JP2010059031A - 酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 - Google Patents
酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010059031A JP2010059031A JP2008228818A JP2008228818A JP2010059031A JP 2010059031 A JP2010059031 A JP 2010059031A JP 2008228818 A JP2008228818 A JP 2008228818A JP 2008228818 A JP2008228818 A JP 2008228818A JP 2010059031 A JP2010059031 A JP 2010059031A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- aluminum oxide
- crystal
- raw material
- oxide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】炉体内に配置した坩堝3に単結晶製造用の原料を入れて加熱コイル5により加熱溶融し、前記原料が溶融した融液6から単結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、原料である酸化アルミニウムの純度を99.99%以上のものを用い、酸素を0.2〜1.0体積%含有する不活性ガス雰囲気中で酸化アルミニウム単結晶を育成する。また、結晶製造装置における坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φWとの比を、0.4以上、0.6以下とすることにより、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御すことができ、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。
【選択図】図1
Description
本発明(2)は、前記不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする前記発明(1)の酸化アルミニウム単結晶の製造方法である。
本発明(3)は、前記炉体に前記酸素ガスを導入する流量が、2 mL/min以上、18mL/min以下であることを特徴とする前記発明(1)又は前記発明(2)の酸化アルミニウム単結晶の製造方法である。
本発明(4)は、前記原料が酸化アルミニウムからなり、前記原料の純度が99.99%以上であることを特徴とする前記発明(1)乃至前記発明(3)の酸化アルミニウム単結晶の製造方法である。
本発明(5)は、前記坩堝の直径φcと前記加熱コイルの直径φWの比φc/φWが、0.4以上、0.6以下であることを特徴とする前記発明(1)乃至前記発明(4)の酸化アルミニウム単結晶の製造方法である。
本発明(6)は、前記発明(1)乃至前記発明(5)の酸化アルミニウム単結晶の製造方法により製造した酸化アルミニウム単結晶である。
本発明(7)は、坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φWの比φc/φWが、0.4以上、0.6以下であることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造装置である。
酸化アルミニウム単結晶が成長する際に結晶中に気泡が発生する原因は、融液中に存在する過飽和の酸素原子(O)や酸素分子(O2)のためであり、これらの酸素が育成した単結晶に取り込まれるためであることが知られている。しかし、融液中にこれらの酸素原子や酸素分子が過飽和に存在する原因は知られていなかった。また、結晶中にサブグレインが発生する原因については十分な解明がなされていなかった。
本願発明者等は、鋭意研究を重ねた結果、これらの原因が、融液中に原料として投入する酸化アルミニウム(Al2O3)の一部が酸素原子や酸素分子を放出し、同時に、酸素が欠乏した酸化アルミニウム(Al2O3-x)が生成するためであることを見出した。このAl2O3-xが酸化アルミニウム単結晶の成長界面において過飽和状態となりセル成長を促すことでサブグレインが発生すると考えられる。
本願発明者等は、得られた知見から、
1.原料である酸化アルミニウムとして純度の高いものを用いる、及び、
2.酸素が欠乏した酸化アルミニウムの生成を抑制するため、結晶成長雰囲気に一定量の酸素を混入する
ことにより、結晶中の気泡やサブグレインの発生を抑制できると考え、実験の結果、これらの手段により高品質の単結晶製造に優れた効果が得られることがわかった。
本発明の技術を用いて酸化アルミニウム単結晶を育成するには、一般的なチョクラルスキー法による酸化物単結晶育成装置を使用できる。図1は、チョクラルスキー法による結晶製造装置の断面図である。図1に示す結晶製造装置1は、貴金属で形成された坩堝2と、坩堝の周囲に配置した保温材としても機能するアルミナなどからなる炉材4と、炉材の周囲に配置された加熱装置として機能する高周波コイルとからなる。装置1には、炉体内を減圧する減圧手段と、減圧度をモニターする圧力測定手段と、炉体温度を測定する温度測定手段と、炉体内に酸素及び窒素などの不活性ガスの混合ガスを供給する手段とが設けられる。
単結晶原料であるアルミナの融点が2000℃強であるため、坩堝の材料はイリジウムを用いるのが好ましい。保温材としては、発泡ジルコニア等の断熱材を充填してもよい。坩堝の上方には、材料融液6から単結晶を回転させながら引き上げるための引き上げ装置2が設けられ、炉材の上方は遮蔽材で遮蔽されている。
単結晶の原料である酸化アルミニウムの純度は、4N以上(99.99%以上)の原料を用いるのが好ましい。4N以上の原料を用いると、結晶中の気泡やサブグレインの発生が極めて少ない優れた結晶が製造可能である。
類似技術として、特許文献1に窒化アルミニウム単結晶の製造方法が開示されている。特許文献1は、原料であるアルミニウムと坩堝の原料である窒化アルミニウムから溶出する窒素との反応により窒化アルミニウム単結晶を製造する技術である。純度が99%以上、特に、99.99%以上の原料を用いて製造するのが好ましいと記載されている。しかし、特許文献1に記載された技術は、アルミニウムを原料として窒化アルミニウム単結晶を製造する技術であって、酸化アルミニウムを原料として酸化アルミニウム単結晶を製造する本発明の技術とは全く異なるものである。また、特許文献1に記載された原料の純度を高くする目的は、単に純度の高い単結晶を得るためのものであり、純度の高い原料を用いることによりサブグレインの発生を抑制する本発明の技術とは異なるものである。従って、特許文献1に開示された技術から、本発明に係る技術を容易に考案し得るものではない。
また、気泡やサブグレインの発生には、導入する酸素の流量も影響することがわかった。酸素流量が2〜18mL/minの範囲では気泡、サブグレインの発生がなかった。
単結晶の育成は、原料の純度、育成雰囲気を上記した条件とする以外は、一般的な酸化アルミニウムの製造条件に従い、種結晶の回転数や引き上げ速度を調整して、結晶のネック部及び肩部を形成し、引き続き直胴部を形成する。この時、放射温度計などの温度測定手段を用い、単結晶と原料融液との界面近傍における融液表面の温度を測定するのが好ましい。結晶形状の調節は、育成中の結晶重量を測定し、直径や育成速度などを計算により導き出し、回転速度や引き上げ速度を調整して行う。また、結晶重量の変化を高周波誘導コイルに対する投入電力にフィードバックして融液温度をコントロールする。
また、結晶育成中の融液の対流を効率的に制御するには、坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φWとの比を、0.4以上、0.6以下とするのが好ましく、高品質な結晶の製造に優れた効果が得られる。
以上説明した技術を用いることで、融液中に含まれる過剰なガスが減少し、その結果、単結晶育成時に結晶内に析出する気泡がなくなる。また、単結晶の育成時も、結晶育成雰囲気における酸素濃度を0.2〜1.0体積%、より好ましくは、0.3〜0.8体積%の範囲に調整することで、固液界面におけるセル成長を制御し、結晶欠陥密度を低減することが可能となる。
(実施例1)
高周波誘導加熱チョクラルスキー型育成炉を用い酸化アルミニウム単結晶を育成し、その表面及び内部を観察した。最初に、直径がφ100mmのイリジウム製坩堝に、出発原料として純度が4N(99.99%)の酸化アルミニウムを2kg投入した。原料を投入した坩堝を前記育成炉に投入し、炉内を真空にした後に窒素ガスを導入し、1.0L/minの流量でフローした。炉内が大気圧になった時点で坩堝の加熱を開始し、炉内の温度が酸化アルミニウムの融点に達するまで12時間かけて徐々に加熱した。原料の溶融後、酸素ガスを導入し5mL/minの流量でフローし、炉内の雰囲気が酸素0.5体積%となるようにした。その後、c軸方位に切り出した酸化アルミニウム単結晶を種結晶として用い、種結晶を溶液近くまで下降させた。この種結晶を毎分15回転の速度で回転させながら徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、引上速度2mm/hの速度で種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ100mmの単結晶が得られた。この単結晶を観察したところ、微小な気泡は観察されなかった。さらに、ウェハ状に切断・研磨し、偏光により内部を観察したところ、サブグレインの発生は認められなかった。
以上と同じ条件で、酸素濃度だけ0.2体積%及び1.0体積%として結晶を作製したところ、微小な気泡、サブグレインの発生は観察されなかった。
また、酸素濃度を0.1体積%及び1.5体積%として結晶を作製したところ、微小な気泡、サブグレインの発生が観察された。
(比較例1)
高周波誘導加熱チョクラルスキー型育成炉を用い酸化アルミニウム単結晶を育成し、その表面及び内部を観察した。最初に、直径がφ100mmのイリジウム製坩堝に、出発原料として純度が4N(99.99%)の酸化アルミニウムを2kg投入した。原料を投入した坩堝を前記育成炉に投入し、炉内を真空にした後に窒素ガスを導入し、1.0L/minの流量でフローした。炉内が大気圧になった時点で坩堝の加熱を開始し、炉内の温度が酸化アルミニウムの融点に達するまで12時間かけて徐々に加熱した。原料の溶融後、酸素ガスを導入し1mL/minの流量でフローし、炉内の雰囲気が酸素0.5体積%となるようにした。その後、c軸方位に切り出した酸化アルミニウム単結晶を種結晶として用い、種結晶を溶液近くまで下降させた。この種結晶を毎分15回転の速度で回転させながら徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、引上速度2mm/hの速度で種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ100mmの単結晶が得られた。この単結晶を観察したところ、微小な気泡は観察された。さらに、ウェハ状に切断・研磨し、偏光により内部を観察したところ、サブグレインの発生は認められた。
(比較例2)
高周波誘導加熱チョクラルスキー型育成炉を用い酸化アルミニウム単結晶を育成し、その表面及び内部を観察した。最初に、直径がφ100mmのイリジウム製坩堝に、出発原料として純度が4N(99.99%)の酸化アルミニウムを2kg投入した。原料を投入した坩堝を前記育成炉に投入し、炉内を真空にした後に窒素ガスを導入し、1.0L/minの流量でフローした。炉内が大気圧になった時点で坩堝の加熱を開始し、炉内の温度が酸化アルミニウムの融点に達するまで12時間かけて徐々に加熱した。原料の溶融後、酸素ガスを導入し20mL/minの流量でフローし、炉内の雰囲気が酸素0.5体積%となるようにした。その後、c軸方位に切り出した酸化アルミニウム単結晶を種結晶として用い、種結晶を溶液近くまで下降させた。この種結晶を毎分15回転の速度で回転させながら徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、引上速度2mm/hの速度で種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ100mmの単結晶が得られた。この単結晶を観察したところ、表面並びに内部にイリジウムが原因と考えられるインクルージョンが多数観察された。
(比較例3)
高周波誘導加熱チョクラルスキー型育成炉を用い酸化アルミニウム単結晶を育成し、その表面及び内部を観察した。最初に、直径がφ100mmのイリジウム製坩堝に、出発原料として純度が3N(99.9%)の酸化アルミニウムを2kg投入した。原料を投入した坩堝を前記育成炉に投入し、炉内を真空にした後に窒素ガスを導入し、1.0L/minの流量でフローした。炉内が大気圧になった時点で坩堝の加熱を開始し、炉内の温度が酸化アルミニウムの融点に達するまで12時間かけて徐々に加熱した。原料の溶融後、酸素ガスを導入し5mL/minの流量でフローし、炉内の雰囲気が酸素0.5体積%となるようにした。その後、c軸方位に切り出した酸化アルミニウム単結晶を種結晶として用い、種結晶を溶液近くまで下降させた。この種結晶を毎分15回転の速度で回転させながら徐々に降下させ、種結晶の先端を融液に接触させて温度を徐々に降下させながら、引上速度2mm/hの速度で種結晶を上昇させて結晶成長を行った。
その結果、直径50mm、直胴部の長さ100mmの単結晶が得られた。この単結晶を観察したところ、微小な気泡が多数観察された。さらに、ウェハ状に切断・研磨し、偏光により内部を観察したところ、サブグレインの発生が認められた。
(考察)
以上の観察結果を整理すると、表1に示す結果が得られた。原料の純度4N(99.99%)、酸素ガス流量5mL/min、酸素濃度0.2〜1.0体積%の場合は、微小な気泡やサブグレインが観察されなかったのに対し、原料の純度が3N(99.9%)の場合や、酸素ガス流量が1mL/min又は20mL/minの場合、酸素濃度が0.1、1.5体積%の場合は、微小な気泡、サブグレイン、又は、インクルージョンが観察され、良好な単結晶が得られなかった。なお、酸素ガス流量を1〜20mL/minの範囲で設定して結晶を作製したところ、2〜18mL/minの範囲では微小な気泡、サブグレイン、インクルージョンの発生が観察されなかった。
表1 酸化アルミニウム単結晶作製評価結果
2 引き上げ装置
3 坩堝
4 炉材
5 高周波コイル
6 融液
7 種結晶
8 引き上げ軸
9 アフターヒーター
Claims (7)
- 炉体内に配置した坩堝に単結晶製造用の原料を入れて加熱コイルにより加熱溶融し、前記原料が溶融した融液から単結晶を引き上げる溶融固化法により酸化アルミニウム単結晶を製造する方法において、前記炉体内部の雰囲気を不活性ガスと酸素ガスの混合ガスとし、前記酸素ガスの濃度を0.2体積%以上、1.0体積%以下とすることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記不活性ガスが、窒素ガスであることを特徴とする請求項1記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記炉体に前記酸素ガスを導入する流量が、2 mL/min以上、18mL/min以下であることを特徴とする請求項1又は2のいずれか1項記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記原料が酸化アルミニウムからなり、前記原料の純度が99.99%以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 前記坩堝の直径φcと前記加熱コイルの直径φWの比φc/φWが、0.4以上、0.6以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項記載の酸化アルミニウム単結晶の製造方法により製造した酸化アルミニウム単結晶。
- 坩堝の直径φcと加熱コイルの直径φWの比φc/φWが、0.4以上、0.6以下であることを特徴とする酸化アルミニウム単結晶の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228818A JP2010059031A (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228818A JP2010059031A (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010059031A true JP2010059031A (ja) | 2010-03-18 |
Family
ID=42186293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008228818A Pending JP2010059031A (ja) | 2008-09-05 | 2008-09-05 | 酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010059031A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102061522A (zh) * | 2010-11-05 | 2011-05-18 | 北京工业大学 | 大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法 |
CN103255478A (zh) * | 2012-04-06 | 2013-08-21 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种拉制白宝石单晶长晶炉结构改进及方法 |
CN106149048A (zh) * | 2015-07-02 | 2016-11-23 | 宁夏佳晶科技有限公司 | 一种ky法蓝宝石低真空晶体生长方法 |
KR102215441B1 (ko) * | 2020-08-31 | 2021-02-10 | 에스케이씨 주식회사 | 단열재 측정장치 및 단열재 측정방법 |
KR102262866B1 (ko) * | 2020-08-31 | 2021-06-08 | 에스케이씨 주식회사 | 잉곳성장용기의 특성예측방법 및 잉곳성장시스템 |
US11856678B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-12-26 | Senic Inc. | Method of measuring a graphite article, apparatus for a measurement, and ingot growing system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09286695A (ja) * | 1996-04-25 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶の製造方法 |
JP2005015271A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造装置及び単結晶の製造方法 |
JP2007230836A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2008207992A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | サファイア単結晶の製造方法 |
-
2008
- 2008-09-05 JP JP2008228818A patent/JP2010059031A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09286695A (ja) * | 1996-04-25 | 1997-11-04 | Toshiba Corp | 酸化物単結晶の製造方法 |
JP2005015271A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 単結晶の製造装置及び単結晶の製造方法 |
JP2007230836A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 |
JP2008207992A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | サファイア単結晶の製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102061522A (zh) * | 2010-11-05 | 2011-05-18 | 北京工业大学 | 大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法 |
CN103255478A (zh) * | 2012-04-06 | 2013-08-21 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种拉制白宝石单晶长晶炉结构改进及方法 |
CN103255478B (zh) * | 2012-04-06 | 2016-12-28 | 上海超硅半导体有限公司 | 一种拉制白宝石单晶长晶炉结构改进及方法 |
CN106149048A (zh) * | 2015-07-02 | 2016-11-23 | 宁夏佳晶科技有限公司 | 一种ky法蓝宝石低真空晶体生长方法 |
US11856678B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-12-26 | Senic Inc. | Method of measuring a graphite article, apparatus for a measurement, and ingot growing system |
KR102215441B1 (ko) * | 2020-08-31 | 2021-02-10 | 에스케이씨 주식회사 | 단열재 측정장치 및 단열재 측정방법 |
KR102262866B1 (ko) * | 2020-08-31 | 2021-06-08 | 에스케이씨 주식회사 | 잉곳성장용기의 특성예측방법 및 잉곳성장시스템 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6606638B2 (ja) | Fe−Ga基合金単結晶の育成方法及び育成装置 | |
US20110247547A1 (en) | Process for producing single-crystal sapphire | |
JP2008007353A (ja) | サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法 | |
JP4810346B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
JP2010059031A (ja) | 酸化アルミニウム単結晶、及び、その製造方法 | |
JP2008007354A (ja) | サファイア単結晶の育成方法 | |
US20110253031A1 (en) | Process for producing single-crystal sapphire | |
JP2015048296A (ja) | 単結晶の育成装置及び育成方法 | |
JP4905138B2 (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP6547360B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶の育成方法およびSGGG単結晶基板の製造方法 | |
JP2018150198A (ja) | 大口径ScAlMgO4単結晶並びにその育成方法及び育成装置 | |
JP4835582B2 (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP4904862B2 (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法及び得られる酸化アルミニウム単結晶 | |
JP4930166B2 (ja) | 酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP7113478B2 (ja) | るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法 | |
JP4957619B2 (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
JP2014162673A (ja) | サファイア単結晶コアおよびその製造方法 | |
JP4788444B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2007022865A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2019142740A (ja) | 多元系酸化物結晶の製造方法 | |
JP2009249207A (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
CN110284183B (zh) | ScAlMgO4单晶基板及其制造方法 | |
JP6500807B2 (ja) | CaMgZr置換型ガドリニウム・ガリウム・ガーネット(SGGG)単結晶の育成方法 | |
KR100831052B1 (ko) | 실리콘 단결정 잉곳의 산소농도 조절방법, 이를 사용하여제조된 잉곳 | |
JP2004217504A (ja) | 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110706 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121024 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20121225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130206 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |