であって、第１エッチングレジスト４５に次に形成される第１エッチングレジスト開口部５２（さらには、図１０Ｌに示す開口部２５）に対応するパターンを有する。第１遮光部４８は、第１ドライフィルムレジスト４９を露光するときに、光を遮る部分であって、開口部２５に対応するパターンを有する。

同時に、第２透光部５７および第２遮光部５８を有する第２フォトマスク５６を、第２ドライフィルムレジスト５９の厚み方向他方側に配置する。第２透光部５７は、第２ドライフィルムレジスト５９を露光するときに、光を透過する部分であって、第１透光部４７と同一パターンを有する。第２遮光部５８は、第２ドライフィルムレジスト５９を露光するときに、光を遮る部分であって、第１遮光部４８と同一パターンを有する。

このとき、内端縁４０を、第１透光部４７および第１遮光部４８と、第２透光部５７および第２遮光部５８との面方向における位置決め基準として、第１フォトマスク４６および第２フォトマスク５６を配置する。

具体的には、内端縁４０を位置決め基準として、厚み方向に投影したときに、第１透光部４７および第２透光部５７を、互いに重複（合致）するように、面方向において位置決めする。同時に、内端縁４０を位置決め基準として、厚み方向に投影したときに、第１遮光部４８および第２遮光部５８を、互いに重複（合致）するように、面方向において位置決めする。

この際、内端縁４０は、ベース絶縁層５および第１ドライフィルムレジスト４９を通して、厚み方向一方側から、カメラ（図示）により観察される。

また、内端縁４０は、第２ドライフィルムレジスト５９および第２開口部４１を通して、厚み方向他方側から、カメラにより観察される。

続いて、図９Ｊの矢印で示すように、第１ドライフィルムレジスト４９を第１フォトマスク４６を介して露光する。また、第２ドライフィルムレジスト５９を第２フォトマスク５６を介して露光する。

すると、第１ドライフィルムレジスト４９には、第１透光部４７を透過した光によって感光された感光部分と、第１遮光部４８に対応する未感光部分とが形成される。また、第２ドライフィルムレジスト５９には、第２透光部５７を透過した光によって感光された感光部分と、第２遮光部５８に対応する未感光部分とが形成される。

その後、必要により、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を露光後加熱する。

図１０Ｋに示すように、その後、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を現像する。これにより、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９において、未感光部分が除去され、感光部分が残存する。

これによって、第１ドライフィルムレジスト４９から、第１エッチングレジスト開口部５２を有する第１エッチングレジスト４５が形成される。また、第２ドライフィルムレジスト５９から、第２エッチングレジスト開口部５３を有する第２エッチングレジスト５５が形成される。第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５は、支持金属層２と略同一のパターンを有する。

次いで、図１０Ｌに示すように、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５から露出する支持金属シート４２をエッチングする工程では、第１エッチングレジスト開口部５２に対応する支持金属シート４２を、厚み方向一方側からエッチングすると同時に、第２エッチングレジスト開口部５３に対応する支持金属シート４２を、厚み方向他方側からエッチングする。

この際、エッチングが過剰に進行するオーバーエッチングによって、配線体２４を構成する支持金属層２の支持側面１２がより第１方向内側に後退することが許容される。

これにより、支持金属シート４２から、配線体２４の支持金属層２を形成する。

図１０Ｍに示すように、その後、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５を除去する。これにより、めっき膜４を形成される前のめっき準備体２２を作製する。

図１０Ｎに示すように、その後、めっき膜４を形成する工程では、支持金属層２の第２支持面１１および支持側面１２をめっきする。

これにより、配線回路基板１およびアラインメントマーク２１を備えるアラインメントマーク２１を得る。

その後、ジョイント（図示せず）を切断して、配線回路基板１をその周囲から切り離して、配線回路基板集合体シート２０から取り出す。これより、配線回路基板１を製造する。

そして、図１１の比較例２で示すように、配線体２４が保護金属膜３（図７参照）を備えず、ベース絶縁層５の厚み方向他方面が支持金属層２の第１支持面１０に隣接する場合において、ベース絶縁層５を形成する際のフォトリソ加工（露光および現像）における現像時に、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁が過度に除去（過現像）されるために、ベース絶縁層５の厚み方向他方面の周端縁と、第１支持面１０の周端縁との間に微小な隙間１９が形成され易い。すると、図１０Ｎが参照されるような、支持金属層２の支持側面１２へのめっきにおいて、めっき液が隙間１９に十分に進入できず、そのため、第１支持面１０において隙間１９に臨む周端縁には、めっき膜４が形成されず、露出されたままとなってしまう。そうすると、かかる第１支持面１０の周端縁が腐食の起点となり、ひいては、複数の配線体２４のそれぞれにおける支持金属層２が腐食する。

しかし、図７に示すように、第２実施形態の配線回路基板１では、保護金属膜３が、複数の配線体２４のそれぞれにおける支持金属層２の第１支持面１０全面に配置されている。そのため、隙間１９（図１１参照）の形成に起因する、支持金属層２の第１支持面１０の周端縁の腐食を抑制することができる。さらに、めっき膜４が、支持金属層２の第２支持面１１と支持側面１２とに配置されている。

従って、配線体２４における支持金属層２は、耐腐食性に優れる。

さらに、この配線回路基板１では、配線体２４が互いに間隔を隔てて並列配置されることから、配線層６で生じる熱を、複数の配線体２４間の空気を介して、対流させ、効率的な放熱を図ることができる。

また、図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、この配線回路基板１の製造方法では、内端縁４０を位置決め基準として、第１エッチングレジスト開口部５２を有する第１エッチングレジスト４５、および、第２エッチングレジスト開口部５３を有する第２エッチングレジスト５５を、支持金属シート４２の第１支持面１０および第２支持面１１に、厚み方向に投影したときに支持金属層２と略同一パターンを有するように配置する。そのため、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３の位置精度が高い。そのため、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３から露出する支持金属シート４２を、その厚み方向一方側および他方側からエッチングして、短時間で、支持金属層２を高い精度で形成することができる。

しかも、図８Ｂおよび図８Ｅに示すように、保護金属膜３とアラインメントマーク開口部３３とを、同一の金属薄膜４３から同時に形成するので、製造工程数を削減することができる。

さらに、図９Ｉに示すように、この配線回路シート６０は、アラインメントマーク開口部３３を有するアラインメントマーク金属膜３１を備えるので、アラインメントマーク金属膜３１の内端縁４０を、厚み方向一方側および他方側の両側から確認できる位置決め基準とすることができる。具体的には、図９Ｊ～図１０Ｋに示すように、内端縁４０を位置決め基準にして、第１フォトマスク４６および第２フォトマスク５６を配置して、露光および現像により、第１エッチングレジスト開口部５２および第２エッチングレジスト開口部５３を形成することができる。

この配線回路基板１の用途も、特に限定されず、各種分野に用いられる。配線回路基板１は、例えば、電子機器用配線回路基板（電子部品用配線回路基板）、電気機器用配線回路基板（電気部品用配線回路基板）などの各種用途で用いられる。

変形例
以下の各変形例において、上記した第２実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、各変形例は、特記する以外、第２実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、第１、第２実施形態および変形例を適宜組み合わせることができる。

第２実施形態では、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を複数（具体的には４つ）備えるが、その数は、特に限定されない。

また、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を備えるが、製造途中の配線回路シート６０がアラインメントマーク２１（内端縁４０）を備えていればよく、図示しないが、複数の配線回路基板１を配線回路基板集合体シート２０に設けた後、アラインメントマーク２１を除去することもできる。つまり、この場合には、配線回路基板集合体シート２０は、アラインメントマーク２１を備えない。

第２実施形態では、図９Ｇ～図９Ｉに示すように、エッチング（ウエットプロセス）により、第２開口部４１を形成しているが、例えば、図示しないが、レーザー加工（ドライプロセス）、ウォータージェット（ウォーターカッター）、プレス打ち抜きによって第２開口部４１を形成することもできる。好ましくは、エッチングが挙げられる。エッチングであれば、第２開口部４１を形成するが、アラインメントマーク金属膜３１を確実に残存させることができる。

第２実施形態では、第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９として、ネガ型のフォトレジスト（ネガティブフォトレジスト）を用いているが、例えば、ポジ型のフォトレジスト（ポジティブフォトレジスト）を用いることもできる。

第２実施形態では、第１エッチングレジスト４５および第２エッチングレジスト５５からフォトリソ加工により第１ドライフィルムレジスト４９および第２ドライフィルムレジスト５９を形成したが、例えば、第１エッチングレジスト開口部５２が予め形成された第１ドライフィルムレジスト４９と、第２エッチングレジスト開口部５３が予め形成された第２ドライフィルムレジスト５９とを、内端縁４０を位置基準として、支持金属シート４２の厚み方向両側に配置することもできる。

配線層６は、１つの配線体２４に１つ設けているが、例えば、図示しないが、１つの配線体２４に複数設けることもできる。

また、第２実施形態では、保護薄膜の一例であるめっき膜４をめっきにより形成しているが、例えば、保護薄膜（具体的には、樹脂保護薄膜）を、めっき以外のウエットプロセスで形成することができる。

図示しないが、例えば、配線回路基板集合体シート２０（図７および図１０Ｎ参照）および／または配線回路シート６０（図９Ｉ参照）は、支持金属層２の厚み方向他方側に配置される、第２保護金属膜３５、第２ベース絶縁層３６、第２配線層３７および第２カバー絶縁層３８（以上図５参照）をさらに備えることもできる。この場合には、配線体２４における支持金属層２の表面の全ては、第２保護金属膜３５、保護金属膜３およびめっき膜４によって保護（被覆）されている。

１ 配線回路基板
２ 支持金属層
３ 保護金属膜
４ 保護薄膜
５ ベース絶縁層
６ 配線層
１０ 第１支持面
１１ 第２支持面
１２ 支持側面
２４ 配線体
３１ アラインメントマーク金属膜
３３ アラインメントマーク開口部
３５ 第２保護金属膜
３６ 第２ベース絶縁層
３７ 第２配線層
４０ 内端縁
４１ 第２開口部
４２ 支持金属シート
４３ 金属薄膜
４５ 第１エッチングレジスト
５５ 第２エッチングレジスト
６０ 配線回路シート

Claims (2)

1. 熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上である支持金属層と、
   前記支持金属層の少なくとも厚み方向一方側に配置される絶縁層と、
   前記絶縁層の表面に配置される配線層と、
   前記支持金属層と前記絶縁層との間において、前記支持金属層の、周端縁を含む表面全面に配置される保護金属膜と、
   前記支持金属層において前記保護金属膜から露出する露出面に配置される保護薄膜と
   を備える配線回路基板であり、
   前記配線回路基板は、
   互いに間隔を隔てて並列配置される複数の配線体と、
   前記複数の配線体を連結する連結体とを備え、
   前記複数の配線体のそれぞれは、
   前記支持金属層と、
   前記絶縁層と、
   前記配線層と、
   前記保護金属膜と、
   前記保護薄膜と
   を備え、
   前記連結体は、
   前記支持金属層と、
   前記絶縁層と、
   前記配線層に連続する端子部と
   を備え、
   前記端子部は、前記連結体のみに配置されていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記保護薄膜が、めっき膜であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
   

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