JP4788444B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 107
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 77
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 77
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 77
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 104
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 102
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L barium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ba+2] WDIHJSXYQDMJHN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001626 barium chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 16
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 description 4
- 238000004031 devitrification Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L barium(2+);oxomethanediolate Chemical compound [Ba+2].[O-][14C]([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-DEQYMQKBSA-L 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
前記図1に示した構成を有するシリコン単結晶引上装置を用い、CZ法により多結晶シリコン原料の溶解およびその融液からの単結晶の引上げを行い、シリコン単結晶の良品率および石英ルツボ内表面の状態(斑点状に生成した結晶相の剥離状況)を調査した。
次に、印加電圧の効果を確認するため、印加電圧を0〜35Vの範囲で変更して、シリコン単結晶の良品率および石英ルツボ内表面の状態(リングの内側の剥離状況)に及ぼす影響を調査した。バリウム添加量は1ppmで一定とした。
2:カーボンルツボ
3:ルツボ軸
4:ヒーター
5:遮蔽部材
6:断熱材
7:シリコン融液
8:種結晶
9:引上げ軸
10:直流電源装置
11:シリコン単結晶
Claims (5)
- チョクラルスキー法により、石英ルツボ内で多結晶シリコンを溶融しこの融液から単結晶を引上げるシリコン単結晶の製造方法において、前記石英ルツボとして天然の石英粉末を原料とする石英ルツボの内表面側に合成石英を形成させた合成石英ルツボを用い、当該石英ルツボ側に負の電圧を印加するとともに、石英ルツボ内の多結晶シリコンにバリウム化合物を添加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン融液中のバリウムとしての濃度が0.1〜2ppmであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記バリウム化合物の添加に際し、塩化バリウム、酸化バリウム、水酸化バリウムおよび炭酸バリウムのうちの1種または2種以上を用いることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記印加電圧が1〜30Vであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記合成石英ルツボの天然の石英粉末を原料とする部分におけるアルミニウムの濃度が10ppm以上であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のシリコン単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102987A JP4788444B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | シリコン単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006102987A JP4788444B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | シリコン単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007277024A JP2007277024A (ja) | 2007-10-25 |
JP4788444B2 true JP4788444B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=38678879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006102987A Active JP4788444B2 (ja) | 2006-04-04 | 2006-04-04 | シリコン単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4788444B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5104437B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-12-19 | 株式会社Sumco | 炭素ドープ単結晶製造方法 |
JP5047227B2 (ja) * | 2009-05-27 | 2012-10-10 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶引き上げ装置 |
JP5500684B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2014-05-21 | 株式会社Sumco | シリカガラスルツボ及びその製造方法、シリコンインゴットの製造方法 |
JP5668717B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-02-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4237280B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2009-03-11 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
US6319313B1 (en) * | 1999-03-15 | 2001-11-20 | Memc Electronic Materials, Inc. | Barium doping of molten silicon for use in crystal growing process |
US6228165B1 (en) * | 1999-07-28 | 2001-05-08 | Seh America, Inc. | Method of manufacturing crystal of silicon using an electric potential |
JP4726436B2 (ja) * | 2004-05-31 | 2011-07-20 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボの製造方法 |
JP2006036568A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-02-09 | Sumco Corp | シリコン単結晶の引上げ方法および引上げ装置 |
-
2006
- 2006-04-04 JP JP2006102987A patent/JP4788444B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007277024A (ja) | 2007-10-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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