JP7007762B2 - 触媒及び合成ガスの直接転化による低級オレフィンの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は合成ガスからの低級オレフィンの製造分野に関して、具体的に触媒及び合成ガスの直接転化による低級オレフィンの製造方法に関する。
低級オレフィンとは、炭素原子数が4以下のオレフィンを指す。エチレン、プロピレンを代表とする低級オレフィンは非常に重要な基本的な有機化学工業原料であり、中国の迅速な経済成長に伴い、長期にわたって、低級オレフィンの供給がニーズに応えない市場現状である。現在、低級オレフィンの生産には主に軽質炭化水素(エタン、ナフサ、ディーゼル軽油)を分解する石油化学工業手段が用いられ、全世界の石油資源が不足になりつつあり、原油価格が長期にわたって高いレベルであるので、低級オレフィン工業は石油の軽質炭化水素を原料とする管状分解炉によるプロセスのみに頼れば、厳重な原料難問に直面する可能性があり、低級オレフィンの生産プロセス及び原料に多様化が求められる。合成ガスを用いてオレフィンを製造するプロセスは原料のソースを広げることができ、原油、天然ガス、石炭および再生可能な材料を原料として合成ガスを生産することは、高いコストの原料例えばナフサに基づく蒸気分解技術に代替方案を提供している。ワンステップ法により合成ガスから低級オレフィンを直接製造することは、一酸化炭素と水素が触媒の作用下で、フィッシャー・トロプシュ反応により、炭素原子数4以下の低級オレフィンを直接製造する過程であり、このプロセスにおいては、間接法のプロセスのように合成ガスからメタノールまたはジメチルエーテルを経てさらにオレフィンを製造する必要がないため、プロセスが簡単化され、コストが大幅に削減される。
フィッシャー・トロプシュ法により合成ガスから低級オレフィンを直接製造することは、すでにフィッシャー・トロプシュ法による触媒開発の研究焦点の一つになっている。中科院大連化学物理研究所により提出された特許文献1においては、MgOなどのIIA族アルカリ金属酸化物又はハイシリカゼオライト分子篩(又はホスフェエートアルミノゼオライト)に担持された鉄・マンガン触媒系を用い、強塩基K又はCsイオンを助剤とし、合成ガスから低級オレフィンを製造するための反応圧力を1.0~5.0MPaとし、反応温度を300~400℃とする条件下で、比較的に高い活性(COの転化率が90%)及び選択性(低級オレフィンの選択性が66%)が得られる。北京化工大学所により出願された中国特許登録番号ZL03109585.2において、真空含浸法でマンガン、銅、亜鉛、シリコン、カリウムなどを助剤とするFe/活性炭触媒を製造して、合成ガスからの低級オレフィン製造反応を用いることにより、原料ガス循環がない条件下で、CO転化率が96%であり、炭化水素における低級オレフィンの選択性が68%である。最近、オランダのUtrecht大学のdeJong教授チームは、SiC、炭素ナノ繊維などの不活性な担体に担持されたFeとNa、Sなどの助剤で修飾したFe触媒を用いることにより、61%の低級オレフィンの選択性という好ましい成果をあげたが、転化率の上昇と、選択性が低下する問題がある。合成ガスからオレフィンを直接製造する過程において、原料であるCOとHが気態であり且つ目的産物におけるエチレンの沸点が低いため、一般には、深冷分離を行う必要があり、3つの炭素原子と4つの炭素原子を含むオレフィン、即ちプロピレンとブテンを産物とするC~Cオレフィン産物を高選択性に得ることができれば、深冷分離を行う必要がなく、分離のためのエネルギー消費量とコストが大幅に低減され、大きな適用価値がある。上記の文献において、触媒は金属鉄又は炭化鉄を活性成分として用い、反応は金属表面の鎖延長反応メカニズムに従って行い、産物である低級オレフィンの選択性が低く、特にC~Cオレフィンの選択性がより低い。
最近、中国科学院大連化学物理研究所の包信和院士と潘秀蓮研究員によってアルミナに担持されたZnCr酸化物と多段細孔SAPO-34分子篩の複合二元機能触媒(非特許文献1)が報告されており、CO転化率が17%である場合、低級オレフィンの選択性が80%になり、その中に、低炭素アルカンの選択性は14%であり、オレフィンとアルカンとの比率(オレフィン・アルキル比)は5.7に達する。転化率が35%に上昇すると、オレフィンの選択性は69%になるが、アルカンの選択性は20%になり、オレフィン・アルキル比は3.5に低減され、プロピレン及びブテンの選択性は40~50%になる。
中国特許出願公開第1083415号明細書
Jiao et al.,Science 351 (2016) 1065-1068
上記問題点に鑑み、本発明は、触媒と合成ガスからの直接転化による低級オレフィンの製造方法を提供する。
本発明の技術的手段は、以下の通りである。
本発明は、触媒を提供し、前記触媒は成分Iと成分IIとを含み、前記成分Iと成分IIは機械的混合で複合され、成分Iの活性成分は金属酸化物であり、成分IIはCHA又はAEIトポロジー構造の分子篩であり、前記金属酸化物はMnO、MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnO、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CeO、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、GaO、BiO、InO、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)からなる群より選ばれる1種又は2種以上である。
前記触媒において、前記MnO、ZnO、CeO、GaO、BiO、InOの比表面積は1~100m/gであり、比表面積が50~100m/gであることが好ましい。
前記触媒において、前記MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、InAlMn(1-a-b)Ox、InGaMn(1-a-b)の比表面積は5~150m/gであり、比表面積が50~150m/gであることが好ましい。
前記触媒において、前記xの数値範囲は0.7~3.7であり、aの数値範囲は0~1であり、a+bの数値範囲は0~1である。
本発明に係るa、b、(1-a)、(1-a-b)、xは金属酸化物における元素の化学組成の相対的割合のみを表し、割合が同様の金属酸化物はいずれも同一種類の金属酸化物と見做される。
本発明に記載のCHAとAEIトポロジー構造の分子篩は、8員環の孔口及び三次元のチャンネルを有し、CHAケージを含む。
前記触媒において、前記CHA又はAEIトポロジー構造の分子篩の骨格元素の組成はSi-O、Si-Al-O、Si-Al-P-O、Al-P-O、Ga-P-O、Ga-Si-Al-O、Zn-Al-P-O、Mg-Al-P-O、Co-Al-P-Oからなる群より選ばれる1種又は2種以上でもよい。
前記触媒において、前記成分IIの分子篩は中強酸点を備え、中強酸点の量は0~0.3mol/kgであり、0.003~0.2mol/kgが好ましく、0.003~0.06mol/kgがより好ましい。
本発明に関わる中強酸に対応するNH-TPDの脱着ピークのピーク位置に対応する温度範囲が275~500℃であり、前記酸の強度はNH-TPDピークで定義され、弱酸、中強酸、強酸の3種類の酸性を含み、このNH-TPDは、NHの脱着ピークの位置に従うが、前記脱着ピークの位置とは、基準測定条件、サンプル質量wとキャリアガスの単位時間当りの流量fとの比(w/f)=100g・h/L、10℃/minの昇温速度の測定条件下で、TCDでNH脱着の熱伝導信号を記録し、脱着曲線を描き、曲線のピーク位置に基づき、前記無機固体を3種類の酸性度に分ける。弱酸はNH脱着温度が275℃未満である酸性点であり、中強酸はNH脱着温度が275~500℃の酸性点であり、強酸はNH3脱着温度は500℃より高い酸性点である。
アセトンをプローブ分子とし、その13C-NMRの化学シフトは210~220ppm範囲にある。
成分Iにおける活性成分と成分IIとの重量比は0.1~20であり、0.3~5が好ましい。
前記成分Iには分散剤を添加し、金属酸化物は分散剤に分散され、前記分散剤は、Al、SiO、Cr、ZrO、TiO、Ga、活性炭、グラフェン、カーボンナノチューブからなる群より選ばれる1種又は2種以上である。
前記成分Iにおいて、分散剤の含有量は0.05~90wt%であり、残りは金属酸化物である。
前記触媒において、前記成分IIの分子篩の骨格のO元素にはHがしていてもよいし結合していないてもよく、且つ前記Hの全部又は一部は、イオン交換によりNa、Ca、K、Mg、Ge、Zr、Zn、Cr、Ga、Sn、Fe、Co、Mo、Mnのうちの1種又は2種以上で置換されていてよく、置換後の金属と酸素との総モル比は0.0002~0.001である。
本発明は、更に、合成ガスを反応原料として固定床又は移動床で転化反応を行い、用いられる触媒は請求項1~5のいずれか1項に記載の触媒である合成ガスの直接転化による低級オレフィンの製造方法を提供する。
前記低級オレフィンの製造方法において、前記合成ガスの圧力は0.5~10MPaであり、1~8MPaが好ましく、反応温度は300~600℃であり、350~450℃が好ましく、対気速度は300~12000h-1であり、1000~9000h-1は好ましく、3000~9000h-1はより好ましく、前記合成ガスはH/CO混合ガスであり、H/CO比例は0.2~3.5であり、0.3~2.5が好ましい。
本発明に係る触媒は、合成ガスのワンステップ法の直接転化による低級オレフィンの製造に用いられ、プロピレン及びブテンの選択性が40~75%であり、50~75%が好ましく、また副産物であるメタンの選択性は15%未満であり、10%未満であるのが好ましい。
本発明は、以下の有益な効果を有する。
1.本技術は、従来のメタノールから低級オレフィンを製造する技術(MTOと略称)と異なり、ワンステップで合成ガスを低級オレフィンに直接転化することを実現することができる。
2.産物におけるプロピレン及びブテンの選択性は40~75%と高く、産物は深冷分離を行う必要がなく、分離のためのエネルギー消費量とコストが大幅に削減される。
3.触媒における成分Iの活性成分である金属酸化物は高比表面積を有するので、金属酸化物の表面にはより多くの活性サイトを備え、接触反応の進行により有利である。
4.触媒における成分IIの作用は、成分Iとカップリングすることで、成分Iによって生成される活性気相中間体をさらに転化して低級オレフィンを得、成分IIのカスケード反応の平衡に対する駆動作用により、成分Iによる合成ガスの活性化及び転化が促進されて、転化率が向上され、一方、本発明に用いられる成分IIにおける分子篩の特別なチャンネル構造は、独特な形状選択効果を有し、より多くの低級オレフィン産物を高選択性に得ることができる。
5.本発明に記載の成分I又は成分IIをそれぞれ個別に用いると、本発明の機能を全然実現できず、例えば、成分Iのみを用いる場合、産物におけるメタンの選択性は非常に高いわりに、転化率が低いに対して、成分IIのみを用いる場合、合成ガスを殆ど活性化・転化できず、成分Iと成分IIが協同的触媒作用を果たしてはじめて、効果よい合成ガスの転化を実現するとともに、優れた選択性を得ることができる。これは、成分Iが合成ガスを活性化させて特定の活性気相中間体を生成し、中間体が気相を経て成分IIのチャンネル内に拡散されるからである。本発明において選択されたCHA又はAEIトポロジー構造の分子篩は特別なチャンネル構造と酸性を備えるので、成分Iによって生成される活性気相中間体をさらに効果よくオレフィンに活性化・転化させうる。成分IIの特別なチャンネル構造のため、産物が特別な選択性を備えるようになる。
6.本発明の複合触媒の製造方法は、過程が簡単で、条件が温和であり、製品の収率及び選択性が高く、C~C低級オレフィンの選択性は50~90%に達することができ、特に、C~Cオレフィンの選択性が高いとともに、副産物であるメタンの選択性が低く(<15%)、触媒の寿命が>700時間と長く、優れた適用が見込まれる。
以下、実施例により、本発明をさらに詳述するが、本発明の特許請求の範囲はこれらの実施例に限制されない。また、実施例にはこの目的を実現するための一部の条件が示されるが、目的を達成するためにこれらの条件が満たされなければならないことを意味するのではない。
サンプルの比表面積は、窒素又はアルゴンの物理吸着方法で測定することができる。
本発明に係る金属酸化物は、市販の高比表面積の金属酸化物を購入してもよいし、以下の方法で取得してもよい。
一、触媒成分Iの製造
(一)、沈降法による高比表面積を有するZnO材料の合成
(1)1部あたり0.446g(1.5mmol)のZn(NO・6HOを3部秤取し、3つの容器に加え、さらに0.300g(7.5mmol)、0.480g(12mmol)、0.720g(18mmol)のNaOHをそれぞれ秤取して上記3つの容器に順次に加え、次いで30ml脱イオン水をそれぞれ量り取って3つの容器に加え、70℃で0.5h以上攪拌して溶液を均一に混合し、室温までに自然冷却させる。反応液を遠心分離して遠心分離後の沈澱物を収集し、脱イオン水で2回洗浄してZnO金属酸化物の前駆体を得る。
(2)焙焼:上記の得られた産物を空気中で乾燥させた後、雰囲気において焼成処理を行うことで、高比表面積のZnO材料を得る。雰囲気は不活性ガス、還元性ガス又は酸化性ガスであり、不活性ガスはN、He及びArのうちの1種又は2種以上であり、還元性ガスはH、COの中の1種又は2種であり、還元性ガスには不活性ガスが含まれてもよく、酸化性ガスはO、O、NOのうちの1種又は2種以上であり、酸化性ガスには不活性ガスが含まれてもよい。焼成温度は300~700℃であり、時間は0.5h~12hである。
焙焼の目的は、沈澱された後の金属酸化物の前駆体を高温下で高比表面積の酸化物ナノ粒子に分解させるとともに、分解して生成された酸化物表面の吸着物を焙焼の高温処理により完全に除去することである。
具体的なサンプル及びその製造条件は下記の表1に示し、比較例として、表におけるZnO#4は市販の低比表面積のZnO単結晶である。
Figure 0007007762000001
(二)共沈降法による高比表面積を有するMnO材料の合成
製造過程は上記ZnO#2と同様であるが、相違点は、Znの前駆体に代えて、Mnの前駆体を用いることであり、Mnの前駆体は硝酸マンガン、塩化マンガン、酢酸マンガンの中の1種でもよく、ここでは、硝酸マンガンを用い、対応する産物はMnOとされ、比表面積は23m/gである。
(三)共沈降法による高比表面積を有するCeO材料の合成
製造過程は上記ZnO#2と同様であるが、相違点は、Znの前駆体に代えて、Ceの前駆体を用いることであり、Ceの前駆体は硝酸セリウム、塩化セリウム、酢酸セリウムのうちの1種でもよく、ここでは、硝酸セリウムを用い、対応する産物はCeOとされ、比表面積は92m/gである。
(四)共沈降法による高比表面積を有するGa材料の合成
製造過程は上記ZnO#2と同様であるが、相違点は、Znの前駆体に代えて、Gaの前駆体を用いることであり、Gaの前駆体は硝酸ガリウム、塩化ガリウム、酢酸ガリウムのうちの1種でもよく、ここでは、硝酸ガリウムを用い、対応する産物はGaとされ、比表面積は55m/gである。
(五)共沈降法による高比表面積を有するBi材料の合成
製造過程は上記ZnO#2と同様であるが、相違点は、Znの前駆体に代えて、Biの前駆体を用いることであり、Biの前駆体は硝酸ビスマス、塩化ビスマス、酢酸ビスマスの1種でもよく、ここでは、硝酸ビスマスを用い、対応する産物はBiとされ、比表面積は87m/gである。
(六)共沈降法による高比表面積を有するIn材料の合成
製造過程は上記ZnO#2と同様であるが、相違点は、Znの前駆体をInの前駆体を用いることであり、Inの前駆体は硝酸インジウム、塩化インジウム、酢酸インジウムのうちの1種でもよく、ここでは、硝酸インジウムを用い、対応する産物はInとされ、比表面積は52m/gである。
(七)沈降法による高比表面積を有するMnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)の合成
硝酸亜鉛、硝酸アルミ二ウム、硝酸クロム、硝酸マンガン、硝酸ジルコニウム、硝酸インジウム、硝酸コバルト及び硝酸鉄を前駆体として用い、室温で炭酸アンモニウムと水中で混合し(ここで、炭酸アンモニウムを沈殿剤とし、仕込み比は、炭酸アンモニウムが過量であるか又は好ましくはアンモニウムイオンと金属イオンとの比が1:1である)、混合液をエージングした後、取り出して洗浄、ろ過、乾燥し、得られた固体を空気雰囲気下で焼成し、高比表面積の金属酸化物を得る。具体的なサンプル及びその製造条件は下記の表2に示す。
Figure 0007007762000002
(八)、分散剤Cr、Al又はZrOで分散した金属酸化物
分散剤Cr、Al又はZrOを担体とし、沈澱堆積法によりCr、Al又はZrOを分散した金属酸化物を製造する。分散ZnOの製造を例とすると、市販のCr(比表面積が約5m/gである)、Al(比表面積が約20m/g)又はZrO(比表面積が約10m/g)を担体として事前に水に分散し、次いで硝酸亜鉛を原料として、水酸化ナトリウム沈殿剤と室温で混合して沈澱させる。Zn2+のモル濃度は0.067Mであり、Zn2+と沈殿剤とのモル比は1:8であり、その後、160℃で24時間エージングし、Cr、Al又はZrOを担体として分散したZnO(成分Iにおける分散剤の含有量は順次に0.1wt%、20wt%、85wt%である)を得る。得られたサンプルは空気で500℃で1h焼成し、産物は順次に分散酸化物1~3として定義し、その比表面積は順次に148m/g、115m/g、127m/gである。
同様の方法により、SiO(比表面積が約2m/g)、Ga(比表面積が約10m/g)又はTiO(比表面積が約15m/g)を担体として分散したMnO酸化物(成分Iにおける分散剤の含有量が順次に5wt%、30wt%、60wt%である)を得、産物は順次に分散酸化物4~6として定義し、比表面積は順次に97m/g、64m/g、56m/gである。
同様方法により、活性炭(比表面積が約1000m/g)、グラフェン(比表面積が約500m/g)又はカーボンナノチューブ(比表面積が約300m/g)を担体として分散したZnO酸化物(成分Iにおける分散剤の含有量は順次に5wt%、30wt%、60wt%である)を得、産物は順次に分散酸化物7~9として定義し、比表面積は順次に177m/g、245m/g、307m/gである。
二、成分II(CHA及びAEIトポロジー構造の分子篩)の製造
前記CHA及びAEIトポロジー構造は、8員環の孔口及び三次元のチャンネルを有し、チCHAケージを含む。
本発明に記載の中強酸は固体NMRのHスペクトル、NH-TPD、赤外線、化学滴定などの手段で測定可能であるが、酸性の測定方法は上記測定方法に限られない。
本発明に係る分子篩は製品の酸密度が本発明の要求に合うCHAとAEIトポロジー構造を有する分子篩でもよいし、先行文献に記載の方法により製造される分子篩(Chemcatchem,2012,4,1428-1435)でもよい。本発明において、水熱合成法により製造される分子篩を例とする。
1)具体的な製造過程
酸化物SiO:Al:HPO:R:HO=1.6:16:32:55:150(質量比)に従って原料である30%(質量濃度)のシリカゾル、AlOOH、リン酸、TEA(R)、脱イオン水を秤取し、室温で混合した後で、テンプレートである0.5倍のモル量の助剤HFを添加し、30℃で攪拌しながらエージングし、2h後に水熱釜に移転し、200℃で24h結晶化させる。水浴で室温に急速冷却し、上清液のpHが7になるまでに遠心分離と洗浄を繰り返し、沈澱物は110℃で17h乾燥した後、600℃で空気中で3h焼成し、多段孔構造の珪素・リン・アルミ二アム無機固体酸を得る。
前記CHAとAEIトポロジー構造を有する分子篩の骨格元素の組成は、Si-O、Si-Al-O、Si-Al-P-O、Al-P-O、Ga-P-O、Ga-Si-Al-O、Zn-Al-P-O、Mg-Al-P-O、Co-Al-P-Oからなる群より選ばれる1種又は2種以上である。
一部の骨格のO元素にHが結合されており、対応する産物は順次に分1-7として定義する。
Figure 0007007762000003
2)上記産物分1-8骨格のO元素に結合されているHの一部をイオン交換によりNa、Ca、K、Mg、Ge、Zr、Zn、Cr、Ga、Sn、Fe、Co、Mo、Mnのような金属イオンで置換する。その製造過程は以下通りである。
分1~8のサンプルを固液質量比=1:30の比例で0.5mol/Lの交換待ちの金属イオンの硝酸塩溶液と混合した後、80℃で6h攪拌、洗浄及び乾燥を行い、この過程を2回繰り返して行い、550℃で3h焼成し、金属イオンに交換されたCHA又はAEIを得る。
対応する産物は順次に分9-22として定義する。
Figure 0007007762000004
Figure 0007007762000005
三、触媒の製造
成分Iと成分IIを所用割合で容器に入れ、これらの材料及び/又は容器の高速運動による押圧力、衝撃力、剪断力、摩擦力などのうちの1種又は2種以上の作用により、分離、破砕、均一な混合などの目的を達成し、温度とキャリアガスの雰囲気を調整することで機械的エネルギー、熱エネルギー、化学エネルギーの転換を実現し、さらに異なる成分間の相互作用を調整する。
機械的混合の過程において、混合温度を20~100℃に設定してもよく、雰囲気中又はそのまま空気中で行ってもよい。雰囲気は以下のいずれかの気体から選ばれる。
a)窒素ガス及び/又は不活性ガス。
b)水素ガスと窒素ガス及び/又は不活性ガスの混合ガスであって、混合ガスにおける水素ガスの体積が5~50%である。
c)COと窒素ガス及び/又は不活性ガスの混合ガスであって、混合ガスにおけるCOの体積が5~20%である。
d)Oと窒素ガス及び/又は不活性ガスの混合ガスであって、混合ガスにおけるOの体積が5~20%であり、前記不活性ガスがヘリウム、アルゴン、ネオンのうちの1種又は2種以上である。
機械的混合は、機械攪拌、ボールミーリング、シェーカー混合、機械的研磨のうちの1種又は2種以上を用いて複合を行うことができ、詳細は以下通りである。
機械攪拌:攪拌槽において、攪拌棒を用いて成分Iと成分IIを混合し、攪拌時間(5min~120min)及び速度(30~300r/min)を制御することにより、成分Iと成分IIとの混合程度を調整することができる。
ボールミーリング:研磨剤と触媒を研磨タンク内で高速で回転させつことで、触媒に強い衝撃、圧延を与え、成分Iと成分IIを分散、混合する作用を達成する。研磨剤(材質がステンレス、瑪瑙、石英でもよい。サイズ範囲が5mm~15mm)と触媒との割合(質量比の範囲が20~100:1)を制御することで、均一な混合を実現する。
シェーカー混合法:成分Iと成分IIを予備混合し、容器に入れ、シェーカーの往復振動又は円周振動を制御することで、成分Iと成分IIとの混合を達成し、振動速度(範囲が170r/分)と時間(範囲が5min~120min)を調整することにより、均一な混合を実現する。
機械的研磨法:成分Iと成分IIを予備混合し、容器に入れ、一定の圧力(範囲が5kg~20kg)下で、混合された触媒とラッパーとの相対的運動(速度範囲が30~300r/min)により、均一な混合作用を実現する。
具体的な触媒製造及びその特性パラメータは表6に示す。
Figure 0007007762000006
Figure 0007007762000007
[接触反応実例]
固定床反応を例とするが、触媒は移動床反応器にも適用できる。該装置には気体質量流量計、オンライン産物分析クロマトグラフィー(反応器のテールガスはクロマトグラフィーの定量バルブに直接接続され、周期的及びリアルタイムのサンプリング及び分析を行う)が取り付けられている。
上記本発明の触媒を2g取って固定床反応器に入れ、Arで反応器における空気を置換した後、H雰囲気において300℃までに昇温し、合成ガス(H/COモル比=0.2~3.5)を切り替え、合成ガスの圧力を0.5~10MPaとし、反応温度300~600℃までに昇温し、反応原料ガスの対気速度を300~12000ml/g/hに調整する。産物はオンラインクロマトグラフィーで測定し分析を行う。
温度、圧力、対気速度及び合成ガスにおけるH/COのモル比を変更することで、反応性能を変更することができる。産物において、プロピレンとブテンの選択性の和は30~75%に達し、低級オレフィン(エチレン、プロピレン、ブテン)の選択性の和は50~90%に達することができる。触媒金属複合物の表面の水素化活性が高くないため、メタンの大量生成が回避され、メタンの選択性が低くなる。触媒の具体的な使用及びその効果データを表7に示す。
Figure 0007007762000008
Figure 0007007762000009
比較例1において、触媒の成分IはZnO#4であり、成分IIは分1である。
比較例4で用いられる触媒における分子篩は南開大学触媒工場から購入された製品SAPO-34であり、そのNH3-TPDの中強酸脱着ピークに対応する温度は390℃であり、中強酸点の量は0.6mol/kgである。比較例5において用いられる触媒における分子篩は南開大学触工場から購入された製品ZSM-5であり、全体で微孔構造であり、Si/Al=30である。
比較例4及び5の反応結果からわかるように、CHA又はAEIのトポロジー構造及びその酸強度は産物の選択性の調整に対して重要である。
比較例6で用いられる触媒は成分IであるZnO#1のみを有するが分子篩を含まないサンプルであり、反応転化率は非常に低く、且つ産物は主にジメチルエーテル及びメタンなどの副産物であり、エチレンが殆ど生成されていない。
比較例7で用いられる触媒は成分IIである分1のみを有する分子篩であるが成分Iを含まないサンプルであり、反応に対しての触媒活性が殆どない。
比較例6、7の表面には成分I又は成分IIのみがある際に、反応効果が非常に悪く、本発明に記載の優れた反応性能を全然持っていない。
文献(非特許文献1)の比較技術において用いられたSAPO34分子篩の酸量は比較的に大きく、NH3-TPDの測定に基づき、中強酸の酸量は0.32mol/kgに達するので、転化率は35%に上昇すると、オレフィンの選択性は69%になり、アルカンの選択性は20%になり、オレフィン/アルキル比は3.5に低減し、プロピレン及びブテンの選択性は40~50%である。
上記の表からわかるように、分子篩の構造、CHA&AEIのトポロジー構造、その酸強度及び酸量、並びに金属酸化物と分子篩との間のマッチングは非常に重要であり、一酸化炭素の転化率、並びにプロピレン及びブテンの選択性に直接影響する。
(付記)
(付記1)
成分Iと成分IIを含み、前記成分Iと成分IIは機械的混合により複合され、成分Iの活性成分が金属酸化物であり、成分IIがCHA又はAEIトポロジー構造の分子篩であり、
前記金属酸化物はMnO、MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnO、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CeO、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、GaO、BiO、InO、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)からなる群より選ばれる1種又は2種以上であり、
前記MnO、ZnO、CeO、GaO、BiO、InOの比表面積は1~100m/g、好ましくは比表面積が50~100m/gであり、
前記MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)の比表面積は5~150m/g、好ましくは50~150m/gであり、
前記xの数値範囲が0.7~3.7であり、aの数値範囲が0~1であり、a+bの数値範囲が0~1である、
ことを特徴とする触媒。
(付記2)
前記CHA又はAEIトポロジー構造を備える分子篩の骨格元素の組成はSi-O、Si-Al-O、Si-Al-P-O、Al-P-O、Ga-P-O、Ga-Si-Al-O、Zn-Al-P-O、Mg-Al-P-O、Co-Al-P-Oからなる群より選ばれる1種又は2種以上である、
ことを特徴とする付記1に記載の触媒。
(付記3)
前記分子篩は中強酸点を備え、中強酸点の量は0~0.3mol/kg、好ましくは0.003~0.2mol/kg、より好ましくは0.003~0.06mol/kgである、
ことを特徴とする付記1に記載の触媒。
(付記4)
成分Iにおける活性成分と成分IIとの重量比は0.1~20、好ましくは0.3~5である、
ことを特徴とする付記1に記載の触媒。
(付記5)
前記成分Iには分散剤をさらに添加し、金属酸化物は分散剤に分散され、前記分散剤はAl、SiO、Cr、ZrO、TiO、Ga、活性炭、グラフェン、カーボンナノチューブのうちの1種又は2種以上であり、前記成分Iにおける分散剤の含有量は0.05~90wt%であり、残りは金属酸化物である、
ことを特徴とする付記1に記載の触媒。
(付記6)
分子篩の骨格のO元素にHが結合していてもよいし結合していなくてもよい、
ことを特徴とする付記1~3の何れか1つに記載の触媒。
(付記7)
分子篩の骨格のO元素にHが結合している場合、前記Hの全部又は一部は、イオン交換によりNa、Ca、K、Mg、Ge、Zr、Zn、Cr、Ga、Sn、Fe、Co、Mo、Mnの1種又は2種以上で置換されていてよく、置換後の金属と酸素との総モル比は0.0002~0.001である、
ことを特徴とする付記7に記載の触媒。
(付記8)
合成ガスを反応原料として、固定床又は移動床で転化反応を行うものであり、用いられる触媒は付記1~8の何れか1つに記載の触媒である、
ことを特徴とする合成ガスからの直接転化による低級オレフィンの製造方法。
(付記9)
前記合成ガスの圧力は0.5~10MPa、好ましくは1~8MPaであり、反応温度は300~600℃、好ましくは350~450℃であり、対気速度が300~12000h-1、好ましくは1000~9000h-1、より好ましくは3000~9000h-1であり、前記合成ガスはH/CO混合ガスであり、H/COの比は0.2~3.5、好ましくは0.3~2.5である、
ことを特徴とする付記8に記載の方法。
(付記10)
合成ガスからのワンステップ法の直接転化によりC2-4オレフィンを製造し、C2-4オレフィンの選択性は50~90%であり、副産物であるメタンの選択性は15%未満である、
ことを特徴とする付記8に記載の方法。

Claims (10)

  1. 触媒であって、
    当該触媒は、
    ワンステップで合成ガスをC 2-4 オレフィンに直接転化する反応に用いられ、
    成分Iと成分IIを含み、前記成分Iと成分IIは機械的混合により複合され、成分Iの活性成分が金属酸化物であり、成分IIがCHA又はAEIトポロジー構造の分子篩であり、
    前記金属酸化物はMnO、MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnO、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CeO、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、GaO、BiO、InO、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)からなる群より選ばれる1種又は2種以上であり、
    前記MnO、ZnO、CeO、GaO、BiO、InOの比表面積は1~100m/g、好ましくは比表面積が50~100m/gであり、
    前記MnCr(1-a)、MnAl(1-a)、MnZr(1-a)、MnIn(1-a)、ZnCr(1-a)、ZnAl(1-a)、ZnGa(1-a)、ZnIn(1-a)、CoAl(1-a)、FeAl(1-a)、InAlMn(1-a-b)、InGaMn(1-a-b)の比表面積は5~150m/g、好ましくは50~150m/gであり、
    前記xの数値範囲が0.7~3.7であり、aの数値範囲が0~1であり、a+bの数値範囲が0~1である、
    ことを特徴とする触媒。
  2. 前記CHA又はAEIトポロジー構造を備える分子篩の骨格元素の組成はSi-O、Si-Al-O、Si-Al-P-O、Al-P-O、Ga-P-O、Ga-Si-Al-O、Zn-Al-P-O、Mg-Al-P-O、Co-Al-P-Oからなる群より選ばれる1種又は2種以上である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の触媒。
  3. 前記分子篩は中強酸点を備え、中強酸点の量は0~0.3mol/kg、好ましくは0.003~0.2mol/kg、より好ましくは0.003~0.06mol/kgである、
    ことを特徴とする請求項1に記載の触媒。
  4. 成分Iにおける活性成分と成分IIとの重量比は0.1~20、好ましくは0.3~5である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の触媒。
  5. 前記成分Iには分散剤をさらに添加し、金属酸化物は分散剤に分散され、前記分散剤はAl、SiO、Cr、ZrO、TiO、Ga、活性炭、グラフェン、カーボンナノチューブのうちの1種又は2種以上であり、前記成分Iにおける分散剤の含有量は0.05~90wt%であり、残りは金属酸化物である、
    ことを特徴とする請求項1に記載の触媒。
  6. 分子篩の骨格のO元素にHが結合していてもよいし結合していなくてもよい、
    ことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の触媒。
  7. 分子篩の骨格のO元素にHが結合している場合、前記Hの全部又は一部は、イオン交換によりNa、Ca、K、Mg、Ge、Zr、Zn、Cr、Ga、Sn、Fe、Co、Mo、Mnの1種又は2種以上で置換されていてよく、置換後の金属と酸素との総モル比は0.0002~0.001である、
    ことを特徴とする請求項に記載の触媒。
  8. 合成ガスを反応原料として、固定床又は移動床で転化反応を行うものであり、用いられる触媒は請求項1~の何れか1項に記載の触媒である、
    ことを特徴とする合成ガスからの直接転化による低級オレフィンの製造方法。
  9. 前記合成ガスの圧力は0.5~10MPa、好ましくは1~8MPaであり、反応温度は300~600℃、好ましくは350~450℃であり、対気速度が300~12000h-1、好ましくは1000~9000h-1、より好ましくは3000~9000h-1であり、前記合成ガスはH/CO混合ガスであり、H/COの比は0.2~3.5、好ましくは0.3~2.5である、
    ことを特徴とする請求項8に記載の方法。
  10. 合成ガスからのワンステップ法の直接転化によりC2-4オレフィンを製造し、C2-4オレフィンの選択性は50~90%であり、副産物であるメタンの選択性は15%未満である、
    ことを特徴とする請求項8に記載の方法。
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