JP6944141B2 - アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法 - Google Patents

アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6944141B2
JP6944141B2 JP2019526715A JP2019526715A JP6944141B2 JP 6944141 B2 JP6944141 B2 JP 6944141B2 JP 2019526715 A JP2019526715 A JP 2019526715A JP 2019526715 A JP2019526715 A JP 2019526715A JP 6944141 B2 JP6944141 B2 JP 6944141B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
acid derivative
isocyanuric acid
represented
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019526715A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2019003767A1 (ja
Inventor
俊 窪寺
俊 窪寺
裕一 後藤
裕一 後藤
亘 柴山
亘 柴山
軍 孫
軍 孫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Publication of JPWO2019003767A1 publication Critical patent/JPWO2019003767A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6944141B2 publication Critical patent/JP6944141B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804Compounds having Si-O-C linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804Compounds having Si-O-C linkages
    • C07F7/1872Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20
    • C07F7/1876Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)

Description

本発明は、アルコキシアルキル基を2つ有すると共にトリアルコキシシリル基が導入された新規なイソシアヌル酸誘導体、及びその製造方法に関する。
イソシアヌル酸モノアリルとトリエトキシシランとを反応させて下記式(E−2):
Figure 0006944141
で表されるイソシアヌル酸誘導体を得ること、並びに得られたイソシアヌル酸誘導体、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランを用いて下記式(3−5):
Figure 0006944141
で表されるポリマーを得ること、さらに得られたポリマーを用いてレジスト下層膜形成組成物を調製することが、特許文献1の実施例に記載されている。しかしながら、アルコキシアルキル基を2つ有するイソシアヌル酸誘導体は、特許文献1に記載されていない。
国際公開2011/102470号
本発明は、例えばレジスト下層膜形成組成物の原料としての用途が期待される、新規なイソシアヌル酸誘導体を提供することを目的とする。
本発明の発明者は、イソシアヌル酸モノアリル(別称:モノアリルイソシアヌレート)を出発原料として、アルコキシアルキル基を2つ有すると共にトリアルコキシシリル基が導入されたイソシアヌル酸誘導体を得た。すなわち、本発明は、下記式(1)で表されるイソシアヌル酸誘導体である。
Figure 0006944141
(式中、Rはメチル基又はエチル基を表し、2つのRはそれぞれ炭素原子数1又は2のアルキレン基を表し、2つのRはそれぞれメチル基、エチル基、又は炭素原子数2乃至4のアルコキシアルキル基を表す。)
前記式(1)で表されるイソシアヌル酸誘導体は、常温常圧の下で液体である。ここで、常温常圧とは、本明細書では、温度20℃乃至25℃、気圧101kPaと定義する。
本発明はまた、イソシアヌル酸モノアリルとアルカリ金属炭酸塩とを反応させ、得られた反応物と下記式(a)で表される化合物とを反応させて下記式(b)で表される中間体を得る工程、及び前記式(b)で表される中間体と下記式(c)で表されるシラン化合物とをヒドロシリル化反応させて前記式(1)で表されるイソシアヌル酸誘導体を得る工程を含む、イソシアヌル酸誘導体の製造方法である。
Figure 0006944141
(式中、R、R及びRは前記式(1)における定義と同義であり、Xは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。)
前記式(a)で表される化合物は、例えば、下記式(a−1)乃至式(a−10)で表される化合物からなる群から選択される。
Figure 0006944141
(式中、Xは前記式(a)における定義と同義である。)
前記アルカリ金属炭酸塩は、例えば、炭酸カリウム又は炭酸セシウムである。
本発明のイソシアヌル酸誘導体は、レジスト下層膜形成組成物等のポリマー又はオリゴマー成分の原料としての用途が期待される。当該イソシアヌル酸誘導体は常温で液体で得られるため、蒸留精製が可能である。そのため、当該イソシアヌル酸誘導体の合成に使用された触媒に由来する残留金属を低減することができる。通常、レジスト下層膜形成組成物は、金属不純物を含まないか、又はその含有量をできるだけ低くすることが求められる。一方、特許文献1に記載の発明で得られる前記式(E−2)で表されるイソシアヌル酸誘導体は、常温で固体であるため蒸留精製が不可能である。
本発明のイソシアヌル酸誘導体は、アルコキシアルキル基を2つ有すると共にトリアルコキシシリル基が導入された、前記式(1)で表される化合物である。当該式(1)において、Rで表される炭素原子数1又は2のアルキレン基として、例えばメチレン基及びエチレン基が挙げられる。また、当該式(1)において、Rで表される炭素原子数2乃至4のアルコキシアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状いずれでもよく、当該アルコキシアルキル基として、例えば、メトキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、及びメトキシプロピル基が挙げられる。
本発明のイソシアヌル酸誘導体として、例えば、下記式(1−1)乃至式(1−9)で表される化合物が挙げられる。下記式中、“Et”はエチル基を表す。
Figure 0006944141
本発明のイソシアヌル酸誘導体は、イソシアヌル酸モノアリルとアルカリ金属炭酸塩とを反応させ、得られた反応物と下記式(a)で表される化合物とを反応させて前記式(b)で表される中間体を得る工程、及び前記式(b)で表される中間体と前記式(c)で表されるシラン化合物とをヒドロシリル化反応させる工程を経て得られる。前記中間体を得る工程は、前記式(a)で表される化合物がアルカリ金属炭酸塩と優先的に反応することを避けるため、二段階で行われることが特徴である。イソシアヌル酸モノアリルは、アルカリ金属炭酸塩との反応により、窒素原子と結合した水素原子が引き抜かれる。前記ヒドロシリル化反応では、遷移金属触媒を用い、前記中間体のアリル基と前記シラン化合物とを反応させる。前記遷移金属触媒として、代表的には白金触媒が用いられるが、白金触媒は貴金属を含むことに起因して高価であるため、より低価格の遷移金属触媒が検討されている。前記白金触媒として、例えば、Karstedt触媒及び塩化白金酸が挙げられる。
以下、具体例を挙げて本発明を説明する。しかし、本発明は必ずしも以下に挙げる具体例に限定されるわけではない。
[収率算出方法]
後述する合成例及び実施例に示す収率は、得られた化合物の質量と理論収量を用いて百分率で計算したものである。なお、前記理論収量は、合成に使用した原料化合物のモル数と得られる化合物の分子量を乗じることにより算出したものである。
[原料化合物の合成]
<合成例1>
2Lの四つ口フラスコに、イソシアヌル酸モノアリル(四国化成工業(株)製)150.0g、N−メチル−2−ピロリジノン750g、及び炭酸カリウム306.4gを仕込み、25℃で撹拌した。その後、前記フラスコ内の混合物を0〜5℃まで冷却し、その冷却された混合物にクロロメチルメチルエーテル(東京化成工業(株)製)178.5gを、該混合物の温度が5℃以下となるように滴下し、滴下後25℃まで昇温して2.5時間反応を行った。反応後、得られた反応液に酢酸エチル1500gを加えて該反応液を希釈し、さらにろ過し、ろ液とろ物に分離した。その後、前記ろ物を酢酸エチル150gで2回洗浄し、該ろ物中に残留する目的物を酢酸エチル溶液として回収した。それから、回収した酢酸エチル溶液を前記ろ液に加え、これをイオン交換水1500gで3回分液し、有機層を取り出した。さらにエバポレーターで前記有機層から酢酸エチルを除去し、目的物である下記式(b−1)で表される化合物を透明粘性液体として得た(収率66.0%)。
Figure 0006944141
得られた化合物について、H−NMRスペクトルを測定することにより同定した。結果を以下に示す。なお、測定に使用した溶媒は重水素化クロロホルム、測定温度は室温、基準試料はテトラメチルシラン(TMS)である。
H−NMR(500MHz):3.46〜3.47ppm(s,6H)、4.45〜4.55ppm(d,2H)、5.25〜5.36ppm(m,6H)、5.86〜5.90ppm(m,1H)
<合成例2>
500mLの四つ口フラスコに、イソシアヌル酸モノアリル(四国化成工業(株)製)20.0g、N−メチル−2−ピロリジノン100.0g、及び炭酸カリウム40.86gを仕込み、25℃で撹拌した。その後、前記フラスコ内の混合物を0〜5℃まで冷却し、その冷却された混合物に2−メトキシエトキシメチルクロリド(東京化成工業(株)製)38.76gを、該混合物の温度が5℃以下となるように滴下し、滴下後25℃まで昇温して2.5時間反応を行った。反応後、得られた反応液にトルエン200gを加えて該反応液を希釈し、さらにろ過し、ろ液とろ物に分離した。その後、前記ろ物をトルエン20gで2回洗浄し、該ろ物中に残留する目的物をトルエン溶液として回収した。それから、回収したトルエン溶液を前記ろ液に加え、これをイオン交換水200gで3回分液し、有機層を取り出した。さらにエバポレーターで前記有機層からトルエンを除去し、目的物である下記式(b−2)で表される化合物を透明粘性液体として得た(収率42.3%)。
Figure 0006944141
得られた化合物について、H−NMRスペクトルを測定することにより同定した。結果を以下に示す。なお、測定に使用した溶媒は重水素化ジメチルスルホキシド、測定温度は室温、基準試料はテトラメチルシラン(TMS)である。
H−NMR(500MHz):3.19〜3.22ppm(s,6H)、3.37〜3.42ppm(t,4H)、3.62〜3.68ppm(t,4H)、4.34〜4.38ppm(dd,2H)、5.19〜5.24ppm(m,6H)、5.79〜5.86ppm(m,1H)
<実施例1>
300mLの四つ口フラスコに、合成例1で得られた前記式(b−1)で表される化合物 15.0g、トルエン75.0g、及びKarstedt触媒[白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(白金として〜2質量%)キシレン溶液](SIGMA−ALDRICH社製)0.56gを仕込み、25℃で撹拌した。その後、前記フラスコ内の混合物にトリエトキシシラン(東京化成工業(株)製)28.67gを、該混合物の温度が30℃以下となるように滴下し、滴下後100℃まで昇温して2時間反応を行った。反応後、得られた反応液にジクロロメタン150gを加え、イオン交換水75gで2回分液し、有機層を取り出した。さらにエバポレーターで前記有機層からジクロロメタン、トルエン、及び過剰に含まれているトリエトキシシランを除去し、粗生成物を得た。得られた粗生成物を蒸留により精製を行い、目的物である下記式(1−1)で表される化合物を透明粘性液体として得た(収率37.4%)。
Figure 0006944141
得られた化合物について、H−NMRスペクトルを測定することにより同定した。結果を以下に示す。なお、測定に使用した溶媒は重水素化ジメチルスルホキシド、測定温度は室温、基準試料はテトラメチルシラン(TMS)である。
H−NMR(500MHz):0.50〜0.60ppm(m,2H)、1.10〜1.20ppm(t,9H)、1.55〜1.65ppm(m,2H)、3.26〜3.35ppm(s,6H)、3.68〜3.82ppm(m,8H)、5.13〜5.18ppm(s, 4H)
<実施例2>
500mLの四つ口フラスコに、合成例2で得られた前記式(b−2)で表される化合物 48.52g、トルエン242.6g、及びKarstedt触媒[白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(白金として〜2質量%)キシレン溶液](SIGMA−ALDRICH社製)1.34gを仕込み、25℃で撹拌した。その後、前記フラスコ内の混合物にトリエトキシシラン(東京化成工業(株)製)29.74gを、該混合物の温度が30℃以下となるように滴下し、滴下後100℃まで昇温して2時間反応を行った。反応後、得られた反応液にジクロロメタン485.2gを加え、イオン交換水242.6gで2回分液し、有機層を取り出した。さらにエバポレーターで前記有機層からジクロロメタン、トルエン、及び過剰に含まれているトリエトキシシランを除去し、粗生成物を得た。得られた粗生成物を蒸留により精製を行い、目的物である下記式(1−8)で表される化合物を透明粘性液体として得た(収率 49.2%)。
Figure 0006944141
得られた化合物について、H−NMRスペクトルを測定することにより同定した。結果を以下に示す。なお、測定に使用した溶媒は重水素化クロロホルム、測定温度は室温、基準試料はテトラメチルシラン(TMS)である。
H−NMR(500MHz):0.60〜0.65ppm(m,2H)、1.14〜1.23ppm(t,9H)、1.70〜1.78ppm(m,2H)、3.30〜3.33ppm(s,6H)、3.48〜3.52ppm(m,4H)、3.7713〜3.89ppm(m,12H)、5.39〜5.42ppm(s,4H)
<比較例1>
500mLの四つ口フラスコに、イソシアヌル酸モノアリル(四国化成工業(株)製)30.09g、トルエン150.73g、及びKarstedt触媒[白金(0)−1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン錯体(白金として〜2質量%)キシレン溶液](SIGMA−ALDRICH社製)1.71gを仕込み、25℃で撹拌した。その後、前記フラスコ内の混合物にトリエトキシシラン(東京化成工業(株)製)37.78gを、該混合物の温度が30℃以下となるように滴下し、滴下後100℃まで昇温して25時間反応を行った。反応後、得られた反応液からエバポレーターでトルエン、及び過剰に含まれているトリエトキシシランを除去し、得られた粗生成物にジクロロメタン303.70gを加え、イオン交換水155.14gで3回分液し、有機層を取り出した。得られた有機層からエバポレーターでジクロロメタンを除去し、得られた粗生成物にテトラヒドロフラン330.86gを加えて、該粗生成物を溶解させ、25℃で10分間撹拌したのち、ろ過し、ろ液とろ物に分離した。その後、得られたろ液からエバポレーターでテトラヒドロフランを除去し、得られた粗生成物にトルエン276.18gを加えて、25℃で10分間撹拌したのち、ろ過し、ろ液とろ物に分離した。その後、得られたろ物からエバポレーターでトルエンを除去し、目的物である下記式(2)で表される化合物を淡黄色固体として得た(収率43.2%)。
Figure 0006944141
得られた化合物について、H−NMRスペクトルを測定することにより同定した。結果を以下に示す。なお、測定に使用した溶媒は重水素化ジメチルスルホキシド、測定温度は室温、基準試料はテトラメチルシラン(TMS)である。
H−NMR(500MHz):0.50〜0.60ppm(m,2H)、1.10〜1.15ppm(t,9H)、1.50〜1.60ppm(m,2H)、3.55〜3.65ppm(t,2H)、3.48〜3.52ppm(m,4H)、3.70〜3.80ppm(m,6H)、11.3〜11.4ppm(s,2H)
本発明のイソシアヌル酸誘導体は、例えば、リソグラフィー用反射防止膜形成組成物、レジスト下層膜形成組成物、レジスト上層膜形成組成物、光硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、平坦化膜形成組成物、接着剤組成物、その他の組成物に適用することができる。本発明のイソシアヌル酸誘導体は、また、前記組成物に使用されるオリゴマー又はポリマーを合成する際の、原料化合物として適用することができる。

Claims (5)

  1. 下記式(1)で表されるイソシアヌル酸誘導体。
    Figure 0006944141
    (式中、Rはメチル基又はエチル基を表し、2つのRはそれぞれ炭素原子数1又は2のアルキレン基を表し、2つのRはそれぞれメチル基、エチル基、又は炭素原子数2乃至4のアルコキシアルキル基を表す。)
  2. 常温常圧の下で液体である、請求項1に記載のイソシアヌル酸誘導体。
  3. イソシアヌル酸モノアリルとアルカリ金属炭酸塩とを反応させ、得られた反応物と下記式(a)で表される化合物とを反応させて下記式(b)で表される中間体を得る工程、及び前記式(b)で表される中間体と下記式(c)で表されるシラン化合物とをヒドロシリル化反応させて前記式(1)で表されるイソシアヌル酸誘導体を得る工程を含む、請求項1又は請求項2に記載のイソシアヌル酸誘導体の製造方法。
    Figure 0006944141
    (式中、R、R及びRは前記式(1)における定義と同義であり、Xは塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子を表す。)
  4. 前記式(a)で表される化合物は下記式(a−1)乃至式(a−10)で表される化合物からなる群から選択される、請求項3に記載のイソシアヌル酸誘導体の製造方法。
    Figure 0006944141
    (式中、Xは前記式(a)における定義と同義である。)
  5. 前記アルカリ金属炭酸塩は炭酸カリウム又は炭酸セシウムである、請求項3又は請求項4に記載のイソシアヌル酸誘導体の製造方法。
JP2019526715A 2017-06-28 2018-05-29 アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法 Active JP6944141B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017126007 2017-06-28
JP2017126007 2017-06-28
PCT/JP2018/020555 WO2019003767A1 (ja) 2017-06-28 2018-05-29 アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019003767A1 JPWO2019003767A1 (ja) 2020-04-30
JP6944141B2 true JP6944141B2 (ja) 2021-10-06

Family

ID=64742089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019526715A Active JP6944141B2 (ja) 2017-06-28 2018-05-29 アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10676491B1 (ja)
JP (1) JP6944141B2 (ja)
KR (1) KR102320689B1 (ja)
CN (1) CN110621680B (ja)
TW (1) TWI745596B (ja)
WO (1) WO2019003767A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113227281B (zh) * 2018-10-26 2023-03-10 日产化学株式会社 膜形成用组合物
JP2021181526A (ja) * 2020-05-19 2021-11-25 株式会社カネカ イソシアヌル酸誘導体、ポリマー、ポジ型感光性樹脂組成物、絶縁膜およびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0823002D0 (en) 2008-12-17 2009-01-28 Syngenta Participations Ag Isoxazoles derivatives with plant growth regulating properties
CN102754034B (zh) * 2010-02-19 2016-05-18 日产化学工业株式会社 具有含氮环的含有硅的形成抗蚀剂下层膜的组合物
WO2013008680A1 (ja) * 2011-07-13 2013-01-17 株式会社ダイセル 硬化性エポキシ樹脂組成物
JP2015013846A (ja) * 2013-06-03 2015-01-22 四国化成工業株式会社 ジアリルイソシアヌレート化合物および誘導体
CN107709423A (zh) * 2015-07-01 2018-02-16 沙特基础工业全球技术有限公司 具有增强的硬度的塑料表面及制造其的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI745596B (zh) 2021-11-11
US10676491B1 (en) 2020-06-09
TW201904980A (zh) 2019-02-01
JPWO2019003767A1 (ja) 2020-04-30
US20200165277A1 (en) 2020-05-28
CN110621680A (zh) 2019-12-27
WO2019003767A1 (ja) 2019-01-03
CN110621680B (zh) 2023-03-21
KR102320689B1 (ko) 2021-11-02
KR20200020682A (ko) 2020-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004143449A (ja) 官能基を有するかご型シルセスキオキサン樹脂とその製造方法
JP6944141B2 (ja) アルコキシアルキル基を有するイソシアヌル酸誘導体及びその製造方法
JP2009263596A (ja) 不完全縮合オリゴシルセスキオキサン及びその製造方法
JP5018998B2 (ja) 新規な液状テトラカルボン酸二無水物及びその製造方法
JP5596258B2 (ja) カリックスアレーンダイマー化合物およびその製造方法
US8426614B2 (en) Epoxy compound and process for producing the epoxy compound
JP6111174B2 (ja) グリコールウリル環含有オルガノシランとグリコールウリル環含有オルガノシロキサンとそれらの製造方法
JPWO2017175610A1 (ja) モノグリシジルイソシアヌレート化合物及びその製造方法
JP2009263316A (ja) 不完全縮合オリゴシルセスキオキサンの製造方法
JP6979904B2 (ja) トリス[3−(アルコキシシリル)プロピル]イソシアヌレートの製造方法
TWI409271B (zh) Method for producing organic silicon compounds
JP2015013846A (ja) ジアリルイソシアヌレート化合物および誘導体
JP2009155287A (ja) アルコキシル基含有籠型シロキサン化合物及びシラノール基含有籠型シロキサン化合物並びにこれらの製造方法
JP4952084B2 (ja) 1,4−ジヒドロ−アントラセン誘導体およびその製造方法
CN116670196A (zh) 二环氧化合物、固化性组合物、固化物和光学部件
JP5273941B2 (ja) ポリヘドラルシルセスキオキサンの製造方法
JP6685386B2 (ja) (メタ)アクリレート基を有する有機ケイ素化合物およびその製造方法
JP2015110527A (ja) オキセタン環を有する有機珪素化合物及びその製造方法
US9073952B1 (en) Synthesis method for carbosilanes
JP2019147759A (ja) トリメチレンカーボネート誘導体の製造方法
JP2019094314A (ja) トリアジン−2,4−ジオン誘導体及びその製造方法
JP3819087B2 (ja) 新規シランカップリング剤
JP2519601B2 (ja) 有機けい素化合物
WO2019151419A1 (ja) ポリカルボニル化合物、その誘導体及びそれらの製造方法
JP6047884B2 (ja) 化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210517

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210517

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210811

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210824

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6944141

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151