JP7051484B2 - 半導体メモリ - Google Patents
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Description
以下に、第1実施形態におけるメモリシステム1について説明する。
[1-1-1]メモリシステム1の全体構成
図1は、第1実施形態に係る半導体メモリ10を備えるメモリシステム1の構成例を示している。メモリシステム1は、図1に示すように、半導体メモリ10及びメモリコントローラ20を備えている。以下に、半導体メモリ10及びメモリコントローラ20のそれぞれの詳細な構成の一例について順に説明する。
半導体メモリ10は、データを不揮発に記憶することが可能なNAND型フラッシュメモリである。半導体メモリ10は、図1に示すように、例えばメモリセルアレイ11A及び11B、コマンドレジスタ12、アドレスレジスタ13、シーケンサ14、ドライバ回路15、ロウデコーダモジュール16A及び16B、センスアンプモジュール17A及び17B、並びに論理回路18を備えている。
メモリコントローラ20は、外部のホスト機器からの命令に応答して、半導体メモリ10に対してデータの読み出し、書き込み、及び消去等を命令する。メモリコントローラ20は、図1に示すように、例えばホストインターフェイス回路21、CPU(Central Processing Unit)22、RAM(Random Access Memory)23、バッファメモリ24、ECC(Error Correction Code)回路25、及びNANDインターフェイス回路26を備えている。
(回路構成について)
図2は、第1実施形態に係る半導体メモリ10の備えるメモリセルアレイ11の回路構成の一例を示している。以下に、第1実施形態におけるメモリセルアレイ11の回路構成について、1つのブロックBLKに注目して説明する。
図3は、第1実施形態におけるメモリセルアレイ11の平面レイアウトの一例と、X軸、Y軸、及びZ軸とをそれぞれ示している。複数のストリングユニットSUは、例えば図3に示すように、各々がY方向に延伸して設けられ、X方向に配列している。
図4は、第1実施形態におけるメモリセルアレイ11の断面構造の一例であり、層間絶縁膜が省略されたメモリセルアレイ11の断面と、X軸、Y軸、及びZ軸とをそれぞれ示している。メモリセルアレイ11は、図4に示すように、半導体基板30、導電体31~42、メモリピラーMH、及びコンタクトプラグCPを含んでいる。
図5は、第1実施形態における半導体メモリ10の備えるロウデコーダモジュール16の回路構成の一例を示している。ロウデコーダモジュール16は、図5に示すように、ロウデコーダRD0~RDnを含んでいる。
図6は、第1実施形態におけるセンスアンプモジュール17の構成の一例を示している。センスアンプモジュール17は、図6に示すように、例えばセンスアンプユニットSAU0~SAUmを含んでいる。
図8は、第1実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布、読み出し電圧、及びベリファイ電圧の一例をそれぞれ示している。図8に示す閾値分布の縦軸はメモリセルトランジスタMTの個数に対応し、横軸はメモリセルトランジスタMTの閾値電圧Vthに対応している。
図9は、第1実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“111”データ
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“110”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“100”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“101”データ
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(9)“B”レベル、“B”レベル:“011”データ。
第1ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)。
[1-2-1]書き込み動作
第1実施形態に係る半導体メモリ10は、書き込み動作において、プログラムループを繰り返し実行する。各プログラムループは、プログラム動作及びベリファイ動作を含んでいる。
プログラム動作において、ロウデコーダモジュール16Aは、プレーンPL1内の選択ワード線WLselにプログラム電圧VPGMを印加する。プログラム電圧VPGMは、メモリセルトランジスタMTの閾値電圧を上昇させることが可能な高電圧である。
第1実施形態に係る半導体メモリ10は、ページ毎に読み出し動作を実行することが可能である。以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ10による第1ページ、第2ページ、第3ページを選択した読み出し動作のそれぞれについて順に説明する。尚、以下の説明では、第1ページ、第2ページ、及び第3ページが選択された読み出し動作のことを、それぞれ第1ページ読み出し、第2ページ読み出し、第3ページ読み出しと称する。
図13は、第1実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図14は、第1実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図15は、第1実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
以上で説明した第1実施形態に係る半導体メモリ1に依れば、メモリセルに複数ビットデータを記憶させる場合における読み出し動作を高速化することが出来る。以下に、第1実施形態に係る半導体メモリ1の詳細な効果について説明する。
第1実施形態では、図9に示されたデータの割り付けを例に説明したが、メモリセルトランジスタMTの閾値分布には、その他の異なるデータの割り付けが適用されても良い。以下に、第1実施形態の第1~第11変形例のそれぞれについて順に説明する。尚、第1実施形態及び全ての変形例において、第1ページ、第2ページ、及び第3ページの順番は入れ替えても良い。また、ページ毎に任意に“1”と“0”の定義を入れ替えても良い。
図17は、第1実施形態の第1変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第1変形例では、図17及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“110”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“110”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“101”データ
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(9)“B”レベル、“B”レベル:“011”データ。
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第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)。
図19は、第1実施形態の第2変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第2変形例では、図19及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“110”データ
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第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、1)、(H、H、1)。
図21は、第1実施形態の第3変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第3変形例では、図21及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“111”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“110”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“101”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“001”データ
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図23は、第1実施形態の第4変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第4変形例では、図23及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“011”データ
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図25は、第1実施形態の第5変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第5変形例では、図25及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“011”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“010”データ
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図27は、第1実施形態の第6変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第6変形例では、図27及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“101”データ
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(4)“A”レベル、“Z”レベル:“111”データ
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(6)“A”レベル、“B”レベル:“000”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“110”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“010”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“011”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、1)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)。
図29は、第1実施形態の第7変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第7変形例では、図29及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“001”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“000”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“011”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“101”データ
(6)“A”レベル、“B”レベル:“100”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“010”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“110”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“111”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、1)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)。
図31は、第1実施形態の第8変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第8変形例では、図31及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“001”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“000”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“011”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“101”データ
(6)“A”レベル、“B”レベル:“100”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“010”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“110”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“110”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、1)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、0)。
図33は、第1実施形態の第9変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第9変形例では、図33及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“101”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“100”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“011”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“001”データ
(6)“A”レベル、“B”レベル:“100”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“000”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“010”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“110”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、0)。
図35は、第1実施形態の第10変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第10変形例では、図35及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“101”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“000”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“011”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“001”データ
(6)“A”レベル、“B”レベル:“100”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“010”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“010”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“110”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、1)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、0)。
図37は、第1実施形態の第11変形例におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。第1実施形態の第11変形例では、図27及び以下に示すように、9種類の閾値電圧の組み合わせに対してそれぞれ3ビットデータが割り当てられる。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“101”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“000”データ
(4)“A”レベル、“Z”レベル:“011”データ
(5)“A”レベル、“A”レベル:“001”データ
(6)“A”レベル、“B”レベル:“100”データ
(7)“B”レベル、“Z”レベル:“000”データ
(8)“B”レベル、“A”レベル:“010”データ
(9)“B”レベル、“B”レベル:“110”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、0)。
第2実施形態に係る半導体メモリ10は、第1実施形態のような半導体メモリ10において、ページ単位の書き込み動作を実行する。以下に、第2実施形態に係る半導体メモリ10について、第1実施形態と異なる点を説明する。
第2実施形態に係る半導体メモリ10では、第1ページに対応する書き込み動作(以下、第1ページ書き込みと称する)と、第2ページに対応する書き込み動作(以下、第2ページ書き込みと称する)と、第3ページに対応する書き込み動作(以下、第3ページ書き込みと称する)とがそれぞれ実行される。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“1”データ
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“0”データ
図40は、第2実施形態における第2ページ書き込みに対応するデータの割り付けの一例を示している。第2実施形態における第2ページ書き込みでは、例えば図40及び以下のそれぞれに示すように、第1プレーンPL1に対応するメモリセルトランジスタMTにおける2種類の閾値電圧と第2プレーンPL2に対応するメモリセルトランジスタMTにおける2種類の閾値電圧とで構成される、4種類の組み合わせに対してそれぞれ2ビットデータが割り当てられる。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“11”データ
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“01”データ
(3)“A”レベル、“Z”レベル:“10”データ
(4)“A”レベル、“A”レベル:“00”データ
図41は、第2実施形態における第3ページ書き込みに対応するデータの割り付けの一例であり、第1実施形態で説明した図9に対して使用されない組み合わせを示している。具体的には、図41に示すデータの割り当てにおいて、(3)の組み合わせと、(7)の組み合わせとは、同じ3ビットデータが割り当てられているが、第2実施形態では、(7)の組み合わせが使用され、(3)の組み合わせは使用されない。
[2-2-1]書き込み動作
以下に、第2実施形態に係る半導体メモリ10による第1ページ、第2ページ、第3ページの書き込み動作のそれぞれについて順に説明する。
図42は、第2実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第2実施形態における第1ページ書き込みは、第1実施形態の図12を用いて説明した書き込み動作に対して、コマンドと、書き込み動作が実行されるプレーンとが異なっている。
図43は、第2実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図44は、第2実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
第2実施形態に係る半導体メモリ10は、選択されたセルユニットCUにおいて第3ページデータが書き込まれる前と後とで、実行する読み出し動作が異なる。
図45は、第2実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ書き込み前の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第2実施形態における第3ページ書き込み前の第1ページ読み出しは、図13を用いて説明した第1実施形態における第1ページ読み出しにおいて、コマンドと使用される読み出し電圧とが変更された動作と同様である。
図46は、第2実施形態に係る半導体メモリ10における第3ページ書き込み前の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
(第3ページ読み出し)
図47は、第2実施形態に係る半導体メモリ10における第3ページ書き込み前の第3ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。本例は、選択されたセルユニットCUでデータが書き込まれていないページに対して読み出し動作が実行される場合の動作に対応している。
以上で説明した第2実施形態に係る半導体メモリ10に依れば、第1実施形態で説明したデータの記憶方法において、ページ単位の書き込み動作を実行することが出来る。
第2実施形態では、第3ページのデータの書き込み前後を、メモリコントローラ20側で判断して読み出しコマンドを変更する場合ついて説明した。一方で、第3実施形態に係る半導体メモリ10では、第2実施形態のような方法でデータが書き込まれた場合に、半導体メモリ10側でフラグセルに保持されたデータを参照して第3ページのデータの書き込み前後を判断することによって、読み出しコマンドを変更することなく適切な読み出しデータを出力する。以下に、第3実施形態に係る半導体メモリ10について、第1及び第2実施形態と異なる点を説明する。
図49は、第3実施形態に係る半導体メモリ10の構成例を示している。図49に示すように、第3実施形態に係る半導体メモリ10は、図1を用いて説明した第1実施形態に係る半導体メモリ10の構成と、フラグ確認回路70とを備えている。尚、図49では、論理回路18の図示が省略されている。
(第1ページ読み出し)
図50は、第3実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図50を用いて、第3実施形態における第1ページ読み出しの方法について説明する。
図51は、第3実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図51を用いて、第3実施形態における第2ページ読み出しの方法について説明する。
図52は、第3実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図52を用いて、第3実施形態における第3ページ読み出しの方法について説明する。
以上のように、第3実施形態に係る半導体メモリ10は、第2実施形態で説明したようなページ単位の書き込み動作が適用された場合において、選択されたセルユニットCUで第3ページ書き込みが完了したかどうかを示すフラグを使用する。
第4実施形態に係る半導体メモリ10は、プレーン間のデータ転送を省略して、第2実施形態のようなページ単位の書き込み動作を実行する。以下に、第4実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第3実施形態と異なる点を説明する。
[4-1-1]メモリセルトランジスタMTの閾値分布について
図53は、第4実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布、読み出し電圧、及びベリファイ電圧の一例をそれぞれ示している。図53に示すように、第4実施形態における閾値分布では、第1実施形態で図8を用いて説明した閾値分布に対して、“Z”レベルよりも高く“A”レベルよりも低い“Y”レベルが追加されている。
第4実施形態では、第2実施形態と同様に、第1ページに対応する書き込みデータに適用されるデータの割り付けと、第2ページに対応する書き込みデータに適用されるデータの割り付けとのそれぞれが、第3ページに対応する書き込みデータに適用されるデータの割り付けと異なっている。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“1”データ
(2)“Y”レベル、“A”レベル:“0”データ。
(1)“Z”レベル、“Y”レベル:“11”データ
(2)“A”レベル、“Z”レベル:“10”データ
(3)“A”レベル、“A”レベル:“00”データ
(4)“Y”レベル、“B”レベル:“01”データ。
[4-2-1]書き込み動作
(第1ページ書き込み)
図57は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第4実施形態における第1ページ書き込みでは、例えば図42を用いて説明した第1ページ書き込みと同様のコマンドが使用され、第1プレーンPL1と第2プレーンPL2とのそれぞれに書き込み動作が実行される。
図58は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第4実施形態における第2ページ書き込みでは、例えば図43を用いて説明した第2ページ書き込みと同様のコマンドが使用され、第1プレーンPL1と第2プレーンPL2とのそれぞれに書き込み動作が実行される。
図59は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第4実施形態における第3ページ書き込みでは、例えば図44を用いて説明した第3ページ書き込みと同様のコマンドが使用され、第1プレーンPL1と第2プレーンPL2とのそれぞれに書き込み動作が実行される。
第4実施形態に係る半導体メモリ10は、選択されたセルユニットCUにおいて、第2ページデータが書き込まれる前と、第2ページデータが書き込まれ且つ第3ページが書き込まれる前と、第3ページデータが書き込まれた後とで、実行する読み出し動作が異なる。例えば、第4実施形態において、第3ページデータが書き込まれた後の各ページの読み出し動作は、第1実施形態で説明された読み出し動作と同様である。
図60は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ書き込み前の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第4実施形態における第2ページ書き込み前の第1ページ読み出しは、図13を用いて説明した第1実施形態における第1ページ読み出しにおいて、コマンドと使用される読み出し電圧とが変更された動作と同様である。
図61は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ書き込み後且つ第3ページ書き込み前の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図62は、第4実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ書き込み後且つ第3ページ書き込み前の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
以上で説明した第4実施形態に係る半導体メモリ10に依れば、第2実施形態で説明したようなページ単位の書き込み動作において、プレーン間のデータ転送を減らすことが出来、第2実施形態よりも書き込み動作を高速化することが出来る。
第5実施形態に係る半導体メモリ10は、第4実施形態のような方法でデータが書き込まれた場合に、フラグセルに保持されたデータに基づいて、出力するデータを変更する。以下に、第5実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第4実施形態と異なる点を説明する。
第5実施形態に係る半導体メモリ10の構成は、第3実施形態に係る半導体メモリ10の構成に対し、複数のフラグを有している。具体的には、第5実施形態に係る半導体メモリ10では、第1フラグ及び第2フラグが使用される。
(第1ページ読み出し)
図63は、第5実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図63を用いて、第5実施形態における第1ページ読み出しの方法について説明する。
図64は、第5実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図64を用いて、第5実施形態における第2ページ読み出しの方法について説明する。
図65は、第5実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるフローチャートの一例を示している。以下に、図65を用いて、第5実施形態における第3ページ読み出しの方法について説明する。
以上のように、第5実施形態に係る半導体メモリ10は、第4実施形態で説明したようなページ単位の書き込み動作が適用された場合において、選択されたセルユニットCUで第2ページ書き込みが完了したかどうかを示す第1フラグと、第3ページ書き込みが完了したかどうかを示す第2フラグとを使用する。
第6実施形態に係る半導体メモリ10は、3つのメモリセルトランジスタMTの組み合わせによって、6ビットデータを記憶する。以下に、第6実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第5実施形態と異なる点を説明する。
[6-1-1]半導体メモリ10の構成
図66は、第6実施形態に係る半導体メモリ10を備えるメモリシステム1の構成例を示している。図66に示すように、第6実施形態に係る半導体メモリ10は、図1にを用いて説明した第1実施形態に係る半導体メモリ10の構成と、メモリセルアレイ11C、ロウデコーダモジュール16C、及びセンスアンプモジュール17Cとを備えている。
図67は、第6実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布、読み出し電圧、及びベリファイ電圧の一例をそれぞれ示している。図67に示すように、第6実施形態における閾値分布では、第1実施形態で図8を用いて説明した閾値分布に対して、“B”レベルよりも高い“C”レベルが追加されている。
図68及び図69は、第6実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル、“Z”レベル:“111111”データ
(2)“Z”レベル、“Z”レベル、“A”レベル:“111001”データ
(3)“Z”レベル、“Z”レベル、“B”レベル:“011001”データ
(4)“Z”レベル、“Z”レベル、“C”レベル:“010000”データ
(5)“Z”レベル、“A”レベル、“Z”レベル:“111011”データ
(6)“Z”レベル、“A”レベル、“A”レベル:“111101”データ
(7)“Z”レベル、“A”レベル、“B”レベル:“011101”データ
(8)“Z”レベル、“A”レベル、“C”レベル:“010100”データ
(9)“Z”レベル、“B”レベル、“Z”レベル:“110010”データ
(10)“Z”レベル、“B”レベル、“A”レベル:“110100”データ
(11)“Z”レベル、“B”レベル、“B”レベル:“000100”データ
(12)“Z”レベル、“B”レベル、“C”レベル:“001101”データ
(13)“Z”レベル、“C”レベル、“Z”レベル:“110000”データ
(14)“Z”レベル、“C”レベル、“A”レベル:“110110”データ
(15)“Z”レベル、“C”レベル、“B”レベル:“000110”データ
(16)“Z”レベル、“C”レベル、“C”レベル:“001111”データ
(17)“A”レベル、“Z”レベル、“Z”レベル:“110111”データ
(18)“A”レベル、“Z”レベル、“A”レベル:“110001”データ
(19)“A”レベル、“Z”レベル、“B”レベル:“010001”データ
(20)“A”レベル、“Z”レベル、“C”レベル:“011000”データ
(21)“A”レベル、“A”レベル、“Z”レベル:“110011”データ
(22)“A”レベル、“A”レベル、“A”レベル:“110101”データ
(23)“A”レベル、“A”レベル、“B”レベル:“010101”データ
(24)“A”レベル、“A”レベル、“C”レベル:“011100”データ
(25)“A”レベル、“B”レベル、“Z”レベル:“111010”データ
(26)“A”レベル、“B”レベル、“A”レベル:“111100”データ
(27)“A”レベル、“B”レベル、“B”レベル:“001100”データ
(28)“A”レベル、“B”レベル、“C”レベル:“000101”データ
(29)“A”レベル、“C”レベル、“Z”レベル:“111000”データ
(30)“A”レベル、“C”レベル、“A”レベル:“111110”データ
(31)“A”レベル、“C”レベル、“B”レベル:“001110”データ
(32)“A”レベル、“C”レベル、“C”レベル:“000111”データ
(33)“B”レベル、“Z”レベル、“Z”レベル:“100001”データ
(34)“B”レベル、“Z”レベル、“A”レベル:“100111”データ
(35)“B”レベル、“Z”レベル、“B”レベル:“010111”データ
(36)“B”レベル、“Z”レベル、“C”レベル:“011110”データ
(37)“B”レベル、“A”レベル、“Z”レベル:“100101”データ
(38)“B”レベル、“A”レベル、“A”レベル:“100011”データ
(39)“B”レベル、“A”レベル、“B”レベル:“010011”データ
(40)“B”レベル、“A”レベル、“C”レベル:“011010”データ
(41)“B”レベル、“B”レベル、“Z”レベル:“101100”データ
(42)“B”レベル、“B”レベル、“A”レベル:“101010”データ
(43)“B”レベル、“B”レベル、“B”レベル:“001010”データ
(44)“B”レベル、“B”レベル、“C”レベル:“000011”データ
(45)“B”レベル、“C”レベル、“Z”レベル:“101110”データ
(46)“B”レベル、“C”レベル、“A”レベル:“101000”データ
(47)“B”レベル、“C”レベル、“B”レベル:“001000”データ
(48)“B”レベル、“C”レベル、“C”レベル:“000001”データ
(49)“C”レベル、“Z”レベル、“Z”レベル:“100000”データ
(50)“C”レベル、“Z”レベル、“A”レベル:“100110”データ
(51)“C”レベル、“Z”レベル、“B”レベル:“010110”データ
(52)“C”レベル、“Z”レベル、“C”レベル:“011111”データ
(53)“C”レベル、“A”レベル、“Z”レベル:“100100”データ
(54)“C”レベル、“A”レベル、“A”レベル:“100010”データ
(55)“C”レベル、“A”レベル、“B”レベル:“010010”データ
(56)“C”レベル、“A”レベル、“C”レベル:“011011”データ
(57)“C”レベル、“B”レベル、“Z”レベル:“101101”データ
(58)“C”レベル、“B”レベル、“A”レベル:“101011”データ
(59)“C”レベル、“B”レベル、“B”レベル:“001011”データ
(60)“C”レベル、“B”レベル、“C”レベル:“000010”データ
(61)“C”レベル、“C”レベル、“Z”レベル:“101111”データ
(62)“C”レベル、“C”レベル、“A”レベル:“101001”データ
(63)“C”レベル、“C”レベル、“B”レベル:“001001”データ
(64)“C”レベル、“C”レベル、“C”レベル:“000000”データ。
第1ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、0)、(L、H、L、1)、(L、H、H、0)、(H、L、L、1)、(H、L、H、0)、(H、H、L、1)、(H、H、H、0)
第2ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、1)、(L、H、L、1)、(L、H、H、0)、(H、L、L、0)、(H、L、H、1)、(H、H、L、0)、(H、H、H、0)
第3ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、0)、(L、H、L、0)、(L、H、H、1)、(H、L、L、0)、(H、L、H、1)、(H、H、L、1)、(H、H、H、0)
第4ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、0)、(L、H、L、0)、(L、H、H、1)、(H、L、L、0)、(H、L、H、1)、(H、H、L、1)、(H、H、H、0)
第5ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、0)、(L、H、L、0)、(L、H、H、1)、(H、L、L、0)、(H、L、H、1)、(H、H、L、1)、(H、H、H、0)
第6ページ読み出し:(L、L、L、1)、(L、L、H、0)、(L、H、L、0)、(L、H、H、1)、(H、L、L、0)、(H、L、H、1)、(H、H、L、1)、(H、H、H、0)。
[6-2-1]書き込み動作
図75は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の書き込み動作におけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第6実施形態における書き込み動作は、図11を用いて説明した書き込み動作に対して、コマンドと、第3プレーンPL3に対応する動作が追加されている点が異なっている。
(第1ページ読み出し)
図76は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第6実施形態における第1ページ読み出しは、図13を用いて説明した第1実施形態における第1ページ読み出しにおいて、第3プレーンPL3に対応する動作が追加され、使用される読み出し電圧とが変更された動作と同様である。
図77は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図78は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図79は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第4ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図80は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第5ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図81は、第6実施形態に係る半導体メモリ10の第6ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
以上のように、第6実施形態に係る半導体メモリ10は、独立に制御することが可能な3つのプレーンを備え、異なるプレーンに含まれた3つのメモリセルトランジスタMTのグループによって6ビットデータを記憶する。
第6実施形態では、図68及び図69に示されたデータの割り付けを例に説明したが、メモリセルトランジスタMTの閾値分布には、その他の異なるデータの割り付けが適用されても良い。
読み出し電圧:[(AR、CR、BR)、(BR、BR、BR)、(AR、BR、CR)、(BR、AR、AR)、(BR、CR、AR)、(CR、BR、CR)];データの定義:[[0、0、0、0、1、1、1、1]、[0、0、1、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、AR、AR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)];データの定義:[[0、0、1、0、0、1、1、1]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、AR、BR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)];データの定義:[[0、0、1、0、0、1、1、1]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、AR、CR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)];データの定義:[[0、0、1、0、0、1、1、1]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
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読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、CR、AR)、(AR、BR、AR)、(AR、BR、CR)、(CR、AR、BR)、(CR、CR、BR)];データの定義:[[0、1、0、0、1、1、1、0]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、CR、BR)、(AR、BR、AR)、(AR、BR、CR)、(CR、AR、BR)、(CR、CR、BR)];データの定義:[[0、1、0、0、1、1、1、0]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(BR、CR、CR)、(AR、BR、AR)、(AR、BR、CR)、(CR、AR、BR)、(CR、CR、BR)];データの定義:[[0、1、0、0、1、1、1、0]、[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]]。
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読み出し電圧:[(BR、AR、CR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、AR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、BR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、BR、CR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、CR、AR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、CR、BR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
読み出し電圧:[(BR、CR、CR)、(AR、AR、BR)、(AR、CR、BR)、(CR、BR、AR)、(CR、BR、CR)、(BR、BR、BR)];データの定義:[[0、1、0、1、0、1、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、0、1、0、0、1]、[0、1、1、1、0、0、1、0]]。
第7実施形態は、第6実施形態で説明したメモリセルトランジスタMTの閾値分布を形成する場合における、ラッチ回路の使用方法に関する。以下に、第7実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第6実施形態と異なる点を説明する。
例えば、図67に示された4種類の閾値分布を形成する場合、消去状態である“Z”レベルと、最大の閾値電圧に設定された“C”レベルとの間に設けられた“A”レベル及び“B”レベルのそれぞれの閾値分布は、狭く形成されることが好ましい。
以上で説明したように、第7実施形態に係る半導体メモリ10は、プログラムループの進行に伴い、書き込みが終了したレベルの区別を省略することによって、ラッチ回路XDLをライトバッファとして使用することが出来る。従って、第7実施形態に係る半導体メモリ10は、メモリコントローラ20から半導体メモリ10へのデータ転送を早くすることが出来、書き込み動作を高速化することが出来る。
第8実施形態に係る半導体メモリ10は、第6実施形態に係る半導体メモリ10と同様の構成である。そして、第8実施形態に係る半導体メモリ10では、第6実施形態のような方法でデータが書き込まれた場合に、読み出し動作で印加する読み出し電圧を適宜省略する。以下に、第8実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第7実施形態と異なる点を説明する。
図83は、第6実施形態の第21変形例における読み出し動作で使用される読み出し電圧を示している。図83に示された読み出し電圧の組み合わせでは、連続したページの読み出し動作において、同じ読み出し電圧が使用されることがある。
第8実施形態に係る半導体メモリ10は、ページ毎に読み出されたデータをメモリコントローラ20に出力した後にも、当該データをセンスアンプモジュール17内のラッチ回路に維持する。そして、第8実施形態に係る半導体メモリ10は、続くページの読み出し動作において、直前の読み出し動作における読み出し結果を利用する。
以上のように、第8実施形態に係る半導体メモリ10は、連続したページの読み出し動作において、重複した読み出し電圧を用いた読み出し動作を省略することが出来る。従って、第8実施形態に係る半導体メモリ10は、プレーン単位で読み出し動作を適宜省略することが出来、読み出し動作における消費電力を抑制することが出来る。
第9実施形態に係る半導体メモリ10は、第6実施形態に係る半導体メモリ10と同様の構成である。そして、第9実施形態に係る半導体メモリ10では、第6実施形態のような方法でデータが書き込まれた場合に、1回の読み出し動作で複数ページのデータを読み出す。以下に、第9実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第8実施形態と異なる点を説明する。
第6実施形態で説明した様々なデータの割り付けには、第8実施形態で説明したように、異なるページの読み出し動作で同じ読み出し電圧が設定されている場合がある。例えば、図83に示された読み出し電圧の組み合わせでは、第1ページ読み出しと、第2ページ読み出しとにおいて、各プレーンで同じ読み出し電圧が使用される。
以上のように、第9実施形態に係る半導体メモリ10は、1回の読み出し動作において、シーケンサ14の演算を変えることによって複数ページのデータを出力することが出来る。従って、第8実施形態に係る半導体メモリ10は、読み出し動作を適宜省略することが出来、読み出し動作における消費電力を抑制することが出来る。
第9実施形態では、2ページの読み出し動作を一括で実行する場合を例に説明したが、半導体メモリ10は、第9実施形態と第8実施形態とを組み合わせることにより、最小限の読み出し動作で6ページ分の読み出しデータを得ることが出来る。
以下に、第9実施形態の第1変形例に係る半導体メモリ10の一括読み出しの一例について、図88を用いて説明する。図88には、第6実施形態の第21変形例におけるデータの割り付けが適用され、第8実施形態と第9実施形態とを組み合わせて6ページデータを連続で読み出す場合における、コマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例が示されている。
次に、第9実施形態の第2変形例に係る半導体メモリ10の一括読み出しの一例について、図89を用いて説明する。図89には、第6実施形態の第21変形例におけるデータの割り付けが適用され、6ページデータを一括で読み出す場合における、コマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例が示されている。
第10実施形態に係る半導体メモリ10は、2つのメモリセルトランジスタMTの組み合わせによって、4ビットデータを記憶する。以下に、第10実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第9実施形態と異なる点を説明する。
[10-1-1]半導体メモリ10の構成
図90は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の構成例を示している。図90に示すように、第10実施形態に係る半導体メモリ10は、図1にを用いて説明した第1実施形態に係る半導体メモリ10の構成と、データ変換回路80とを備えている。
図91は、第10実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布、読み出し電圧、及びベリファイ電圧の一例をそれぞれ示している。図91に示すように、第10実施形態における閾値分布では、第6実施形態で図67を用いて説明した閾値分布に対して、“C”レベルよりも高い“D”レベルが追加されている。
図92は、第10実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“1111”データ
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“1101”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“0101”データ
(4)“Z”レベル、“C”レベル:“0100”データ
(5)“Z”レベル、“D”レベル:“0000”データ
(6)“A”レベル、“Z”レベル:“0111”データ
(7)“A”レベル、“A”レベル:“0101”データ
(8)“A”レベル、“B”レベル:“1101”データ
(9)“A”レベル、“C”レベル:“1100”データ
(10)“A”レベル、“D”レベル:“1000”データ
(11)“B”レベル、“Z”レベル:“0011”データ
(12)“B”レベル、“A”レベル:“0001”データ
(13)“B”レベル、“B”レベル:“1001”データ
(14)“B”レベル、“C”レベル:“1000”データ
(15)“B”レベル、“D”レベル:“1100”データ
(16)“C”レベル、“Z”レベル:“0001”データ
(17)“C”レベル、“A”レベル:“0011”データ
(18)“C”レベル、“B”レベル:“1011”データ
(19)“C”レベル、“C”レベル:“1010”データ
(20)“C”レベル、“D”レベル:“1110”データ
(21)“D”レベル、“Z”レベル:“0000”データ
(22)“D”レベル、“A”レベル:“0010”データ
(23)“D”レベル、“B”レベル:“1010”データ
(24)“D”レベル、“C”レベル:“1011”データ
(25)“D”レベル、“D”レベル:“1111”データ
(26)できない組み合わせ:“0110”データ。
第1ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)
第4ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、0)、(H、L、0)、(H、H、1)。
[10-2-1]書き込み動作
図95は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の書き込み動作におけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第10実施形態における書き込み動作は、第1実施形態において図11を用いて説明した書き込み動作に対して、コマンドと、16状態から15状態への変換処理が実行される点が異なっている。
(第1ページ読み出し)
図97は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図98は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図99は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図100は、第10実施形態に係る半導体メモリ10の第4ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
以上のように、第10実施形態に係る半導体メモリ10は、独立に制御することが可能な2つのプレーンを備え、異なるプレーンに含まれた2つのメモリセルトランジスタMTの組によって4ビットデータを記憶する。
第10実施形態では、外部から受信した16種類の4ビットデータ(16状態)のデータを、ページサイズを長くすることによって、15種類の4ビットデータ(15状態)として記憶する方法について説明したが、これに限定されない。
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“1100”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“1100”データ
(4)“Z”レベル、“C”レベル:“1101”データ
(5)“Z”レベル、“D”レベル:“1101”データ
(6)“A”レベル、“Z”レベル:“1110”データ
(7)“A”レベル、“A”レベル:“1100”データ
(8)“A”レベル、“B”レベル:“0100”データ
(9)“A”レベル、“C”レベル:“0101”データ
(10)“A”レベル、“D”レベル:“0101”データ
(11)“B”レベル、“Z”レベル:“1010”データ
(12)“B”レベル、“A”レベル:“1000”データ
(13)“B”レベル、“B”レベル:“0000”データ
(14)“B”レベル、“C”レベル:“0001”データ
(15)“B”レベル、“D”レベル:“0101”データ
(16)“C”レベル、“Z”レベル:“1000”データ
(17)“C”レベル、“A”レベル:“1010”データ
(18)“C”レベル、“B”レベル:“0010”データ
(19)“C”レベル、“C”レベル:“0011”データ
(20)“C”レベル、“D”レベル:“0111”データ
(21)“D”レベル、“Z”レベル:“1001”データ
(22)“D”レベル、“A”レベル:“1011”データ
(23)“D”レベル、“B”レベル:“0011”データ
(24)“D”レベル、“C”レベル:“0010”データ
(25)“D”レベル、“D”レベル:“0110”データ
(26)できない組み合わせ:“1111”データ。
第2ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、1)、(H、L、0)、(H、H、1)
第3ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第4ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)。
第11実施形態に係る半導体メモリ10は、例えば第1実施形態に係る半導体メモリ10と同様の構成を備え、2つのメモリセルトランジスタMTの組み合わせによって6ビットデータを記憶する。以下に、第11実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第10実施形態と異なる点を説明する。
[11-1-1]メモリセルトランジスタMTの閾値分布について
図104は、第11実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布、読み出し電圧、及びベリファイ電圧の一例をそれぞれ示している。図104に示すように、第11実施形態における閾値分布では、第10実施形態で図91を用いて説明した閾値分布に対して、“D”レベルよりも高い“E”レベル、“F”レベル、及び“G”レベルが追加されている。“F”レベルは“E”レベルよりも高く、“G”レベルは“F”レベルよりも高い。
図105及び図106は、第11実施形態に係る半導体メモリ10におけるメモリセルトランジスタMTの閾値分布に対するデータの割り付けを示している。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“100000”データ
(2)“Z”レベル、“A”レベル:“100100”データ
(3)“Z”レベル、“B”レベル:“101101”データ
(4)“Z”レベル、“C”レベル:“101001”データ
(5)“Z”レベル、“D”レベル:“111001”データ
(6)“Z”レベル、“E”レベル:“111011”データ
(7)“Z”レベル、“F”レベル:“110010”データ
(8)“Z”レベル、“G”レベル:“110000”データ
(9)“A”レベル、“Z”レベル:“101000”データ
(10)“A”レベル、“A”レベル:“101100”データ
(11)“A”レベル、“B”レベル:“100101”データ
(12)“A”レベル、“C”レベル:“100001”データ
(13)“A”レベル、“D”レベル:“110001”データ
(14)“A”レベル、“E”レベル:“110011”データ
(15)“A”レベル、“F”レベル:“111010”データ
(16)“A”レベル、“G”レベル:“111000”データ
(17)“B”レベル、“Z”レベル:“101110”データ
(18)“B”レベル、“A”レベル:“101010”データ
(19)“B”レベル、“B”レベル:“100011”データ
(20)“B”レベル、“C”レベル:“100111”データ
(21)“B”レベル、“D”レベル:“110111”データ
(22)“B”レベル、“E”レベル:“110101”データ
(23)“B”レベル、“F”レベル:“111100”データ
(24)“B”レベル、“G”レベル:“111110”データ
(25)“C”レベル、“Z”レベル:“100110”データ
(26)“C”レベル、“A”レベル:“100010”データ
(27)“C”レベル、“B”レベル:“101011”データ
(28)“C”レベル、“C”レベル:“101111”データ
(29)“C”レベル、“D”レベル:“111111”データ
(30)“C”レベル、“E”レベル:“111101”データ
(31)“C”レベル、“F”レベル:“110100”データ
(32)“C”レベル、“G”レベル:“110110”データ
(33)“D”レベル、“Z”レベル:“010110”データ
(34)“D”レベル、“A”レベル:“010010”データ
(35)“D”レベル、“B”レベル:“011011”データ
(36)“D”レベル、“C”レベル:“011111”データ
(37)“D”レベル、“D”レベル:“001111”データ
(38)“D”レベル、“E”レベル:“001101”データ
(39)“D”レベル、“F”レベル:“000100”データ
(40)“D”レベル、“G”レベル:“000110”データ
(41)“E”レベル、“Z”レベル:“010111”データ
(42)“E”レベル、“A”レベル:“010011”データ
(43)“E”レベル、“B”レベル:“011010”データ
(44)“E”レベル、“C”レベル:“011110”データ
(45)“E”レベル、“D”レベル:“001110”データ
(46)“E”レベル、“E”レベル:“001100”データ
(47)“E”レベル、“F”レベル:“000101”データ
(48)“E”レベル、“G”レベル:“000111”データ
(49)“F”レベル、“Z”レベル:“010001”データ
(50)“F”レベル、“A”レベル:“010101”データ
(51)“F”レベル、“B”レベル:“011100”データ
(52)“F”レベル、“C”レベル:“011000”データ
(53)“F”レベル、“D”レベル:“001000”データ
(54)“F”レベル、“E”レベル:“001010”データ
(55)“F”レベル、“F”レベル:“000011”データ
(56)“F”レベル、“G”レベル:“000001”データ
(57)“G”レベル、“Z”レベル:“010000”データ
(58)“G”レベル、“A”レベル:“010100”データ
(59)“G”レベル、“B”レベル:“011101”データ
(60)“G”レベル、“C”レベル:“011001”データ
(61)“G”レベル、“D”レベル:“001001”データ
(62)“G”レベル、“E”レベル:“001011”データ
(63)“G”レベル、“F”レベル:“000010”データ
(64)“G”レベル、“G”レベル:“000000”データ。
第1ページ読み出し:(L、L、1)、(L、H、1)、(H、L、0)、(H、H、0)
第2ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第3ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第4ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第5ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)
第6ページ読み出し:(L、L、0)、(L、H、1)、(H、L、1)、(H、H、0)。
[11-2-1]書き込み動作
図112は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の書き込み動作におけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第11実施形態における書き込み動作は、図12を用いて説明した書き込み動作に対して、コマンドが追加されている点が異なっている。
(第1ページ読み出し)
図113は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第1ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図114は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第2ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図115は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第3ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図116は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第4ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図117は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第5ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
図118は、第11実施形態に係る半導体メモリ10の第6ページ読み出しにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。
以上で説明した第11実施形態に係る半導体メモリ1に依れば、1つのメモリセルあたり3ビットのデータを記憶させる場合における読み出し動作を高速化することが出来る。以下に、第11実施形態に係る半導体メモリ1の詳細な効果について説明する。
第11実施形態では、図105及び図106に示されたデータの割り付けを例に説明したが、メモリセルトランジスタMTの閾値分布には、その他の異なるデータの割り付けが適用されても良い。
読み出し電圧:[(DR、GR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(DR、GR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(DR、GR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(DR、GR)、(DR、DR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(DR、GR)、(DR、DR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、ER)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、ER)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、GR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、GR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、GR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、GR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、GR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、FR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、FR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(AR、DR)、(DR、FR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、0、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、AR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、ER)、(ER、GR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(BR、FR))、((CR、GR)、(ER、GR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、BR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、CR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、ER))、((BR、FR)、(CR、GR))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、CR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、GR))、((BR、FR)、(CR、ER))、((ER、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、ER)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、DR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、ER)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、ER)、(AR、CR))、((BR、FR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、GR)、(AR、CR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
読み出し電圧:[(ER、DR)、(DR、FR)、((AR、GR)、(BR、FR))、((BR、FR)、(AR、CR))、((BR、FR)、(ER、GR))、((CR、ER)、(BR、FR))];データの定義:[[0、0、1、1]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]、[0、1、1、0]]。
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第12実施形態に係る半導体メモリ10は、第11実施形態に係る半導体メモリ10と同様の構成を備え、第11実施形態で説明した6ページデータの書き込みを2段階に分けて実行する。以下に、第12実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第11実施形態と異なる点を説明する。
[12-1-1]メモリセルトランジスタMTの閾値分布について
第12実施形態に係る半導体メモリ10は、第11実施形態で図104を用いて説明した8個の閾値分布を形成する前に、大まかな書き込み動作(第1段階の書き込み)を実行して2個の閾値分布を形成する。その後、第12実施形態に係る半導体メモリ10は、大まかに書き込まれたメモリセルトランジスタMTに対して精密な書き込み動作(第2段階の書き込み)を実行することにより、8個の閾値分布を形成する。
図122は、第12実施形態における第1段階の書き込みに対応するデータの割り付けの一例を示している。第12実施形態における第1段階の書き込みでは、例えば図122及び以下のそれぞれに示すように、第1プレーンPL1に対応するメモリセルトランジスタMTにおける2種類の閾値電圧と第2プレーンPL2に対応するメモリセルトランジスタMTにおける2種類の閾値電圧とで構成される、4種類の組み合わせに対してそれぞれ2ビットデータが割り当てられる。
(1)“Z”レベル、“Z”レベル:“11”データ
(2)“Z”レベル、“LM”レベル:“10”データ
(3)“LM”レベル、“Z”レベル:“00”データ
(4)“LM”レベル、“LM”レベル:“01”データ。
(第1段階の書き込み)
図123は、第12実施形態に係る半導体メモリ10の第1段階の書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第12実施形態における第1段階の書き込みでは、例えば第1ページ書き込みと第2ページ書き込みとが一括で実行される。
図124は、第12実施形態に係る半導体メモリ10の第2段階の書き込みにおけるコマンド及び各配線の信号並びに電圧の一例を示している。第12実施形態における第2段階の書き込みでは、例えば第2~第6ページ書き込みが一括で実行される。
第1プレーンPL1内のメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、第1段階の書き込み後に“Z”レベルとなり、第2段階の書き込み後に、“第3ビット/第4ビット/第5ビット/第6ビット”のデータに応じて、“Z”レベルから“Z”レベル、“A”レベル、“B”レベル、及び“C”レベルの何れかに設定される。
第1プレーンPL1内のメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、第1段階の書き込み後に“Z”レベルとなり、第2段階の書き込み後に、“第3ビット/第4ビット/第5ビット/第6ビット”のデータに応じて、“Z”レベルから“Z”レベル、“A”レベル、“B”レベル、及び“C”レベルの何れかに設定される。
第1プレーンPL1内のメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、第1段階の書き込み後に“LM”レベルとなり、第2段階の書き込み後に、“第3ビット/第4ビット/第5ビット/第6ビット”のデータに応じて、“LM”レベルから“D”レベル、“E”レベル、“F”レベル、及び“G”レベルの何れかに設定される。
第1プレーンPL1内のメモリセルトランジスタMTの閾値電圧は、第1段階の書き込み後に“LM”レベルとなり、第2段階の書き込み後に、“第3ビット/第4ビット/第5ビット/第6ビット”のデータに応じて、“LM”レベルから“D”レベル、“E”レベル、“F”レベル、及び“G”レベルの何れかに設定される。
図125は、第12実施形態に係る半導体メモリ10の書き込み動作における書き込み順番の一例を示すフローチャートである。尚、以下の説明では、説明を簡便にするために変数i及びjを用いる。変数i及びjは、例えばメモリコントローラ20が備えるカウンタによって保持される変数であり、メモリコントローラ20の制御によってインクリメントされる。
以上で説明した本実施形態に係る半導体メモリ10に依れば、書き込んだデータの信頼性を向上することが出来る。以下に、本効果の詳細について説明する。
第13実施形態に係る半導体メモリ10は、第11実施形態に係る半導体メモリ10と同様の構成を備え、第11実施形態で説明したページ単位の読み出し動作の順番を変更することによって、一部の読み出し動作を省略する。以下に、第13実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第12実施形態と異なる点を説明する。
図126は、第13実施形態における読み出し動作における読み出し順番と、対応する読み出し電圧とを示している。第13実施形態に係る半導体メモリ10は、図126に示されたように、第1ページ、第2ページ、第3ページ、第6ページ、第5ページ、第4ページの順にデータを読み出す。
以上のように、第13実施形態に係る半導体メモリ10は、読み出し動作を適宜省略することが出来るため、消費電力を抑制することが出来る。具体的には、図126に示す例において、例えば第1ページ読み出しと第2ページ読み出しとでは同じ読み出し電圧が使用されるため、第13実施形態に係る半導体メモリ10は、第2ページ読み出しにおいて選択ワード線WLselに読み出し電圧を印加する動作を省略することが出来、消費電力を抑制することが出来る。
第14実施形態に係る半導体メモリ10は、第1実施形態に係る半導体メモリ10で冗長ブロックが設けられた場合におけるデータの記憶方法に関する。以下に、第14実施形態に係る半導体メモリ10について、第1~第13実施形態と異なる点を説明する。
図127は、第14実施形態に係る半導体メモリ10の構成例を示し、メモリセルアレイ11A及び11Bに含まれた一部のブロックBLKを抽出して示している。
図128は、第14実施形態に係る半導体メモリ10において、バッドブロックを含むブロック群BGに対して、ブロック群BG単位の救済をする場合の動作の一例を示している。
以上のように、第14実施形態に係る半導体メモリ10は、発生したバッドブロックを救済することが出来る。従って、第14実施形態に係る半導体メモリ10は、半導体メモリ10の記憶容量の低下を抑制することが出来る。
実施形態の半導体メモリ<図1、10>は、複数の第1メモリセル<図2、MT>を含む第1メモリセルアレイ<図1、11A>と、複数の第2メモリセル<図2、MT>を含む第2メモリセルアレイ<図1、11B>と、を含む。第1メモリセル及び第2メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧<図8、“Z”レベル>と、第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧<図8、“A”レベル>と、第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧<図8、“B”レベル>とのいずれかを有するように設定される。第1メモリセルの閾値電圧と、第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビット以上のデータが記憶される。これにより、半導体メモリの読み出し動作を高速化することが出来る。
Claims (16)
- 複数の第1メモリセルを含む第1メモリセルアレイと、
複数の第2メモリセルを含む第2メモリセルアレイと、
コントローラと、を備え、
前記第1メモリセル及び前記第2メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧と、前記第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧と、前記第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧とのいずれかを有するように設定され、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第1読み出し電圧よりも高い第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作において、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれからデータを読み出し、前記第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと、前記第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ビットの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ビットの読み出しデータを外部に出力し、
前記コントローラが、前記第1ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第2ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第3ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせとは異なる、
半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、をさらに備え、
前記コントローラは、前記第1ビット、前記第2ビット、及び前記第3ビットを含む3ページ分の書き込みデータを受信すると、前記3ページ分の書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれに対して書き込み動作を実行する、
請求項1に記載の半導体メモリ。 - 前記コントローラは、前記書き込み動作において、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとの組み合わせに第1データを書き込む場合、前記第1メモリセルの閾値電圧を前記第2閾値電圧に上昇させ、前記第2メモリセルの閾値電圧を前記第3閾値電圧に上昇させる、
請求項2に記載の半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、をさらに備え、
前記コントローラは、
前記第1ビットを含む第1ページの書き込みデータを受信すると、受信した前記第1ページの書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルのうち一方のメモリセルに対して前記第1ページの書き込み動作を実行し、
前記第2ビットを含む第2ページの書き込みデータを受信すると、受信した前記第2ページの書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセル及び複数の第2メモリセルのうち他方のメモリセルに対して前記第2ページの書き込み動作を実行し、
前記第3ビットを含む第3ページの書き込みデータを受信すると、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第1ページのデータを読み出し、前記複数の第1メモリセル又は複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第2ページのデータを読み出し、読み出された前記第1ページのデータと、読み出された前記第2ページのデータと、受信した前記第3ページのデータとに基づいて、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれに対して前記第3ページの書き込み動作を実行する、
請求項1に記載の半導体メモリ。 - 前記コントローラは、
前記第3ページのデータが書き込まれる前の前記第1ページの読み出し動作では、前記第1ワード線又は前記第2ワード線に1種類の読み出し電圧を印加することによって前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルからデータを読み出し、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記第3ページのデータが書き込まれた後の前記第1ページの読み出し動作では、前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれからデータを読み出し、前記複数の第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと前記複数の第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ページの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ページの読み出しデータを外部に出力する、
請求項4に記載の半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルは、フラグセルを含み、
前記コントローラは、
前記第3ページの書き込み動作において、前記フラグセルの閾値電圧を前記第2閾値電圧又は前記第3閾値電圧まで上昇させ、
前記第1ページの読み出し動作において、
前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルと前記フラグセルとのそれぞれからデータを読み出し、
前記フラグセルから読み出されたデータが第1データである場合に、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記フラグセルから読み出されたデータが前記第1データと異なる第2データである場合に、前記複数の第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと前記複数の第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ページの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ページの読み出しデータを外部に出力する、
請求項4に記載の半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルは、複数の前記フラグセルを含み、
前記コントローラは、前記第1ページの読み出し動作において、前記複数のフラグセルから読み出されたデータに対して多数決又はエラー訂正を実行することにより、前記フラグセルの読み出しデータを確定する、
請求項6に記載の半導体メモリ。 - 複数の第1メモリセルを含む第1メモリセルアレイと、
複数の第2メモリセルを含む第2メモリセルアレイと、
前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、
コントローラと、を備え、
前記第1メモリセル及び前記第2メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧と、前記第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧と、前記第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧とのいずれかを有するように設定され、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第1読み出し電圧よりも高い第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記コントローラは、
前記第1ビットを含む第1ページの書き込みデータを受信すると、受信した前記第1ページの書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれに対して前記第1ページの書き込み動作を実行し、
前記第2ビットを含む第2ページの書き込みデータを受信すると、前記複数の第1メモリセルに書き込まれた前記第1ページのデータと前記複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第1ページのデータとのそれぞれを読み出し、前記複数の第1メモリセルから読み出された前記第1ページのデータと受信した前記第2ページの書き込みデータとに基づいて、前記複数の第1メモリセルに対して前記第2ページの書き込み動作を実行し、前記複数の第2メモリセルから読み出された前記第1ページのデータと受信した前記第2ページの書き込みデータとに基づいて、前記複数の第2メモリセルに対して前記第2ページの書き込み動作を実行し、
前記第3ビットを含む第3ページの書き込みデータを受信すると、前記複数の第1メモリセルに書き込まれた前記第1及び第2ページのそれぞれのデータと、前記複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第1及び第2ページのそれぞれのデータとのそれぞれを読み出し、前記複数の第1メモリセルから読み出された前記第1及び第2ページのそれぞれのデータと受信した前記第3ページの書き込みデータとに基づいて、前記複数の第1メモリセルに対して前記第3ページの書き込み動作を実行し、前記複数の第2メモリセルから読み出された前記第1及び第2ページのそれぞれのデータと受信した前記第3ページの書き込みデータとに基づいて、前記複数の第2メモリセルに対して前記第3ページの書き込み動作を実行する、
半導体メモリ。 - 前記コントローラは、
前記第2ページのデータが書き込まれる前の前記第1ページの読み出し動作では、前記第1ワード線及び前記第2ワード線のうちいずれかのワード線に1種類の読み出し電圧を印加することによって前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルからデータを読み出し、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記第2ページのデータが書き込まれた後且つ前記第3ページのデータが書き込まれる前の前記第1ページの読み出し動作では、前記第1ワード線及び前記第2ワード線のうちいずれかのワード線に1種類の読み出し電圧を印加することによって前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルからデータを読み出し、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記第3ページのデータが書き込まれた後の前記第1ページの読み出し動作では、前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれからデータを読み出し、前記複数の第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと前記複数の第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ページの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ページの読み出しデータを外部に出力する、
請求項8に記載の半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルは、第1フラグセルと第2フラグセルとを含み、
前記コントローラは、
前記第2ページの書き込み動作において、前記第1フラグセルの閾値電圧を前記第2閾値電圧又は前記第3閾値電圧まで上昇させ、
前記第3ページの書き込み動作において、前記第2フラグセルの閾値電圧を前記第2閾値電圧又は前記第3閾値電圧まで上昇させ、
前記第1ページの読み出し動作において、
前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルと前記第1フラグセルと前記第2フラグセルとのそれぞれからデータを読み出し、
前記第1フラグセルから読み出されたデータが第1データである場合に、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記第1フラグセルから読み出されたデータが前記第1データと異なる第2データであり且つ前記第2フラグセルから読み出されたデータが第3データである場合に、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルから読み出されたデータを前記第1ページの読み出しデータとして外部に出力し、
前記第2フラグセルから読み出されたデータが前記第3データと異なる第4データである場合に、前記複数の第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと前記複数の第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ページの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ページの読み出しデータを外部に出力する、
請求項9に記載の半導体メモリ。 - 前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルは、複数の前記第1フラグセルと複数の前記第2フラグセルとを含み、
前記コントローラは、前記第1ページの読み出し動作において、前記複数の第1フラグセルと前記複数の第2フラグセルとのそれぞれから読み出されたデータに対して、それぞれ多数決又はエラー訂正を実行することにより、前記第1フラグセルと前記第2フラグセルとのそれぞれの読み出しデータを確定させる、
請求項10に記載の半導体メモリ。 - 複数の第1メモリセルを含む第1メモリセルアレイと、
複数の第2メモリセルを含む第2メモリセルアレイと、
前記複数の第1メモリセルに接続された第1ワード線と、
前記複数の第2メモリセルに接続された第2ワード線と、
コントローラと、を備え、
前記第1メモリセル及び前記第2メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧と、前記第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧と、前記第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧とのいずれかを有するように設定され、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、
前記第1ビットを含む第1ページの書き込みデータを受信すると、受信した前記第1ページの書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセル及び前記複数の第2メモリセルのうち一方のメモリセルに対して前記第1ページの書き込み動作を実行し、
前記第2ビットを含む第2ページの書き込みデータを受信すると、受信した前記第2ページの書き込みデータに基づいて、前記複数の第1メモリセル及び複数の第2メモリセルのうち他方のメモリセルに対して前記第2ページの書き込み動作を実行し、
前記第3ビットを含む第3ページの書き込みデータを受信すると、前記複数の第1メモリセル又は前記複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第1ページのデータを読み出し、前記複数の第1メモリセル又は複数の第2メモリセルに書き込まれた前記第2ページのデータを読み出し、読み出された前記第1ページのデータと、読み出された前記第2ページのデータと、受信した前記第3ページのデータとに基づいて、前記複数の第1メモリセルと前記複数の第2メモリセルとのそれぞれに対して前記第3ページの書き込み動作を実行し、
前記コントローラは、前記第3ページのデータが書き込まれた後の、前記第1ページの読み出し動作と、前記第2ページの読み出し動作と、前記第3ページの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1ワード線に対する第1読み出し電圧と、前記第1読み出し電圧よりも高い第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2ワード線に対する前記第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記コントローラが、前記第1ページの読み出し動作において前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第2ページの読み出し動作において前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第3ページの読み出し動作において前記第1ワード線と前記第2ワード線とのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせとは異なる、
半導体メモリ。 - 前記第1メモリセルアレイに含まれる複数の第3メモリセルをさらに含み、
前記第2メモリセルアレイは、複数の第4メモリセルをさらに含み、
前記コントローラは、
前記第1メモリセルに不良が発生した場合、
前記第3メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、前記第1ビット、前記第2ビット、及び前記第3ビットを含む前記3ビットのデータを記憶させ、
前記第2メモリセルに不良が発生した場合、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第4メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、前記第1ビット、前記第2ビット、及び前記第3ビットを含む前記3ビットのデータを記憶させる、
請求項1に記載の半導体メモリ。 - 前記第1メモリセルアレイは、複数の第3メモリセルをさらに含み、
前記第2メモリセルアレイは、前記複数の第3メモリセルと対応する位置に配置された複数の第4メモリセルをさらに含み、
前記第1メモリセルアレイは、複数の第5メモリセルをさらに含み、
前記第2メモリセルアレイは、前記複数の第5メモリセルと対応する位置に配置された複数の第6メモリセルをさらに含み、
前記第1メモリセルアレイは、複数の第7メモリセルをさらに含み、
前記第2メモリセルアレイは、前記複数の第7メモリセルと対応する位置に配置された複数の第8メモリセルをさらに含み、
前記第4メモリセルに不良が発生した場合、
前記第3メモリセルの閾値電圧と、前記第8メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第4ビット、第5ビット、及び第6ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、前記第3メモリセルと前記第8メモリセルとの組み合わせから1ビットデータを読み出す場合に、前記第3メモリセルと前記第8メモリセルとのそれぞれに1種類の読み出し電圧を並列に印加し、
前記第5メモリセルに不良が発生した場合、
前記第7メモリセルの閾値電圧と、前記第6メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第7ビット、第8ビット、及び第9ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、前記第7メモリセルと前記第6メモリセルとの組み合わせから1ビットデータを読み出す場合に、前記第7メモリセルと前記第6メモリセルとのそれぞれに1種類の読み出し電圧を並列に印加する、
請求項1に記載の半導体メモリ。 - 複数の第1メモリセルと、
複数の第2メモリセルと、
コントローラと、を備え、
前記第1メモリセル及び前記第2メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧と、前記第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧と、前記第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧とのいずれかを有するように設定され、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビットのデータが記憶され、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第1読み出し電圧よりも高い第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作において、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれからデータを読み出し、前記第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと、前記第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ビットの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ビットの読み出しデータを外部に出力し、
前記コントローラが、前記第1ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第2ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第3ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせとは異なる、
半導体メモリ。 - 複数の第1メモリセルと、
複数の第2メモリセルと、
複数の第3メモリセルと、
複数の第4メモリセルと、
コントローラと、を備え、
前記第1メモリセル、前記第2メモリセル、前記第3メモリセル及び前記第4メモリセルのそれぞれの閾値電圧は、第1閾値電圧と、前記第1閾値電圧よりも高い第2閾値電圧と、前記第2閾値電圧よりも高い第3閾値電圧とのいずれかを有するように設定され、
前記第1メモリセル及び前記第2メモリセルのいずれにも不良が無い場合には、
前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、及び第3ビットを含む3ビットのデータが記憶され、前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第1読み出し電圧よりも高い第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作において、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに1種類の読み出し電圧を印加することによって、前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれからデータを読み出し、前記第1メモリセルから読み出された第1の読み出しデータと、前記第2メモリセルから読み出された第2の読み出しデータとに基づいて前記第1ビットの読み出しデータを確定し、確定した前記第1ビットの読み出しデータを外部に出力し、
前記コントローラが、前記第1ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第2ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせと、前記第3ビットの読み出し動作において前記第1メモリセルと前記第2メモリセルとのそれぞれに印加する読み出し電圧の組み合わせとは異なり、
前記第1メモリセルに不良が発生した場合には、前記第3メモリセルの閾値電圧と、前記第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、前記第1ビット、前記第2ビット、及び前記第3ビットを含む前記3ビットのデータが記憶され、前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第3メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第2メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行し、
前記第2メモリセルに不良が発生した場合には、前記第1メモリセルの閾値電圧と、前記第4メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、前記第1ビット、前記第2ビット、及び前記第3ビットを含む前記3ビットのデータが記憶され、前記コントローラは、前記第1ビットの読み出し動作と、前記第2ビットの読み出し動作と、前記第3ビットの読み出し動作とのそれぞれにおいて、前記第1メモリセルに対する第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加と、前記第4メモリセルに対する前記第1読み出し電圧と、前記第2読み出し電圧とのうちいずれか1種類の読み出し電圧の印加とを、並列に実行する、
半導体メモリ。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3935139B2 (ja) | 2002-11-29 | 2007-06-20 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US20050144516A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-06-30 | Gonzalez Carlos J. | Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units |
KR100666185B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 대한구동방법 |
KR100724339B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2007-06-04 | 삼성전자주식회사 | 고속의 제1 페이지 독출속도를 가지는 3-레벨 불휘발성반도체 메모리 장치 및 이에 대한 구동방법 |
KR100666184B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 하부 비트라인들과 상부 비트라인들이 전압제어블락을공유하는 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 |
KR100666186B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 3-레벨 불휘발성 반도체 메모리 장치 및 이에 적용되는페이지 버퍼 |
JP5142692B2 (ja) | 2007-12-11 | 2013-02-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009238874A (ja) | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Toshiba Corp | 半導体メモリ及びその製造方法 |
JP2009266944A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Toshiba Corp | 三次元積層不揮発性半導体メモリ |
JP5283960B2 (ja) | 2008-04-23 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | 三次元積層不揮発性半導体メモリ |
US7852671B2 (en) * | 2008-10-30 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array |
JP2010199235A (ja) | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP5039168B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2012069205A (ja) | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8737139B2 (en) * | 2012-04-11 | 2014-05-27 | Micron Technology, Inc. | Determining soft data for combinations of memory cells |
US9570179B2 (en) * | 2015-04-22 | 2017-02-14 | Sandisk Technologies Llc | Non-volatile memory with two phased programming |
JP2017224370A (ja) | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置及びメモリシステム |
US10290346B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-05-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Method and apparatus for low-latency read of flash storage devices using fractional bits per cell |
JP7051484B2 (ja) * | 2018-02-22 | 2022-04-11 | キオクシア株式会社 | 半導体メモリ |
-
2018
- 2018-02-22 JP JP2018029437A patent/JP7051484B2/ja active Active
- 2018-09-06 US US16/123,162 patent/US10607707B2/en active Active
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-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004319007A (ja) | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びこれを用いた電子装置 |
JP2006260711A (ja) | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007207415A (ja) | 2006-02-01 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | 3−レベル不揮発性半導体メモリ装置およびその駆動方法 |
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