JP6898737B2 - 半導体基板の製造方法、光電変換素子の製造方法および光電変換素子 - Google Patents
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Description
本発明は、半導体基板の製造方法、光電変換素子の製造方法および光電変換素子に関する。
太陽光エネルギを電気エネルギに直接変換する太陽電池は、近年、特に、地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池には、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類のものがあるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽光が入射する側の面である受光面と、受光面の反対側である裏面とにそれぞれ電極が形成された構造のものである。
しかしながら、受光面に電極を形成した場合には、電極における太陽光の反射および吸収があることから、電極の面積分だけ入射する太陽光の量が減少する。そのため、裏面のみに電極を形成した太陽電池の開発が進められている。
たとえば、国際公開第２０１３／０９８９５５号（特許文献１）には、酸エッチングした後にアルカリエッチングすることにより作製された基板を用いて裏面のみに電極を形成した太陽電池の製造方法が開示されている。このような特許文献１に記載の太陽電池においては、酸エッチングにより基板の主面のダメージ層やソーマークを除去した後にアルカリエッチングによりテラスおよびステップを有する凹凸が形成される。そのため、アルカリエッチングを長期にわたって行う必要がないことから、基板の主面の凹凸のサイズの増大を抑制することができ、複数のテラスの少なくとも１つがｎ側電極とｐ側電極との間に収まった太陽電池を作製できるとされている（たとえば特許文献１の段落［００４７］および［００４８］等）。
しかしながら、特許文献１に記載の太陽電池においては、基板主面のパッシベーション性能が不十分であるため、キャリアのライフタイムが非常に短く、太陽電池の特性が低くなるという課題があった。
ここで開示された実施形態は、半導体基板のアルカリエッチングを行う工程と、アルカリエッチングを行う工程の後に半導体基板の酸エッチングを行う工程とを含み、前記酸エッチングを行う工程において、前記半導体基板の主面の厚さ方向のエッチング量は０．６μｍ以上２μｍ以下とされる、半導体基板の製造方法である。
ここで、開示された実施形態は、第１導電型または第２導電型の半導体基板のアルカリエッチングを行う工程と、アルカリエッチングを行う工程の後に半導体基板の酸エッチングを行う工程と、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に第１導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に第２導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程と、を含み、前記酸エッチングを行う工程において、前記半導体基板の主面の厚さ方向のエッチング量は０．６μｍ以上２μｍ以下とされる、光電変換素子の製造方法。
ここで開示された実施形態は、半導体基板と、半導体基板の主面上の誘導体膜を備え、主面に凹部を備え、凹部は、テラスと、テラスから斜め上方に延在する傾斜面であるステップとを備え、テラスに対するステップの傾斜角度は４８．７°未満である光電変換素子である。
ここで開示された実施形態によれば、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法、光電変換素子の製造方法、半導体基板および光電変換素子を提供することができる。
以下、実施形態について説明する。なお、実施形態の説明に用いられる図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
［実施形態１］
図２１に、実施形態１の半導体基板の主面の模式的な拡大平面図である。図２１に示すように、半導体基板１の主面１ａには、複数の凹部４１が設けられており、それぞれの凹部４１は、半導体基板１の主面１ａの結晶面と同一の結晶面方位を有するテラス４３と、テラス４３から傾斜角度αで斜め上方に延在して半導体基板１の主面１ａに到達する傾斜面であるステップ４２とを含んでいる。
図２１に、実施形態１の半導体基板の主面の模式的な拡大平面図である。図２１に示すように、半導体基板１の主面１ａには、複数の凹部４１が設けられており、それぞれの凹部４１は、半導体基板１の主面１ａの結晶面と同一の結晶面方位を有するテラス４３と、テラス４３から傾斜角度αで斜め上方に延在して半導体基板１の主面１ａに到達する傾斜面であるステップ４２とを含んでいる。
図２２に、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩに沿った模式的な拡大断面図を示す。たとえば半導体基板１がｎ型シリコン単結晶基板であって、半導体基板１の主面１ａおよびテラス４３のそれぞれの結晶面が（１００）面である場合には、テラス４３に対するステップ４２の傾斜角度αは、アルカリ溶液を用いた通常のテクスチャエッチングの（１００）面に対する（１１１）面の幾何学的な傾斜角度である４８．７°よりも小さくなり、たとえば３０°以下となる。なお、半導体基板１の凹部４１のテラス４３に対するステップ４２の傾斜角度αは、たとえばレーザ顕微鏡により測定することができる。以下、実施形態１の半導体基板を用いて光電変換素子の一例（実施形態１の光電変換素子）を製造する方法の一例について説明する。
図１に、実施形態１の光電変換素子の製造方法のフローチャートを示す。図１に示すように、実施形態１の半導体基板の製造方法は、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）と、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）と、酸エッチング工程（Ｓ３０）と、保護膜の形成工程（Ｓ４０）と、テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）と、保護膜の除去工程（Ｓ６０）と、ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）とを含んでおり、Ｓ１０、Ｓ２０、Ｓ３０、Ｓ４０、Ｓ５０、Ｓ６０およびＳ７０の順に行われる。なお、実施形態の半導体基板の製造方法には、Ｓ１０〜Ｓ７０以外の工程が含まれていてもよい。なお、本実施形態では、半導体基板としてｎ型単結晶シリコン基板を用いた光電変換素子の製造方法について説明するが、本実施形態はｎ型単結晶シリコン基板を用いて光電変換素子を製造する場合には限定されず、たとえばｐ型単結晶シリコン基板等のｎ型単結晶シリコン基板以外の半導体基板を用いた光電変換素子の製造にも適用することができる。
＜半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）＞
まず、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）を行う。半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）は、たとえば図２の模式的斜視図に示すように、ｎ型シリコン単結晶インゴット１０をワイヤソー１３で切断することにより行うことができる。
まず、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）を行う。半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）は、たとえば図２の模式的斜視図に示すように、ｎ型シリコン単結晶インゴット１０をワイヤソー１３で切断することにより行うことができる。
図３に示すように、ワイヤソー１３は、所定の間隔をあけて配置されたガイドローラ１１，１２の間に巻き掛けられている。その結果、ワイヤソー１３は、それぞれのガイドローラ１１，１２において、ガイドローラ１１，１２の長手方向に沿って、所定の間隔をあけて複数箇所で張られた状態となる。この状態で、ガイドローラ１１，１２が正転・逆転を繰り返すことによって、ワイヤソー１３が矢印１５の方向に往復走行を行なうことになる。
ワイヤソー１３が矢印１５の方向に往復走行をしている状態で、ｎ型シリコン単結晶インゴット１０を矢印１４の方向に移動させる。そして、ｎ型シリコン単結晶インゴット１０を往復走行をしているワイヤソー１３に押し付けることによって、たとえば図３の模式的斜視図に示すように、ｎ型シリコン単結晶インゴット１０が複数箇所で切断されて、複数枚の板状のｎ型単結晶シリコン基板である半導体基板１が形成される。
＜アルカリエッチング工程（Ｓ２０）＞
次に、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行う。アルカリエッチング工程（Ｓ２０）は、たとえば、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）により得られた半導体基板１の図４の模式的側面図に示す主面１ａをアルカリエッチングすることにより行うことができる。
次に、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行う。アルカリエッチング工程（Ｓ２０）は、たとえば、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）により得られた半導体基板１の図４の模式的側面図に示す主面１ａをアルカリエッチングすることにより行うことができる。
半導体基板１の主面１ａのアルカリエッチングは、アルカリ性のエッチング液を用いて半導体基板１の主面１ａをウエットエッチングすることにより行われる。アルカリ性のエッチング液としては、アルカリ水溶液を用いることが好ましく、水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液を含むアルカリ水溶液を用いることがより好ましく、水酸化ナトリウム水溶液を含むアルカリ水溶液を用いることが特に好ましい。この場合には、半導体基板１の主面１ａのアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板１におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
＜酸エッチング工程（Ｓ３０）＞
次に、酸エッチング工程（Ｓ３０）を行う。酸エッチング工程（Ｓ３０）は、たとえば、上記のようにアルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行った後の半導体基板１の主面１ａを酸エッチングすることにより行うことができる。
次に、酸エッチング工程（Ｓ３０）を行う。酸エッチング工程（Ｓ３０）は、たとえば、上記のようにアルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行った後の半導体基板１の主面１ａを酸エッチングすることにより行うことができる。
半導体基板１の主面１ａの酸エッチングは、たとえば、混酸を用いて半導体基板１の主面１ａをウエットエッチングすることにより行うことができる。実施形態１においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行う。
酸エッチング工程（Ｓ３０）による半導体基板１の主面１ａの厚さ方向のエッチング量は半導体基板１の片側の主面につき（すなわち、半導体基板１の片側の主面１ａのみの厚さ方向のエッチング量が）２μｍ以下であることが好ましい。これは、本発明者が鋭意検討した結果、実施形態１の酸エッチングによる半導体基板１の主面１ａの厚さ方向のエッチング量が半導体基板１の片側の主面につき２μｍ以下という非常に少量である場合であっても、半導体基板１におけるキャリアのライフタイムを長くすることができることを見出したことによるものである。また、半導体基板１におけるキャリアのライフタイムを長くする観点からは、酸エッチング工程（Ｓ３０）による半導体基板１の主面１ａの厚さ方向のエッチング量は半導体基板１の片側の主面につき０．６μｍ以上であることが好ましい。
＜保護膜の形成工程（Ｓ４０）＞
次に、保護膜の形成工程（Ｓ４０）を行う。保護膜の形成工程（Ｓ４０）は、たとえば図５の模式的断面図に示すように、上記の酸エッチング工程（Ｓ３０）を行った後の半導体基板１の一方の主面１ａに保護膜２１を形成することにより行うことができる。
次に、保護膜の形成工程（Ｓ４０）を行う。保護膜の形成工程（Ｓ４０）は、たとえば図５の模式的断面図に示すように、上記の酸エッチング工程（Ｓ３０）を行った後の半導体基板１の一方の主面１ａに保護膜２１を形成することにより行うことができる。
保護膜２１としては、後工程となるテクスチャエッチング工程（Ｓ５０）におけるエッチングマスクとして機能することができる膜であれば特に限定されず、たとえば窒素と珪素とを含む膜などを用いることができる。
保護膜２１の形成方法も特に限定されないが、保護膜２１として窒素と珪素とを含む膜を形成する場合には、たとえば従来から公知のスパッタ法により形成することができる。
＜テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）＞
次に、テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）を行う。テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）は、たとえば図６の模式的断面図に示すように、半導体基板１の一方の側の主面１ａに形成された保護膜２１をマスクとして、半導体基板１の保護膜２１が形成されていない他方の側の主面をテクスチャエッチングすることにより行うことができる。
次に、テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）を行う。テクスチャエッチング工程（Ｓ５０）は、たとえば図６の模式的断面図に示すように、半導体基板１の一方の側の主面１ａに形成された保護膜２１をマスクとして、半導体基板１の保護膜２１が形成されていない他方の側の主面をテクスチャエッチングすることにより行うことができる。
テクスチャエッチングは、たとえば以下のようにして行うことができる。まず、たとえば水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液などを含むアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加することによって混合液を作製する。次に、当該混合液をたとえば７０℃以上８０℃以下に加熱する。そして、加熱された混合液を用いて半導体基板１の一方の側の主面１ａに形成された保護膜２１をマスクとして、半導体基板１の保護膜２１が形成されていない他方の側の主面をウエットエッチングする。これにより、半導体基板１の保護膜２１が形成されていない他方の側の主面にテクスチャ構造１ｂが形成される。
＜保護膜の除去工程（Ｓ６０）＞
次に、保護膜の除去工程（Ｓ６０）を行う。保護膜の除去工程（Ｓ６０）は、たとえば図７の模式的断面図に示すように、半導体基板１の片側の主面１ａに形成された保護膜２１を除去することにより行うことができる。
次に、保護膜の除去工程（Ｓ６０）を行う。保護膜の除去工程（Ｓ６０）は、たとえば図７の模式的断面図に示すように、半導体基板１の片側の主面１ａに形成された保護膜２１を除去することにより行うことができる。
保護膜２１の除去方法は特に限定されないが、保護膜２１として窒素と珪素とを含む膜を形成した場合には、たとえばフッ化水素酸を含むエッチング液を用いたウエットエッチングにより保護膜２１を効率的に除去することができる。
＜ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）＞
次に、ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）を行う。ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）は、たとえば以下のようにして行うことができる。
次に、ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）を行う。ヘテロ接合型バックコンタクトセルの製造工程（Ｓ７０）は、たとえば以下のようにして行うことができる。
まず、図８の模式的断面図に示すように、半導体基板１の主面１ａ（裏面）の全面に第１のｉ型非晶質半導体膜２を形成する。第１のｉ型非晶質半導体膜２の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いることができる。
第１のｉ型非晶質半導体膜２としては、ｉ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができる。
なお、本明細書において「ｉ型」とは、完全な真性の状態だけでなく、十分に低濃度（ｎ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3未満、かつｐ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3未満）であればｎ型またはｐ型の不純物が混入された状態のものも含む意味である。
また、本明細書において「非晶質シリコン」には、シリコン原子の未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端されていない非晶質シリコンだけでなく、水素化非晶質シリコンなどのシリコン原子の未結合手が水素で終端されたものも含まれるものとする。
次に、図９の模式的断面図に示すように、第１のｉ型非晶質半導体膜２上に第１導電型非晶質半導体膜３を形成する。第１導電型非晶質半導体膜３の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
第１導電型非晶質半導体膜３としては、ｐ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｐ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｐ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
なお、第１導電型非晶質半導体膜３に含まれるｐ型不純物としては、たとえばボロンを用いることができる。また、本明細書において、「ｐ型」とは、ｐ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3以上の状態を意味する。
次に、図１０の模式的断面図に示すように、第１導電型非晶質半導体膜３上に、第１のｉ型非晶質半導体膜２と第１導電型非晶質半導体膜３との積層体を厚さ方向にエッチングする箇所に開口部を有するフォトレジスト等のエッチングマスク３１を形成する。
次に、図１１の模式的断面図に示すように、エッチングマスク３１をマスクとして、第１のｉ型非晶質半導体膜２と第１導電型非晶質半導体膜３との積層体の一部を厚さ方向にエッチングする。これにより、半導体基板１の裏面の一部を露出させる。その後、図１２の模式的断面図に示すように、エッチングマスク３１をすべて除去する。
次に、図１３の模式的断面図に示すように、半導体基板１および第１のｉ型非晶質半導体膜２と第１導電型非晶質半導体膜３との積層体を覆うようにして第２のｉ型非晶質半導体膜４を形成する。第２のｉ型非晶質半導体膜４の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
第２のｉ型非晶質半導体膜４としては、ｉ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができる。
次に、図１４の模式的断面図に示すように、第２のｉ型非晶質半導体膜４上に第２導電型非晶質半導体膜５を形成する。第２導電型非晶質半導体膜５の形成方法は特に限定されないが、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
第２導電型非晶質半導体膜５としては、ｎ型非晶質シリコン膜を好適に用いることができるがｎ型非晶質シリコン膜に限定されず、たとえば従来から公知のｎ型非晶質半導体膜を用いることもできる。
なお、第２導電型非晶質半導体膜５を構成するｎ型非晶質シリコン膜に含まれるｎ型不純物としては、たとえばリンを用いることができる。また、本明細書において、「ｎ型」とは、ｎ型不純物濃度が１×１０15個／ｃｍ3以上の状態を意味する。
次に、図１５の模式的断面図に示すように、半導体基板１の裏面上の第２のｉ型非晶質半導体膜４と第２導電型非晶質半導体膜５との積層体を残す部分にのみフォトレジスト等のエッチングマスク３２を形成する。
次に、エッチングマスク３２をマスクとして、第２のｉ型非晶質半導体膜４と第２導電型非晶質半導体膜５との積層体の一部を厚さ方向にウエットエッチングすることによって、図１６の模式的断面図に示すように、第１導電型非晶質半導体膜３の一部を露出させる。その後、エッチングマスク３２を完全に除去する。
その後、図１７に示すように、第１導電型非晶質半導体膜３に接するように第１電極６を形成し、第２導電型非晶質半導体膜５に接するように第２電極７を形成する。以上により、実施形態１の光電変換素子としての図１７に示すヘテロ接合型バックコンタクトセルを製造することができる。
＜作用効果＞
実施形態１においては、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）により得られた半導体基板１の主面１ａについてアルカリエッチング工程（Ｓ２０）および酸エッチング工程（Ｓ３０）をこの順序で行った後にｉ型非晶質シリコン膜からなる第１のｉ型非晶質半導体膜２および第２のｉ型非晶質半導体膜４をそれぞれ形成している。これは、本発明者が鋭意検討した結果、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行った後に酸エッチング工程（Ｓ３０）を行うことによって、当該エッチング後の半導体基板１の主面１ａ上に形成されるｉ型非晶質シリコン膜による半導体基板１の主面１ａのパッシベーション性能が向上し、半導体基板１におけるキャリアのライフタイムが向上することを見出したことによるものである。これにより、実施形態１によれば、ヘテロ接合型バックコンタクトセル等の光電変換素子の特性（特に開放電圧）を向上させることができる。
実施形態１においては、半導体結晶の切断工程（Ｓ１０）により得られた半導体基板１の主面１ａについてアルカリエッチング工程（Ｓ２０）および酸エッチング工程（Ｓ３０）をこの順序で行った後にｉ型非晶質シリコン膜からなる第１のｉ型非晶質半導体膜２および第２のｉ型非晶質半導体膜４をそれぞれ形成している。これは、本発明者が鋭意検討した結果、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）を行った後に酸エッチング工程（Ｓ３０）を行うことによって、当該エッチング後の半導体基板１の主面１ａ上に形成されるｉ型非晶質シリコン膜による半導体基板１の主面１ａのパッシベーション性能が向上し、半導体基板１におけるキャリアのライフタイムが向上することを見出したことによるものである。これにより、実施形態１によれば、ヘテロ接合型バックコンタクトセル等の光電変換素子の特性（特に開放電圧）を向上させることができる。
なお、特許文献１のように、酸エッチングを行った後にアルカリエッチングを行ったｎ型単結晶シリコン基板の主面上に水素を含有する非晶質シリコン膜を形成した場合には非晶質シリコン膜によるパッシベーション性能は十分に発現しない。これは、特許文献１においては、アルカリエッチングでエッチングが終わっているため、ｎ型単結晶シリコン基板の主面のテラスを構成する（１００）面とステップを構成する（１１１）面との結晶面が明確に分かれていることによるものと推測される。
一方、実施形態１においては、アルカリエッチング工程（Ｓ２０）および酸エッチング工程（Ｓ３０）の順序でエッチングを行っており、酸エッチングでエッチングが終わっているため、半導体基板１の主面１ａにおいては、特許文献１のように（１００）面と（１１１）面との結晶面が明確に分かれていない。そのため、ｉ型非晶質シリコン膜による半導体基板１の主面１ａのパッシベーション性能が向上すると推測される。
以上の理由により、実施形態１においては、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
［実施形態２］
実施形態２においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と塩酸とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態２においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と塩酸とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態２における上記以外の説明は、実施形態１と同様であるため、その説明については繰り返さない。
［実施形態３］
実施形態３においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と硫酸とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態３においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と硫酸とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態３における上記以外の説明は、実施形態１と同様であるため、その説明については繰り返さない。
［実施形態４］
実施形態４においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と過酸化水素水とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態４においては、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸に代えて、フッ化水素酸と過酸化水素水とを含む混酸を用いて半導体基板１の主面１ａの酸エッチングを行ったことを特徴としている。この場合にも、実施形態１と同様に、キャリアのライフタイムを長くすることが可能な半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法を提供することができる。
実施形態４における上記以外の説明は、実施形態１と同様であるため、その説明については繰り返さない。
まず、ｎ型シリコン単結晶インゴットをワイヤソーにより切断して、ｎ型シリコン単結晶基板を切り出した。次に、ｎ型シリコン単結晶基板の主面について、水酸化ナトリウム水溶液を用いたウエットエッチングによりアルカリエッチングを行った後に、ｎ型シリコン単結晶基板の主面をフッ化水素酸と硝酸とを含む混酸を用いたウエットエッチングにより酸エッチングを行った。
図１８に、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行ったｎ型シリコン単結晶基板の主面の拡大写真を示す。上記のように、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行ったｎ型シリコン単結晶基板の主面のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）観察を行った。その結果、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行ったｎ型シリコン単結晶基板の主面の厚さ方向のエッチング量は０．６μｍ以上２μｍ以下であることが確認された。
図２３に、上記のようにして作製された実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面に形成された凹凸部の凹部の一例の模式的な平面図を示す。図２４に、図２３のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶに沿った模式的な拡大断面図を示す。アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行うことによって、実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面には複数の凹部（図２３では１つのみ表示）が設けられており、凹部は、ｎ型シリコン単結晶基板の主面４１の結晶面と同一の結晶面方位の（１００）面からなるテラス４３と、テラス４３から傾斜角度αで斜め上方に延在してｎ型シリコン単結晶基板の主面１ａに到達する傾斜面であるステップ４２とを含んでいた。
また、レーザ顕微鏡を用いて、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行った実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の任意の複数の凹部におけるテラス４３に対するステップ４２の傾斜角度α［°］を測定した。その結果を図２５に示す。図２５に示す例においては、傾斜角度αは、１６．６°以上２３．９°以下の範囲内にあった。
次に、酸エッチングを行った後のｎ型シリコン単結晶基板の一方の主面にスパッタ法により珪素と窒素とを含む膜を保護膜として形成した。
次に、水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加することによって混合液を作製し、当該混合液を７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いてｎ型シリコン単結晶基板の保護膜が形成されていない他方の側の主面をウエットエッチングすることによって、ｎ型シリコン単結晶基板の保護膜が形成されていない側の主面のテクスチャエッチングを行った。
次に、フッ化水素酸を含むエッチング液を用いたウエットエッチングにより珪素と窒素とを含む膜である保護膜を除去した。以上のようにして実施例のｎ型シリコン単結晶基板を作製した。
次に、実施例のｎ型シリコン単結晶基板の保護膜の除去後の主面にプラズマＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン膜を形成することによって実施例のサンプルを作製した。そしてマイクロＰＣＤ（Microwave PhotoConductivity Decay）法によって実施例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムを測定した。図１９に、実施例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムの分布のヒストグラムを示す。図１９の横軸がｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイム［μｓ（マイクロ秒）］を示し、図１９の縦軸が分布の割合［％］を示している。
また、比較として、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行わなかったこと以外は実施例と同一の方法および同一の条件で作製した比較例のｎ型シリコン単結晶基板の保護膜の除去後の主面にプラズマＣＶＤ法によりｉ型非晶質シリコン膜を形成することによって比較例のサンプルを作製した。そして、実施例と同様にして、マイクロＰＣＤ法によって比較例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムを測定した。図２０に、実施例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムの分布のヒストグラムを示す。図２０の横軸がｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイム［μｓ（マイクロ秒）］を示し、図２０の縦軸が分布の割合［％］を示している。
アルカリエッチング後に酸エッチングを行った実施例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムの平均値は２１２９μｓであった。また、アルカリエッチング後に酸エッチングを行わなかった比較例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムの平均値は４２３μｓであった。この結果から、実施例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板は、比較例のサンプルのｎ型シリコン単結晶基板と比べて、ｎ型シリコン単結晶基板の主面上に形成されたｉ型非晶質シリコン膜によって、ｎ型シリコン単結晶基板の主面のパッシベーション性能を向上させることができ、ｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることができることが確認された。
また、図１９と図２０のヒストグラムの比較から明らかなように、実施例のサンプルにおいては、比較例のサンプルと比較して、ｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムがより長い箇所に集中していることも確認された。
図２６に、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行わなかった比較例のｎ型シリコン単結晶基板の主面に形成された凹凸部の凹部の一例の模式的な平面図を示す。図２７に、図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩに沿った模式的な拡大断面図を示す。アルカリエッチングのみが行われた比較例のｎ型シリコン単結晶基板の主面には複数の四角錐状の凸部が形成されていた。比較例のｎ型シリコン単結晶基板の主面にはアルカリエッチングのみが行われていることから、凸部の底面５１の結晶面は（１００）面であり、凸部の傾斜面５２の結晶面は（１１１）面であって、その傾斜角度β［°］は幾何学的に４８．７°であると考えられる。
したがって、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行った実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の凹部のテラス４３に対するステップ４２の傾斜角度αは、アルカリエッチングのみを行った比較例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の四角錐状の凸部の傾斜角度βの４８．７°未満であって、より平坦となっている。そのため、ｉ型非晶質シリコン膜のｎ型シリコン単結晶基板の主面に対する密着性が向上し、ｎ型シリコン単結晶基板の主面のパッシベーション性能を向上させることができ、ひいては、ｎ型シリコン単結晶基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることができると考えられる。
また、特許文献１においても、アルカリエッチングでウエットエッチングが完了しているため、特許文献１のテラスに対するステップの傾斜角度もアルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行った実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の凹部のテラス４３に対するステップ４２の傾斜角度αよりも大きくなっていることは明らかであり、上記の比較例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の四角錐状の凸部の傾斜角度βの４８．７°と同等であると考えられる。したがって、アルカリエッチングを行った後に酸エッチングを行った実施例のｎ型シリコン単結晶基板の主面の表面に誘電体膜を形成して作製された光電変換素子においては、特許文献１の酸エッチングを行った後にアルカリエッチングを行った特許文献１のｎ型シリコン単結晶基板の主面の表面に誘電体膜を形成して作製された光電変換素子と比べて、キャリアのライフタイムが長くなり、光電変換素子の特性が高くなると考えられる。
［付記］
（１）ここで開示された実施形態は、半導体基板のアルカリエッチングを行う工程と、アルカリエッチングを行う工程の後に半導体基板の酸エッチングを行う工程とを含む半導体基板の製造方法である。実施形態の半導体基板の製造方法においては、アルカリエッチングを行う工程の後に酸エッチングを行う工程を行っているため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（１）ここで開示された実施形態は、半導体基板のアルカリエッチングを行う工程と、アルカリエッチングを行う工程の後に半導体基板の酸エッチングを行う工程とを含む半導体基板の製造方法である。実施形態の半導体基板の製造方法においては、アルカリエッチングを行う工程の後に酸エッチングを行う工程を行っているため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（２）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、アルカリエッチングに用いられるアルカリ性のエッチング液は、アルカリ水溶液であることが好ましい。この場合には、半導体基板のアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（３）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、アルカリ水溶液は、水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液を含むことが好ましい。この場合にも、半導体基板のアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（４）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、酸エッチングを行う工程は、混酸を用いて半導体基板をウエットエッチングする工程を含むことが好ましい。この場合には、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（５）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、混酸は、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸、フッ化水素酸と塩酸とを含む混酸、フッ化水素酸と硫酸とを含む混酸、またはフッ化水素酸と過酸化水素水とを含む混酸であることが好ましい。この場合にも、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（６）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、混酸は、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸であることが好ましい。この場合にも、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板のキャリアにおけるライフタイムがより長くなる傾向にある。
（７）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、酸エッチングによる半導体基板の厚さ方向のエッチング量は片側２μｍ以下であることが好ましい。酸エッチングによる半導体基板の厚さ方向のエッチング量が片側２μｍ以下という非常に少量である場合であっても、半導体基板におけるキャリアにおけるライフタイムを長くすることができる。
（８）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法は、アルカリエッチングを行う工程の前に半導体結晶を切断して半導体基板を得る工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、実施形態の半導体基板の製造方法の対象となる半導体基板を得ることができる。
（９）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、半導体基板を得る工程は、半導体結晶をワイヤソーを用いて切断する工程を含むことが好ましい。この場合にも、実施形態の半導体基板の製造方法の対象となる半導体基板を好適に得ることができる。
（１０）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、半導体結晶は、ｎ型またはｐ型のシリコン結晶を含むことが好ましい。この場合にも、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（１１）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、半導体基板は、ｎ型またはｐ型のシリコン結晶を含むことが好ましい。この場合にも、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（１２）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法は、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に保護膜を形成する工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、後工程でテクスチャ構造を形成するエッチング工程を行う場合に、保護膜をエッチングマスクとして用いることができる。
（１３）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、保護膜を形成する工程は、窒素と珪素とを含む膜をスパッタ法により形成する工程を含むことが好ましい。この場合には、後工程でテクスチャ構造を形成するエッチング工程を行う場合に、保護膜をエッチングマスクとして好適に用いることができる。
（１４）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法は、保護膜を形成する工程の後に、半導体基板の他方の側をエッチングする工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、半導体基板の他方の側の主面にテクスチャ構造を形成することができる。
（１５）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、半導体基板の他方の側をエッチングする工程は、アルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加することによって混合液を形成する工程と、混合液を７０℃以上８０℃以下に加熱する工程と、加熱された混合液を用いて半導体基板の他方の側の表面をエッチングする工程とを含むことが好ましい。この場合には、半導体基板がたとえばｎ型単結晶シリコン基板からなるときに半導体基板の他方の側の主面にテクスチャ構造を好適に形成することができる。
（１６）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法は、半導体基板の他方の側をエッチングする工程の後に、保護膜を除去する工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、保護膜が除去された後の半導体基板の他方の側の主面に、高いパッシベーション性能を発現する膜を形成することができる。
（１７）ここで開示された実施形態の半導体基板の製造方法において、保護膜を除去する工程は、フッ化水素酸を含むエッチング液を用いて保護膜のエッチングを行う工程を含むことが好ましい。この場合には、保護膜が珪素と酸素とを含む膜である場合に、保護膜を効率的に除去することができる。
（１８）ここで開示された実施形態は、第１導電型または第２導電型の半導体基板のアルカリエッチングを行う工程と、アルカリエッチングを行う工程の後に半導体基板の酸エッチングを行う工程と、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に第１のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程と、第１のｉ型非晶質半導体膜上に第１導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に第２のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程と、第２のｉ型非晶質半導体膜上に第２導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程とを含む光電変換素子の製造方法である。実施形態の光電変換素子の製造方法においては、アルカリエッチングを行う工程の後に酸エッチングを行う工程を行っているため、キャリアのライフタイムの長い光電変換素子を製造することが可能となる。
（１９）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、第１のｉ型非晶質半導体膜および第２のｉ型非晶質半導体膜はｉ型非晶質シリコン膜であることが好ましい。この場合には、ｉ型非晶質シリコン膜からなる第１のｉ型非晶質半導体膜および第２のｉ型非晶質半導体膜が半導体基板に対する高いパッシベーション性能を発現するため半導体基板におけるキャリアのライフタイムの長い光電変換素子を製造することが可能となる。
（２０）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、アルカリエッチングを行う工程は、アルカリ性のエッチング液を用いて半導体基板をウエットエッチングする工程を含むことが好ましい。この場合には、半導体基板のアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２１）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、アルカリ性のエッチング液は、アルカリ水溶液であることが好ましい。この場合にも、半導体基板のアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２２）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、アルカリ水溶液は、水酸化ナトリウム水溶液または水酸化カリウム水溶液を含むことが好ましい。この場合にも、半導体基板のアルカリエッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２３）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、酸エッチングを行う工程は、混酸を用いて半導体基板をウエットエッチングする工程を含むことが好ましい。この場合にも、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２４）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、混酸は、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸、フッ化水素酸と塩酸とを含む混酸、フッ化水素酸と硫酸とを含む混酸、またはフッ化水素酸と過酸化水素水とを含む混酸であることが好ましい。この場合にも、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２５）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、混酸は、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸であることが好ましい。この場合にも、半導体基板の酸エッチングを好適に行うことができるため、半導体基板におけるキャリアのライフタイムがより長くなる傾向にある。
（２６）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、酸エッチングによる半導体基板の厚さ方向のエッチング量は片側２μｍ以下であることが好ましい。酸エッチングによる半導体基板の厚さ方向のエッチング量が片側２μｍ以下という非常に少量である場合であっても、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることができる。
（２７）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、第１のｉ型非晶質半導体膜と第１導電型非晶質半導体膜とを含む積層体を除去する工程をさらに含み、第２のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程は、積層体の除去領域上に第２のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程を含むことが好ましい。この場合には、キャリアのライフタイムの長い光電変換素子を製造することが可能となる。
（２８）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、アルカリエッチングを行う工程の前に、半導体結晶を切断して半導体基板を得る工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、実施形態の光電変換素子の製造方法の対象となる半導体基板を好適に得ることができる。
（２９）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、半導体基板を得る工程は、半導体結晶をワイヤソーを用いて切断する工程を含むことが好ましい。この場合にも、実施形態の光電変換素子の製造方法の対象となる半導体基板を好適に得ることができる。
（３０）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、半導体結晶は、ｎ型またはｐ型のシリコン結晶を含むことが好ましい。この場合にも、キャリアのライフタイムの長い光電変換素子を製造することが可能となる。
（３１）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、半導体基板は、ｎ型またはｐ型のシリコン結晶を含むことが好ましい。この場合にも、キャリアのライフタイムの長い光電変換素子を製造することが可能となる。
（３２）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、酸エッチングを行う工程後の半導体基板の一方の側に保護膜を形成する工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、後工程でテクスチャ構造を形成するエッチング工程を行う場合に、保護膜をエッチングマスクとして用いることができる。
（３３）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、保護膜を形成する工程は、窒素と珪素とを含む膜をスパッタ法により形成する工程を含むことが好ましい。この場合には、後工程でテクスチャ構造を形成するエッチング工程を行う場合に、保護膜をエッチングマスクとして好適に用いることができる。
（３４）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、保護膜を形成する工程後の半導体基板の他方の側をエッチングする工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、保護膜が除去された後の半導体基板の他方の側の主面に、高いパッシベーション性能を発現する膜を形成することができる。
（３５）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、半導体基板の他方の側をエッチングする工程は、アルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加することによって混合液を形成する工程と、混合液を７０℃以上８０℃以下に加熱する工程と、加熱された混合液を用いて半導体基板の他方の側の表面をエッチングする工程とを含むことが好ましい。この場合には、半導体基板がたとえばｎ型単結晶シリコン基板からなるときに半導体基板の他方の側の主面にテクスチャ構造を好適に形成することができる。
（３６）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法は、半導体基板の他方の側をエッチングする工程の後に、保護膜を除去する工程をさらに含むことが好ましい。この場合には、保護膜が除去された後の半導体基板の他方の側の主面に、高いパッシベーション性能を発現する膜を形成することができる。
（３７）ここで開示された実施形態の光電変換素子の製造方法において、保護膜を除去する工程は、フッ化水素酸を含むエッチング液を用いて保護膜のエッチングを行う工程を含むことが好ましい。この場合には、保護膜が珪素と酸素とを含む膜である場合に、保護膜を効率的に除去することができる。
（３８）ここで開示された実施形態は、主面に凹部を備え、凹部は、テラスと、テラスから斜め上方に延在する傾斜面であるステップとを備え、テラスに対するステップの傾斜角度は４８．７°未満である半導体基板である。この場合には、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（３９）ここで開示された実施形態の半導体基板においては、テラスに対するステップの傾斜角度は３０°以下であることが好ましい。この場合には、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（４０）ここで開示された実施形態の半導体基板においては、テラスに対するステップの傾斜角度は１６．６°以上２３．９°以下であることが好ましい。この場合にも、半導体基板におけるキャリアのライフタイムを長くすることが可能となる。
（４１）ここで開示された実施形態は、上記のいずれかの半導体基板と、半導体基板の主面上の誘電体膜とを備えた光電変換素子である。
以上のように本発明の実施形態および実施例について説明を行なったが、上述の各実施形態および実施例の構成を適宜組み合わせることも当初から予定している。
今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
ここで開示された実施形態は、シリコン基板等の半導体基板の製造およびヘテロ接合型バックコンタクトセル等の光電変換素子の製造に利用することができる。
１ 半導体基板、１ａ 主面、１ｂ テクスチャ構造、２ 第１のｉ型非晶質半導体膜、３ 第１導電型非晶質半導体膜、４ 第２のｉ型非晶質半導体膜、５ 第２導電型非晶質半導体膜、６ 第１電極、７ 第２電極、１０ ｎ型シリコン単結晶インゴット、１１，１２ ガイドローラ、１３ ワイヤソー、１４，１５ 矢印、２１ 保護膜、３１，３２ エッチングマスク、４１ 凹部、４２ ステップ、４３ テラス、５１ 底面、５２ 傾斜面。
Claims (8)
- 半導体結晶を切断する工程と、
前記半導体結晶を切断する工程により得られた半導体基板の主面のアルカリエッチングを行う工程と、
前記アルカリエッチングを行う工程の後に、前記半導体基板の前記主面の酸エッチングを行う工程と、を含み、前記酸エッチングを行う工程において、前記半導体基板の前記主面の厚さ方向のエッチング量は０．６μｍ以上２μｍ以下とされ、
前記アルカリエッチングを行う工程および前記酸エッチングを行う工程の後、前記半導体基板の前記主面には凹部が設けられ、前記凹部は、テラスと、前記テラスから斜め上方に延在する傾斜面であるステップとを備え、前記テラスに対する前記ステップの傾斜角度は４８．７°未満であり、
前記テラスは、前記半導体基板の前記主面の結晶面と同一の結晶面方位の平面からなる、半導体基板の製造方法であって、
前記半導体基板の製造方法は、前記主面上にｉ型非晶質半導体膜、第１導電型非晶質半導体膜および第２導電型非晶質半導体膜を形成する工程をさらに含む、半導体基板の製造方法。 - 前記酸エッチングを行う工程は、混酸を用いて前記半導体基板をウエットエッチングする工程を含む、請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記混酸は、フッ化水素酸と硝酸とを含む混酸、フッ化水素酸と塩酸とを含む混酸、フッ化水素酸と硫酸とを含む混酸、またはフッ化水素酸と過酸化水素水とを含む混酸である、請求項２に記載の半導体基板の製造方法。
- 半導体結晶を切断する工程と、
前記半導体結晶を切断する工程により得られた第１導電型または第２導電型の半導体基板の主面のアルカリエッチングを行う工程と、
前記アルカリエッチングを行う工程の後に、前記半導体基板の前記主面の酸エッチングを行う工程と、
前記酸エッチングを行う工程後の前記半導体基板の前記主面上に第１のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１のｉ型非晶質半導体膜上に第１導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記酸エッチングを行う工程後の前記半導体基板の前記主面上に第２のｉ型非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第２のｉ型非晶質半導体膜上に第２導電型非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記第１導電型非晶質半導体膜上に第１電極を形成する工程と、
前記第２導電型非晶質半導体膜上に第２電極を形成する工程と、を含み、前記酸エッチングを行う工程において、前記半導体基板の前記主面の厚さ方向のエッチング量は０．６μｍ以上２μｍ以下とされ、
前記アルカリエッチングを行う工程および前記酸エッチングを行う工程の後、前記半導体基板の前記主面には凹部が設けられ、前記凹部は、テラスと、前記テラスから斜め上方に延在する傾斜面であるステップとを備え、前記テラスに対する前記ステップの傾斜角度は４８．７°未満であり、
前記テラスは、前記半導体基板の前記主面の結晶面と同一の結晶面方位の平面からなる、光電変換素子の製造方法。 - 前記第１のｉ型非晶質半導体膜および前記第２のｉ型非晶質半導体膜は、ｉ型非晶質シリコン膜である、請求項４に記載の光電変換素子の製造方法。
- 半導体基板と、前記半導体基板の主面上のｉ型非晶質半導体膜、第１導電型非晶質半導体膜および第２導電型非晶質半導体膜とを備え、
前記主面に凹部を備え、
前記凹部は、テラスと、前記テラスから斜め上方に延在する傾斜面であるステップとを備え、
前記テラスに対する前記ステップの傾斜角度は４８．７°未満であり、
前記テラスは、前記半導体基板の前記主面の結晶面と同一の結晶面方位の平面からなる、光電変換素子。 - 前記テラスに対する前記ステップの傾斜角度は３０°以下である、
請求項６に記載の光電変換素子。 - 前記テラスに対する前記ステップの傾斜角度は１６．６°以上２３．９°以下である、請求項７に記載の光電変換素子。
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