JP6883383B2 - ScAlMgO4単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
CZ法では、チャンバー内に納められた溶融坩堝に原材料を入れ、Ar雰囲気中で抵抗加熱、赤外線集中加熱、高周波誘導加熱などの方法で溶かし、そこに種子にあたる単結晶を浸して、種結晶を結晶引き上げ機構を使ってゆっくりと引上げることによって、種子結晶と同じ方位配列を持ったScAlMgO4単結晶を成長させ、大きな円柱状のインゴットに仕上げている。なお、特許文献1では坩堝としてIrを利用いている。
(1)結晶直径φ20mm以上
(2)結晶長さ15mm以上
(3)目視観察にてクラック、着色、インクルージョンが無いこと
(4)クロスニコルでの目視観察で、ブレイン・バウンダリーが無いこと
しかしながら、上述した従来の方法で原料粉末の組成ひいては融液の組成をストイキオメトリーな組成とした場合には、白濁部が存在する結晶となってしまうことがある。特に、直径が20mm以上の結晶を製造する場合にこの傾向が顕著である。
本発明は、
(1)結晶直径φ20mm以上
(2)結晶長さ15mm以上
(3)目視観察にてクラック、着色、インクルージョンが無いこと
(4)クロスニコルでの目視観察で、ブレイン・バウンダリーが無いこと
という条件を満たす結晶をも製造することが可能なScAlMgO4の単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
前記の引き上げ開始時における前記融液の組成を、ScAlMgO4の化学量論比からずれた組成とし、引き上げ開始後、前記容器にScAlMgO4の化学量論比を実質的に満たす溶液を補給することを特徴とするScAlMgO4単結晶の製造方法において、
前記開始時における前記融液の組成は、
27.0%≦Sc2O4≦30%
44.0%≦MgO≦46.5%
26.0%≦Al2O3≦29%
であることを特徴とするScAlMgO4単結晶の製造方法である。
請求項2に係る発明は、26.5%≦Al2O3である請求項3記載のScAlMgO4単結晶の製造方法である。
請求項3に係る発明は、融液の加熱方式は、抵抗加熱、赤外線集中加熱、高周波誘導加熱のいずれかである請求項1又は2記載のScAlMgO4単結晶の製造方法である。
請求項4に係る発明は、酸素を0.2%以上1.0%未満不活性ガス雰囲気中において引き上げを行う請求項1ないし3のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法である。
請求項5に係る発明は、回転速度10rpm未満で引き上げを行う請求項1ないし4のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法である。
請求項6に係る発明は、引き上げ速度1mm/h未満で引き上げを行う請求項1ないし5のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法である。
また、
(1)結晶直径φ20mm以上
(2)結晶長さ15mm以上
(3)目視観察にてクラック、着色、インクルージョンが無いこと
(4)クロスニコルでの目視観察で、ブレイン・バウンダリーが無いこと
という条件を満たす結晶をも製造することが可能となる。
前記の引き上げ開始時における前記融液の組成を、ScAlMgO4の化学量論比からずれた組成とし、引き上げ開始後、前記容器にScAlMgO4の化学量論比を実質的に満たす溶液を補給する。
本発明においては、坩堝としては、特に限定されるものではなく、また、加熱方式としても抵抗加熱、赤外線集中加熱、高周波誘導加熱などの方法を適宜用いればよい。
初期融液の組成(質量)としては、25%<Sc2O4≦30%、40%<MgO≦50%、残部Al2O3が好ましい。
また、
27.0%≦Sc2O4≦30%
44.0%≦MgO≦46.5%
26.0%≦Al2O3≦29%
がより好ましい。かかる範囲とすることにより、直径20mm以上の単結晶をも欠陥なく育成することが可能となる。
さらに、26.5%≦Al2O3がさらに好ましい。この範囲とすることにより育成初期における白濁が全く発生しないScAlMgO4単結晶を製造することも可能となる。
Zrは4価のイオンなので、結晶中に含まれると酸素との結合が2価のMgイオンよりは強くなることが期待できる。またZrは、Mgとイオン半径がほぼ同じなのでMgを置換しやすいと思われる。そこで、ZrO2を50ppm(wt)以上添加して結晶を育成することが好ましい。100ppm以上がより好ましい。これにより、クラックの発生を防止することができる。
主な育成条件は、以下の範囲が好ましい。
(1)引き上げ速度0.7mm/h−1.0mm/h
(2)軸回転速度5rpm−10rpm
(3)雰囲気中の酸素濃度0%、0.2%、0.5%、1%
引き上げ速度は、結贔の直径がおおよそφ25mm以下ならば、lmm/hで各種欠陥の発生は無いが、結晶直径がφ25mmを越えている場合、直胴部中程でインクルージョンが取り込まれることがある。
b結晶直径をφ25mm以上で育成する場合は、引き上げ速度を1mm/h未満(例えば、0.7mm/h)とすることでインクルージョンの取り込みを抑制できる。
10rpm未満が好ましく、5rpm以下がより好ましい。10rpm未満とすることにより、育成中の結晶重量の周期的な変動を小さくできる。また、結晶外周部にサブグレインバウンダリーの発生を防止することができる。10rpm以上では、切り離し時の界面形状も5rpmの結晶と比較して短く、中央部分が平坦な台形になる。
育成炉内の雰囲気は、窒素または窒素+酸素とすることが好ましい。
酸素濃度(流量比)が1%の場合には特に大きなスラグが浮かぶことがあり、成長中の結晶の表面に付着すると、クラックが発生することがある。一方、酸素無しの窒素だけでの育成では、Irスラグはlmm程度で小さく、結晶に付着しても問題はないように思われる。しかし窒素だけの場合、結晶表面が荒れ、磨りガラス状になっており、結晶外周を囲むようにリング状のクラックが多数発生する。酸素濃度が0.2%、0.5%では結晶表面は光沢があり、クラックの発生は少ない。
育成炉として抵抗加熱式チョクラルスキー炉(CZ法)を用いてSCAMを育成した。
内径Φ20mmの坩堝に出発原料として、次のA−Fの材料を投入した。
Sc2O3 :Al203 :MgO
A 29.5%:26.5%:44.0%
B 28.0%:27.5%:44.5%
C 28.0%:27.0%:45.0%
D 27.0%:27.5%:45.5%
E 27.5%:26.5%:46.0%
F 27.8%:26.7%:45.5%
A−Fの結果を図1に示す。図1において、◇は育成初期において白濁の発生のない試料であり、A−Fに対応する。
結晶全体にクラックは無く、サブグレインバウンダリーも目視では見られなかった。インクルージョンは、Fにつき直胴部の最下部にわずかに観察されただけであった。
本例では、Sc2O3 の割合はそのままにして、Al203の割合を実施例1に比べて減らし、26.5%未満とした。MgOは実施例1に比べて増加する。
具体的には次の組成の原料を用いた。
Sc2O3 :Al203 :MgO
27.8%:26.2%:46.0%
他の点は実施例1と同様とした。
本例では、肩の部分にわずかに多結晶(白濁)部分が見られた。他の点は実施例1と同様であった。
本例では、出発原料としてSc2O3:Al203:MgO=25.0%:25.0%:50.0%に配合した原料、すなわち、化学量論比である原料を用いた。
本例では、内径Φ10mmの坩堝と、内径Φ20mmの坩堝とについて試験を行った。
他の点は実施例1と同様である。
本例では、内径Φ10mmの坩堝と、内径Φ20mmの坩堝のいずれの場合でも単結晶は成長せず、白濁した多結晶が成長した。
本例では、内径Φ10mmの坩堝と、内径Φ20mmの坩堝とについて試験を行った。
他の点は実施例1と同様である。
Sc2O3 :Al203 :MgO
G 28.3%:25.2%:46.5%
H 28.3%:25.7%:46.0%
I 27.8%:26.2%:46.0%
J 28.5%:24.8%:46.7%
K 29.0%:24.0%:47.0%
L 30.0%:24.0%:46.0%
・内径Φ10mmの坩堝の場合、育成初期にごくわずかの多結晶(白濁)部分が見られる試料もあったが、ほぼ実施例1と同様の単結晶が得られた。
Claims (6)
- 炉内容器内の融液に種結晶を接触させて引き上げを行うことによるScAlMgO4単結晶の製造方法において、
前記の引き上げ開始時における前記融液の組成を、ScAlMgO4の化学量論比からずれた組成とし、引き上げ開始後、前記容器にScAlMgO4の化学量論比を実質的に満たす溶液を補給することを特徴とするScAlMgO4単結晶の製造方法において、
前記開始時における前記融液の組成は、
27.0%≦Sc2O4≦30%
44.0%≦MgO≦46.5%
26.0%≦Al2O3≦29%
であることを特徴とするScAlMgO4単結晶の製造方法。 - 26.5%≦Al2O3である請求項1記載のScAlMgO4単結晶の製造方法。
- 融液の加熱方式は、抵抗加熱、赤外線集中加熱、高周波誘導加熱のいずれかである請求項1又は2記載のScAlMgO4単結晶の製造方法。
- 酸素を0.2%以上1.0%未満不活性ガス雰囲気中において引き上げを行う請求項1ないし3のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法。
- 回転速度10rpm未満で引き上げを行う請求項1ないし4のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法。
- 引き上げ速度1mm/h未満で引き上げを行う請求項1ないし5のいずれか1項記載のScAlMgO4単結晶の製造方法。
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