JP6886451B2 - 発光体及びデバイス - Google Patents

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Description

特許請求されている発明は、大学・企業の共同研究契約の下記の当事者:University of Michigan、Princeton University、University of Southern California、及びUniversal Display Corporationの理事らの1又は複数によって、その利益になるように、且つ/又は関連して為されたものである。該契約は、特許請求されている発明が為された日付以前に発効したものであり、特許請求されている発明は、該契約の範囲内で行われる活動の結果として為されたものである。
本発明は、有機発光デバイスに関する。より詳細には、本開示は、有機発光ダイオードにおける発光体としての使用のために、高い三重項エネルギーであるヘテロポリ芳香族系を電子アクセプターとして含むドナーアクセプター化合物を有する発光材料に関する。
有機材料を利用する光電子デバイスは、いくつもの理由から、次第に望ましいものとなりつつある。そのようなデバイスを作製するために使用される材料の多くは比較的安価であるため、有機光電子デバイスは無機デバイスを上回るコスト優位性の可能性を有する。加えて、柔軟性等の有機材料の固有の特性により、該材料は、フレキシブル基板上での製作等の特定用途によく適したものとなり得る。有機光電子デバイスの例は、有機発光デバイス(OLED)、有機光トランジスタ、有機光電池及び有機光検出器を含む。OLEDについて、有機材料は従来の材料を上回る性能の利点を有し得る。例えば、有機発光層が光を放出する波長は、概して、適切なドーパントで容易に調整され得る。
OLEDはデバイス全体に電圧が印加されると光を放出する薄い有機膜を利用する。OLEDは、フラットパネルディスプレイ、照明及びバックライティング等の用途において使用するためのますます興味深い技術となりつつある。数種のOLED材料及び構成は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、特許文献1、特許文献2及び特許文献3において記述されている。
リン光性発光分子の1つの用途は、フルカラーディスプレイである。そのようなディスプレイの業界標準は、「飽和(saturated)」色と称される特定の色を放出するように適合された画素を必要とする。特に、これらの標準は、飽和した赤色、緑色及び青色画素を必要とする。色は、当技術分野において周知のCIE座標を使用して測定することができる。
緑色発光分子の一例は、下記の構造:
Figure 0006886451
を有する、Ir(ppy)と表示されるトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムである。
この図面及び本明細書における後出の図面中で、本発明者らは、窒素から金属(ここではIr)への配位結合を直線として描写する。
本明細書において使用される場合、用語「有機」は、有機光電子デバイスを製作するために使用され得るポリマー材料及び小分子有機材料を含む。「小分子」は、ポリマーでない任意の有機材料を指し、且つ「小分子」は実際にはかなり大型であってよい。小分子は、いくつかの状況において繰り返し単位を含み得る。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することは、「小分子」クラスから分子を排除しない。小分子は、例えばポリマー骨格上のペンダント基として、又は該骨格の一部として、ポリマーに組み込まれてもよい。小分子は、コア部分上に構築された一連の化学的シェルからなるデンドリマーのコア部分として役立つこともできる。デンドリマーのコア部分は、蛍光性又はリン光性小分子発光体であってよい。デンドリマーは「小分子」であってよく、OLEDの分野において現在使用されているデンドリマーはすべて小分子であると考えられている。
本明細書において使用される場合、「頂部」は基板から最遠部を意味するのに対し、「底部」は基板の最近部を意味する。第一層が第二層「の上に配置されている」と記述される場合、第一層のほうが基板から遠くに配置されている。第一層が第二層「と接触している」ことが指定されているのでない限り、第一層と第二層との間に他の層があってもよい。例えば、間に種々の有機層があるとしても、カソードはアノード「の上に配置されている」と記述され得る。
本明細書において使用される場合、「溶液プロセス可能な」は、溶液又は懸濁液形態のいずれかの液体媒質に溶解、分散若しくは輸送することができ、且つ/又は該媒質から堆積することができるという意味である。
配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に直接寄与していると考えられる場合、「光活性」と称され得る。配位子は、該配位子が発光材料の光活性特性に寄与していないと考えられる場合には「補助」と称され得るが、補助配位子は、光活性配位子の特性を変化させることができる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の「最高被占分子軌道」(HOMO)又は「最低空分子軌道」(LUMO)エネルギー準位は、第一のエネルギー準位が真空エネルギー準位に近ければ、第二のHOMO又はLUMOエネルギー準位「よりも大きい」又は「よりも高い」。イオン化ポテンシャル(IP)は、真空準位と比べて負のエネルギーとして測定されるため、より高いHOMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有するIP(あまり負でないIP)に相当する。同様に、より高いLUMOエネルギー準位は、より小さい絶対値を有する電子親和力(EA)(あまり負でないEA)に相当する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、材料のLUMOエネルギー準位は、同じ材料のHOMOエネルギー準位よりも高い。「より高い」HOMO又はLUMOエネルギー準位は、「より低い」HOMO又はLUMOエネルギー準位よりもそのような図の頂部に近いように思われる。
本明細書において使用される場合、当業者には概して理解されるであろう通り、第一の仕事関数がより高い絶対値を有するならば、第一の仕事関数は第二の仕事関数「よりも大きい」又は「よりも高い」。仕事関数は概して真空準位と比べて負数として測定されるため、これは「より高い」仕事関数が更に負であることを意味する。頂部に真空準位がある従来のエネルギー準位図において、「より高い」仕事関数は、真空準位から下向きの方向に遠く離れているものとして例証される。故に、HOMO及びLUMOエネルギー準位の定義は、仕事関数とは異なる慣例に準ずる。
本明細書において、「電子アクセプター」という用語は、芳香族系から電子密度を受容できるフラグメントを意味し、「電子ドナー」という用語は、芳香族系に電子密度を供与するフラグメントを意味する。
OLEDについての更なる詳細及び上述した定義は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる特許文献4において見ることができる。
含窒素のジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン及びジベンゾチオフェンをアクセプターとして含むドナーアクセプター化合物は、電荷移動(CT)状態から生じる発光で効率的な発光体になりうる。この発光は、ドナー−アクセプター相互作用の強度、及びそれに伴うCT状態のエネルギーを変えることにより調節できる。前記化合物は、OLEDにおける発光体として用いることができる。
1つの実施形態によれば、下記の式Iを有する化合物が提供される。
Figure 0006886451
式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;XはO,S又はSeであり、Y〜Yの少なくとも2つは、Nであり;Y〜Yの少なくとも1つは、C−Rであり;各Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記Rの少なくとも1つは、下記に示されるD1〜D151から選択される基である。
Figure 0006886451
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式中、S〜Sは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す。
本開示の他の態様によれば、第1の有機発光デバイスを含む第1のデバイスも提供される。前記第1の有機発光デバイスは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機発光層とを含むことができる。前記有機発光層は、式Iの化合物を含むことができ、式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;Y〜Yの少なくとも1つは、Nであり;Y〜Yの少なくとも1つは、C−Rであり;Xは、O、S、又はSeであり;各Rは独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記Rの少なくとも1つは、少なくとも1つの電子供与性窒素を有するドナー基である。
前記第1のデバイスは、消費者製品、有機発光デバイス、及び/又は照明パネルであることができる。
図1は、有機発光デバイスを示す。
図2は、別の電子輸送層を有さない、反転された有機発光デバイスを示す。
図3は、本明細書に開示される式Iを示す。
概して、OLEDは、アノード及びカソードの間に配置され、それらと電気的に接続された少なくとも1つの有機層を含む。電流が印加されると、アノードが正孔を注入し、カソードが電子を有機層(複数可)に注入する。注入された正孔及び電子は、逆帯電した電極にそれぞれ移動する。電子及び正孔が同じ分子上に局在する場合、励起エネルギー状態を有する局在電子正孔対である「励起子」が形成される。光は、励起子が緩和した際に、光電子放出機構を介して放出される。いくつかの事例において、励起子はエキシマー又はエキサイプレックス上に局在し得る。熱緩和等の無輻射機構が発生する場合もあるが、概して望ましくないとみなされている。
初期のOLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第4,769,292号において開示されている通り、その一重項状態から光を放出する発光分子(「蛍光」)を使用していた。蛍光発光は、概して、10ナノ秒未満の時間枠で発生する。
ごく最近では、三重項状態から光を放出する発光材料(「リン光」)を有するOLEDが実証されている。参照によりその全体が組み込まれる、Baldoら、「Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices」、395巻、151〜154、1998;(「Baldo−I」)及びBaldoら、「Very high−efficiency green organic light emitting devices based on electrophosphorescence」、Appl.Phys.Lett.、75巻、3号、4〜6(1999)(「Baldo−II」)。リン光については、参照により組み込まれる米国特許第7,279,704号5〜6段において更に詳細に記述されている。
図1は、有機発光デバイス100を示す。図は必ずしも一定の縮尺ではない。デバイス100は、基板110、アノード115、正孔注入層120、正孔輸送層125、電子ブロッキング層130、発光層135、正孔ブロッキング層140、電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、カソード160、及びバリア層170を含み得る。カソード160は、第一の導電層162及び第二の導電層164を有する複合カソードである。デバイス100は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。これらの種々の層の特性及び機能並びに材料例は、参照により組み込まれるUS7,279,704、6〜10段において更に詳細に記述されている。
これらの層のそれぞれについて、更なる例が利用可能である。例えば、フレキシブル及び透明基板−アノードの組合せは、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5、844、363号において開示されている。p−ドープされた正孔輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、50:1のモル比でm−MTDATAにF−TCNQをドープしたものである。発光材料及びホスト材料の例は、参照によりその全体が組み込まれるThompsonらの米国特許第6,303,238号において開示されている。n−ドープされた電子輸送層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2003/0230980号において開示されている通りの、1:1のモル比でBPhenにLiをドープしたものである。参照によりその全体が組み込まれる米国特許第5,703,436号及び同第5,707,745号は、上を覆う透明の、導電性の、スパッタリング蒸着したITO層を持つMg:Ag等の金属の薄層を有する複合カソードを含むカソードの例を開示している。ブロッキング層の理論及び使用は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,097,147号及び米国特許出願公開第2003/0230980号において更に詳細に記述されている。注入層の例は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において提供されている。保護層についての記述は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許出願公開第2004/0174116号において見ることができる。
図2は、反転させたOLED200を示す。デバイスは、基板210、カソード215、発光層220、正孔輸送層225、及びアノード230を含む。デバイス200は、記述されている層を順に堆積させることによって製作され得る。最も一般的なOLED構成はアノードの上に配置されたカソードを有し、デバイス200はアノード230の下に配置されたカソード215を有するため、デバイス200は「反転させた」OLEDと称されることがある。デバイス100に関して記述されたものと同様の材料を、デバイス200の対応する層において使用してよい。図2は、いくつかの層が如何にしてデバイス100の構造から省略され得るかの一例を提供するものである。
図1及び2において例証されている単純な層構造は、非限定的な例として提供されるものであり、本発明の実施形態は多種多様な他の構造に関連して使用され得ることが理解される。記述されている特定の材料及び構造は、事実上例示的なものであり、他の材料及び構造を使用してよい。機能的なOLEDは、記述されている種々の層を様々な手法で組み合わせることによって実現され得るか、又は層は、設計、性能及びコスト要因に基づき、全面的に省略され得る。具体的には記述されていない他の層も含まれ得る。具体的に記述されているもの以外の材料を使用してよい。本明細書において提供されている例の多くは、単一材料を含むものとして種々の層を記述しているが、ホスト及びドーパントの混合物等の材料の組合せ、又はより一般的には混合物を使用してよいことが理解される。また、層は種々の副層を有してもよい。本明細書における種々の層に与えられている名称は、厳しく限定することを意図するものではない。例えば、デバイス200において、正孔輸送層225は正孔を輸送し、正孔を発光層220に注入し、正孔輸送層又は正孔注入層として記述され得る。一実施形態において、OLEDは、カソード及びアノードの間に配置された「有機層」を有するものとして記述され得る。有機層は単層を含んでいてよく、又は、例えば図1及び2に関して記述されている通りの異なる有機材料の多層を更に含んでいてよい。
参照によりその全体が組み込まれるFriendらの米国特許第5,247,190号において開示されているもののようなポリマー材料で構成されるOLED(PLED)等、具体的には記述されていない構造及び材料を使用してもよい。更なる例として、単一の有機層を有するOLEDが使用され得る。OLEDは、例えば、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第5,707,745号において記述されている通り、積み重ねられてよい。OLED構造は、図1及び2において例証されている単純な層構造から逸脱してよい。例えば、基板は、参照によりその全体が組み込まれる、Forrestらの米国特許第6,091,195号において記述されている通りのメサ構造及び/又はBulovicらの米国特許第5,834,893号において記述されている通りのくぼみ構造等、アウトカップリングを改良するための角度のついた反射面を含み得る。
別段の規定がない限り、種々の実施形態の層のいずれも、任意の適切な方法によって堆積され得る。有機層について、好ましい方法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,013,982号及び同第6,087,196号において記述されているもの等の熱蒸着、インクジェット、参照によりその全体が組み込まれるForrestらの米国特許第6,337,102号において記述されているもの等の有機気相堆積(OVPD)、並びに参照によりその全体が組み込まれる米国特許第7,431,968号において記述されているもの等の有機気相ジェットプリンティング(OVJP)による堆積を含む。他の適切な堆積法は、スピンコーティング及び他の溶液ベースのプロセスを含む。溶液ベースのプロセスは、好ましくは、窒素又は不活性雰囲気中で行われる。他の層について、好ましい方法は熱蒸着を含む。好ましいパターニング法は、参照によりその全体が組み込まれる米国特許第6,294,398号及び同第6,468,819号において記述されているもの等のマスク、冷間圧接を経由する堆積、並びにインクジェット及びOVJD等の堆積法のいくつかに関連するパターニングを含む。他の方法を使用してもよい。堆積する材料は、特定の堆積法と適合するように修正され得る。例えば、分枝鎖状又は非分枝鎖状であり、且つ好ましくは少なくとも3個の炭素を含有するアルキル及びアリール基等の置換基は、溶液プロセシングを受ける能力を増強するために、小分子において使用され得る。20個以上の炭素を有する置換基を使用してよく、3〜20個の炭素が好ましい範囲である。非対称構造を持つ材料は、対称構造を有するものよりも良好な溶液プロセス性を有し得、これは、非対称材料のほうが再結晶する傾向が低くなり得るからである。溶液プロセシングを受ける小分子の能力を増強するために、デンドリマー置換基が使用され得る。
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、バリア層を更に含んでいてよい。バリア層の1つの目的は、電極及び有機層を、水分、蒸気及び/又はガス等を含む環境における有害な種への損傷性暴露から保護することである。バリア層は、基板、電極の上、下若しくは隣に、又はエッジを含むデバイスの任意の他の部分の上に堆積し得る。バリア層は、単層又は多層を含んでいてよい。バリア層は、種々の公知の化学気相堆積技術によって形成され得、単相を有する組成物及び多相を有する組成物を含み得る。任意の適切な材料又は材料の組合せをバリア層に使用してよい。バリア層は、無機若しくは有機化合物又は両方を組み込み得る。好ましいバリア層は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、米国特許第7,968,146号、PCT特許出願第PCT/US2007/023098号及び同第PCT/US2009/042829号において記述されている通りの、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物を含む。「混合物」とみなされるためには、バリア層を構成する前記のポリマー及び非ポリマー材料は、同じ反応条件下で及び/又は同時に堆積されるべきである。ポリマー材料対非ポリマー材料の重量比は、95:5から5:95の範囲内となり得る。ポリマー材料及び非ポリマー材料は、同じ前駆体材料から作成され得る。一例において、ポリマー材料及び非ポリマー材料の混合物は、ポリマーケイ素及び無機ケイ素から本質的になる。
本発明の実施形態に従って製作されたデバイスは、フラットパネルディスプレイ、コンピュータモニター、テレビ、掲示板、屋内若しくは屋外照明及び/又は信号送信用のライト、ヘッドアップディスプレイ、完全透明ディスプレイ、フレキシブルディスプレイ、レーザープリンター、電話、携帯電話、パーソナルデジタルアシスタント(PDA)、ラップトップコンピュータ、デジタルカメラ、カムコーダー、ファインダー、マイクロディスプレイ、3−Dディスプレイ、車、大面積壁、劇場又はスタジアムのスクリーン、或いは看板を含む多種多様な消費者製品に組み込まれ得る。パッシブマトリックス及びアクティブマトリックスを含む種々の制御機構を使用して、本発明に従って製作されたデバイスを制御することができる。デバイスの多くは、摂氏18度から摂氏30度、より好ましくは室温(摂氏20〜25度)等、ヒトに快適な温度範囲内での使用が意図されているが、この温度範囲外、例えば、摂氏−40度〜+80度で用いることもできる。
本明細書において記述されている材料及び構造は、OLED以外のデバイスにおける用途を有し得る。例えば、有機太陽電池及び有機光検出器等の他の光電子デバイスが、該材料及び構造を用い得る。より一般的には、有機トランジスタ等の有機デバイスが、該材料及び構造を用い得る。
ハロ、ハロゲン、アルキル、シクロアルキル、アルケニル、アルキニル、アリルキル、複素環式基、アリール、芳香族基及びヘテロアリールの用語は当技術分野において公知であり、参照により本明細書に組み込まれるUS7,279,704の31〜32段において定義されている。本明細書において「置換(された)」は、H以外の置換基が関連する炭素に結合していることを示す。
蛍光OLEDの内部量子効率(IQE)は、遅延蛍光により25%のスピン統計限界を超えることができると考えられている。本明細書においては、2種類の遅延蛍光、即ち、P−型遅延蛍光及びE−型遅延蛍光がある。P−型遅延蛍光は、三重項−三重項消滅(TTA)により生じる。
一方、E−型遅延蛍光は、2つの三重項の衝突には依存せず、むしろ三重項状態と一重項励起状態との間の熱的ポピュレーションに依存する。E−型遅延蛍光を生じることができる化合物は、非常に小さい一重項−三重項ギャップを有している必要がある。熱エネルギーは、三重項状態から一重項状態への移行を活性化することができる。この種の遅延蛍光は、熱活性化遅延蛍光(TADF)としても知られる。TADF固有の特徴は、熱エネルギーの上昇による温度上昇に伴って遅延成分が増加することである。逆項間交差速度が、三重項状態からの非放射崩壊を最小限とするのに十分に速ければ、バックポピュレイティッド(back populated)一重項励起状態のフラクションは、75%に達し得る。全一重項フラクションは、100%になり得、これは、電気的に生成した励起子のスピン統計限界を遥かに上回る。
E−型遅延蛍光の特性は、エキサイプレックスシステム又は単一化合物に見ることができる。何ら理論に拘束されるものではないが、E−型遅延蛍光は、発光材料が小さい一重項−三重項エネルギーギャップ(ΔES−T)を有する必要があると考えられている。金属を含有しない有機ドナー−アクセプター発光材料は、これを達成することができる。これらの材料の発光は、ドナー−アクセプター電荷移動(CT)型発光としてしばしば特徴付けられる。これらのドナー−アクセプター型化合物におけるHOMO及びLUMOの空間的分離がしばしばΔES−Tを小さくする。これらの状態は、CT状態に関与することがある。多くの場合、ドナー−アクセプター発光材料は、アミノ又はカルバゾール誘導体などの電子供与性部分と、含窒素6員芳香族環などの電子受容性部分とを連結することにより構築される。
1つの実施形態によれば、予想外のCT発光性を有するドナー−アクセプター化合物が提供される。前記ドナーは、少なくとも1つの電子供与性窒素を有する。前記アクセプター部分は、高三重項エネルギーのヘテロポリ芳香族系を含む電子欠乏窒素に基づいている。
CT発光を示すドナー−アクセプター化合物は、高効率の遅延蛍光OLEDにおいて有用である(Appl.Phys.Lett.2012,98,083302;Nature Photonics,2012,6,253;Nature 2012,492,234;Chem.Commun.2012,48,11392;Angew.Chem.Int.Ed.2012,51,11311;J.Am.Chem.Soc.,2012,134,14706;Chem.Commun.2012,48,9580)。用いられる電子アクセプターは、トリアゼン又はシアノ基である。これらの基は、高い電子欠乏性を有し、強いドナー−アクセプター強度の設計を容易にするが、これらの基を含むOLEDは、あまり安定なものとならないことがある。これは、これらのアクセプターにおいては、電子の非局在化がないためである。本開示において、本発明者らは、高三重項エネルギーのヘテロポリ芳香族系、即ち、高三重項エネルギーを有する電子アクセプターにする1つ又は複数の窒素を環内に有するジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン及びジベンゾセレノフェンを用いる。高三重項エネルギーは、青色発光を得るために重要である。
好ましい実施形態によれば、遅延蛍光発光体として予想外にも好適な電子アクセプターとして、含窒素の、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン及びジベンゾセレノフェンを有するドナーアクセプター化合物が開示される。そのような化合物は、下記に示される式Iの構造を有する。
Figure 0006886451
式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;Xは、O、S、又はSeであり;Y〜Yの少なくとも2つは、Nであり;Y〜Yの少なくとも1つは、C−Rであり;各Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記Rの少なくとも1つはD1〜D151から選択される基であり;式中、S〜Sは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す。
幾つかの実施形態においては、ドナーアクセプター化合物は、下記から選択される。
Figure 0006886451
式中、R〜Rの少なくとも1つは、D1〜D151から選択される。
幾つかのより詳細な実施形態においては、化合物は下記から選択される。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、D10、D31、D54、D55、D56、D57、D58、D59、D60、D70、D61及びD145〜D151は、下記に示される。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、S〜Sは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す。
ドナーアクセプター化合物の幾つかの実施形態においては、S〜Sは、Hである。このとき得られる化合物を、化合物番号−Hで表す。例えば、化合物O−10−10−Hは、次の通りである。
Figure 0006886451
本開示の他の態様によれば、第1の有機発光デバイスを含む第1のデバイスが提供される。前記第1の有機発光デバイスは、アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置された有機発光層とを含む。前記有機発光層は、式Iの構造を有する第1の発光化合物を含み、式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;Xは、O、S、又はSeであり;Y〜Yの少なくとも1つは、Nであり;Y〜Yの少なくとも1つは、C−Rであり;各Rは独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され、前記Rの少なくとも1つは、少なくとも1つの電子供与性窒素を有するドナー基である。前記第1のデバイスの他の態様においては、Y〜Yの少なくとも2つは、Nである。
幾つかの詳細な実施形態においては、前記第1の発光化合物は、下記から選択される。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、R〜Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ、及びこれらの組合せからなる群から選択され;
〜Rの少なくとも1つは、
Figure 0006886451
であり、
式中、Lは、連結基であり、
mは、1又は0であり、
nは、1以上であり;
「Donor」は、少なくとも1つの電子供与性窒素を含む電子供与性基であり、nが1より大きいときは、複数の「Donor」は、異なっていてもよい。
前記連結基Lは、下記のいずれかである。
Figure 0006886451
式中、A及びAは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせによるモノ、ジ、トリ、又はテトラ置換を表す。
幾つかの実施形態においては、前記「Donor」は、下記に示されるD1〜D151からなる群から選択される。
Figure 0006886451
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Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、S〜Sは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す。
第1のデバイスの1つの実施形態においては、前記第1の発光化合物は、下記から選択される。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、D7、D10、D31、D54、D55、D56、D57、D58、D59、D60、D61、D70、D144〜D151を下記に示す。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
式中、S〜Sは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す。前記第1のデバイスの他の実施形態においては、S〜Sは、Hである。このとき得られる化合物を、化合物No.−Hで表す。例えば、化合物S−10−144−Hは、次の通りである。
Figure 0006886451
前記第1のデバイスは、第1の有機発光デバイスに電圧が印加されたときに、室温で光放射を発し、前記光放射が遅延蛍光プロセスを含む。前記第1のデバイスにおいて、前記発光層は、第1のリン光発光材料を更に含むことができる。他の実施形態においては、前記発光層は、第2のリン光発光材料を更に含むことができる。前記発光層は、ホスト材料を更に含む。
本開示の他の態様によれば、前記第1のデバイスは、第2の有機発光デバイスを含み、前記第2の有機発光デバイスは、前記第1の有機発光デバイスの上に積層されている。前記第1のデバイスは、消費者製品であることができる。前記第1のデバイスは、有機発光デバイスであることができる。前記第1のデバイスは、照明パネルであることができる。
前記第1のデバイスの他の実施形態によれば、Rの少なくとも1つは、少なくとも2つの電子供与性窒素を有するドナー基を含む。
本開示の更に他の態様によれば、式1で表される化合物を含む組成物が記載される。前記組成物は、溶媒、ホスト、ホール注入材料、ホール輸送材料、電子輸送層材料(下記参照)からなる群から選択される1つ以上の成分を含むことができる。
他の材料との組合せ
有機発光デバイス中の特定の層に有用として本明細書において記述されている材料は、デバイス中に存在する多種多様な他の材料と組み合わせて使用され得る。例えば、本明細書において開示されている発光性ドーパントは、多種多様なホスト、輸送層、ブロッキング層、注入層、電極、及び存在し得る他の層と併せて使用され得る。以下で記述又は参照される材料は、本明細書において開示されている化合物と組み合わせて有用となり得る材料の非限定的な例であり、当業者であれば、組み合わせて有用となり得る他の材料を特定するための文献を容易に閲覧することができる。
HIL/HTL:
本発明の実施形態において使用される正孔注入/輸送材料は特に限定されず、その化合物が正孔注入/輸送材料として典型的に使用されるものである限り、任意の化合物を使用してよい。材料の例は、フタロシアニン又はポルフィリン誘導体;芳香族アミン誘導体;インドロカルバゾール誘導体;フッ化炭化水素を含有するポリマー;伝導性ドーパントを持つポリマー;PEDOT/PSS等の導電性ポリマー;ホスホン酸及びシラン誘導体等の化合物に由来する自己集合モノマー;MoO等の金属酸化物誘導体;1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル等のp型半導体有機化合物;金属錯体、並びに架橋性化合物を含むがこれらに限定されない。
HIL又はHTL中に使用される芳香族アミン誘導体の例は、下記の一般構造:
Figure 0006886451
を含むがこれらに限定されない。
ArからArのそれぞれは、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基である2から10個の環式構造単位からなる群から選択され、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して、互いに結合している。ここで、各Arは、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
一態様において、ArからArは、
Figure 0006886451
からなる群から独立に選択される。
kは1から20までの整数であり;X101からX108はC(CHを含む)又はNであり;Z101はNAr、O、又はSであり;Arは、上記で定義したものと同じ基を有する。
HIL又はHTL中に使用される金属錯体の例は、下記の一般式:
Figure 0006886451
を含むがこれに限定されない。
Metは、40より大きい原子量を有し得る金属であり;(Y101−Y102)は二座配位子であり、Y101及びY102は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は補助配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
一態様において、(Y101−Y102)は2−フェニルピリジン誘導体である。別の態様において、(Y101−Y102)はカルベン配位子である。別の態様において、Metは、Ir、Pt、Os及びZnから選択される。更なる態様において、金属錯体は、Fc/Fcカップルに対して、溶液中で約0.6V未満の最小酸化電位を有する。
ホスト:
本発明の有機ELデバイスの発光層は、発光材料として少なくとも金属錯体を含むことが好ましく、前記金属錯体をドーパント材料として用いるホスト材料を含んでいてもよい。前記ホスト材料の例は、特に限定されず、ホストの三重項エネルギーがドーパントのものより大きい限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。下記の表において、各色を発光するデバイスに好ましいホスト材料が分類されているが、三重項の基準が満たされれば、いずれのホスト材料もいずれのドーパントと共に用いてもよい。
ホスト材料として使用される金属錯体の例は、下記の一般式を有することが好ましい。
Figure 0006886451
式中、Metは金属であり;(Y103−Y104)は二座配位子であり、Y103及びY104は、C、N、O、P及びSから独立に選択され;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値であり;且つ、k’+k’’は、金属に付着し得る配位子の最大数である。
一態様において、金属錯体は、下記の錯体である。
Figure 0006886451
式中、(O−N)は、原子O及びNに配位された金属を有する二座配位子である。別の態様において、Metは、Ir及びPtから選択される。更なる態様において、(Y103−Y104)はカルベン配位子である。
ホスト材料として使用される有機化合物の例は、ベンゼン、ビフェニル、トリフェニル、トリフェニレン、ナフタレン、アントラセン、フェナレン、フェナントレン、フルオレン、ピレン、クリセン、ペリレン、アズレン等の芳香族炭化水素環式化合物からなる群;ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、ジベンゾセレノフェン、フラン、チオフェン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、ベンゾセレノフェン、カルバゾール、インドロカルバゾール、ピリジルインドール、ピロロジピリジン、ピラゾール、イミダゾール、トリアゾール、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、オキサトリアゾール、ジオキサゾール、チアジアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン、オキサジン、オキサチアジン、オキサジアジン、インドール、ベンズイミダゾール、インダゾール、インドキサジン、ベンゾオキサゾール、ベンズイソオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、イソキノリン、シンノリン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、フタラジン、プテリジン、キサンテン、アクリジン、フェナジン、フェノチアジン、フェノキサジン、ベンゾフロピリジン、フロジピリジン、ベンゾチエノピリジン、チエノジピリジン、ベンゾセレノフェノピリジン及びセレノフェノジピリジン等の芳香族複素環式化合物からなる群;並びに芳香族炭化水素環式基及び芳香族複素環式基から選択される同じ種類又は異なる種類の基であり、且つ、直接的に、又は酸素原子、窒素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子、鎖構造単位及び脂肪族環式基の少なくとも1つを介して互いに結合している2から10個の環式構造単位からなる群から選択される。各基は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択される置換基によって更に置換されている。
一態様において、ホスト化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0006886451
式中、R101からR107は、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは0から20又は1から20までの整数であり;k’’’は、0から20までの整数である。X101からX108はC(CHを含む)又はNから選択される。Z101及びZ102はNR101、O、又はSである。
HBL:
正孔ブロッキング層(HBL)を使用して、発光層から出る正孔及び/又は励起子の数を低減させることができる。デバイスにおけるそのようなブロッキング層の存在は、ブロッキング層を欠く同様のデバイスと比較して大幅に高い効率をもたらし得る。また、ブロッキング層を使用して、発光をOLEDの所望の領域に制限することもできる。
一態様において、前記HBL中に使用される前記化合物は、上述したホストとして使用されるものと同じ分子を含有する。
別の態様において、前記HBL中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0006886451
式中、kは1から20までの整数であり;L101は他の配位子であり、k’は1から3までの整数である。
ETL:
電子輸送層(ETL)は、電子を輸送することができる材料を含み得る。電子輸送層は、真性である(ドープされていない)か、又はドープされていてよい。ドーピングを使用して、伝導性を増強することができる。ETL材料の例は特に限定されず、電子を輸送するために典型的に使用されるものである限り、任意の金属錯体又は有機化合物を使用してよい。
一態様において、前記ETL中に使用される前記化合物は、分子中に下記の群の少なくとも1つを含有する。
Figure 0006886451
式中、R101は、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組み合わせからなる群から選択され、それがアリール又はヘテロアリールである場合、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。ArからArは、上記で言及したArのものと同様の定義を有する。kは1から20までの整数である。X101からX108はC(CHを含む)又はNから選択される。
別の態様において、前記ETL中に使用される金属錯体は、下記の一般式を含有するがこれらに限定されない。
Figure 0006886451
式中、(O−N)又は(N−N)は、原子O、N又はN、Nに配位された金属を有する二座配位子であり;L101は他の配位子であり;k’は、1から金属に付着し得る配位子の最大数までの整数値である。
OLEDデバイスの各層中に使用される任意の上記で言及した化合物において、水素原子は、部分的に又は完全に重水素化されていてよい。故に、メチル、フェニル、ピリジル等であるがこれらに限定されない任意の具体的に挙げられている置換基は、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンを包含する。同様に、アルキル、アリール、シクロアルキル、ヘテロアリール等であるがこれらに限定されない置換基のクラスは、それらの重水素化されていない、部分的に重水素化された、及び完全に重水素化されたバージョンも包含する。
本明細書において開示されている材料に加えて且つ/又はそれらと組み合わせて、多くの正孔注入材料、正孔輸送材料、ホスト材料、ドーパント材料、励起子/正孔ブロッキング層材料、電子輸送及び電子注入材料がOLEDにおいて使用され得る。OLED中で本明細書において開示されている材料と組み合わせて使用され得る材料の非限定的な例を、以下の表1に収載する。表1は、材料の非限定的なクラス、各クラスについての化合物の非限定的な例、及び該材料を開示している参考文献を収載する。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
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Figure 0006886451
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Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
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Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
Figure 0006886451
化合物実施例:
化合物S−10−144−Hの合成
Figure 0006886451
エチル3−アミノベンゾ[b]チオフェン−2−カルボキシレートの合成:乾燥した500mLの二つ口丸底フラスコ(RBF)にナトリウムエタノレート(46.2mL、124mmol)を投入し、151mLの無水EtOHで希釈し、氷浴中で冷却し、窒素雰囲気下でマロン酸ジエチル(17.98mL、118mmol)を滴下した。20分間撹拌した後、氷浴を除き、3−クロロベンゾ[d]イソチアゾール(20.0g、118mmol)を一度に添加し、24時間撹拌した。反応溶液を水でクエンチし、エーテルで抽出し、過剰の4MのHCl/ジオキサンで処理した。ピンク色がかった白色の沈殿物を濾過し、水中で懸濁し、NaCOで塩基性に変化させ、エーテルで抽出し、水と食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、黄色固体(約20g)に濃縮し、生成した固体をエタノール/水で再結晶化し、60℃、3時間真空オーブンで乾燥し、エチル3−アミノベンゾ[b]チオフェン−2−カルボキシレート(19.9g、収率76%)を得た。
Figure 0006886451
ベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン−4(3H)−オンの合成:100mLのRBFに、エチル3−アミノベンゾ[b]チオフェン−2−カルボキシレート(17.7g、80mmol)を投入し、ホルムアミド(60.6mL、1520mmol)で処理し、2時間190℃まで加熱した。溶液を冷却した時に、沈殿物が生成した。固体の沈殿物を、濾過により回収し、エーテルで洗浄し、その後、エタノール/テトラヒドロフランから再結晶化した。ベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン−4(3H)−オン(9.9g、収率61%)を得た。
Figure 0006886451
4−クロロベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジンの合成:ベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン−4(3H)−オン(10.78g、26.7mmol)をピリジン(2.68mL、33.3mmol)及びホスホリルトリクロライド(53.4mL、573mmol)で処理し、その後110℃で1時間、加熱還流した。過剰なPOClを除去し、氷浴中で、氷水で注意深くクエンチした。pHを水酸化アンモニウムで約pH5に調節した。固体を濾過により回収し、水で洗浄した。固体を乾燥し、4−クロロベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン(10g、収率85%)を得た。
Figure 0006886451
4−(9’−フェニル−9H,9’H−[3,3’−ビカルバゾール]−9−イル)ベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジンの合成:9−フェニル−9H,9’H−3,3’−ビカルバゾール(3.05g、7.47mmol)、4−クロロベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン(1.812g、8.21mmol)、Pddba(0.342g、0.373mmol)、ジシクロヘキシル(2’,6’−ジメトキシ−[1,1’−ビフェニル]−2−イル)ホスフィン(S−Phos)(0.307g、0.747mmol)及びナトリウム2−メトキシプロパン−2−オレート(1.794g、18.67mmol)を250mLのRBFに投入し、m−キシレン(体積:74.7mL)中で希釈し、窒素で脱気し、150℃で一晩加熱還流した。反応生成物を水溶性の塩化アンモニウムでクエンチし、ジクロロメタン(DCM)を用いて、セライト(登録商標)のプラグで濾過した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、その後、トルエン/エタノールから再結晶化し、4−(9’−フェニル−9H,9’H−[3,3’−ビカルバゾール]−9−イル)ベンゾ[4,5]チエノ[3,2−d]ピリミジン(1.95g、収率44%)を得た。
化合物S−17−144−Hの合成
Figure 0006886451
6−クロロ−2−ヨードピリジン−3−アミンの合成:6−クロロピリジン−3−アミン(40.0g、311mmol)をジメチルホルムアミド(DMF)(体積:534mL)中で溶解し、1−ヨードピロリジン−2,5−ジオン(70.0g、311mmol)で一度に処理した。反応溶液を、窒素下で室温にて一晩撹拌し、水でクエンチし、EtOAc及びEtOで抽出した。有機層を食塩水で2回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。クーゲルロールでDMFを100℃で除去し、約90gの赤色固体を得た。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、6−クロロ−2−ヨードピリジン−3−アミン(57g、収率72%)を得た。
Figure 0006886451
6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−アミンの合成:
三つ口の1000mLのRBFを真空下で乾燥し、その後、イソプロピルマグネシウムクロライド(78mL、156mmol)を投入し、ウォーターバスで冷却した。温度が30℃を超えないように、2−ブロモ−3−フルオロピリジン(14.37mL、142mmol)を滴下した。反応生成物を室温で一晩撹拌し、その後、塩化亜鉛(II)(341mL、170mmol)で3時間以上滴下し、室温で一晩撹拌した。この懸濁液をその後、カニューレを介して、脱気された65℃の、テトラヒドロフラン(THF)(体積:474mL)中、Pd(PPh(8.21g、7.10mmol)及び6−クロロ−2−ヨードピリジン−3−アミン(39.8g、156mmol)の溶液に添加し、一晩加熱還流した。室温まで溶液を冷却した後、反応物を飽和NaHCO水溶液及び水でクエンチした。沈殿物を濾過し、EtOAcで洗浄した。濾液をEtOAcで抽出した。粗生成物を20%のTEA/ヘキサンで調節したカラムを用いて、40−50%EtOAc/ヘキサンによるカラムクロマトグラフィーにより精製し、6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−アミン(21.8g、収率69%)を得た。
Figure 0006886451
6−クロロ−3’−フルオロ−3−ヨード−2,2’−ビピリジンの合成:メカニカルスターラー、還流冷却器、添加用漏斗を備えた500mLの三つ口RBFに、6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−アミン(6.63g、29.6mmol)を投入した。反応生成物を2Mの硫酸(111mL、222mmol)で処理し、黄色/オレンジ色の溶液が生成した。反応生成物を−5℃まで冷却し、−5℃で49mLの水中、亜硝酸ナトリウム(2.66g、38.5mmol)溶液で滴下した。黄色/オレンジ色の懸濁液を、0℃で30分間撹拌し、その後、63mLの水中、ヨウ化カリウム(14.76g、89mmol)の水溶液を滴下した。反応生成物を、室温で30分間撹拌し、その後80℃まで1時間加熱した。冷却後、反応生成物をEtOAcで抽出し、水、2MのNa2CO3、NaHSO3、及び食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。粗生成物を20%のEtOAc/ヘキサンによるカラムクロマトグラフィーで精製し、6−クロロ−3’−フルオロ−3−ヨード−2,2’−ビピリジン(16g、収率81%)を得た。
Figure 0006886451
エチル3−((6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−イル)チオ)プロパノエートの合成:6−クロロ−3’−フルオロ−3−ヨード−2,2’−ビピリジン(21.4g、64.0mmol)、炭酸カリウム(22.10g、160mmol)、(オキシビス(2,1−フェニレン))ビス(ジフェニルホスフィン)(3.45g、6.40mmol)、Pd(dba)(2.93g、3.20mmol)を乾燥した500mLのRBFに投入し、トルエン(体積:256mL)中で溶解し、窒素で脱気した。反応溶液に、エチル3−メルカプトプロパノエート(8.92mL、70.4mmol)を添加し、反応溶液を7時間加熱還流した。反応生成物を、NHClでクエンチし、EtOAcで抽出した。粗生成物を、EtOAcとヘキサンによるカラムクロマトグラフィーで精製し、いくらかの不純物を有するエチル3−((6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−イル)チオ)プロパノエート(21.5g、収率約100%)を得た。
Figure 0006886451
2−クロロチエノ[3,2−b:4,5−b’]ジピリジンの合成:500mLのRBFに、エチル3−((6−クロロ−3’−フルオロ−[2,2’−ビピリジン]−3−イル)チオ)プロパノエート(16.55g、48.6mmol)及びTHF(体積:194mL)を投入し、10分間窒素で脱気し、その後、カリウム2−メチルプロパン−2−オレート(8.17g、72.8mmol)で処理し、75℃で24時間、加熱還流した。反応生成物を水溶性の塩化アンモニウムでクエンチし、EtOAcで2回抽出した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、2−クロロチエノ[3,2−b:4,5−b’]ジピリジン(7g、収率68%)を得た。
化合物S−17−144−Hの合成
Figure 0006886451
9−フェニル−9H,9’H−3,3’−ビカルバゾール(3.0g、7.34mmol)、2−クロロチエノ[3,2−b:4,5−b’]ジピリジン(2.026g、9.18mmol)、Pddba(0.336g、0.367mmol)、ジシクロヘキシル(2’,6’−ジメトキシ−[1,1’−ビフェニル]−2−イル)ホスフィン(S−Phos)(0.301g、0.734mmol)及びナトリウム2−メチルプロパン−2−オレート(1.764g、18.36mmol)を乾燥した250mLのRBFに投入し、m−キシレン(体積:73.4mL)で処理し、窒素で脱気し、150℃で一晩、加熱還流した。反応溶液を室温まで冷却し、NH4Cl水溶液でクエンチし、DCMを用いてセライト(登録商標)の小プラグで濾過した。粗生成物をカラムクロマトグラフィーで精製し、1.86gの純粋な生成物を得た。
N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
4−ブロモジベンゾ[b,d]フラン(3.0g、12.1mmol)及びアニリン(1.69g、18.1mmol)を100mLのトルエン中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。Pd(dba)(0.05g、0.05mmol)、2,2’−ビス(ジフェニルホスフィノ)−1,1’−ビナフチル(0.15g、0.24mmol)及びナトリウムt−ブトキシド(1.7g、17.4mmol)を溶液に添加した。混合物を窒素下で一晩還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、濾液を真空下で濃縮した。その後、溶離液としてDCM:ヘキサン(1:1、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。2.0g(収率65%)の白色固体を生成物として得た。
N−(4−ブロモフェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(5.0g、19.3mmol)及び1−ブロモ−4−ヨードベンゼン(10.9g、38.6mmol)を100mLのトルエン中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。Pd(OAc)(0.22g、1.0mmol)、トリフェニルホスフィン(0.51g、1.9mmol)及びナトリウムt−ブトキシド(2.2g、23.1mmol)を溶液に添加した。混合物を窒素下で一晩還流した。
冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、濾液を真空下で濃縮した。その後、溶離液としてDCM:ヘキサン(1:1、v/v)によるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。5.6g(収率71%)の黄色固体を生成物として得た。
N−フェニル−N−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−(4−ブロモフェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(5.3g、12.8mmol)、ビス(ピナコラト)ジボロン(11.4g、44.8mmol)及びKOAc(3.77g、38.4mmol)を130mLの乾燥1,4−ジオキサン中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、その後Pd(dppf)Cl・CHCl(0.28g、0.4mmol)を添加した。混合物を窒素下で一晩還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、その後溶媒を蒸発させた。その後、溶離液としてDCM:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。5.21g(収率88%)の白色固体を生成物として得た。
N−(4−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−フェニル−N−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(3.25g、7.0mol)及び3−ブロモ−9H−カルバゾール(1.73g、7.0mmol)を45mLのトルエンと15mLのエタノール中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、Pd(dba)(0.16g、0.18mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.29g、7.0mmol)及びKPO(4.49g、21.1mmol)を溶液に添加した。反応混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物から水層を除き、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾紙で濾過し、その後濾液を蒸発させた。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。3.0g(収率85%)の白色固体を生成物として得た。
3−(5−クロロ−2−メトキシフェニル)ピリジン−4−アミンの合成
Figure 0006886451
3−ヨードピリジン−4−アミン(2.2g、10mmol)、(5−クロロ−2−メトキシフェニル)ボロン酸(1.86g、10mmol)及びKCO(4.2g、30mmol)を50mLのトルエン、5mLの脱イオン水及び5mLのエタノール中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、その後、Pd(PPh(0.23g、0.2mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、水層を除去し、その後有機層を濃縮した。その後、溶離液として酢酸エチルを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。2.0g(収率85%)の生成物を目的物として得た。
8−クロロベンゾフロ[3,2−c]ピリジンの合成
Figure 0006886451
3−(5−クロロ−2−メトキシフェニル)ピリジン−4−アミン(2g、8.5mmol)を25mLの酢酸と10mLのTHF中で、−10℃で溶解した。t−ブチルニトリル(2ml、17mmol)を溶液に滴下した。混合物を一晩室温まで加温した。水を反応溶液に添加し、ジクロロメタンで抽出し、その後、有機層をMgSOで乾燥し、濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。0.8g(収率46%)の生成物を目的物として回収した。
化合物O−20−10−Hの合成
Figure 0006886451
N−(4−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(0.76g、1.5mmol)及び8−クロロベンゾフロ[3,2−c]ピリジン(0.3g、1.48mmol)を70mLの乾燥キシレン中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、Pd(dba)(0.16g、0.17mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.24g、0.58mmol)及びBuONa(0.23g、2.4mmol)に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、その後、溶媒を濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:4、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、0.3g(収率30%)の生成物を回収した。
化合物O−20−7−Hの合成
Figure 0006886451
,N,N−トリフェニル−N−(4−(フェニルアミノ)フェニル)ベンゼン−1,4−ジアミン(0.76g、1.5mmol)及び8−クロロベンゾフロ[3,2−c]ピリジン(0.3g、1.48mmol)を70mLの乾燥キシレン中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、その後、Pd(dba)(0.16g、0.17mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.24g、0.58mmol)及びBuONa(0.23g、2.4mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、その後、溶媒を濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:4、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。0.55g(収率55%)の生成物を目的物として回収した。
化合物O−10−144−Hの合成
Figure 0006886451
9−フェニル−9H,9’H−3,3’−ビカルバゾール(2.7g、6.6mmol)及び水素化ナトリウム(0.4g、10.4mmol)を30mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を1時間撹拌し、4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(1.6g、7.8mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:4、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。3.0g(収率78%)の生成物を目的物として回収した。
化合物O−10−10−Hの合成
Figure 0006886451
N−(4−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(0.90g、1.8mmol)及び4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.37g、1.8mmol)を10mLの乾燥トルエン中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。その後、Pd(dba)(0.082g、0.09mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.074g、0.18mmol)及びナトリウムt−ブトキシド(3.5g、3.6mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、濾液を真空下で濃縮した。その後、溶離液としてヘキサン〜THF:ヘキサン(1:3、v/v)のグラジエントを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。0.40g(収率33%)の黄色固体を生成物として得た。
N−(3−ブロモフェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(5.0g、19.3mmol)及び1−ブロモ−3−ヨードベンゼン(10.9g、38.6mmol)を100mLのトルエン中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。その後、Pd(OAc)(0.22g、1.0mmol)、トリフェニレンホスフィン(0.51g、1.9mmol)及びナトリウムt−ブトキシド(2.2g、23.1mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、濾液を真空下で濃縮した。その後、溶離液としてDCM:ヘキサン(1:1、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。5.6gの(収率71%)の黄色固体を生成物として得た。
N−フェニル−N−(3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−(3−ブロモフェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(5.3g、12.8mmol)、ビス(ピナコラト)ジボロン(11.4g、44.8mmol)及びKOAc(3.77g、38.4mmol)を130mLの乾燥1,4−ジオキサン中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングし、その後Pd(dppf)Cl・CHCl(0.28g、0.4mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、その後溶媒を濃縮した。その後、溶離液としてDCM:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるクロマトグラフィーで残渣を精製した。5.21g(収率88%)の白色固体を生成物として得た。
N−(3−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミンの合成
Figure 0006886451
N−フェニル−N−(3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(3.25g、7.0mol)及び3−ブロモ−9H−カルバゾール(1.73g、7.0mmol)を45mLのトルエン及び15mLのエタノール中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングし、その後Pd(dba)(0.16g、0.18mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.29g、7.0mmol)及びKPO(4.49g、21.1mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。
冷却後、水層を反応混合物から除去し、硫酸マグネシウムで乾燥し、濾紙で濾過し、その後溶媒を濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。3.0g(収率85%)の白色固体を生成物として得た。
化合物O−10−31−Hの合成
Figure 0006886451
N−(3−(9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−N−フェニルジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(2.5g、5.0mmol)及び水素化ナトリウム(0.34g、8.5mmol)を30mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を1時間室温で撹拌した。4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(1.9g、9.5mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で撹拌した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるクロマトグラフィーで残渣を精製した。2.4g(収率74%)の淡黄色の固体を生成物として得た。
4−(1−ブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジンの合成
Figure 0006886451
1−ブロモ−9H−カルバゾール(5.0g、20.3mmol)及び水素化ナトリウム(1.4g、34.5mmol)を200mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を4時間撹拌し、4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(7.9g、38.6mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:1、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。4.1gの(収率49%)黄色生成物を回収した。
O−10−145−Hの合成
Figure 0006886451
N−フェニル−N−(4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(1.0g、2.2mol)及び4−(1−ブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.7g、1.7mmol)を11mLのトルエンと4mLのエタノール中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。Pd(dba)(0.08g、0.1mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.14g、0.3mmol)及びKPO(1.8g、8.6mmol)を添加した。混合物を窒素下で一晩還流した。冷却後、水層を除去し、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。溶離液としてトルエンを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、0.6g(収率54%)の白色固体を得た。
O−10−146−Hの合成
Figure 0006886451
N−フェニル−N−(3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(1.5g、3.2mol)及び4−(1−ブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(1.0g、2.5mmol)を17mLのトルエンと6mLのエタノール中で混合した。溶液を15分間窒素で15分間バブリングした。Pd(dba)(0.11g、0.1mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.20g、0.5mmol)及びKPO(2.6g、12.4mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、水層を除去し、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。その後、溶離液としてトルエンを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、0.98g(収率59%)の白色固体を得た。
O−10−147−Hの合成
Figure 0006886451
(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ボロン酸(0.9g、3.1mol)及び4−(1−ブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(1.0g、2.4mmol)を16mLのトルエンと5mlのエタノール中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。Pd(dba)(0.11g、0.1mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.20g、0.5mmol)及びKPO(2.6g、12.1mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、水層を除去し、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。その後、溶離液としてトルエンを用いるカラムクロマトグラフィーにより残渣を精製し、0.8g(57%)の白色固体を得た。
4−(3,6−ジブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジンの合成
Figure 0006886451
3,6−ジブロモ−9H−カルバゾール(1.0g、3.1mmol)及び水素化ナトリウム(0.2g、5.2mmol)を40mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を4時間撹拌し、4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(1.2g、5.9mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHFを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。1.5g(収率99%)の黄色生成物を回収した。
O−10−149−Hの合成
Figure 0006886451
N−フェニル−N−(3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)フェニル)ジベンゾ[b,d]フラン−2−アミン(1.9g、4.2mol)及び4−(1,8−ジブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.8g、1.6mmol)を16mLのトルエンと5mlのエタノール中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングした。Pd(dba)(0.15g、0.2mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.27g、0.6mmol)及びKPO(3.4g、16.2mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、水層を除去し、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。その後、溶離液としてトルエンを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、0.6g(収率39%)の白色固体を得た。
4−(9H−カルバゾール−3−イル)−N,N−ジフェニルアニリンの合成
Figure 0006886451
N,N−ジフェニル−4−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)アニリン(1g、2.7mol)及び3−ブロモ−9H−カルバゾール(0.66g、2.7mmol)を45mLのトルエンと15mLの脱イオン水中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングした。Pd(PPh(0.16g、0.14mmol)及びKPO(1.5g、7.0mmol)を溶液に添加した。混合物を2日間窒素下で還流した。冷却後、水層を除去し、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。生成物として、0.9g(収率82%)の白色固体を得た。
O−10−151−Hの合成
Figure 0006886451
4−(9H−カルバゾール−3−イル)−N,N−ジフェニルアニリン(1g、2.4mmol)及び水素化ナトリウム(0.15g、3.7mmol)を30mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を1時間室温で攪拌した。4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.6g、2.9mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で攪拌した。反応混合物を水中に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(1:3、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。1.2g(収率84%)の淡黄色固体を生成物として得た。
O−10−150−Hの合成
Figure 0006886451
9’H−9,3’:6’,9’’−テルカルバゾール(1.0g、2.0mmol)及び水素化ナトリウム(0.14g、3.4mmol)を25mLの乾燥DMF中で混合した。溶液を4時間攪拌し、4−クロロベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.8g、3.8mmol)を添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。反応混合物を水に注ぎ、沈殿物を濾過した。その後、溶離液としてTHFを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。0.7g(収率50%)の生成物を回収した。
4−(9H,9’H−[1,3’−ビカルバゾール]−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジンの合成
Figure 0006886451
3−(4,4,5,5−テトラメチル−1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9H−カルバゾール(2.5g、8.5mol)及び4−(1−ブロモ−9H−カルバゾール−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(2.7g、6.6mmol)を45mLのトルエンと15mLのエタノール中で混合した。溶液を15分間窒素でバブリングした。Pd(dba)(0.3g、0.3mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.50g、1.3mmol)及びKPO(6.9g、32.8mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、水層を取り除き、反応混合物を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し、濃縮した。その後、溶離液としてトルエンを用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製し、0.8g(収率24%)の白色固体を得た。
O−10−148−Hの合成
Figure 0006886451
4−ブロモ−N,N−ジフェニルアニリン(0.5g、1.5mmol)及び4−(9H,9’H−[1,3’−ビカルバゾール]−9−イル)ベンゾフロ[3,2−d]ピリミジン(0.5g、1.0mmol)を10mLの乾燥トルエン中で混合した。溶液を窒素で15分間バブリングした。その後、Pd(dba)(0.05g、0.05mmol)、2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2’,6’−ジメトキシビフェニル(0.08g、0.2mmol)及びBuONa(0.26g、2.7mmol)を溶液に添加した。混合物を一晩窒素下で還流した。冷却後、反応混合物をセライト/シリカパッドで濾過し、その後濾液を濃縮した。その後、溶離液としてTHF:ヘキサン(15:85、v/v)を用いるカラムクロマトグラフィーで残渣を精製した。0.5g(収率66%)の生成物を回収した。
フォトルミネセンス(PL)及びデバイス実施例
フォトルミネセンス及びフォトルミネセンスの量子効率(PLQY)の実験を実施し、表2にまとめた。ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)にドープした膜(重量基準でPMMA:発光体が95:5)を、溶液滴下キャスティングで石英基板上に作製した。化合物S−10−144−H、O−10−144−H、O−10−10−H、O−10−145−H、O−10−146−H、O−10−150−H及びO−10−151−Hで高いPL量子効率を得た。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
ソルバトクロミズム実験を行い、表3にまとめた。異なる極性の溶液で化合物O−10−144−H、O−10−10−H、O−10−31−H、O−10−145−H及びO−10−147−Hのフォトルミネセンススペクトルを室温で得て、溶媒の極性が高くなると深色移動が見られ、ドナーアクセプターをベースにしたCT状態から生じた化合物のこれらの種類の発光起源であることを示す。
Figure 0006886451
Figure 0006886451
化合物O−10−144−H及び化合物O−10−10−HをOLED中の発光体として試験した。OLED実験において、デバイス実施例はいずれも、高真空下(<10−7Torr)における熱蒸着で作製した。アノード電極は、約800Åの酸化インジウムスズ(ITO)であった。カソードは、10ÅのLiFと、1000ÅのAlとからなった。デバイスはいずれも、作製後直ちに、窒素グローブボックス(HO及びOは、<1ppm)中で、エポキシ樹脂で封止したガラス製の蓋で封入し、水分ゲッターをパッケージに入れた。
デバイス実施例1の有機積層体は、ITO表面から順に、ホール注入層(HIL)として100ÅのLG101(LG Chem、Koreaから購入)、ホール輸送層(HTL)として300Åの化合物A、発光層(EML)として5%の化合物O−10−10−Hでドープした300Åの化合物B、ETL2として50Åの化合物C、及びETL1として400ÅのLG−201(LG Chem、Koreaから購入)からなった。最大の外部量子効率は4.5%だった。CIEは0.167及び0.287だった。
デバイス実施例2は、化合物O−10−10−Hを化合物O−10−144−Hに代えた以外はデバイス1と同じであった。最大の外部量子効率は3.8%だった。CIEは0.144及び0.192だった。
デバイス実施例3は、ITO表面から順に、ホール注入層(HIL)として100ÅのLG101(LG Chem、Koreaから購入)、ホール輸送層(HTL)として300Åの化合物D、発光層(EML)として300Åの化合物O−10−144−H、ETL2として50Åの化合物E、及びETL1として400ÅのLG−201(LG Chem、Koreaから購入)からなった。最大の外部量子効率は6.2%だった。CIEは、0.199及び0.398だった。
デバイス実施例4は、ITO表面から順に、ホール注入層(HIL)として100ÅのLG101(LG Chem、Koreaから購入)、ホール輸送層(HTL)として300Åの化合物D、発光層(EML)として10%の化合物O−10−144−Hでドープした300Åの化合物B、ETLとして400Åの化合物Fからなった。最大の外部量子効率は11.0%だった。CIEは、0.141及び0.182だった。デバイス実施例1及び2の高いデバイスの外部量子効率(EQE)は、式Iのドナーアクセプター化合物は、OLEDsの発光体として効果的であることを示す。高いデバイスの外部量子効率は、三重項励起子が遅延蛍光メカニズムを介して、発光の一重項励起子に変換され得ることをも示す。
Figure 0006886451
本発明において記述されている種々の実施形態は、単なる一例としてのものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではないことが理解される。例えば、本明細書において記述されている材料及び構造の多くは、本発明の趣旨から逸脱することなく他の材料及び構造に置き換えることができる。したがって、特許請求されているとおりの本発明は当業者には明らかとなるように、本発明において記述されている特定の例及び好ましい実施形態からの変形形態を含み得る。なぜ本発明が作用するかについての種々の理論は限定を意図するものではないことが理解される。
米国特許第5,844,363号明細書 米国特許第6,303,238号明細書 米国特許第5,707,745号明細書 米国特許第7,279,704号明細書
100 有機発光デバイス
110 基板
115 アノード
120 正孔注入層
125 正孔輸送層
130 電子ブロッキング層
135 発光層
140 正孔ブロッキング層
145 電子輸送層
150 電子注入層
155 保護層
160 カソード
162 第一の導電層
164 第二の導電層
170 バリア層
200 反転させたOLED、デバイス
210 基板
215 カソード
220 発光層
225 正孔輸送層
230 アノード

Claims (6)

  1. 下記の式Iで表されることを特徴とする発光体。
    Figure 0006886451
    (式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;
    〜Yの2つは、Nであり;
    Xは、O、S、又はSeであり;
    各Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
    前記Rの少なくとも1つは、
    XがSeのときには、下記のD1〜D141、及びD144〜D151から選択される基であり、
    XがO又はSのときには、下記のD1、D2、D5〜D23、D25〜D128、D131〜D140、D144〜D146、及びD148〜D151から選択される基である。)
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    (式中、S〜Sは、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せによるモノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す、又は無置換である。)
    (ただし、前記発光体が、前記式Iで表される化合物であって、
    〜Y の2つは、Nであり;
    〜Yつ、及びY〜Yのすべては、C−Rであり;かつ
    〜YつのC−RにおけるRの少なくとも1つは、D144である場合、
    及び
    又はYのC−RにおけるRがD144である場合、を除く。)
  2. 下記からなる群から選択される化合物である請求項1に記載の発光体。
    Figure 0006886451
    (式中、Xは、O、S、又はSeであり、
    〜Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
    〜Rの少なくとも1つは、
    XがSeのときには、D1〜D141、及びD144〜D151から選択され、
    XがO、又はSのときにはD1、D2、D5〜D23、D25〜D128、D131〜D140、D144〜D146、及びD148〜D151から選択される。)
    (ただし、前記発光体が、式2〜4、9、10、又は14で表される化合物であり、かつR〜Rの少なくとも1つはD144である場合、
    及び
    前記発光体が、式2〜17で表される化合物であり、かつR、R、R、又はRがD144である場合、を除く。)
  3. 下記から選択される化合物である請求項1から2のいずれかに記載の発光体。
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
  4. 下記の構造を有することを特徴とする発光体。
    Figure 0006886451
    Figure 0006886451
    (式中、DとD10は下記であり、S〜Sは、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、ヘテロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、カルボン酸、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、スルフィニル、スルフォニル、ホスフィノ及びこれらの組合せによる、モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ置換を表す、又は無置換である。)
    Figure 0006886451
  5. 有機発光デバイスを含むデバイスであって、前記有機発光デバイスは、
    アノードと;
    カソードと;
    前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層と、を含み、
    前記発光層が、請求項1から4のいずれかに記載された発光体を含むことを特徴とするデバイス。
  6. 有機発光デバイスを含むデバイスであって、前記有機発光デバイスは、
    アノードと;
    カソードと;
    前記アノードと前記カソードとの間に配置された発光層と、を含み、
    前記発光層が、ホスト材料と、下記式1を有する発光化合物とを含むことを特徴とするデバイス。
    Figure 0006886451
    (式中、Y〜Yのそれぞれは、C−R又はNであり;
    〜Yの2つは、Nであり;
    〜Yつは、C−Rであり;
    Xは、O、S、又はSeであり;
    各Rは、独立して、水素、重水素、ハライド、アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、アミノ、シリル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アシル、カルボニル、エステル、ニトリル、イソニトリル、スルファニル、及びこれらの組合せからなる群から選択され、
    前記Rの少なくとも1つは、少なくとも1つの電子供与性窒素を有する供与性基を含む。)
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