JP6868951B2 - 蒸気供給のためのシステムおよび方法 - Google Patents

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Description

関連出願への相互参照
本願は、２０１４年８月１日出願の米国仮特許出願第６２／０３２，２３４号の利益を主張する。上記出願の開示全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、基板処理システムに関し、特に、基板処理システムでの蒸気供給のためのシステムおよび方法に関する。
本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示するためのものである。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。
基板上に薄膜を蒸着および／またはエッチングするために、基板処理システムが利用されうる。基板処理システムは、通例、ペデスタル、静電チャック、プレートなどの基板支持体を備えた処理チャンバを備える。半導体ウエハなどの基板が、基板支持体上に配置されてよい。化学蒸着（ＣＶＤ）または原子層蒸着（ＡＬＤ）処理では、１または複数の前駆体を含むガス混合物が、基板上に薄膜を蒸着するために、処理チャンバに導入されうる。いくつかの基板処理システムでは、高周波（ＲＦ）プラズマが、化学反応を活性化するために利用されうる。
ガス前駆体のいくつかは、液体を気化させることによって生成される。このアプローチは、しばしば、ＡＬＤ蒸着（酸化シリコン蒸着など）に利用される。しかしながら、このアプローチは、通例、パルス化された液体流がしばしば制御困難であることから、液体の不完全な気化および高いランニングコストにより、高い欠陥率を有する。
基板処理システムのための蒸気供給システムが、液体前駆体を収容するためのアンプルと、アンプルを所定の温度まで選択的に加熱して、液体前駆体を少なくとも部分的に気化させるためのヒータと、を備える。加熱注入マニホルドが、流入口および流出口を備える。第１のバルブが、プッシュガス源と流体連通する流入口およびアンプルと流体連通する流出口を有する。第２のバルブが、アンプルから気化した前駆体を受け入れるための流入口および加熱注入マニホルドの流入口と流体連通する流出口を有する。バルブマニホルドが、加熱注入マニホルドの流出口と流体連通する第１のノードと、第１のノードと流体連通する流入口およびバキュームと流体連通する流出口を有する第３のバルブと、第１のノードと流体連通する流入口および第２のノードと流体連通する流出口を有する第４のバルブと、第２のノードと流体連通する流出口を有する第５のバルブと、第２のノードと流体連通する流出口を有する第６のバルブと、を備える。ガス分配装置が、第２のノードと流体連通している。
別の特徴において、ガス分配装置は、シャワーヘッドを含む。第７のバルブが、第２のバルブの流出口と流体連通する流入口を有する。制限オリフィスが、第２のバルブの流出口と流体連通している。第８のバルブが、制限オリフィスと流体連通する流入口および加熱注入マニホルドと流体連通する流出口を有する。
別の特徴において、第９のバルブが、第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および第５のバルブの流入口と流体連通する流出口を有する。第１０のバルブが、第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および第１のガスマニホルドからガス分配装置の背面にガスを供給する流出口を有する。
別の特徴において、第１０のバルブが、第２のガスマニホルドおよび第６のバルブの流入口と流体連通する流入口ならびにバキュームと流体連通する流出口を有する。
別の特徴において、コントローラが、ドーズ段階中に、第１のバルブを用いて、アンプルにプッシュガスを供給し；第２のバルブ、第７のバルブ、制限オリフィス、および、第８のバルブを用いて、アンプルから加熱注入マニホルドに気化前駆体を供給し；第４のバルブを用いて、加熱注入マニホルドからガス分配装置に気化前駆体を供給し；第１０のバルブを用いて、第２のガスマニホルドを迂回させるよう構成されている。
別の特徴において、ドーズ段階後に、コントローラは、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作する。
基板処理システムのための蒸気供給システムを動作させるための方法が：アンプルに液体前駆体を収容する工程と；液体前駆体を少なくとも部分的に気化させるのに十分な所定の温度までアンプルを加熱する工程と；複数の処理段階で動作する工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、プッシュガスを選択的に供給して、プッシュガスおよび気化前駆体をアンプルから加熱注入マニホルドに供給すること、プッシュガスにアンプルを迂回させて、気化前駆体を含まないプッシュガスを加熱注入マニホルドに供給すること、ならびに、プッシュガスをバキュームに迂回させて、プッシュガスも気化前駆体も加熱注入マニホルドに供給しないことの内の少なくとも１つを行う工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、処理チャンバのガス分配装置に接続されたバルブマニホルドを用いて、加熱注入マニホルドからのガスを選択的に受け入れる工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、バルブマニホルドを用いて、加熱注入マニホルドからバキュームにガスを選択的に迂回させる工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、バルブマニホルドを用いて、加熱注入マニホルドからガス分配装置にガスを選択的に供給する工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、バルブマニホルドを用いて、第１のガスマニホルドからガス分配装置にガスを選択的に供給する工程と；複数の処理段階の少なくとも１つの間に、バルブマニホルドを用いて、第２のガスマニホルドからガス分配装置にガスを選択的に供給する工程と、を備える。
別の特徴において、ガス分配装置は、シャワーヘッドを含む。ドーズ段階中に、アンプルにプッシュガスを供給し；アンプルから加熱注入マニホルドに気化前駆体を供給し；加熱注入マニホルドからガス分配装置に気化前駆体を供給し；第２のガスマニホルドを迂回させる。
別の特徴において、ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作する。
詳細な説明、特許請求の範囲、および、図面から、本開示を適用可能なさらなる領域が明らかになる。詳細な説明および具体的な例は、単に例示を目的としており、本開示の範囲を限定するものではない。
本開示は、詳細な説明および以下に説明する添付図面から、より十分に理解できる。
本開示に従って、基板処理システムを示す機能ブロック図。
本開示に従って、基板処理システムのための蒸気供給システムの一例を示す機能ブロック図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの一例を示すタイミング図。
図３の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図３の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図３の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図３の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図３の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図５の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図５の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図５の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図５の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図５の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図６の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図６の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図６の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図６の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図６の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図７の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図７の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図７の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図７の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図７の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図８の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図８の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図８の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図８の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図８の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図９の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図９の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図９の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図９の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図９の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図１０の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１０の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１０の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１０の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１０の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
蒸気供給システムにおけるバルブの開閉タイミングの別の例を示すタイミング図。
図１１の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１１の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１１の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１１の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。 図１１の１段階における蒸気供給システム内のバルブの動作を示す図。
本開示に従って、コントローラを示す機能ブロック図。
図１２のコントローラを動作させるための方法の一例を示すフローチャート。
図面において、同様および／または同一の要素を特定するために、同じ符号を用いる場合がある。
異なるガス前駆体が、酸化シリコンなどの薄膜の原子層蒸着に用いられる。一部のシステムにおいて、ガス前駆体は、気化された液体として供給されうる。このアプローチを用いる従来のシステムは、通例、液体前駆体の不十分な気化、基板処理システムのコールドスポットでの凝結、および、分解により、高い陥率を有する。安定的な薄膜特性を得るためのガス前駆体の連続的な液体流の性質により、ガス前駆体の６０％超が、非ドーズ段階中に浪費され、高い動作コストにつながる。
ベーパードロー（ｖａｐｏｒ ｄｒａｗ）またはフローオーバーベーパードロー（またはスイープガス）方式のシステムが用いられても、所与のシステムまたはシステム群での製造可能性および再現性は、システムのコンダクタンスへの流量の依存性およびコンダクタンス変動の補正方法の欠落により保証されない。温度が検知される場所と実際の液体−蒸気界面での温度との間の温度差により、他の問題が生じる。
さらに、ベーパードローまたはフローオーバーベーパー方式のシステムを用いる基板処理システムは、通例、低コストで高速のサイクルを可能にするために、前駆体で完全に充満されたガス分配装置（シャワーヘッドなど）に至るラインを含むモードなど、複数のモードで実行できない。
本開示に従った基板処理システムのための蒸気供給システムは、不活性搬送ガスと共に加熱ベーパードローアプローチを用いてガス前駆体を供給する。液体前駆体を収容するアンプルが、所定の蒸気圧を維持するために加熱される。搬送ガスが、安定した前駆体流を維持するためにアンプルを通して流れる。供給ラインに沿った十分な勾配加熱および正確な温度制御が、凝結および分解を防ぐ。
本開示に従った蒸気供給システムは、さらに、前駆体消費を削減するために、異なるドーズシーケンスを提供する。液体供給では、液体流制御（ＬＦＣ）の迅速な切り替えが困難であるという性質により、連続流が、安定した薄膜特性を達成するために用いられる。蒸気供給では、連続的な搬送ガスが維持され、前駆体蒸気がドーズ段階中にのみ導入される。一部の例において、前駆体消費は、連続流アプローチと比較すると、５０％超削減されうる。
液体注入供給と比較すると、本明細書に記載の蒸気搬送ガス方法は、安定した前駆体流に、完全気化、低凝結、および、低分解リスクを提供して、欠陥を削減する。加熱注入マニホルド（ＨＩＭ：ｈｅａｔｅｄ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｍａｎｉｆｏｌｄ）への直接液体注入の後に、ＨＩＭまたはガス分配装置（シャワーヘッドなど）内で蒸発させる代わりに、蒸気が、不活性搬送ガスによってＨＩＭに直接輸送される。
本開示に従った蒸気供給システムは、さらに、ドーズ段階中に安定した流れを維持すると共に他の段階中に前駆体を節約するように、バルブおよびドーズ流のタイミングを提供する。例えば、いくつかの実施例において、前駆体流は、ドーズ段階にのみ導入され、他の段階では遮断される。いくつかの実施例において、搬送ガスのためのダイバータバルブが、安定した前駆体蒸気供給のための安定した搬送ガス流を維持するために導入される。いくつかの実施例では、ガス供給装置に至るラインが完全に充満され、これは、バルブレイアウト、および、ガス供給装置に比較的近接して配置されたバルブマニホルドによって実施できる。本明細書に記載の蒸気供給システムにより、低コストを保ちつつ、前駆体段階とパージ段階との間または前駆体段階とＲＦ段階との間で最速のサイクルが可能になる。
アンプルから処理チャンバまでの流量は、コンダクタンスの関数である。一定したコンダクタンスを維持するために、様々な対処がなされる。駆動圧が、アンプル内の温度を一定に維持することによって制御され、これにより、一定の蒸気圧が提供される。アンプルの下流のコンダクタンスは、一定のコンダクタンスに調節可能である。
一部の例において、アンプルでは、ヒータジャケット上だけではなく、液体中でも温度測定される。連続補充システムが用いられてよい。一部の例において、連続補充システムは、超音波センサを備える。温度監視が、熱電対などの温度センサによって実行されてよい。例えば、第１の温度センサが、目標液面（例えば、アンプルの最大量の約５０％）に配置されてよく、第２の温度センサが、補充口の近くのアンプルの底部に配置されてよい。
蒸気圧は、液体と蒸気との間の界面における温度に依存するので、蒸気供給システムは、液面にある温度センサからの温度読み取り値に基づいて制御される。液体補充が行われると、加熱された液体の温度は低下する。したがって、補充中および／または補充後の所定の期間中、蒸気供給システムは、補充中に第２の温度センサによって検知された温度または第１および第２の温度センサの関数に基づいて制御されてよい。あるいは、２以上の別個の温度センサを備えた２以上のヒータ領域が、液体の温度を制御して対象領域に一定の温度を提供するために用いられてもよい。
上記の変更の組み合わせにより、温度およびコンダクタンスの制御の改善が可能であり、経時的かつ複数のツールにわたってアンプルからの流量を再現できるようになる。
ここで、図１を参照すると、基板処理システム１０の一例が示されている。基板処理システム１０は、処理チャンバ１２を備える。ガスが、ガス分配装置１４（シャワーヘッドまたはその他の装置など）を用いて処理チャンバ１２に供給されてよい。半導体ウエハなどの基板１８が、処理中に基板支持体１６上に配置されてよい。基板支持体１６は、ペデスタル、静電チャック、機械式チャック、または、その他のタイプの基板支持体を含みうる。
１または複数のガス供給システム２０が提供されてよい。例えば、ガス供給システム２０は、１または複数のガス源２２−１、２２−２、・・・、および、２２−Ｎ（集合的に、ガス源２２）を備えてよく、ここで、Ｎはゼロより大きい整数である。バルブ２４−１、２４−２、・・・、および、２４−Ｎ（集合的に、バルブ２４）、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２６−１、２６−２、および、２６−Ｎ（集合的に、ＭＦＣ２６）、または、その他の流量制御装置が、前駆体、反応ガス、不活性ガス、パージガス、および、それらの混合物を、処理チャンバ１２にガス混合物を供給するマニホルド３０に、制御可能に供給するために用いられてよい。
コントローラ４０が、（センサ４１を用いて）温度、圧力などの処理パラメータを監視し、処理タイミングを制御するために用いられてよい。コントローラ４０は、バルブ、ガス供給システム２０、ペデスタルヒータ４２、および／または、プラズマ発生器４６などの処理装置を制御するために用いられてよい。コントローラ４０は、バルブ５０およびポンプ５２を用いて処理チャンバ１２を排気するために用いられてもよい。
ＲＦプラズマ発生器４６は、処理チャンバ内にＲＦプラズマを発生させる。ＲＦプラズマ発生器４６は、誘導タイプまたは容量タイプのＲＦプラズマ発生器であってよい。一部の例において、ＲＦプラズマ発生器４６は、ＲＦ電源６０および整合／配電ネットワーク６４を備えてよい。図では、ＲＦプラズマ発生器４６がガス分配装置１４に接続され、ペデスタルが接地または浮遊しているが、ＲＦプラズマ発生器４６が基板支持体１６に接続され、ガス分配装置１４が接地または浮遊していてもよい。
ここで、図２を参照すると、本開示に従った蒸気供給システム１００は、液体前駆体を気化させることによって１または複数のガス前駆体を供給するために用いられてよい。プッシュガス源１１０が、バルブＶ２１５、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１１４、および、バルブＶ２１０を用いて、ノード１１５にプッシュガスを供給してよい。単に例として、バルブの各々は、電子的に制御されてよく、流入口と、流出口と、１または複数の制御端子とを備えてよい。バルブＶ２０２が、ノード１１５でガスをバキュームに流すために選択的に用いられてよい。ノード１１５は、さらに、バルブＶ２１４によって、液体前駆体１２０を収容するアンプル１１８に接続されている。動作中、プッシュガスは、バルブＶ２１４に供給されてよく、気化した前駆体は、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８から流れ出てよい。バイパスバルブＶ２１３が、ノード１１５と、バルブＶ２０５に接続されたノード１１６とに接続されてよい。
アンプル１１８は、液体前駆体１２０の温度を制御する１または複数のヒータ１２１を備えてよい。１または複数の温度センサすなわち熱電対１２３および１２５が、アンプル１１８内の様々な位置で液体前駆体の温度を検知するために提供されてよい。例えば、温度センサ１２３は、目標充填レベルに配置されてよく、温度センサ１２５は、アンプル１１８の底部に配置されてよい。
レベルセンサ１２７（超音波センサまたはその他のレベルセンサなど）が、アンプル１１８内の前駆体のレベルを検知するために提供されてよい。前駆体供給源１２９が、アンプル１１８内の前駆体のレベルに基づいて必要なだけアンプル１１８に前駆体を供給してアンプル１１８を選択的に補充するために用いられてよい。一部の例において、前駆体供給源１２９は、バルブ１３１と、ポンプ１３３と、バルク貯蔵容器１３５とを備えてよいが、他のアプローチが用いられてもよい。
バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５が、ノード１１６を加熱注入マニホルド（ＨＩＭ）１３４に接続するために用いられてよい。制限オリフィス１４２は、固定制限オリフィス、可変制限オリフィス、または、固定制限オリフィスと可変制限オリフィスとの組み合わせを含みうる。ＨＩＭ１３４は、気化した前駆体をアンプル１１８から受け入れる第１の流入口と、流出口とを備える。マニホルド１４４が、バルブＶ４６によってＨＩＭ１３４に接続されてよい。マニホルド１４４は、全段階または段階の一部の間に、窒素分子Ｎ２または／およびアルゴン（Ａｒ）などのガスを供給するか、もしくは、どの段階中にも供給しない。ＨＩＭ１３４は、さらに、バルブマニホルド１４６に接続されている。
バルブマニホルド１４６は、１または複数のバルブを備えてよい。例えば、図に示すように、バルブマニホルド１４６は、バルブＶ６９、Ｖ１６４、Ｖ１６５、および、Ｖ１６６を備えている。マニホルド１６０が、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３に接続されている。ノード１６３は、さらに、シャワーヘッド１４に接続されている。バルブＶ６９は、ノード１６３、マニホルド１５０、および、ダイバータバルブＶ１６７に接続されており、ダイバータバルブＶ１６７は、マニホルド１５０からガスを選択的に迂回させるために提供されてよい。バルブＶ１６４の流出口は、ノード１６６に接続されており、バルブＶ１６４の流入口は、ノード１６３に接続されている。バルブＶ１６６は、ノード１６６を制限オリフィス１４５およびバキュームに接続する。制限オリフィス１４５は、固定制限オリフィス、可変制限オリフィス、または、固定制限オリフィスと可変制限オリフィスとの組み合わせを含みうる。
一部の例では、マニホルド１７１が、バルブＶ４４によってバルブＶ８９およびＶ１６５Ｂの間のノード１７３に選択的に接続される。マニホルド１７１は、バルブＶ３６にバキュームによって選択的に接続される。一部の例において、このマニホルドはアルゴン（Ａｒ）を供給するが、その他のガスが供給されてもよい。
ここで、図３および図３Ａ〜図３Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図３および図３Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４を用いてバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図３および図３Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。ＨＩＭ１３４の流出口は、バルブＶ１６６および制限オリフィス１４５によってバキュームに迂回される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図３および図３Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。ＨＩＭ１３４の流出口は、バルブＶ１６６および制限オリフィス１４５によってバキュームに迂回される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図３および図３Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。ＨＩＭ１３４の流出口は、バルブＶ１６６および制限オリフィス１４５によってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図３および図３Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。ＨＩＭ１３４の流出口は、バルブＶ１６６および制限オリフィス１４５によってバキュームに迂回される。マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
単に例として、プッシュガス源１１０は、アルゴンなどの不活性ガスであってよいが、その他の不活性ガスすなわちプッシュガスが用いられてもよい。マニホルド１４４は、窒素分子Ｎ２を供給してよいが、その他のガスが用いられてもよい。バルブＶ１６２によって供給されるパージガスは、窒素分子Ｎ２を含んでよいが、その他のガスが用いられてもよい。バルブＶ８９およびＶ１６５によって供給されるバーストパージガス（ｂｕｒｓｔ ｐｕｒｇｅ ｇａｓ）は、Ａｒ／Ｎ２を含んでよいが、その他のパージガスが用いられてもよい。マニホルド１５０は、Ｏ２／Ｎ２Ｏ／Ａｒなどのガス混合物を供給してよいが、その他のガス混合物が提供されてもよい。
ここで、図４を参照すると、動作は、図３および図３Ａ〜図３Ｅに関して上述したものと同様である。ただし、低流量コンダクタンスが、迂回中にバルブＶ１６４およびＶ１６６によって維持される。
ここで、図５および図５Ａ〜図５Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図５および図５Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４を用いてバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図５および図５Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４によってシャワーヘッド１４に供給される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図５および図５Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４によってシャワーヘッド１４に供給される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図５および図５Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４によってシャワーヘッド１４に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図５および図５Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４によってシャワーヘッド１４に供給される。マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
ここで、図６および図６Ａ〜図６Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図６および図６Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４を用いてバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図６および図６Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図６および図６Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図６および図６Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１３、バルブＶ２０６、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図６および図６Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１４、バルブＶ２０５、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
ここで、図７および図７Ａ〜図７Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図７および図７Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４を用いてバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図７および図７Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回する。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図７および図７Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回させる。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図７および図７Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回させる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図７および図７Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１４、バルブＶ２０５、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
ここで、図８および図８Ａ〜図８Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図８および図８Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。さらに、ガスが、マニホルド１４４からＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４を用いてバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図８および図８Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回させる。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ１６６によってバキュームに向け直される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図８および図８Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回させる。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ１６６によってバキュームに向け直される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図８および図８Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて供給される。バルブＶ２０２は、プッシュガスをバキュームへ迂回させる。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ１６６によってバキュームに向け直される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図８および図８Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、バルブＶ２１４、バルブＶ２０５、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。ガスが、マニホルド１４４によってＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６によってバキュームに迂回される。マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
ここで、図９および図９Ａ〜図９Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図９および図９Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。さらに、ガスが、バルブＶ４６を介してマニホルド１４４からＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４によってバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を介してマニホルド１６０からシャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図９および図９Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４Ｂによってシャワーヘッド１４へ供給される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図９および図９Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４Ｂによってシャワーヘッド１４へ供給される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってノード１６３を経てシャワーヘッド１４に方向付けられる。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図９および図９Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６Ｂによってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図９および図９Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１４、２０５、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６Ｂによってバキュームに迂回される。さらに、マニホルド１６０の出力は、バルブＶ８９およびＶ１６５によってシャワーヘッド１４に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によってバキュームに迂回される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
単に例として、ドーズ段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ段階は、０秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ後段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ＲＦ段階は、０．６秒の持続期間を有してよく、ＲＦ後段階は、０．１秒の持続期間を有してよいが、その他の持続期間が用いられてもよい。ドーズパージ段階は、一部の例において、ゼロまたは非ゼロの持続期間を有してよい。
ここで、図１０および図１０Ａ〜図１０Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図１０および図１０Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。さらに、ガスが、マニホルド１４４からＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４によってバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を介して、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。
図１０および１０Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６４Ｂによってシャワーヘッド１４へ供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図１０および１０Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６Ｂによってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図１０および１０Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１３、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６Ｂによってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
図１０および１０Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、気化した前駆体が、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、Ｖ２１４、Ｖ２０５、Ｖ２０６、および、Ｖ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスも、ＨＩＭ１３４に供給される。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６Ｂによってバキュームに迂回される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。
単に例として、ドーズ段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ段階は、０秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ後段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ＲＦ段階は、０．６秒の持続期間を有してよく、ＲＦ後段階は、０．１秒の持続期間を有してよいが、その他の持続期間が用いられてもよい。ドーズパージ段階は、一部の例において、ゼロまたは非ゼロの持続期間を有してよい。
ここで、図１１および図１１Ａ〜図１１Ｅを参照すると、図２のバルブの動作の一例が示されている。図１１および図１１Ａにおいて、ドーズ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、バルブＶ２１０、および、バルブＶ２１４を用いて、アンプル１１８に供給される。気化した前駆体が、バルブＶ２０５を用いてアンプル１１８を出て、バルブＶ２０６、制限オリフィス１４２、および、バルブＶ５５を用いて、ＨＩＭ１３４に流れる。さらに、ガスが、マニホルド１４４からＨＩＭ１３４に流れる。気化した前駆体は、バルブＶ１６４によってバルブマニホルド１４６を通ってシャワーヘッド１４に至る。パージガスが、バルブＶ１６２を介して、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１５０は、バルブＶ１６７によって迂回される。マニホルド１７１は、バルブＶ８９が閉じられた状態で、バルブＶ４４およびＶ１６５Ｂを介してシャワーヘッド１４にガスを供給する。一部の例において、バルブは、アルゴン（Ａｒ）を供給するが、その他のガスが用いられてもよい。
図１１および図１１Ｂにおいて、ドーズパージ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて、バルブＶ２１４、Ｖ２１３、および、Ｖ２０２の片側に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ４６によってＨＩＭ１３４に方向付けられる。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６ＢおよびＶ１６４Ｂの片側に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によって迂回される。ガスが、バルブＶ８９およびＶ１６５Ｂを介してマニホルド１６０からシャワーヘッド１４へ供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１７１は、バルブＶ３６によってバキュームに迂回される。
図１１および図１１Ｃにおいて、ドーズパージ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて、バルブＶ２１４、Ｖ２１３、および、Ｖ２０２の片側に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ４６によってＨＩＭ１３４に方向付けられる。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６ＢおよびＶ１６４Ｂの片側に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッド１４に供給される。ガスが、バルブＶ８９およびＶ１６５Ｂを介してマニホルド１６０からシャワーヘッド１４へ供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１７１は、バルブＶ３６によってバキュームに迂回される。
図１１および図１１Ｄにおいて、ＲＦ段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて、バルブＶ２１４、Ｖ２１３、および、Ｖ２０２の片側に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ４６によってＨＩＭ１３４に方向付けられる。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６ＢおよびＶ１６４Ｂの片側に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ６９Ｂによってシャワーヘッドに供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１７１は、バルブＶ３６によってバキュームに迂回される。
図１１および図１１Ｅにおいて、ＲＦ後段階中に、プッシュガスが、バルブＶ２１５、ＭＦＣ１１４、および、バルブＶ２１０を用いて、バルブＶ２１４、Ｖ２１３、および、Ｖ２０２の片側に供給される。マニホルド１４４によって供給されたガスは、バルブＶ４６によってＨＩＭ１３４に方向付けられる。ＨＩＭ１３４の出力は、バルブＶ１６６ＢおよびＶ１６４Ｂの片側に供給される。マニホルド１５０の出力は、バルブＶ１６７によってバキュームに迂回される。ガスが、バルブＶ８９およびＶ１６５Ｂを介してマニホルド１６０からシャワーヘッド１４へ供給される。パージガスが、バルブＶ１６２を用いて、シャワーヘッド１４の背面に供給されてよい。マニホルド１７１は、バルブＶ３６によってバキュームに迂回される。
単に例として、ドーズ段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ段階は、０．３秒の持続期間を有してよく、ドーズパージ後段階、０．１秒の持続期間を有してよく、ＲＦ段階は、０．４秒の持続期間を有してよく、ＲＦ後段階は、０．１５秒の持続期間を有してよいが、その他の持続期間が用いられてもよい。
ここで、図１２を参照すると、コントローラ４０は、温度フィードバックを提供してヒータ１２１を制御するために、温度センサすなわち熱電対１２３および１２５に接続されてよい。コントローラ４０は、さらに、アンプル１１８の前駆体充填レベルを制御するために、レベルセンサ１２７と通信してよい。コントローラ４０は、さらに、蒸気供給システムのラインの内の１または複数のラインに配置された圧力調整器２７１の調節を可能にするために、１または複数の圧力センサ２７０を監視してよい。コントローラ４０は、さらに、制限オリフィス１４２を制御してラインのコンダクタンスを調節するために用いられてもよい。一部の例において、制限オリフィス１４２は、１または複数のシステムセンサからのフィードバックに基づいて調節されてよい。コントローラ４０は、さらに、集合的に符号２７４で示したバルブおよびＭＦＣ１１４と通信する。コントローラ４０は、マニホルド１４４、１５０、および、１６０に関連するものなど、１または複数のガス供給システム（集合的に符号２８０で示す）と通信する。
ここで、図１３を参照すると、バルブを制御するための方法の一例が示されている。工程３２０で、制御は、蒸気が供給されるべきか否かを判定する。真の場合、制御は、工程３２４に進み、ドーズ段階中にバルブを制御する。ドーズ段階が工程３２６で判定されたように終了すると、制御は、工程３３０に進み、ドーズパージ段階中にバルブを制御する。ドーズパージ段階が工程３３４で判定されたように終了すると、制御は、工程３３８に進み、ドーズパージ後段階中にバルブを制御する。ドーズパージ後段階が工程３４０で判定されたように終了すると、制御は、工程３４４に進み、ＲＦ段階中にバルブを制御する。ＲＦ段階が工程３４８で判定されたように終了すると、制御は、工程３５２に進み、ＲＦ後段階中にバルブを制御する。ＲＦ後段階が工程３５６で判定されたように終了すると、制御は終了する。方法は、基板に対して１または複数回繰り返されてよい。
上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。方法に含まれる１または複数の段階が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。
本願では、以下の定義を含め、コントローラという用語は、回路という用語と交換可能である。コントローラという用語は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）；デジタル、アナログ、または、アナログ／デジタル混合ディスクリート回路；デジタル、アナログ、または、アナログ／デジタル混合集積回路；組み合わせ論理回路；フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）；コードを実行する（共有、専用、または、グループ）プロセッサ回路；プロセッサ回路によって実行されるコードを格納する（共有、専用、または、グループ）メモリ回路；記述された機能を提供するその他の適切なハードウェアコンポーネント；もしくは、システムオンチップなどの上記の一部または全部の組み合わせ、を指しうる、の一部でありうる、もしくは、を含みうる。
コントローラは、１または複数のインターフェース回路を備えてよい。いくつかの例において、インターフェース回路は、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、インターネット、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）、または、それらの組み合わせに接続された有線または無線のインターフェースを含みうる。本開示の任意のコントローラの機能は、インターフェース回路を用いて接続された複数のコントローラ間に分散されてもよい。例えば、複数のコントローラは、負荷バランシングが可能であってよい。さらなる例において、サーバ（リモートまたはクラウドとしても知られる）コントローラが、クライアントコントローラの代わりにいくつかの機能を実現してもよい。
コードという用語は、上記で用いられているように、ソフトウェア、ファームウェア、および／または、マイクロコードを含んでよく、プログラム、ルーチン、関数、クラス、データ構造、および／または、オブジェクトを指しうる。共有プロセッサ回路という用語は、複数のコントローラからのコードの一部または全部を実行する単一のプロセッサ回路を含む。グループプロセッサ回路という用語は、さらなるプロセッサ回路と共に、１または複数のコントローラからのコードの一部または全部を実行するプロセッサ回路を含む。複数のプロセッサ回路とは、別個のダイ上の複数のプロセッサ回路、単一のダイ上の複数のプロセッサ回路、単一のプロセッサ回路の複数のコア、単一のプロセッサ回路の複数のスレッド、または、上記の組み合わせを含む。共有メモリ回路という用語は、複数のコントローラからのコードの一部または全部を格納する単一のメモリ回路を含む。グループメモリ回路という用語は、さらなるメモリと共に、１または複数のコントローラからのコードの一部または全部を格納するメモリ回路を含む。
メモリ回路という用語は、コンピュータ読み取り可能な媒体という用語のサブセットである。コンピュータ読み取り可能な媒体という用語は、本明細書で用いられているように、（搬送波上などで）媒体を通して伝搬する一時的な電気または電磁信号を含まないため、有形かつ非一時的なものと見なされてよい。非一時的な有形のコンピュータ読み取り可能媒体の例は、不揮発性メモリ回路（フラッシュメモリ回路またはマスク読み出し専用メモリ回路など）、揮発性メモリ回路（スタティックランダムアクセスメモリ回路およびダイナミックランダムアクセスメモリ回路など）、ならびに、二次ストレージ（磁気ストレージ（磁気テープまたはハードディスクドライブなど）および光学ストレージなど）を含むが、これらに限定されない。
本願に記載の装置および方法は、コンピュータプログラム内に具現化された１または複数の特定の機能を実行するように汎用コンピュータを構成することによって作られた専用コンピュータによって部分的または完全に実施されてよい。コンピュータプログラムは、少なくとも１つの非一時的な有形のコンピュータ読み取り可能媒体に格納されたプロセッサ実行可能な命令を含む。また、コンピュータプログラムは、格納されたデータを含んでもよいし、格納されたデータに依存してもよい。コンピュータプログラムは、専用コンピュータのハードウェアと相互作用する基本入出力システム（ＢＩＯＳ）、専用コンピュータの特定のデバイスと相互作用するデバイスドライバ、１または複数のオペレーティングシステム、ユーザアプリケーション、バックグラウンドサービスおよびアプリケーションなどを含みうる。コンピュータプログラムは以下を含みうる：（ｉ）アセンブリコード；（ｉｉ）コンパイラによってソースコードから生成されたオブジェクトコード；（ｉｉｉ）インタープリタによる実行のためのソースコード；（ｉｖ）実行時コンパイラによるコンパイルおよび実行のためのソースコード；（ｖ）ＨＴＭＬ（ハイパーテキストマークアップ言語）またはＸＭＬ（拡張マークアップ言語）など、構文解析のための記述テキストなど。単に例として、ソースコードは、Ｃ、Ｃ＋＋、Ｃ＃、Ｏｂｊｅｃｔｉｖｅ−Ｃ、Ｈａｓｋｅｌｌ、Ｇｏ、ＳＱＬ、Ｌｉｓｐ、Ｊａｖａ（登録商標）、ＡＳＰ、Ｐｅｒｌ、Ｊａｖａｓｃｒｉｐｔ（登録商標）、ＨＴＭＬ５、Ａｄａ、ＡＳＰ（アクティブサーバページ）、Ｐｅｒｌ、Ｓｃａｌａ、Ｅｒｌａｎｇ、Ｒｕｂｙ、Ｆｌａｓｈ（登録商標）、Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ（登録商標）、Ｌｕａ、または、Ｐｙｔｈｏｎ（登録商標）で書かれてよい。
要素が明確に「ｍｅａｎｓ ｆｏｒ（ための手段）」という表現を用いて記載されていない限りは、もしくは、「ｏｐｒａｔｉｏｎ ｆｏｒ（ための動作）」または「ｓｔａｇｅ ｆｏｒ（ための段階）」という表現を用いた方法請求項の場合には、請求項に記載の要素は、米国特許法第１１２条（ｆ）の意義の範囲内でミーンズ・プラス・ファンクション要素であることを意図されていない。

本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。

適用例１：
基板処理システムのための蒸気供給システムであって、
液体前駆体を収容するためのアンプルと、
前記アンプルを所定の温度まで選択的に加熱して、前記液体前駆体を少なくとも部分的に気化させるためのヒータと、
流入口および流出口を備えた加熱注入マニホルドと、
プッシュガス源と流体連通する流入口および前記アンプルと流体連通する流出口を有する第１のバルブと、
前記アンプルから気化前駆体を受け入れるための流入口および前記加熱注入マニホルドの前記流入口と流体連通する流出口を有する第２のバルブと、
バルブマニホルドであって、
前記加熱注入マニホルドの流出口と流体連通する第１のノードと、
前記第１のノードと流体連通する流入口およびバキュームと流体連通する流出口を有する第３のバルブと、
前記第１のノードと流体連通する流入口および第２のノードと流体連通する流出口を有する第４のバルブと、
前記第２のノードと流体連通する流出口を有する第５のバルブと、
前記第２のノードと流体連通する流出口を有する第６のバルブと、を備えた、バルブマニホルドと、
前記第２のノードと流体連通するガス分配装置と、
を備える、蒸気供給システム。

適用例２：
適用例１の蒸気供給システムであって、前記ガス分配装置は、シャワーヘッドを含む、蒸気供給システム。

適用例３：
適用例１の蒸気供給システムであって、さらに、
前記第２のバルブの前記流出口と流体連通する流入口を有する第７のバルブと、
前記第２のバルブの前記流出口と流体連通する制限オリフィスと、
前記制限オリフィスと流体連通する流入口および前記加熱注入マニホルドと流体連通する流出口を有する第８のバルブと、
を備える、蒸気供給システム。

適用例４：
適用例３の蒸気供給システムであって、さらに、
第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および前記第５のバルブの流入口と流体連通する流出口を有する第９のバルブを備える、蒸気供給システム。

適用例５：
適用例４の蒸気供給システムであって、さらに、前記第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置の背面にガスを供給する流出口を有する第１０のバルブを備える、蒸気供給システム。

適用例６：
適用例４の蒸気供給システムであって、さらに、第２のガスマニホルドおよび前記第６のバルブの流入口と流体連通する流入口ならびにバキューム源と流体連通する流出口を有する第１０のバルブを備える、蒸気供給システム。

適用例７：
適用例６の蒸気供給システムであって、さらに、
ドーズ段階中に、
前記第１のバルブを用いて、前記アンプルにプッシュガスを供給し、
前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記アンプルから前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、
前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドから前記ガス分配装置に前記気化前駆体を供給し、
前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドを迂回させるよう構成されたコントローラを備える、蒸気供給システム。

適用例８：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、
前記第１のバルブを用いて、前記アンプルにプッシュガスを供給し、
前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記アンプルから前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、
前記前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドからバキュームに前記気化前駆体を迂回させ、
前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例９：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに、そして、前記第４のバルブを用いて、前記ガス分配装置に、前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、
前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１０：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドからバキュームに前記プッシュガスを迂回させ、
前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１１：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記プッシュガスをバキュームに迂回させ、
前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１２：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記プッシュガスをバキュームに迂回させ、第３のガスマニホルドから前記加熱注入マニホルドにガスを供給し、前記第３のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの前記流出口を迂回させ、
前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１３：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、前記第８のバルブ、および、前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドおよび前記ガス分配装置に前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階および前記ＲＦ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力を迂回させ、
前記ＲＦ後段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに気化前駆体を供給し、前記第３のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力を迂回させ、
前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１４：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズパージ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、前記第８のバルブ、および、前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドおよび前記ガス分配装置に前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ドーズパージ後段階および前記ＲＦ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力を迂回させ、
前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
前記ＲＦ後段階中に、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに気化前駆体を供給し、前記第３のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力を迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１５：
適用例７の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
前記ドーズ段階中に、前記第９のバルブが閉じられた状態で、第３のマニホルドから第１１のバルブおよび前記第５のバルブを通して前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ段階中に、前記加熱注入マニホルドにパージガスも気化前駆体も供給せず、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ドーズパージ後段階中に、前記加熱注入マニホルドにパージガスも気化前駆体も供給せず、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ段階中に、前記加熱注入マニホルドにパージガスも気化前駆体も供給せず、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
前記ＲＦ後段階中に、前記加熱注入マニホルドにパージガスも気化前駆体も供給せず、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給するよう構成されている、蒸気供給システム。

適用例１６：
適用例１の蒸気供給システムであって、さらに、
前記アンプル内の前記液体前駆体のレベルを検知するためのレベルセンサと、
前記レベルに基づいて、前記アンプル内の前記液体前駆体のレベルを自動的に維持するための前駆体供給源と、を備える、蒸気供給システム。

適用例１７：
適用例１６の蒸気供給システムであって、さらに、
前記アンプル内の第１の位置で前記液体前駆体の温度を検知するための第１の温度センサと、
前記アンプル内の第２の位置で前記液体前駆体の温度を検知するための第２の温度センサと、
を備え、
前記第１の位置は、目標充填レベルに配置され、前記第２の位置は、前記目標充填レベルと補充位置との間に配置される、蒸気供給システム。

適用例１８：
適用例１の蒸気供給システムであって、前記ガス分配装置は、基板処理チャンバ内に配置され、原子層蒸着および化学蒸着の少なくとも一方が、前記基板処理チャンバ内で実行される、蒸気供給システム。

適用例１９：
適用例１８の蒸気供給システムであって、さらに、前記基板処理チャンバ内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生器を備える、蒸気供給システム。

Claims (19)

  1. 基板処理システムのための蒸気供給システムであって、
    液体前駆体を収容するためのアンプルと、
    前記アンプルを所定の温度まで選択的に加熱して、前記液体前駆体を少なくとも部分的に気化させ気化前駆体を形成するためのヒータと、
    流入口および流出口を備えた加熱注入マニホルドと、
    プッシュガス源と流体連通する流入口および前記アンプルと流体連通する流出口を有する第１のバルブと、
    前記アンプルから前記気化前駆体を受け入れるための流入口および前記加熱注入マニホルドの前記流入口と流体連通する流出口を有する第２のバルブと、
    前記加熱注入マニホルドの前記流出口と流体連通する第１のノードと、
    前記第１のノードと流体連通する流入口およびバキュームと流体連通する流出口を有する第３のバルブと、
    前記第１のノードと流体連通する流入口および第２のノードと流体連通する流出口を有する第４のバルブと、
    前記第２のノードと流体連通する流出口を有する第５のバルブと、
    前記第２のノードと流体連通する流出口を有する第６のバルブと、
    前記第２のノードと流体連通するガス分配装置と、
    を備える、蒸気供給システム。
  2. 請求項１に記載の蒸気供給システムであって、前記ガス分配装置は、シャワーヘッドを含む、蒸気供給システム。
  3. 請求項１に記載の蒸気供給システムであって、さらに、
    前記第２のバルブの前記流出口と流体連通する流入口を有する第７のバルブと、
    前記第７のバルブの前記流出口と流体連通する制限オリフィスと、
    前記制限オリフィスと流体連通する流入口および前記加熱注入マニホルドと流体連通する流出口を有する第８のバルブと、
    を備える、蒸気供給システム。
  4. 請求項３に記載の蒸気供給システムであって、さらに、
    第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および前記第５のバルブの流入口と流体連通する流出口を有する第９のバルブを備える、蒸気供給システム。
  5. 請求項４に記載の蒸気供給システムであって、さらに、前記第１のガスマニホルドと流体連通する流入口および前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置の背面にガスを供給する流出口を有する第１０のバルブを備える、蒸気供給システム。
  6. 請求項４に記載の蒸気供給システムであって、さらに、第２のガスマニホルドおよび前記第６のバルブの流入口と流体連通する流入口ならびにバキュームと流体連通する流出口を有する第１０のバルブを備える、蒸気供給システム。
  7. 請求項６に記載の蒸気供給システムであって、さらに、
    ドーズ段階中に、
    前記第１のバルブを用いて、前記アンプルにプッシュガスを供給し、
    前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記アンプルから前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、
    前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドから前記ガス分配装置に前記気化前駆体を供給し、
    前記第１０のバルブおよび前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されたコントローラを備える、蒸気供給システム。
  8. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、
    前記第１のバルブを用いて、前記アンプルに前記プッシュガスを供給し、
    前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記アンプルから前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、
    前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドからバキュームに前記気化前駆体を迂回させ、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  9. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに、そして、前記第４のバルブを用いて、前記ガス分配装置に、前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  10. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、および、前記ＲＦ段階中に、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドからバキュームに前記プッシュガスを迂回させ、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  11. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、および、前記ＲＦ段階中に、前記プッシュガスをバキュームに迂回させ、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  12. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階、前記ドーズパージ後段階、および、前記ＲＦ段階中に、前記プッシュガスをバキュームに迂回させ、第３のガスマニホルドから前記加熱注入マニホルドにガスを供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力をバキュームに迂回させ、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  13. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、前記第８のバルブ、および、前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドおよび前記ガス分配装置に前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階および前記ＲＦ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力をバキュームに迂回させ、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力をバキュームに迂回させ、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  14. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズパージ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、前記第８のバルブ、および、前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドおよび前記ガス分配装置に前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ドーズパージ後段階および前記ＲＦ段階中に、前記第７のバルブ、前記制限オリフィス、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を含まない前記プッシュガスを供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力をバキュームに迂回させ、
    前記ドーズパージ後段階、前記ＲＦ段階、および、前記ＲＦ後段階中に、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給せず、
    前記ＲＦ後段階中に、前記第１のバルブ、前記第２のバルブ、前記第７のバルブ、および、前記第８のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドに前記気化前駆体を供給し、前記第３のバルブおよび前記第４のバルブを用いて、前記加熱注入マニホルドの出力をバキュームに迂回させるよう構成されている、蒸気供給システム。
  15. 請求項７に記載の蒸気供給システムであって、前記コントローラは、さらに、
    前記ドーズ段階後に、順次、ドーズパージ段階、ドーズパージ後段階、高周波（ＲＦ）段階、および、ＲＦ後段階で動作し、
    前記ドーズ段階中に、前記第９のバルブが閉じられた状態で、第３のマニホルドから第１１のバルブおよび前記第５のバルブを通して前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ段階中に、前記加熱注入マニホルドにプッシュガスも前記気化前駆体も供給せず、前記第６のバルブおよび前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ドーズパージ後段階中に、前記加熱注入マニホルドにプッシュガスも前記気化前駆体も供給せず、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ段階中に、前記加熱注入マニホルドにプッシュガスも前記気化前駆体も供給せず、前記第６のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給し、
    前記ＲＦ後段階中に、前記加熱注入マニホルドにプッシュガスも前記気化前駆体も供給せず、前記第１０のバルブを用いて、前記第２のガスマニホルドからバキュームにガスを迂回させ、前記第９のバルブおよび前記第５のバルブを用いて、前記第１のガスマニホルドから前記ガス分配装置にガスを供給するよう構成されている、蒸気供給システム。
  16. 請求項１に記載の蒸気供給システムであって、さらに、
    前記アンプル内の前記液体前駆体のレベルを検知するためのレベルセンサと、
    前記レベルに基づいて、前記アンプル内の前記液体前駆体のレベルを自動的に維持するための前駆体供給源と、を備える、蒸気供給システム。
  17. 請求項１６に記載の蒸気供給システムであって、さらに、
    前記アンプル内の第１の位置で前記液体前駆体の温度を検知するための第１の温度センサと、
    前記アンプル内の第２の位置で前記液体前駆体の温度を検知するための第２の温度センサと、
    を備え、
    前記第１の位置は、目標充填レベルに配置され、前記第２の位置は、前記目標充填レベルと補充位置との間に配置される、蒸気供給システム。
  18. 請求項１に記載の蒸気供給システムであって、前記ガス分配装置は、基板処理チャンバ内に配置され、原子層蒸着および化学蒸着の少なくとも一方が、前記基板処理チャンバ内で実行される、蒸気供給システム。
  19. 請求項１８に記載の蒸気供給システムであって、さらに、前記基板処理チャンバ内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生器を備える、蒸気供給システム。
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