JP6924324B2 - 基板を移動させる方法およびシステム - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、2017年8月3日に出願された米国特許出願第15/668,517号の利益を主張し、同出願の内容は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
集積回路は、プロセスチャンバ内で1つまたは複数の基板上に半導体デバイスを構築することによって製造される。これらの半導体デバイスは相互接続されて集積回路(IC)を形成する。半導体ウエハは、1つの、または多くの、またはいくつかのICを有し得る。
半導体デバイスは、堆積、パターニング、および基板上の材料の除去を含むプロセスによって、シリコンウエハなどの基板上に製造される。
化学気相堆積(CVD)または物理的気相堆積(PVD)などの堆積プロセスを使用して、基板上に材料の層を堆積することができる。
フォトリソグラフィ技法を使用して、エッチング、堆積、または注入が行われる場所を制御する材料の層に、パターンを生成することができる。
エッチングプロセスを使用して、堆積層の一部分を除去することができ、それにより、除去部分に別の材料を堆積することができる。
イオン注入プロセスを使用して、ドーパントを堆積層に物理的に打ち込み、注入することによって、堆積層の材料の特性を変えることができる。
これらのプロセスステップのうちの様々なものを使用することによって、基板上に半導体デバイスが、したがって集積回路が作り出される。
ICを製造する際、専用の複数のプロセスチャンバが順次に使用されて、半導体デバイスおよびICを構築するために必要なステップが実行される。複雑な集積回路では、数百の個別のプロセスステップが、下にある半導体デバイスのすべてを構築および相互接続することに関わり得る。
製造プロセスを合理化するために、プロセスチャンバがクラスタツールに一体化されてよく、それにより、独立型のチャンバよりも少ない工場スペースを使用して、またプロセスステップからプロセスステップまでウエハを輸送するために必要な距離を少なくして、様々なプロセスステップを順次に、かつ効率的に実行することができる。
クラスタツールは、いくつかの異なるプロセスチャンバを1つのプラットフォームに「クラスタ化」することによって、プロセスシーケンス一体化を実現する。
クラスタツールを使用することによって、様々なプロセスを同一のプラットフォーム上で順次に行うことができ、プロセス環境の圧力シールを破る必要がない。その結果、望ましくない汚染が起こる可能性が少なくなり得る。
加えて、チャンバを完全に開口し、基板を独立型チャンバから独立型チャンバへと移動させ、次にそれぞれの後続のチャンバをポンプダウンして、次のプロセスシーケンスを行うために必要なレベルの真空を達成することに要する時間の一部または全部を節減することが可能である。
製造プロセスが複雑であるので、プロセスステップが適正に実行されていること、および基板が妥当に無欠陥であること、好ましくは実現可能なほどに無欠陥であることを確実にするために、基板の検査が頻繁にある。
プロセスチャンバは通常、半導体製造ツールが設置される製造フロアの寸法設置面積要件に適合するように設計され構築される。しかし、検査システムについては同様の要件がなく、従来の測定/検査システムは一般に、比較的かさばることがあり、また設置面積が比較的大きくなることがある。
したがって、検査システムは通常、クラスタツールに一体化されずに、クラスタツールとは分離されている。それゆえに、クラスタツールに組み込むことができる評価チャンバがあれば、集積回路の製造プロセスがさらに合理化されるはずである。
効率的で比較的小さい設置面積、処理ツールと連結もしくは一体化される小型の測定/検査システム、または即時の高解像度撮像データを処理し受け取ることによってより適切な制御ループを可能にするプロセス制御ツールを、可能にする必要がある。このような装置はまた、基板を移動させるための、汚染のないシステムでもある。
基板を移動させるシステムを提供することができる。このシステムは、チャンバハウジングを含み得るチャンバを含むことができ、チャンバハウジングは、開口と、基板を支持するように構成され得るチャックと、チャックに機械的に結合できる、またチャンバの外側に配置できる移動システムと、移動システムを制御するように構成できるコントローラと、チャンバハウジングと移動システムの間に配置できる中間要素と、中間要素とチャンバハウジングの間に動的シールを形成するように構成できる少なくとも1つの封止要素とを含むことができ、動的シールは、チャンバを移動システムから封止する。移動システムは、基板の複数の領域のうちから基板の領域ごとに、チャックを回転させて基板の領域の所与の部分を、チャンバハウジングの開口と関係付けできる視野の中に配置するステップと、チャックを開口に対して移動させて基板の領域の追加部分を、開口と関係付けできる視野の中に配置するステップとを繰り返すように構成することができる。
移動システムは、チャックを回転させる回転ステージを含み得る。
移動システムは、チャックを開口に対して移動させるX軸Y軸(XY)ステージを含み得る。
移動システムは、チャックを開口に対して移動させながら中間要素をチャンバハウジングに対して移動させるように構成することができる。
移動システムは、中間要素を任意の方向に、基板の半径の120パーセントを超えない最大距離までだけ移動させるように構成することができる。
システムは、基板に対して固定できるセンサを含み得る。
チャンバハウジングを含み得るチャンバの中で基板を移動させる方法を提供することができる。この方法は、チャンバの中に配置できるチャックに基板を配置するステップであって、チャックを移動システムに機械的に結合できるステップと、中間要素とチャンバハウジングの間に動的シールを少なくとも1つの封止要素によって形成することにより、チャンバを移動システムから封止するステップであって、中間要素をチャンバハウジングと移動システムの間に配置できるステップと、基板の複数の領域のうちから基板の領域ごとに、移動システムによってチャックを回転させて、基板の領域の所与の部分を、チャンバハウジングの開口と関係付けできる視野の中に配置するステップ、および移動システムによってチャックを開口に対して移動させて、基板の領域の追加部分を、開口と関係付けできる視野の中に配置するステップ、を繰り返すステップとを含む。
チャックを回転させるステップは、移動システムの回転ステージを使用してチャックを回転させるステップを含み得る。
チャックを移動させるステップは、移動システムのX軸Y軸(XY)ステージを使用するステップを含み得る。
この方法は、チャックを開口に対して移動させながら中間要素をチャンバハウジングに対して移動させるステップを含み得る。
この方法は、中間要素を任意の方向に、基板の半径の120パーセントを超えない最大距離までだけ移動させるステップを含み得る。
基板を評価する方法を提供することができる。この方法は、チャンバハウジングを含み得るチャンバの中に配置できるチャックに基板を配置するステップであって、チャックを移動システムに機械的に結合できるステップと、中間要素とチャンバハウジングの間に動的シールを少なくとも1つの封止要素によって形成することにより、チャンバを移動システムから封止するステップであって、中間要素をチャンバハウジングと移動システムの間に配置できるステップと、基板の複数の領域のうちから基板の領域ごとに、移動システムによってチャックを回転させて、基板の領域の所与の部分を顕微鏡の視野の中に配置するステップ、移動システムによってチャックを開口に対して移動させて、基板の領域の追加部分を顕微鏡の視野の中に配置するステップ、および顕微鏡を使用して、基板の領域の追加部分に位置し得る基板の疑わしい欠陥を評価するステップを、繰り返すステップとを含み得る。
顕微鏡は走査型電子顕微鏡とすることができる。
本発明としてみなされる主題は、本明細書の結論の部分に詳細に指摘され、明確に特許請求されている。しかし、本発明は、ステップの編成と方法の両方に関して、本発明の基板、特徴および利点と共に、以下の詳細な説明を添付の図面と併せ読み参照すれば最もよく理解することができる。
クラスタツールの一例の上面図である。 クラスタツールの一例の断面図である。 クラスタツールの一例の後面図である。 動的シールを示す、いくつかの評価チャンバ要素の一例の断面図である。 いくつかの評価チャンバ要素の一例の断面図である。 いくつかの評価チャンバ要素の一例の断面図である。 基板の一例の図である。 方法の一例の図である。 方法の一例の図である。
図が簡単で分かりやすいように、図に示されている要素は必ずしも原寸に比例して描かれていないことを理解されたい。たとえば、いくつかの要素の寸法は、分かりやすくするために他の要素に対して誇張されていることがある。さらに、適切と考えられる場合には、対応または類似する要素を示すために、参照数字が複数の図の間で繰り返されることがある。
以下の詳細な説明では、本発明を完全に理解できるように多数の具体的な詳細が示される。しかし、当業者には、これらの具体的な詳細がなくても本発明を実施できることが理解されよう。他の場合では、よく知られている方法、手順、および構成要素について、本発明を不明確にすることがないように詳細には説明されていない。
本明細書中の1つの方法についてのいかなる記載も、その方法を実行できるシステムに対して、必要な変更を加えて適用されなければならない。
本明細書中の1つのシステムについてのいかなる記載も、そのシステムによって実行できる方法に対して、必要な変更を加えて適用されなければならない。
同一の参照番号を様々な構成要素に割り当てることにより、これらの構成要素が互いに類似していることを示すことがある。
小型であるチャンバと、このチャンバを含むシステムと、このチャンバを用いて基板を移動させる方法と、基板がそのチャンバ内に置かれている間に基板を評価する方法とが提供され得る。
基板は、チャンバの中に配置されているチャック上に置かれる。チャックは、チャンバが移動システムから封止されているのでチャンバが汚染されない移動システムによって、移動される。
基板は、ウエハなどの基板でよい。基板は放射対称性を有し得る。
コントローラは、1つの選択された基板の領域を複数の領域のうちから選択することができる。チャック(したがって基板)は、移動システムによって回転させることができ、それによって、選択された領域の別々の部分を評価することが可能になる。
移動システムは、選択された領域の別々の部分間でチャックを移動させることができる。
選択された基板の領域の評価の後に、コントローラは基板の新しい選択領域を選択し、システムはチャックを回転させ、それによって、新たに選択された領域の別々の部分を評価することが可能になり得る。
基板の評価は、測定、見直しおよび検査のうちの少なくとも1つを含むことができる。
チャックの移動は、選択された領域の別々の部分をカバーするためにだけ必要とされ、チャンバは小型にすることができる。
たとえば、基板の領域は四分円形を有することができ、それぞれの四分円のスキャンには、それぞれの方向に、基板の半径までの、または基板の半径をわずかに上回る(たとえば、20%上回る)最大移動が必要になり得る。
たとえば、300mmウエハの四分円のうちの1つを評価するために、基板は回転させて(その四分円を選択し)、次に、X軸またはY軸に沿って150mm以下だけ移動させることができる(たとえば、XYステージによって)。
チャンバは、基板を評価するために使用することができ、それゆえに評価チャンバと呼ばれることがある。
図1は、評価チャンバ106ならびに他のユニットを含むクラスタツール100の一例を示す。
図2は、クラスタツール100の一例の断面図である。その断面は、クラスタツール100の中心を横切っていない仮想平面に沿っている。
クラスタツール100では、ウエハなどの基板はウエハカセット101に入れて輸送される。
ウエハカセット101は、ファクトリインターフェースユニット103の装填ポートに装填される。
ファクトリインターフェースユニット103の中に設置されている外側移送ロボット102は、基板をウエハカセット101からロードロック104まで移送する。
ロードロック104に結合された1つまたは複数の真空ポンプ(図示せず)は、移送チャンバ107の圧力レベルに近づき得る所望の圧力レベルにまで、ロードロック104をポンプダウンすることができる。
真空ポンプおよび換気システム(図示せず)を備えたロードロック104の外部ゲート109および内部ゲート110により、必要なロードロック104の換気/ポンプサイクルが得られる。
内部移送ロボット108は、ロードロック104から基板を捕捉し、その基板をプロセスチャンバ105のいずれかの中に、またはクラスタツール100の評価チャンバ106の中に装填する。
基板が挿入されるプロセスチャンバ105に応じて、材料を基板上に堆積もしくはパターン化すること、または基板から除去することができる。
基板は、ロードロック104からいずれかのプロセスチャンバ105へ、また1つのプロセスチャンバ105から別のプロセスチャンバ105へ、様々なレベルの真空を含む制御された圧力下で移送することができる。
ロードロック104、移送チャンバ107、プロセスチャンバ105のそれぞれ、および評価チャンバ106の中の各圧力レベルは、要望通りに、所与のプロセスチャンバ105における特定のプロセスの必要に応じて、実質的に同一の、または別々の圧力レベルに維持することができる。
内部ゲート110は、移送チャンバ107とプロセスチャンバ105と評価チャンバ106との間に装着される。内部ゲート110は基板相互汚染を防止する。
走査型電子顕微鏡111および光学顕微鏡112が、評価チャンバ106のカバーに取り付けられる。
図2はまた、以下を示す。
a.シャーシ201に取り付けられている振動分離システム202。振動分離システム202は、移送チャンバ107を支持する。このような構成により、基板フィーチャの高解像度画像に到達することが可能になり、プロセスチャンバ105内の処理の品質が改善する。
b.カバー203および側壁204を含む、評価チャンバのハウジング。
c.チャック205。チャック205は、静電チャックでも機械式チャックでもよい。チャック205は基板を支持することができる。
d.移動システム206。
e.封止板207などの中間要素。
f.移動システムベース208。
g.AB/DPモジュール400。AB/DPはエア軸受/差動排気を表す。
h.評価チャンバのハウジングおよび封止板207によって画定されている真空空間411。
移動システム206は、基板を回転させるための回転ステージ(シータステージとも呼ばれる)、Zステージを含み、またXYステージまたはRステージなどの1つのステージを含むこともできる。
図3は、評価チャンバ106の一例の後面図である。移動システムベース208はブラケット301を有する。ブラケット301は、評価チャンバ106の側壁204に連結される。
評価チャンバ106は、汚染源が基板を汚染することを防止する。
評価プロセス中または製造プロセス中、基板は、基板が移動システム206によって移動されているときでさえも所定の条件(汚染レベル、真空レベル、温度など)が維持されている真空空間411に置かれる。
移動システム206は、大気環境中に置くことができる。ケーブル、コントロールデバイス、および他の様々な構成要素は、大気の中で生成される汚染要素の量を低減し除去さえもするために、大気中に置くことができる。チャンバは、可動部分無しにすることができる。
真空空間は、図4および図5の動的シール440などの1つまたは複数の動的シールを使用することによって、大気環境から隔離することができる。
動的シールによって形成される正の空気流により、移動システム206、軸受、およびプラスチックケーブルから発生する汚染物質が真空空間411に到達することを防止することができる。動的シールは、大気に向かう空気流を発生させ、それゆえに汚染物質が真空空間に入ることを退けるように配置することができる。
図4は、動的シール440を示すAB/DPモジュール400の領域の断面図である。
このシールは、空気を循環させる必要があるという意味で動的である。
AB/DPモジュール400は側壁204に機械的に連結され、AB/DPモジュール400の底面と封止板207の間に動的シール440を形成する。
AB/DPモジュール400は、第1の真空導管402、第2の真空導管403、および第3の真空導管404などの1つまたは複数の封止要素を含むことができ、これらのそれぞれが、その真空ポンプ(図示せず)に連結される。
AB/DPモジュール400の底面は、3つの真空溝405、406および407と、差動排気ユニットである大気圧ガス溝408とを含む。加えて、AB/DPモジュール400の底部は、エア軸受ユニットを形成するいくつかのオリフィス409を含み得る。ガスクッション(動的シール)を形成する方法は、たとえば米国特許第6,899,765号に示されており、同特許は参照により本明細書に組み込まれる。別々の導管が、別々の圧力レベルおよび/または真空レベルのガスを供給することができる。
AB/DPモジュール400は、クランプ機構401によって側壁204に機械的に連結することができる。クランプ機構401は、AB/DPモジュール400の周辺部に配置され、AB/DPモジュール400と大気の間の圧力差の力を補償するための十分な力を与えるように適合される。
図5および図6は、カバー203、走査型電子顕微鏡111、光学顕微鏡112、チャック205、支持体要素410、封止板207、第1の開口431、第2の開口432、第1のベローズ412、および第2のベローズ414などの、クラスタツール100の様々な部分を示す。
支持体要素410はチャック205を支持し、チャック205を移動システム206に機械的に結合する。
図5および図6はまた、動的シール440を示す。
第1のベローズ412および第2のベローズ414は、移動システム206からの微粒子が真空空間411の中に漏洩することを防止するために、支持体要素410を取り囲む。
第1の開口431および第2の開口432がカバー203に形成される。走査型電子顕微鏡111の下部が第1の開口431に挿入される。光学顕微鏡112の下部が第2の開口432に挿入される。
図6の封止板207は、移動システムによる封止板207(ならびに支持体要素410およびチャック205)の移動により、図5の封止板207とは異なる位置に置かれている。
図7は、基板500、第1の領域501、第2の領域502、第3の領域503、第4の領域504、第1の領域501の各部分511、第2の領域502の各部分512、第3の領域503の各部分513、および第4の領域504の各部分514の一例を示す。
基板500は放射対称性を有し、第1の領域501、第2の領域502、第3の領域503、第4の領域504は四分円形を有する。
評価チャンバ106は、4回の繰り返しによって基板500を評価することができる。4回の繰り返しのそれぞれの繰り返しの間に、単一の領域を評価することができる。それぞれの繰り返しは、その繰り返しの間に評価されるべき領域に到達するように基板500を90度だけ回転させることによって開始することができる。
領域に到達するとは、チャックを移動することによって、その領域の各部分を走査型電子顕微鏡の視野および光学顕微鏡の視野の中に配置できることを意味する。
チャックの移動は、基板の別の領域が走査型電子顕微鏡の視野の中および/または光学顕微鏡の視野の中に配置されることがないはずの移動に制限される。
第1の繰り返しの間に、第1の領域501の各部分511を走査型電子顕微鏡の視野の中および/または光学顕微鏡の視野の中に配置することができる。
第2の繰り返しの間に、第2の領域502の各部分512を走査型電子顕微鏡の視野の中および/または光学顕微鏡の視野の中に配置することができる。
第3の繰り返しの間に、第3の領域503の各部分513を走査型電子顕微鏡の視野の中および/または光学顕微鏡の視野の中に配置することができる。
第4の繰り返しの間に、第4の領域504の各部分514を走査型電子顕微鏡の視野の中および/または光学顕微鏡の視野の中に配置することができる。
図8は、チャンバハウジングを含むチャンバの中に基板を移動させる方法800の一例である。
方法800は、チャンバの中に配置されているチャックに基板を配置するステップ810から開始することができる。チャックは、移動システムに機械的に結合されている。
ステップ810の次に、中間要素とチャンバハウジングの間に動的シールを少なくとも1つの封止要素によって形成することにより、チャンバを移動システムから封止するステップ820が続き得る。中間要素は、チャンバハウジングと移動システムの間に配置されている。
ステップ810の次にはまた、基板の複数の領域のうちから基板の領域ごとにステップ830および840を繰り返すことが続き得る。
ステップ830は、移動システムによってチャックを回転させて基板の領域の所与の部分を、チャンバハウジングの開口と関係付けられている視野の中に配置することを含み得る。
この視野は、(a)ある視野を有する評価ツールを開口に部分的に挿入することができる、および/または(b)ある視野を有する評価ツールが開口を通して基板を見ることができる、という意味で開口と関係付けられている。
ステップ830は、移動システムの回転ステージを使用してチャックを回転させることを含み得る。
ステップ830の次には、移動システムによってチャックを開口に対して移動させて基板の領域の追加部分を、開口と関係付けられている視野の中に配置するステップ840が続き得る。
ステップ830および840は、ステップ820と並行して実行することができる。
基板は放射対称性を有することができ、複数の領域は4つの領域、または他の任意の数の領域を含み得る。
ステップ840は、以下のうちの少なくとも1つを含み得る。
i.移動システムのXY(X軸Y軸)ステージを使用すること。
j.チャックを開口に対して移動させながら、中間要素をチャンバハウジングに対して移動させること。
k.中間要素を任意の方向に、基板の半径の120パーセントを超えない最大距離までだけ移動させること。
図9は、チャンバハウジングを含むチャンバの中に基板を移動させる方法900の一例である。
方法900は、チャンバの中に配置されているチャックに基板を置くステップ810から開始することができる。チャックは、移動システムに機械的に結合されている。
ステップ810の次に、中間要素とチャンバハウジングの間に動的シールを少なくとも1つの封止要素によって形成することにより、チャンバを移動システムから封止する、ステップ820が続き得る。中間要素は、チャンバハウジングと移動システムの間に配置されている。
ステップ810の次にはまた、基板の複数の領域のうちから基板の領域ごとに、ステップ930、940および950を繰り返すことが続き得る。
ステップ930は、移動システムによってチャックを回転させて、基板の領域の所与の部分を顕微鏡の視野の中に配置することを含み得る。
ステップ930の次には、移動システムによってチャックを開口に対して移動させて、基板の領域の追加部分を顕微鏡の視野の中に配置するステップ940が続き得る。
ステップ940の次には、顕微鏡を使用して、基板の領域の追加部分に位置する基板の疑わしい欠陥を評価するステップ950が続き得る。
顕微鏡は走査型電子顕微鏡でよい。
ステップ950は、光学顕微鏡を使用して疑わしい欠陥を見つけること、およびその疑わしい欠陥を走査型電子顕微鏡によってスキャンすることを含み得る。
チャンバは小型であり、クラスタツールとは異なる様々なツールと一体化することができる。
このチャンバは点検チャンバとして使用することができ、走査型電子顕微鏡などの点検ツールにより、チャンバの中に置かれた基板の欠陥を点検する。この点検チャンバは光学検査システムに含まれてもよい。
点検チャンバは、即時の、基板と基板の比較および基板の処理の正確な制御を行うように構成することができる。基板は、たとえば、マスクでもウエハでもよい。基板の処理には、たとえば、エッチング、堆積、銅の機械的研磨、および注入のうちから少なくとも1つが含まれ得る。
走査型電子顕微鏡は、以下のタスク、すなわち、欠陥を検出する、欠陥を点検する、寸法を測定する、層と層の位置を測定する、パターン位置決めおよび縁部配置精度を測定する、のうちの少なくとも1つを行うように構成することができる。
走査型電子顕微鏡は、タスクの完了後に即時のフィードバックを処理ツールに与えるように構成することができる。処理ツールと点検チャンバは同じシステムに属していてもよい。それゆえに、処理ツールの即時の、自動化された調整が実現され得る。
点検チャンバを処理ツールと一体化することにより、処理ツールによって画定されたプロセス環境の外側で基板を供給することが制限される製造ステップの間中、基板の層またはフィーチャの評価を行うことが可能になる。この制限は、たとえば酸化に起因する。
処理ツールを含むシステムにチャンバを含むことにより、(a)速い障害応答および根本原因分析、(b)基板に並行してプロセス品質およびプロセス均一性を改善すること、(c)プロセスチャンバとプロセスチャンバの整合を改善すること、が実現し得る。
ウエハ製造プロセスチャンバのほとんどは、同じ動作(同じ化学反応、熱作用、材料流れ、射光など)を行う複数のチャンバを含む。しかし、チャンバの実際のプロセスパラメータ間には小さな差異がある。この差異により製造プロセスの差異が生じ、その最終結果として、特定のチャンバ内のウエハの過去の位置に起因するウエハ間の物理的差異が生じる。点検チャンバは、これらの差異を定義すること、およびチャンバを他のものと整合させる即時のパラメータ調整を行うことを可能にし、またそれゆえに、チャンバ間の差異に関連したプロセス差異を低減することを可能にする。
このチャンバにより、湿度、大気および時間に影響されやすいナノフィルムおよび構造体の非破壊検査、計測、組成分析が容易になる。
上記の明細書では、本発明について、本発明の諸実施形態の特定の例に関して説明した。しかし、様々な修正および変更が、添付の特許請求項に示された本発明の広い趣旨および範囲から逸脱することなく実施形態に加えられてよいことが明らかであろう。
さらに、本明細書および特許請求の範囲における用語の「前部」、「後部」、「上部」、「底部」、「上」、「下」などは、もしあれば、説明の目的で使用されており、必ずしも恒久的な相対位置を説明するためのものではない。そのように使用される用語は、本明細書に記載の本発明の諸実施形態が、たとえば本明細書で図示または別に説明されたものとは別の配向に進むことができるように、適切な状況のもとでは交換可能であることを理解されたい。
本明細書で論じられた接続は、それぞれのノード、ユニットまたはデバイスとの間で、たとえば中間デバイスを介して信号を転送するのに適している、任意のタイプの接続でよい。それに応じて、特に断らない限り接続は、たとえば直接接続でも間接接続でもよい。接続は、単一の接続、複数の接続、単方向接続、または両方向接続であることを基準として図示または説明されることがある。しかし、別々の実施形態では、接続の実施態様が異なることがある。たとえば、両方向接続ではなく別々の単方向接続が使用されることがあり、逆も同様である。また、複数の接続が、複数の信号を連続的に、または時分割で転送する単一の接続に置き換えられることもある。同様に、複数の信号を搬送する単一の接続が、これらの信号のサブセットを搬送する様々な別々の接続に分けられることもある。したがって、信号を転送するのに多くの選択肢が存在する。
特定の導電型または電位の極性が諸例において記述されたが、導電型および電位の極性が反転されてもよいことを理解されたい。
当業者には、論理ブロック間の境界は例示的なものにすぎないこと、ならびに代替実施形態では論理ブロックもしくは回路要素を結合できる、または機能の代替的分解を様々な論理ブロックもしくは回路要素に課すことができることが理解されよう。すなわち、本明細書で描写されたアーキテクチャは例示的なものにすぎず、実際には、同じ機能を実現する他の多くのアーキテクチャが実施されてよいことを理解されたい。
同じ機能を実現するための構成要素の任意の配置が、所望の機能が実現されるように効果的に「結び付けられる」。それゆえに、特定の機能を実現するために組み合わされた、本明細書の任意の2つの構成要素は、アーキテクチャまたは中間構成要素に関係なく所望の機能が実現されるように、互いに「結び付けられている」と見ることができる。同様に、そのように結び付けられた任意の2つの構成要素はまた、所望の機能を実現するために互いに「動作可能に連結され」または「動作可能に結合され」ていると見ることもできる。
さらに、当業者には、上述のステップ間の境界が説明的なものにすぎないことが理解されよう。複数のステップが単一のステップに組み合わされることがあり、単一のステップが追加の複数のステップに分布することがあり、また複数のステップが時間的に少なくとも一部重なり合って実行されることがある。さらに、代替実施形態が特定のステップの複数の段階を含むことがあり、各ステップの順序が他の様々な実施形態で変更されることもある。
またたとえば、1つの実施形態では、図示の諸例が、単一の集積回路上または同じデバイス内に位置する回路として実施されることもある。あるいは、これらの例が、任意の数の別個の集積回路として、または適切な方法で互いに相互接続された別個のデバイスとして実施されることもある。
しかし、他の修正形態、変形形態、および代替形態もまた可能である。したがって、本明細書および図面は、制限的な意味ではなく説明的な意味において考慮されるものである。
請求項では、括弧内にあるいかなる参照符号も特許請求の範囲を限定すると解釈されるべきではない。語「備える」は、請求項に列挙されたもの以外の要素またはステップの存在を排除しない。さらに、本明細書で使用される用語の「1つの(a)」または「1つの(an)」は、1つ以上として定義される。また、請求項において「少なくとも1つの」および「1つまたは複数の」などの導入句を使用することは、不定冠詞「a」または「an」によって別の請求項要素を導入することにより、そのような導入された請求項要素を含むどれか特定の請求項を、そのような要素を1つだけ含む発明に限定することを示唆すると解釈されるべきではない(同じ請求項が導入句「1つまたは複数の」または「少なくとも1つの」、および「a」または「an」などの不定冠詞を含む場合でも)。同じことが、定冠詞を使用することにも当てはまる。特に断らない限り、「第1の」および「第2の」などの用語は、このような用語が描写する要素を適宜に区別するために使用される。したがって、これらの用語は、このような要素の時間的または別な優先順位付けを必ずしも示すものではない。特定の方策が互いに異なる請求項に列挙されているというだけの事実は、これらの方策の組合せを有利に使用できないことを示すものではない。
本発明のいくつかの特徴が本明細書で図示され説明されたが、ここで多くの修正、置換、変更、および等価物が当業者には想起されよう。したがって、添付の特許請求の範囲は、すべてのこのような修正および変更を、本発明の真の趣旨の範囲に入るとして包含するものであることを理解されたい。

Claims (3)

  1. クラスタツールにおいて基板を処理し評価する方法であって、
    前記クラスタツールの外側移送ロボットを用いて前記基板をカセットからロードロックに移送するステップと、
    前記クラスタツールの内側移送ロボットを用いて前記基板を前記ロードロックからプロセスチャンバに移送するステップと、
    前記クラスタツールの前記プロセスチャンバにおいて前記基板上で製造プロセスを実行するステップと、
    前記内側移送ロボットを用いて前記基板を前記プロセスチャンバから前記クラスタツールの評価チャンバに移送するステップであって、前記基板を前記ロードロックから前記プロセスチャンバに移送し、前記基板を前記プロセスチャンバから前記評価チャンバに移送する間に、前記基板が制御された圧力に維持される、ステップと、
    チャンバハウジングを含む前記評価チャンバの中に配置されているチャックに前記基板を配置するステップであって、前記チャックが、回転ステージ及びXYステージを含む移動システムに機械的に結合されている、ステップと、
    中間要素と前記チャンバハウジングの間に動的シールを少なくとも1つの封止要素によって形成することにより、前記評価チャンバを前記移動システムから封止するステップであって、前記中間要素が前記チャンバハウジングと前記移動システムの間に配置されており、前記移動システムが大気圧にある一方で前記評価チャンバの内側が前記制御された圧力に維持される、ステップと、
    前記基板の複数の領域のうちから前記基板の領域ごとに、
    (a)前記移動システムの前記回転ステージによって前記チャックを回転させて、前記基板の所与の領域を顕微鏡の視野の中に配置するステップ、
    (b)その後、前記移動システムの前記XYステージによって前記チャックを開口に対して移動させて、前記基板の前記所与の領域の追加部分を前記顕微鏡の前記視野の中に配置するステップであって、前記チャックを前記開口に対して移動させる間に前記中間要素を前記チャンバハウジングに対して移動させることを含み、前記移動システムの前記XYステージが、前記チャックを任意の方向に、前記基板の半径の120パーセントを超えない距離までだけ移動させるように構成されている、ステップ、および
    (c)前記顕微鏡を使用して、前記基板の前記所与の領域の前記追加部分に位置する疑わしい欠陥を評価するステップ
    を繰り返すステップと
    前記評価チャンバにおける疑わしい欠陥の評価の結果に基づいて前記プロセスチャンバにおいて前記製造プロセスのパラメータを調節するステップとを含む、方法。
  2. 前記顕微鏡が走査型電子顕微鏡である、請求項に記載の方法。
  3. 光学顕微鏡を使用して前記疑わしい欠陥を見つけるステップと、前記疑わしい欠陥を前記走査型電子顕微鏡によってスキャンするステップとをさらに含む、請求項に記載の方法。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU191704U1 (ru) * 2019-06-03 2019-08-19 Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Полупроводникового Машиностроения (Оао "Ниипм") Блок центрирования полупроводниковых пластин на вакуумном столике в кластерной линии фотолитографии перед проведением технологических операций
CN112114207B (zh) * 2019-06-19 2024-05-10 泰克元有限公司 测试板及测试腔室
US11294164B2 (en) * 2019-07-26 2022-04-05 Applied Materials Israel Ltd. Integrated system and method
TWI797461B (zh) * 2019-07-26 2023-04-01 日商新川股份有限公司 封裝裝置
US11177048B2 (en) * 2019-11-20 2021-11-16 Applied Materials Israel Ltd. Method and system for evaluating objects
CN111952138A (zh) * 2020-08-17 2020-11-17 浙江祺跃科技有限公司 一种原位原子层沉积扫描电子显微镜

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JP2000164658A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Tokyo Seimitsu Co Ltd 半導体ウェハのレビューステーション及び外観検査装置
US6358324B1 (en) * 1999-04-27 2002-03-19 Tokyo Electron Limited Microwave plasma processing apparatus having a vacuum pump located under a susceptor
JP4939235B2 (ja) * 2000-07-27 2012-05-23 株式会社荏原製作所 シートビーム式検査装置
US6764386B2 (en) * 2002-01-11 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Air bearing-sealed micro-processing chamber
US6899765B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-31 Applied Materials Israel, Ltd. Chamber elements defining a movable internal chamber
US7582186B2 (en) * 2002-12-20 2009-09-01 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved focus ring in a plasma processing system
JP2005203421A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Hitachi High-Technologies Corp 基板検査方法及び基板検査装置
JP2005286102A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置および真空処理方法
US7428850B2 (en) * 2005-02-24 2008-09-30 Applied Materials, Israel,Ltd. Integrated in situ scanning electronic microscope review station in semiconductor wafers and photomasks optical inspection system
JP4614863B2 (ja) * 2005-10-24 2011-01-19 ソニー株式会社 基板処理装置
US20090016853A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Woo Sik Yoo In-line wafer robotic processing system
WO2012099579A1 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Applied Materials Israel Ltd. Chamber elements and a method for placing a chamber at a load position
KR101328512B1 (ko) * 2011-08-17 2013-11-13 주식회사 쎄크 웨이퍼 패턴 검사장치 및 검사방법
KR101914231B1 (ko) * 2012-05-30 2018-11-02 삼성디스플레이 주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 검사 시스템
US20140239529A1 (en) * 2012-09-28 2014-08-28 Nanonex Corporation System and Methods For Nano-Scale Manufacturing
US9698062B2 (en) * 2013-02-28 2017-07-04 Veeco Precision Surface Processing Llc System and method for performing a wet etching process
WO2015023603A1 (en) * 2013-08-12 2015-02-19 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for forming a sealed chamber
WO2015081072A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 Applied Materials Israel, Ltd. System and method for forming a sealed chamber
TWI634331B (zh) * 2014-06-25 2018-09-01 美商Dcg系統公司 電子裝置的奈米探測系統及其奈米探針
JP6335341B2 (ja) * 2014-07-23 2018-05-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 可変型温度制御式基板支持アセンブリ

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