JP6954660B2 - 集積memsシステム - Google Patents
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Description
本特許出願は、米国特許出願第61/925,379号の優先権を主張するものであり、その開示は参照により全体として本特許出願に組み込まれる。
。このチップスケールのパッケージングは、最終デバイスに相当な費用を上乗せする。MEMS上のキャップはまた、3DIC用途のためのチップの積み重ねを、不可能ではないにしても困難にする。
理回路と、IC電気接点の第2の組に動作可能に接続されて補助信号を処理しかつ追加的なシステム機能を提供する補助信号処理回路とを含む。
い。両方の変形形態に対して、導電性ウェハプラグ26は、キャップ層を通して電気接点42に電気信号を伝達することを可能にする。当然ながら、絶縁伝導路はMEMSチップの全厚を通して延在することができるので、中央および第2の層は、第1、中央、および第2の層のトレンチがそれらの層の接触面において位置合わせされるように、同じ形でパターン付けされ得る。
System on Chip)とも呼ばれる個々の集積MEMSシステム構成要素へ
と(図2Fにおける点線に沿って)方形切断され得る。ICチップの露出した側は、シリコン基板上に貼り付けられた酸化物不活性化層によって保護され、MEMS/ASIC接触面は、アンダーフィル44によって保護される。図2Gに示されるように方形切断されたチップ2000は、パッケージ化されたICとして取り扱われることができ、第2のキャップ上に設けられた底部キャップ接合パッドは、追加的なパッケージ化を伴わずに、PCB300上の接合パッドにバンプ接合され得る。PCBアンダーフィル44が、PCBに貼り付けられて、PCB接合パッド上の接点を明瞭にするためにパターン付けされる。ハンダバンプ45が、露出したPCB接合パッドに貼り付けられ、方形切断された3DS構成要素チップ2000は、PCB300にフリップチップ接合され得る。追加的な湿気からの保護が所望される場合、高分子封止材料または他の材料34が適用され得る。追加的なキャッピングまたはボンドワイヤは必要とされない。
NU:Inertial Navigation Unit)を考慮されたい。3DSシステムの一部は、より大きなシステムからの位置/姿勢読取りのためのデジタル要求が、PCB基板デジタルI/Oリード線、あるいはメモリもしくは論理セクションよりも高いクロックレートで駆動する高速CMOSまたはRF CMOSを必要とする無線I/O3264を通じて入って来るときに、システムセンサハブとして機能することができる。要求は、デジタルバス3272およびデジタルI/Oセクション3244を通ってシステム制御装置3248に伝わる。システム制御装置3248は、3つの角速度、3つの加速度、3つの磁界、および1つの圧力の読取りのそれぞれの測定を引き起こしかつ時刻を定めるために、クロック信号を提供する。アナログ/デジタルセクション3270は、種々のセンサの静電容量を測定するのに必要とされるDCバイアスおよびジャイロスコープ駆動信号を提供するほかに、信号を増幅しかつそれらの信号を角速度、加速度、磁界、および圧力を表すデジタルデータに変換する。デジタル分析回路3242は、未加工のデジタルセンサデータを取得することができ、かつ、メモリ3246に記憶されたアルゴリズムおよび定数を使用して、加速度および角速度(IMU出力)、ならびに圧力および磁界のリアルタイムの値を計算することができる。しかし、慣性航法出力(例えば、位置および姿勢)が必要とされる場合、デジタルデータ分析セクション3242は、6DOFデータを外部センサの読取り値(GPSなど)と一緒に圧力および磁界のデータと統合して瞬間的な位置および姿勢を提供するために、追加の計算を行う。これらの「センサ融合」のアルゴリズムおよび定数は、メモリ3246に記憶され得る。最終的に、結果は、デジタルI/Oセクション3244およびデジタルバスを通り、MEMSチップを通してPCB基板へ出力されるか、または、この場合もより大きなシステムと通信するためのセンサハブとして機能する3DSチップによるRF無線通信を介して出力される。
[形態1]
集積MEMSシステムであって、
− 少なくとも1つの単一MEMSチップ、および
− 少なくとも1つの単一ICチップ
を備え、
前記少なくとも1つの単一MEMSチップが、
− 第1のキャップMEMS電気接点の第1および第2の組を含む第1のキャップ層と、
− 第2のキャップMEMS電気接点を含む第2のキャップ層と、
− 前記第1のキャップ層と前記第2のキャップ層との間に配置された中央MEMS層と、
− 前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層内に形成されて、運動を引き起こすかまたは少なくとも1つのパラメータを検知する、少なくとも1つの変換器と、
− 前記少なくとも1つの変換器を前記第1のキャップMEMS電気接点の第1の組にそれぞれ接続して、前記少なくとも1つの変換器と前記第1の組の前記第1のキャップMEMS電気接点との間で電気的MEMS信号を伝導する、第1の絶縁伝導路と、
− 前記第1のキャップMEMS電気接点の第2の組を、前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層を通して前記第2のキャップMEMS電気接点のうちの少なくともいくつかに接続して、前記MEMSチップを通して補助信号を伝導する、第2の絶縁伝導路と、
を備え、
前記少なくとも1つの単一ICチップが、
− 第1のキャップMEMS電気接点の第1および第2の組にそれぞれバンプ接合されるIC電気接点の第1および第2の組と、
− IC電気接点の第1の組に動作可能に接続されて前記電気的MEMS信号を処理する、MEMS信号処理回路と、
− 前記IC電気接点の第2の組に動作可能に接続されて、前記補助信号を処理しかつ追加的なシステム機能を提供する、補助信号処理回路と
を備える、集積MEMSシステム。
[形態2]
形態1に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層が、導電性材料で作られ、前記第1のキャップ層が、前記中央MEMS層の第1の側に電気的に接合されており、前記第2のキャップ層が、前記第1の側とは反対側の前記中央MEMS層の第2の側に電気的に接合されている、集積MEMSシステム。
[形態3]
形態1または2に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層が、ウェハレベルで接合されるそれぞれのシリコンベースのウェハから製作される、集積MEMSシステム。
[形態4]
形態1から3までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記中央MEMS層が、シリコン・オン・インシュレータ・ウェハから作られる、集積MEMSシステム。
[形態5]
形態1から4までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記第2の絶縁伝導路が、前記第1の層、前記中央MEMS層、および前記第2の層のうちの1つにエッチングされたトレンチによって形成され、前記トレンチが、位置合わせされかつ絶縁材料で満たされており、前記トレンチが、それぞれの導電性ウェハプラグを取り囲み、前記導電性ウェハプラグが、前記MEMSチップの全厚を通した電気信号の伝達を可能にする、集積MEMSシステム。
[形態6]
形態1から5までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記第2の絶縁伝導路のうちの少なくともいくつかが、前記第1の層、前記中央MEMS層、および前記第2の層のうちの1つにエッチングされたトレンチによって形成され、前記トレンチが、位置合わせされており、かつ、絶縁材料で覆われかつ導電性材料で満たされたそれらのそれぞれの側壁を有する、集積MEMSシステム。
[形態7]
形態1から6までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記第1および第2のキャップ層の前記第1および第2のキャップMEMS電気接点が、接合パッドである、集積MEMSシステム。
[形態8]
形態1から7までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの変換器が、6自由度運動センサを含み、前記少なくとも1つのパラメータが、3軸の直線加速度、および3軸の角速度を含む、集積MEMSシステム。
[形態9]
形態9に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記6自由度運動センサが、前記第1および第2のキャップ層内にそれぞれ設けられた第1および第2の電極の組と、前記中央MEMS層内に設けられた複数のプルーフマスとを含み、前記第1および第2の電極の組が、前記複数のプルーフマスとともにコンデンサを形成し、前記第1の絶縁伝導路のうちのいくつかが、前記第1および第2の電極の組の前記電極を、前記MEMS電気接点の第1の組のうちの少なくともいくつかの前記第1のキャップMEMS電気接点にそれぞれ接続する、集積MEMSシステム。
[形態10]
形態1から9までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの変換器が、少なくとも1つの非慣性センサを含む、集積MEMSシステム。
[形態11]
形態10に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの非慣性センサが、圧力センサ、磁力計、温度計、およびマイクロホンのうちの少なくとも1つを含む、集積MEMSシステム。
[形態12]
形態10または11に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの非慣性センサが、前記第1の層内にパターン付けされた非慣性電極と、前記中央MEMS層内にパターン付けされた少なくとも1つのMEMS構造とを含み、前記第1の絶縁伝導路のうちのいくつかが、前記少なくとも1つの非慣性センサの前記電極を前記第1の組の前記第1のキャップMEMS電気接点のうちの少なくともいくつかに接続する、集積MEMSシステム。
[形態13]
形態1から12までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記電気的MEMS信号のうちの少なくともいくつかが、アナログ信号であり、前記ICチップが、前記MEMSチップによって送信されたアナログ信号を前記MEMS信号処理回路による処理のためのデジタル信号に変換するために、また、前記MEMS信号処理回路によって送信されたデジタル信号を前記MEMSチップに入る前にアナログ信号に変換するために、混合信号CMOS回路を含む、集積MEMSシステム。
[形態14]
形態1から13までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記ICチップが、デジタルバスを含み、前記MEMS信号処理回路が、前記デジタルバスを介して前記混合信号回路に接続されたデジタルCMOS回路を含む、集積MEMSシステム。
[形態15]
形態14に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記デジタルCMOS回路が、デジタルデータ分析回路、デジタル入力/出力回路、メモリ、システム制御装置、および較正/補償回路のうちの少なくとも1つを含む、集積MEMSシステム。
[形態16]
形態14または15に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記ICチップが、電力バスを含み、前記補助信号処理回路が、前記電力バスと前記デジタルバスとに接続された電力管理回路を含む、集積MEMSシステム。
[形態17]
形態14から16までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記ICチップが、前記補助信号を処理するための、前記デジタルバスに接続された高速CMOS回路を含む、集積MEMSシステム。
[形態18]
形態17に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記高速CMOS回路が、無線信号またはGPS信号のための入出力モジュールのうちの少なくとも1つを含む、集積MEMSシステム。
[形態19]
形態1から18までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの単一MEMSチップが、第1の単一MEMSチップと、少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップとを含み、前記第1の単一MEMSチップおよび前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップが、垂直に積み重ねられ、前記第1の単一MEMSチップの前記第2の層が、前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップの前記第1の層にバンプ接合され、前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップの前記第2の絶縁伝導路が、前記第1の単一MEMSチップの前記第2の絶縁伝導路のうちの少なくともいくつかに電気的に接続されて、前記第1の単一MEMSチップおよび前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップを通して前記少なくとも1つのICチップに補助信号を伝導する、集積MEMSシステム。
[形態20]
形態19に記載の集積MEMSシステムにおいて、第1のMEMSチップが、第1のキャップMEMS電気接点の第3の組と、前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層を通して前記第3の組の前記第1のキャップMEMS電気接点を、前記第2のキャップMEMS電気接点のうちの少なくともいくつかに接続する第3の絶縁伝導路とを含み、前記第3の絶縁伝導路が、前記少なくとも1つのICチップの前記MEMS信号処理回路に電気的に接続され、かつ、前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップの絶縁伝導路に電気的に接続され、前記MEMS信号処理回路が、前記第1の単一MEMSチップおよび前記少なくとも1つの追加的な単一MEMSチップの前記電気的MEMS信号を処理する、集積MEMSシステム。
[形態21]
形態1から20までのいずれか一項に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記少なくとも1つの単一MEMSチップが、第1の単一ICチップと、少なくとも1つの追加的な単一ICチップとを含む、集積MEMSシステム。
Claims (14)
- 集積微小電気機械(MEMS)システムであって、
− 少なくとも1つのMEMSチップ、および
− 少なくとも1つの信号処理集積回路(IC)チップ
を備え、
前記少なくとも1つのMEMSチップが、
− 第1および第2の組の第1のキャップMEMS電気接点を含む第1のキャップ層と、
− 第2のキャップMEMS電気接点を含む第2のキャップ層と、
− 前記第1のキャップ層と前記第2のキャップ層との間に配置された中央MEMS層と、
− 前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層内に形成されて、運動を引き起こすかまたは少なくとも1つのパラメータを検知する、少なくとも1つの変換器と、
− 前記少なくとも1つの変換器を前記第1の組の第1のキャップMEMS電気接点に接続して、前記少なくとも1つの変換器と前記第1の組の前記第1のキャップMEMS電気接点との間で電気的MEMS信号を伝導する、第1の絶縁伝導路と、
− 前記第2の組の第1のキャップMEMS電気接点を、前記第2のキャップMEMS電気接点のうちの少なくとも1つに接続し、前記第1のキャップ層、前記中央MEMS層、および前記第2のキャップ層を通して延び、前記MEMSチップを通して前記電気的MEMS信号以外の更なる信号を伝導する、第2の絶縁伝導路と、
を備え、
前記少なくとも1つの信号処理ICチップが、
− 第1および第2の組のIC電気接点であり、前記第1の組のIC電気接点が前記第1の組の第1のキャップMEMS電気接点に接合され、および前記第2の組のIC電気接点が前記第2の組の第1のキャップMEMS電気接点に接合されている、第1および第2の組のIC電気接点と、
− 第1の組のIC電気接点に動作可能に接続されて前記電気的MEMS信号を処理するように構成されている、MEMS信号処理回路と、
− 前記第2の組のIC電気接点に動作可能に接続されて前記更なる信号を処理するように構成されている、第2の信号処理回路と
を備える、集積MEMSシステム。 - 請求項1に記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層および前記中央MEMS層が、電気伝導性のウェハで作られ、
前記第2の絶縁伝導路が、前記第1のキャップ層、前記第2のキャップ層および前記中央MEMS層において絶縁された導電性ウェハプラグを含み、前記導電性ウェハプラグが、前記MEMSチップを通して前記更なる信号の伝達を可能にする、集積MEMSシステム。 - 請求項1又は2に記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記MEMSチップは、PCBから直接又は他のMEMSチップを介して前記更なる信号を受信し、受信した更なる信号を前記第2の絶縁伝導路を介して、前記信号IC処理チップの前記第2の信号処理回路に送信する、集積MEMSシステム。 - 請求項1から3の何れかに記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記第1のキャップ層および前記中央MEMS層が、電気伝導性のウェハで作られ、
前記第1の絶縁伝導路が、前記第1のキャップ層および前記中央MEMS層において絶縁された導電性ウェハプラグを含み、前記導電性ウェハプラグが、前記少なくとも1つの変換器から前記MEMS信号処理回路への電気的信号の伝達を可能にする、
集積MEMSシステム。 - 請求項4に記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記第2のキャップ層は、電気伝導性のウェハで作られ、
前記第1の絶縁伝導路は、前記第2のキャップ層において絶縁された導電性ウェハプラグを含み、
前記第1及び/又は第2のキャップ層内に延在する絶縁されたウェハの部分を有し、当該部分が前記少なくとも1つの変換器の一部を構成しており、
前記第1のキャップ層、前記第2キャップ層及び/又は前記中央MEMS層の前記導電性ウェハプラグが、前記第1及び/又は第2のキャップ層内に延在する絶縁された前記ウェハの部分から、前記MEMS信号処理回路への電気的信号の伝達が可能である、
集積MEMSシステム。 - 集積微小電気機械(MEMS)システムであって、
− 少なくとも1つのMEMSチップ、および
− 少なくとも1つの信号処理集積回路(IC)チップ
を備え、
前記少なくとも1つのMEMSチップが、
− 第1および第2の組の第1のキャップMEMS電気接点を含む第1の導電性シリコンキャップ層と、
− 第2のキャップMEMS電気接点を含む第2の導電性シリコンキャップ層と、
− 前記第1の導電性シリコンキャップ層と前記第2の導電性シリコンキャップ層との間に配置された中央導電性シリコンMEMS層と、
− 前記第1の導電性シリコンキャップ層、前記中央導電性シリコンMEMS層、および前記第2の導電性シリコンキャップ層内に形成されて、運動を引き起こすかまたは少なくとも1つのパラメータを検知する、少なくとも1つの変換器と、
− 前記少なくとも1つの変換器を前記第1の組の第1のキャップMEMS電気接点に接続して、前記少なくとも1つの変換器と前記第1の組の前記第1のキャップMEMS電気接点との間で電気的MEMS信号を伝導する、第1の絶縁伝導路と、
− 前記第2の組の第1のキャップMEMS電気接点を、前記第2のキャップMEMS電気接点のうちの少なくとも1つに接続し、前記第1の導電性シリコンキャップ層、前記中央導電性シリコンMEMS層、および前記第2の導電性シリコンキャップ層を通して延び、前記MEMSチップを通して更なる信号を伝導する、第2の絶縁伝導路と、
を備え、
前記少なくとも1つの信号処理ICチップが、
− 第1および第2の組のIC電気接点であり、前記第1の組のIC電気接点が前記第1の組の第1のキャップMEMS電気接点に接合され、および前記第2の組のIC電気接点が前記第2の組の第1のキャップMEMS電気接点に接合されている、第1および第2の組のIC電気接点と、
− 第1の組のIC電気接点に動作可能に接続されて前記電気的MEMS信号を処理するように構成されている、MEMS信号処理回路と、
− 前記第2の組のIC電気接点に動作可能に接続されて前記更なる信号を処理するように構成されている、第2の信号処理回路と
を備える、集積MEMSシステム。 - 請求項6に記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記中央導電性シリコンMEMS層は、シリコン−オン−インシュレータ(SOI)ウェハを備えている、集積MEMSシステム。 - 請求項6又は7に記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記少なくとも1つの変換器は加速度計またはジャイロスコープを備えている、集積MEMSシステム。 - 請求項6から8の何れかに記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記第1の導電性シリコンキャップ層は、前記中央導電性シリコンMEMS層の第1の側にウェハ接合されており、
前記第2の導電性シリコンキャップ層は、前記中央導電性シリコンMEMS層の第2の側にウェハ接合されている、集積MEMSシステム。 - 請求項6から9の何れかに記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記第2の信号処理回路により処理される前記更なる信号は、少なくともデジタル信号を有する補助信号を含む、集積MEMSシステム。 - 請求項6から10の何れかに記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記少なくとも1つの変換器は、3自由度(3DOF)慣性センサを備えている、集積MEMSシステム。 - 請求項6から10の何れかに記載の集積MEMSシステムにおいて、
前記少なくとも1つの変換器は、6自由度(6DOF)慣性センサを備えている、集積MEMSシステム。 - 請求項7に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記SOIウェハは、デバイス層、、ハンドル層、及び絶縁層を備え、前記絶縁層は、導電性分路が埋め込み酸化層を通って前記絶縁伝導路のうちの少なくとも1つ形成するように埋め込み酸化層を備える、集積MEMSシステム。
- 請求項6に記載の集積MEMSシステムにおいて、前記信号処理ICチップは、複数のMEMS慣性センサチップから信号を受け取り、慣性センサデータを生成する、集積MEMSシステム。
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WO2016044932A1 (en) * | 2014-09-23 | 2016-03-31 | Motion Engine Inc. | Fabrication method for 3d inertial sensor |
US11287486B2 (en) | 2014-12-09 | 2022-03-29 | Motion Engine, Inc. | 3D MEMS magnetometer and associated methods |
CA3220839A1 (en) | 2015-01-15 | 2016-07-21 | Motion Engine Inc. | 3d mems device with hermetic cavity |
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WO2017132539A1 (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | Motion Engine Inc. | System and method for determining the position of sensor elements in a sensor array |
JP6813843B2 (ja) * | 2016-09-01 | 2021-01-13 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 電子デバイス、インターポーザ及び電子デバイスの製造方法 |
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WO2019023309A1 (en) * | 2017-07-25 | 2019-01-31 | Nextinput, Inc. | FORCE SENSOR AND INTEGRATED FINGERPRINTS |
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WO2019204003A1 (en) * | 2018-04-18 | 2019-10-24 | Georgia Tech Research Corporation | Accelerometer contact microphones and methods thereof |
CN110473839A (zh) | 2018-05-11 | 2019-11-19 | 三星电子株式会社 | 半导体封装系统 |
US10991638B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package system |
US11244885B2 (en) | 2018-09-18 | 2022-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package system |
US11600607B2 (en) | 2019-01-17 | 2023-03-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor module including multiple power management semiconductor packages |
AU2020245521B2 (en) | 2019-03-25 | 2022-02-17 | Exo Imaging, Inc. | Handheld ultrasound imager |
US11131723B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-09-28 | Hi Llc | Single controller for wearable sensor unit that includes an array of magnetometers |
US11430728B2 (en) * | 2019-10-28 | 2022-08-30 | General Electric Company | Wafer level stacked structures having integrated passive features |
US11422152B2 (en) | 2019-12-10 | 2022-08-23 | Honeywell International Inc. | Stress relieving sensor flange |
DE102020211741A1 (de) * | 2020-09-21 | 2022-03-24 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Mikromechanischer Sensor |
WO2023205471A1 (en) | 2022-04-21 | 2023-10-26 | Mei Micro, Inc. | Method for fabrication of a multiple range accelerometer |
Family Cites Families (260)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH642461A5 (fr) | 1981-07-02 | 1984-04-13 | Centre Electron Horloger | Accelerometre. |
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US4553436A (en) | 1982-11-09 | 1985-11-19 | Texas Instruments Incorporated | Silicon accelerometer |
EP0271601B1 (de) | 1986-12-19 | 1991-07-17 | LITEF GmbH | Synchron-Demodulator mit digitaler Signalausgabe |
US4905523A (en) | 1987-04-24 | 1990-03-06 | Wacoh Corporation | Force detector and moment detector using resistance element |
EP0625701A1 (en) | 1987-04-24 | 1994-11-23 | Enplas Laboratories, Inc. | Force detector using piezoresistive elements |
US4805456A (en) | 1987-05-19 | 1989-02-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonant accelerometer |
US4882933A (en) | 1988-06-03 | 1989-11-28 | Novasensor | Accelerometer with integral bidirectional shock protection and controllable viscous damping |
US4881408A (en) | 1989-02-16 | 1989-11-21 | Sundstrand Data Control, Inc. | Low profile accelerometer |
US5421213A (en) | 1990-10-12 | 1995-06-06 | Okada; Kazuhiro | Multi-dimensional force detector |
US6295870B1 (en) | 1991-02-08 | 2001-10-02 | Alliedsignal Inc. | Triaxial angular rate and acceleration sensor |
US5241861A (en) | 1991-02-08 | 1993-09-07 | Sundstrand Corporation | Micromachined rate and acceleration sensor |
US5359893A (en) | 1991-12-19 | 1994-11-01 | Motorola, Inc. | Multi-axes gyroscope |
US5646346A (en) | 1994-11-10 | 1997-07-08 | Okada; Kazuhiro | Multi-axial angular velocity sensor |
US6282956B1 (en) | 1994-12-29 | 2001-09-04 | Kazuhiro Okada | Multi-axial angular velocity sensor |
EP0623824B1 (de) | 1993-05-05 | 1996-11-06 | LITEF GmbH | Mikromechanische Beschleunigungsmessvorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE4414237A1 (de) | 1994-04-23 | 1995-10-26 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanischer Schwinger eines Schwingungsgyrometers |
US6003371A (en) | 1995-02-21 | 1999-12-21 | Wacoh Corporation | Angular velocity sensor |
CA2217766A1 (en) | 1995-05-31 | 1996-12-05 | Litef Gmbh | Micromechanical rate-of-rotation sensor |
US5596144A (en) | 1995-08-04 | 1997-01-21 | Delco Electronics Corporation | Piezoresistive force rebalance accelerometer |
US5894090A (en) | 1996-05-31 | 1999-04-13 | California Institute Of Technology | Silicon bulk micromachined, symmetric, degenerate vibratorygyroscope, accelerometer and sensor and method for using the same |
US5962784A (en) | 1997-05-27 | 1999-10-05 | Alliedsignal Inc. | Micromachined rate and acceleration sensor |
DE69734280D1 (de) | 1997-07-10 | 2006-02-09 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Herstellung von hochempfindlichen, kapazitiven und resonierenden integrierten Sensoren, insbesondere Beschleunigungsmesser und Kreisel, und damit hergestellte Sensoren |
AU8774998A (en) | 1997-08-13 | 1999-03-08 | California Institute Of Technology | Gyroscopes and compensation |
US6122961A (en) | 1997-09-02 | 2000-09-26 | Analog Devices, Inc. | Micromachined gyros |
US5898223A (en) | 1997-10-08 | 1999-04-27 | Lucent Technologies Inc. | Chip-on-chip IC packages |
US6058778A (en) | 1997-10-24 | 2000-05-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated sensor having plurality of released beams for sensing acceleration |
US6028773A (en) | 1997-11-14 | 2000-02-22 | Stmicroelectronics, Inc. | Packaging for silicon sensors |
US6091132A (en) | 1997-12-19 | 2000-07-18 | Stmicroelectronics, Inc. | Passivation for integrated circuit sensors |
DE19828424C1 (de) | 1998-06-25 | 1999-12-02 | Litef Gmbh | Mikromechanischer Drehratensensor |
US5977640A (en) | 1998-06-26 | 1999-11-02 | International Business Machines Corporation | Highly integrated chip-on-chip packaging |
US6225699B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-05-01 | International Business Machines Corporation | Chip-on-chip interconnections of varied characteristics |
DE19831594C1 (de) | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Litef Gmbh | Mikromechanischer Drehratensensor mit Koppelstruktur |
DE69831075D1 (de) | 1998-10-21 | 2005-09-08 | St Microelectronics Srl | Herstellungsverfahren von integrierten Vorrichtungen, die Mikrostrukturen mit elektrischen schwebenden Zwischenverbindungen enthalten |
US6257057B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-07-10 | L-3 Communications Corporation | Epitaxial coriolis rate sensor |
US6584845B1 (en) | 1999-02-10 | 2003-07-01 | California Institute Of Technology | Inertial sensor and method of use |
US6159773A (en) | 1999-02-12 | 2000-12-12 | Lin; Mou-Shiung | Strain release contact system for integrated circuits |
EP1847850B1 (en) | 1999-03-17 | 2013-04-24 | ION Geophysical Corporation | Hydrophone assembly |
US6539801B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-04-01 | California Institute Of Technology | Z-axis vibratory gyroscope |
DE19934174C1 (de) | 1999-07-21 | 2001-03-01 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Torsionsfeder |
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US6399997B1 (en) | 2000-08-01 | 2002-06-04 | Megic Corporation | High performance system-on-chip using post passivation process and glass substrates |
EP1180848B1 (en) | 2000-08-09 | 2010-01-20 | STMicroelectronics S.r.l. | Microelectromechanical structure comprising distinct parts mechanically connected through a translation/rotation conversion assembly |
US6621137B1 (en) | 2000-10-12 | 2003-09-16 | Intel Corporation | MEMS device integrated chip package, and method of making same |
AUPR245301A0 (en) | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM06) |
ITTO20010157A1 (it) | 2001-02-21 | 2002-08-21 | St Microelectronics Srl | Metodo e circuito di rilevamento di spostamenti tramite sensori micro-elettro-meccanici con compensazione di capacita' parassite e di movime |
DE60120921T2 (de) | 2001-04-27 | 2007-02-01 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Aus Halbleitermaterial hergestellter integrierter Kreisel |
US6942750B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-09-13 | The Regents Of The University Of Michigan | Low-temperature patterned wafer bonding with photosensitive benzocyclobutene (BCB) and 3D MEMS (microelectromechanical systems) structure fabrication |
US20030033850A1 (en) | 2001-08-09 | 2003-02-20 | Challoner A. Dorian | Cloverleaf microgyroscope with electrostatic alignment and tuning |
US6990863B2 (en) | 2001-08-10 | 2006-01-31 | The Boeing Company | Isolated resonator gyroscope with isolation trimming using a secondary element |
US7017410B2 (en) | 2001-08-10 | 2006-03-28 | The Boeing Company | Isolated resonator gyroscope with a drive and sense plate |
US6675630B2 (en) | 2001-08-17 | 2004-01-13 | The Boeing Company | Microgyroscope with electronic alignment and tuning |
US6897538B2 (en) | 2001-08-20 | 2005-05-24 | Honeywell International, Inc. | Micro-machined electromechanical system (MEMS) accelerometer device having arcuately shaped flexures |
US6651500B2 (en) | 2001-10-03 | 2003-11-25 | Litton Systems, Inc. | Micromachined silicon tuned counterbalanced accelerometer-gyro with quadrature nulling |
US6696364B2 (en) | 2001-10-19 | 2004-02-24 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method for manipulating MEMS devices, integrated on a wafer semiconductor and intended to be diced one from the other, and relevant support |
JP3967108B2 (ja) | 2001-10-26 | 2007-08-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6808955B2 (en) | 2001-11-02 | 2004-10-26 | Intel Corporation | Method of fabricating an integrated circuit that seals a MEMS device within a cavity |
US6660564B2 (en) | 2002-01-25 | 2003-12-09 | Sony Corporation | Wafer-level through-wafer packaging process for MEMS and MEMS package produced thereby |
US7217588B2 (en) | 2005-01-05 | 2007-05-15 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Integrated MEMS packaging |
US6715353B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-04-06 | Honeywell International, Inc. | MEMS gyroscope with parametric gain |
US6701786B2 (en) | 2002-04-29 | 2004-03-09 | L-3 Communications Corporation | Closed loop analog gyro rate sensor |
US6993617B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-01-31 | Sun Microsystems, Inc. | System-on-a-chip having an on-chip processor and an on-chip dynamic random access memory (DRAM) |
JP4216525B2 (ja) | 2002-05-13 | 2009-01-28 | 株式会社ワコー | 加速度センサおよびその製造方法 |
US6953985B2 (en) | 2002-06-12 | 2005-10-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Wafer level MEMS packaging |
US6829937B2 (en) | 2002-06-17 | 2004-12-14 | Vti Holding Oy | Monolithic silicon acceleration sensor |
US6944931B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-09-20 | The Boeing Company | Method of producing an integral resonator sensor and case |
US7168318B2 (en) | 2002-08-12 | 2007-01-30 | California Institute Of Technology | Isolated planar mesogyroscope |
US7040163B2 (en) | 2002-08-12 | 2006-05-09 | The Boeing Company | Isolated planar gyroscope with internal radial sensing and actuation |
JP4125931B2 (ja) | 2002-08-26 | 2008-07-30 | 株式会社ワコー | 回転操作量の入力装置およびこれを利用した操作装置 |
US6808952B1 (en) | 2002-09-05 | 2004-10-26 | Sandia Corporation | Process for fabricating a microelectromechanical structure |
CN101069099A (zh) | 2003-02-24 | 2007-11-07 | 佛罗里达大学 | 微机械加工的集成单片三轴加速度计 |
US8766745B1 (en) | 2007-07-25 | 2014-07-01 | Hrl Laboratories, Llc | Quartz-based disk resonator gyro with ultra-thin conductive outer electrodes and method of making same |
US7275424B2 (en) | 2003-09-08 | 2007-10-02 | Analog Devices, Inc. | Wafer level capped sensor |
US7247246B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-07-24 | Atmel Corporation | Vertical integration of a MEMS structure with electronics in a hermetically sealed cavity |
US7458263B2 (en) | 2003-10-20 | 2008-12-02 | Invensense Inc. | Method of making an X-Y axis dual-mass tuning fork gyroscope with vertically integrated electronics and wafer-scale hermetic packaging |
US6939473B2 (en) | 2003-10-20 | 2005-09-06 | Invensense Inc. | Method of making an X-Y axis dual-mass tuning fork gyroscope with vertically integrated electronics and wafer-scale hermetic packaging |
US6892575B2 (en) | 2003-10-20 | 2005-05-17 | Invensense Inc. | X-Y axis dual-mass tuning fork gyroscope with vertically integrated electronics and wafer-scale hermetic packaging |
US7168317B2 (en) | 2003-11-04 | 2007-01-30 | Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Planar 3-axis inertial measurement unit |
JP4578087B2 (ja) | 2003-11-10 | 2010-11-10 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ |
US7056757B2 (en) | 2003-11-25 | 2006-06-06 | Georgia Tech Research Corporation | Methods of forming oxide masks with submicron openings and microstructures formed thereby |
US7043985B2 (en) | 2004-01-13 | 2006-05-16 | Georgia Tech Research Corporation | High-resolution in-plane tuning fork gyroscope and methods of fabrication |
US7104129B2 (en) | 2004-02-02 | 2006-09-12 | Invensense Inc. | Vertically integrated MEMS structure with electronics in a hermetically sealed cavity |
US7138694B2 (en) | 2004-03-02 | 2006-11-21 | Analog Devices, Inc. | Single crystal silicon sensor with additional layer and method of producing the same |
JP4654668B2 (ja) | 2004-03-12 | 2011-03-23 | パナソニック電工株式会社 | ジャイロセンサおよびそれを用いたセンサ装置 |
CN101094804B (zh) | 2004-03-15 | 2011-12-28 | 佐治亚技术研究公司 | 微机电系统封装件及其制造方法 |
TWI255341B (en) | 2004-06-10 | 2006-05-21 | Chung Shan Inst Of Science | Miniature accelerator |
JP4426413B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2010-03-03 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7368312B1 (en) | 2004-10-15 | 2008-05-06 | Morgan Research Corporation | MEMS sensor suite on a chip |
EP1802952B1 (en) | 2004-10-18 | 2010-03-03 | Silverbrook Research Pty. Ltd | Micro-electromechanical pressure sensor |
US7194901B2 (en) | 2004-10-18 | 2007-03-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Pressure sensor with apertured membrane guard |
EP1677073B1 (en) | 2004-12-29 | 2013-06-19 | STMicroelectronics Srl | Micro-electro-mechanical gyroscope having electrically insulated regions |
US7238999B2 (en) | 2005-01-21 | 2007-07-03 | Honeywell International Inc. | High performance MEMS packaging architecture |
EP1684079A1 (en) | 2005-01-25 | 2006-07-26 | STMicroelectronics S.r.l. | Piezoresistive accelerometer with mass on membrane, and manufacturing process |
US7326932B2 (en) | 2005-01-26 | 2008-02-05 | Analog Devices, Inc. | Sensor and cap arrangement |
CN100541767C (zh) | 2005-01-28 | 2009-09-16 | 松下电器产业株式会社 | 电子元件封装的制造方法以及电子元件封装 |
US7360423B2 (en) | 2005-01-29 | 2008-04-22 | Georgia Tech Research Corp. | Resonating star gyroscope |
US7327003B2 (en) | 2005-02-15 | 2008-02-05 | Analog Devices, Inc. | Sensor system |
US7442570B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-10-28 | Invensence Inc. | Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom |
JP4216825B2 (ja) | 2005-03-22 | 2009-01-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体パッケージ |
US7250353B2 (en) | 2005-03-29 | 2007-07-31 | Invensense, Inc. | Method and system of releasing a MEMS structure |
DE102005015584B4 (de) | 2005-04-05 | 2010-09-02 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauteils |
US7538401B2 (en) | 2005-05-03 | 2009-05-26 | Rosemount Aerospace Inc. | Transducer for use in harsh environments |
US7337671B2 (en) | 2005-06-03 | 2008-03-04 | Georgia Tech Research Corp. | Capacitive microaccelerometers and fabrication methods |
US7318349B2 (en) | 2005-06-04 | 2008-01-15 | Vladimir Vaganov | Three-axis integrated MEMS accelerometer |
JP4939873B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 微小電気機械式装置の作製方法 |
US7786572B2 (en) | 2005-09-13 | 2010-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System in package (SIP) structure |
US7498715B2 (en) | 2005-10-31 | 2009-03-03 | Xiao Yang | Method and structure for an out-of plane compliant micro actuator |
US7621183B2 (en) | 2005-11-18 | 2009-11-24 | Invensense Inc. | X-Y axis dual-mass tuning fork gyroscope with vertically integrated electronics and wafer-scale hermetic packaging |
US7258011B2 (en) | 2005-11-21 | 2007-08-21 | Invensense Inc. | Multiple axis accelerometer |
US7491567B2 (en) | 2005-11-22 | 2009-02-17 | Honeywell International Inc. | MEMS device packaging methods |
FI119728B (fi) | 2005-11-23 | 2009-02-27 | Vti Technologies Oy | Menetelmä mikroelektromekaanisen komponentin valmistamiseksi ja mikroelektromekaaninen komponentti |
EP3257809A1 (en) | 2005-11-25 | 2017-12-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Wafer level package structure and production method therefor |
US7518493B2 (en) | 2005-12-01 | 2009-04-14 | Lv Sensors, Inc. | Integrated tire pressure sensor system |
TWI285423B (en) | 2005-12-14 | 2007-08-11 | Advanced Semiconductor Eng | System-in-package structure |
US20070164378A1 (en) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Honeywell International Inc. | Integrated mems package |
EP1832841B1 (en) | 2006-03-10 | 2015-12-30 | STMicroelectronics Srl | Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion |
US7543496B2 (en) | 2006-03-27 | 2009-06-09 | Georgia Tech Research Corporation | Capacitive bulk acoustic wave disk gyroscopes |
CN102654409A (zh) | 2006-04-28 | 2012-09-05 | 松下电器产业株式会社 | 电容式传感器 |
US7578189B1 (en) | 2006-05-10 | 2009-08-25 | Qualtre, Inc. | Three-axis accelerometers |
US20070279885A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Basavanhally Nagesh R | Backages with buried electrical feedthroughs |
US7180019B1 (en) | 2006-06-26 | 2007-02-20 | Temic Automotive Of North America, Inc. | Capacitive accelerometer or acceleration switch |
US7767483B1 (en) | 2006-07-25 | 2010-08-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Dual-suspension system for MEMS-based devices and method for fabricating same |
WO2008012846A1 (en) | 2006-07-26 | 2008-01-31 | Stmicroelectronics S.R.L. | Planar microelectromechanical device having a stopper structure for out-of-plane movements |
ITTO20060774A1 (it) | 2006-10-27 | 2008-04-28 | St Microelectronics Srl | Sensore microelettromeccanico avente molteplici valori di fondo scala e di sensibilita' |
JP2008114354A (ja) | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Seiko Epson Corp | 電子装置及びその製造方法 |
US7642657B2 (en) | 2006-12-21 | 2010-01-05 | Analog Devices, Inc. | Stacked MEMS device |
US7875942B2 (en) | 2007-01-04 | 2011-01-25 | Stmicroelectronics, S.R.L. | Electronic device including MEMS devices and holed substrates, in particular of the LGA or BGA type |
US7934423B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-05-03 | Invensense, Inc. | Vertically integrated 3-axis MEMS angular accelerometer with integrated electronics |
US8508039B1 (en) | 2008-05-08 | 2013-08-13 | Invensense, Inc. | Wafer scale chip scale packaging of vertically integrated MEMS sensors with electronics |
US8250921B2 (en) * | 2007-07-06 | 2012-08-28 | Invensense, Inc. | Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics |
US8047075B2 (en) | 2007-06-21 | 2011-11-01 | Invensense, Inc. | Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics |
US8100012B2 (en) | 2007-01-11 | 2012-01-24 | Analog Devices, Inc. | MEMS sensor with cap electrode |
ITMI20070099A1 (it) | 2007-01-24 | 2008-07-25 | St Microelectronics Srl | Dispositivo elettronico comprendente dispositivi sensori differenziali mems e substrati bucati |
JP2008190931A (ja) | 2007-02-02 | 2008-08-21 | Wacoh Corp | 加速度と角速度との双方を検出するセンサ |
JP4792143B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102007030120B4 (de) | 2007-06-29 | 2010-04-08 | Litef Gmbh | Drehratensensor |
DE102007030121A1 (de) | 2007-06-29 | 2009-01-02 | Litef Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils und Bauteil |
US8042394B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-10-25 | Stmicroelectronics S.R.L. | High sensitivity microelectromechanical sensor with rotary driving motion |
US20090085194A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Honeywell International Inc. | Wafer level packaged mems device |
US7684101B2 (en) | 2007-10-11 | 2010-03-23 | Eastman Kodak Company | Micro-electromechanical microshutter array |
MY147014A (en) | 2007-10-31 | 2012-10-15 | Mimos Berhad | Capacitive area-changed mems gyroscope with adjustable resonance frequencies |
US7677099B2 (en) | 2007-11-05 | 2010-03-16 | Invensense Inc. | Integrated microelectromechanical systems (MEMS) vibrating mass Z-axis rate sensor |
DE102007054505B4 (de) | 2007-11-15 | 2016-12-22 | Robert Bosch Gmbh | Drehratensensor |
US7784344B2 (en) | 2007-11-29 | 2010-08-31 | Honeywell International Inc. | Integrated MEMS 3D multi-sensor |
US7876167B1 (en) | 2007-12-31 | 2011-01-25 | Silicon Laboratories Inc. | Hybrid system having a non-MEMS device and a MEMS device |
EP2083244B1 (en) | 2008-01-22 | 2010-11-24 | STMicroelectronics Srl | Barometric-pressure-sensor device with altimeter function and altimeter-setting function |
KR101694133B1 (ko) | 2008-01-24 | 2017-01-09 | 무라타 일렉트로닉스 오와이 | 마이크로기계식 공진기 |
US8151640B1 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Hrl Laboratories, Llc | MEMS on-chip inertial navigation system with error correction |
JP2009216693A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-09-24 | Denso Corp | 物理量センサ |
WO2009144619A2 (en) | 2008-05-28 | 2009-12-03 | Nxp B.V. | Mems devices |
US7755367B2 (en) | 2008-06-02 | 2010-07-13 | Infineon Technologies, Ag | Silicon MEMS resonators |
US8227285B1 (en) | 2008-06-25 | 2012-07-24 | MCube Inc. | Method and structure of monolithetically integrated inertial sensor using IC foundry-compatible processes |
US20100075481A1 (en) | 2008-07-08 | 2010-03-25 | Xiao (Charles) Yang | Method and structure of monolithically integrated ic-mems oscillator using ic foundry-compatible processes |
US7851925B2 (en) * | 2008-09-19 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Wafer level packaged MEMS integrated circuit |
JP5468242B2 (ja) | 2008-11-21 | 2014-04-09 | 株式会社東芝 | Memsパッケージおよびmemsパッケージの製造方法 |
IT1391972B1 (it) | 2008-11-26 | 2012-02-02 | St Microelectronics Rousset | Giroscopio microelettromeccanico con movimento di azionamento rotatorio e migliorate caratteristiche elettriche |
JP4858547B2 (ja) | 2009-01-09 | 2012-01-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置およびその製造方法 |
US8314483B2 (en) | 2009-01-26 | 2012-11-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | On-chip heat spreader |
DE102009001244A1 (de) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Sensordynamics Ag | Mikro-Gyroskop zur Ermittlung von Rotationsbewegungen um eine x-, y- oder z-Achse |
US8487444B2 (en) | 2009-03-06 | 2013-07-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Three-dimensional system-in-package architecture |
JP5556806B2 (ja) | 2009-03-10 | 2014-07-23 | パナソニック株式会社 | 角速度センサ |
US7863698B2 (en) | 2009-04-03 | 2011-01-04 | Invensense, Inc. | Performance-enhancing two-sided MEMS anchor design for vertically integrated micromachined devices |
US8272266B2 (en) | 2009-04-09 | 2012-09-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Gyroscopes using surface electrodes |
DE102009002702B4 (de) | 2009-04-28 | 2018-01-18 | Hanking Electronics, Ltd. | Mikromechanischer Sensor |
IL205444A0 (en) | 2009-05-01 | 2010-12-30 | Univ Leland Stanford Junior | Gyroscope utilizing mems and optical sensing |
EP2252077B1 (en) | 2009-05-11 | 2012-07-11 | STMicroelectronics Srl | Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof |
IT1394007B1 (it) | 2009-05-11 | 2012-05-17 | St Microelectronics Rousset | Struttura microelettromeccanica con reiezione migliorata di disturbi di accelerazione |
WO2010139067A1 (en) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Micralyne Inc. | Semi-conductor sensor fabrication |
IT1394898B1 (it) | 2009-06-03 | 2012-07-20 | St Microelectronics Rousset | Giroscopio microelettromeccanico con attuazione a controllo di posizione e metodo per il controllo di un giroscopio microelettromeccanico |
US8395252B1 (en) | 2009-11-13 | 2013-03-12 | MCube Inc. | Integrated MEMS and CMOS package and method |
JP2011005556A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US8421082B1 (en) | 2010-01-19 | 2013-04-16 | Mcube, Inc. | Integrated CMOS and MEMS with air dielectric method and system |
US8710638B2 (en) | 2009-07-15 | 2014-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Socket type MEMS device with stand-off portion |
WO2011026100A1 (en) | 2009-08-31 | 2011-03-03 | Georgia Tech Research Corporation | Bulk acoustic wave gyroscope with spoked structure |
US8534127B2 (en) | 2009-09-11 | 2013-09-17 | Invensense, Inc. | Extension-mode angular velocity sensor |
US8324047B1 (en) | 2009-11-13 | 2012-12-04 | MCube Inc. | Method and structure of an integrated CMOS and MEMS device using air dielectric |
IT1397115B1 (it) | 2009-11-27 | 2012-12-28 | St Microelectronics Rousset | Struttura risonante microelettromeccanica con migliorate caratteristiche elettriche. |
US8402666B1 (en) | 2009-11-30 | 2013-03-26 | Mcube, Inc. | Magneto meter using lorentz force for integrated systems |
IT1397594B1 (it) | 2009-12-21 | 2013-01-16 | St Microelectronics Rousset | Giroscopio microelettromeccanico con funzione di auto-test continua e metodo di controllo di un giroscopio microelettromeccanico. |
ITTO20091042A1 (it) | 2009-12-24 | 2011-06-25 | St Microelectronics Srl | Giroscopio integrato microelettromeccanico con migliorata struttura di azionamento |
US8637943B1 (en) | 2010-01-04 | 2014-01-28 | MCube Inc. | Multi-axis integrated MEMS devices with CMOS circuits and method therefor |
US8236577B1 (en) | 2010-01-15 | 2012-08-07 | MCube Inc. | Foundry compatible process for manufacturing a magneto meter using lorentz force for integrated systems |
US8407905B1 (en) | 2010-01-15 | 2013-04-02 | Mcube, Inc. | Multiple magneto meters using Lorentz force for integrated systems |
DE102010006132B4 (de) * | 2010-01-29 | 2013-05-08 | Epcos Ag | Miniaturisiertes elektrisches Bauelement mit einem Stapel aus einem MEMS und einem ASIC |
US8519537B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3D semiconductor package interposer with die cavity |
US8593036B2 (en) | 2010-02-26 | 2013-11-26 | Mcb Clean Room Solutions, Llc | High-efficiency MEMS micro-vibrational energy harvester and process for manufacturing same |
US8661899B2 (en) | 2010-03-01 | 2014-03-04 | Sand9, Inc. | Microelectromechanical gyroscopes and related apparatus and methods |
US8549922B2 (en) | 2010-03-10 | 2013-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Motion detection using capacitor having different work function materials |
JP5218455B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2013-06-26 | 株式会社デンソー | 半導体力学量センサおよびその製造方法 |
US8647962B2 (en) | 2010-03-23 | 2014-02-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer level packaging bond |
EP2378246A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-19 | SensoNor Technologies AS | MEMS Structure for an Angular Rate Sensor |
EP2377809A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-19 | SensoNor Technologies AS | Method for Manufacturing a Hermetically Sealed Structure |
DE102010029504B4 (de) | 2010-05-31 | 2014-02-27 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer Durchkontaktierung und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8869616B1 (en) | 2010-06-18 | 2014-10-28 | MCube Inc. | Method and structure of an inertial sensor using tilt conversion |
US8652961B1 (en) | 2010-06-18 | 2014-02-18 | MCube Inc. | Methods and structure for adapting MEMS structures to form electrical interconnections for integrated circuits |
US8426961B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-04-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Embedded 3D interposer structure |
US8921144B2 (en) | 2010-06-25 | 2014-12-30 | International Business Machines Corporation | Planar cavity MEMS and related structures, methods of manufacture and design structures |
US8395381B2 (en) | 2010-07-09 | 2013-03-12 | Invensense, Inc. | Micromachined magnetic field sensors |
US9013233B2 (en) * | 2010-09-14 | 2015-04-21 | Si-Ware Systems | Interface for MEMS inertial sensors |
WO2012037536A2 (en) * | 2010-09-18 | 2012-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems |
US8513746B2 (en) | 2010-10-15 | 2013-08-20 | Rohm Co., Ltd. | MEMS sensor and method for producing MEMS sensor, and MEMS package |
US8810027B2 (en) | 2010-09-27 | 2014-08-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bond ring for a first and second substrate |
US8567246B2 (en) | 2010-10-12 | 2013-10-29 | Invensense, Inc. | Integrated MEMS device and method of use |
US8716051B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MEMS device with release aperture |
US8779534B2 (en) | 2010-11-04 | 2014-07-15 | Meggitt (Orange County), Inc. | Low-G MEMS acceleration switch |
US8794068B2 (en) | 2010-12-01 | 2014-08-05 | Analog Devices, Inc. | Non-degenerate mode MEMS gyroscope |
US8569090B2 (en) * | 2010-12-03 | 2013-10-29 | Babak Taheri | Wafer level structures and methods for fabricating and packaging MEMS |
US8508045B2 (en) | 2011-03-03 | 2013-08-13 | Broadcom Corporation | Package 3D interconnection and method of making same |
US20120235251A1 (en) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Invensense, Inc. | Wafer level packaging of mems devices |
US8852984B1 (en) | 2011-03-30 | 2014-10-07 | Silicon Laboratories | Technique for forming a MEMS device |
US9120667B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-09-01 | International Business Machines Corporation | Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures |
US9540230B2 (en) | 2011-06-27 | 2017-01-10 | Invensense, Inc. | Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures |
US9778039B2 (en) * | 2011-10-31 | 2017-10-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Microsystem device and methods for fabricating the same |
ITTO20110995A1 (it) | 2011-10-31 | 2013-05-01 | St Microelectronics Srl | Dispositivo micro-elettro-meccanico dotato di regioni conduttive sepolte e relativo procedimento di fabbricazione |
DE102011086764A1 (de) | 2011-11-22 | 2013-05-23 | Robert Bosch Gmbh | MEMS-Chippackage und Verfahren zum Herstellen eines MEMS-Chippackages |
US8587077B2 (en) | 2012-01-02 | 2013-11-19 | Windtop Technology Corp. | Integrated compact MEMS device with deep trench contacts |
US9085456B2 (en) | 2012-01-16 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Support structure for TSV in MEMS structure |
US9062972B2 (en) | 2012-01-31 | 2015-06-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | MEMS multi-axis accelerometer electrode structure |
JP5983912B2 (ja) | 2012-02-09 | 2016-09-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイスおよびその製造方法、並びに電子機器 |
US8716852B2 (en) | 2012-02-17 | 2014-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Micro-electro mechanical systems (MEMS) having outgasing prevention structures and methods of forming the same |
US8889451B2 (en) | 2012-02-21 | 2014-11-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | MEMS pressure transducer assembly and method of packaging same |
US8836132B2 (en) | 2012-04-03 | 2014-09-16 | Analog Devices, Inc. | Vertical mount package and wafer level packaging therefor |
JP2013250133A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス及びその製造方法、並びに電子機器 |
US8350346B1 (en) | 2012-07-03 | 2013-01-08 | Invensense, Inc. | Integrated MEMS devices with controlled pressure environments by means of enclosed volumes |
JP2012216868A (ja) * | 2012-07-10 | 2012-11-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品用パッケージ及び電子部品装置 |
US8723280B2 (en) | 2012-08-01 | 2014-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Hybrid MEMS bump design to prevent in-process and in-use stiction |
US8709868B2 (en) | 2012-08-23 | 2014-04-29 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensor packages and method of packaging dies of differing sizes |
US8659167B1 (en) | 2012-08-29 | 2014-02-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensor packaging method and sensor packages |
US20140090485A1 (en) | 2012-10-02 | 2014-04-03 | Robert Bosch Gmbh | MEMS Pressure Sensor Assembly |
US9174838B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-03 | MCube Inc. | Distributed MEMS devices time synchronization methods and system |
US10036635B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-07-31 | MCube Inc. | Multi-axis MEMS rate sensor device |
US10132630B2 (en) | 2013-01-25 | 2018-11-20 | MCube Inc. | Multi-axis integrated MEMS inertial sensing device on single packaged chip |
US20140210019A1 (en) | 2013-01-30 | 2014-07-31 | Invensense, Inc. | Low-cost package for integrated mems sensors |
US8564076B1 (en) | 2013-01-30 | 2013-10-22 | Invensense, Inc. | Internal electrical contact for enclosed MEMS devices |
WO2014122910A1 (ja) | 2013-02-06 | 2014-08-14 | パナソニック株式会社 | Memsデバイス |
US10046964B2 (en) | 2013-03-07 | 2018-08-14 | MCube Inc. | MEMS structure with improved shielding and method |
US9061890B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-06-23 | Intel Corporation | Methods of forming buried electromechanical structures coupled with device substrates and structures formed thereby |
ITTO20130237A1 (it) | 2013-03-22 | 2014-09-23 | St Microelectronics Srl | Struttura microelettromeccanica di rilevamento ad asse z ad elevata sensibilita', in particolare per un accelerometro mems |
FR3005045A1 (fr) | 2013-04-25 | 2014-10-31 | Commissariat Energie Atomique | Structure microelectromecanique et/ou nanoelectromecanique a facteur de qualite ajustable |
FR3005160B1 (fr) | 2013-04-29 | 2016-02-12 | Sagem Defense Securite | Capteur angulaire inertiel de type mems equilibre et procede d'equilibrage d'un tel capteur |
GB201307773D0 (en) | 2013-04-30 | 2013-06-12 | Atlantic Inertial Systems Ltd | MEMS sensors |
ITTO20130350A1 (it) | 2013-04-30 | 2014-10-31 | St Microelectronics Srl | Assemblaggio a livello di fetta di un dispositivo sensore mems e relativo dispositivo sensore mems |
DE102013208814A1 (de) | 2013-05-14 | 2014-11-20 | Robert Bosch Gmbh | Integrierter Drehraten- und Beschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Drehraten- und Beschleunigungssensor |
DE102013208825B4 (de) | 2013-05-14 | 2021-05-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikrostrukturbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mikrostrukturbauelements |
US9446943B2 (en) | 2013-05-31 | 2016-09-20 | Stmicroelectronics S.R.L. | Wafer-level packaging of integrated devices, and manufacturing method thereof |
DE102013211597B4 (de) | 2013-06-20 | 2022-08-11 | Robert Bosch Gmbh | ASIC-Bauelement mit einem Durchkontakt |
DE102013211613B4 (de) | 2013-06-20 | 2023-01-12 | Robert Bosch Gmbh | Bauteil in Form eines Waferlevel-Packages und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP6339669B2 (ja) | 2013-07-08 | 2018-06-06 | モーション・エンジン・インコーポレーテッド | Memsデバイスおよび製造する方法 |
US10273147B2 (en) | 2013-07-08 | 2019-04-30 | Motion Engine Inc. | MEMS components and method of wafer-level manufacturing thereof |
WO2015013828A1 (en) | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Motion Engine Inc. | Mems motion sensor and method of manufacturing |
WO2015042701A1 (en) | 2013-09-24 | 2015-04-02 | Motion Engine Inc. | Mems device including an electrode guard ring and method of manufacturing the same |
US20160229684A1 (en) | 2013-09-24 | 2016-08-11 | Motion Engine Inc. | Mems device including support structure and method of manufacturing |
US9764946B2 (en) | 2013-10-24 | 2017-09-19 | Analog Devices, Inc. | MEMs device with outgassing shield |
WO2015103688A1 (en) | 2014-01-09 | 2015-07-16 | Motion Engine Inc. | Integrated mems system |
US20170030788A1 (en) | 2014-04-10 | 2017-02-02 | Motion Engine Inc. | Mems pressure sensor |
WO2015184531A1 (en) | 2014-06-02 | 2015-12-10 | Motion Engine Inc. | Multi-mass mems motion sensor |
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