JP6850202B2 - リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6850202B2 JP6850202B2 JP2017110200A JP2017110200A JP6850202B2 JP 6850202 B2 JP6850202 B2 JP 6850202B2 JP 2017110200 A JP2017110200 A JP 2017110200A JP 2017110200 A JP2017110200 A JP 2017110200A JP 6850202 B2 JP6850202 B2 JP 6850202B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- back surface
- front surface
- surface roughness
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 43
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 27
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
Description
最初に、図1Aおよび図1Bを参照しながら、実施形態に係るリードフレーム1の概要について説明する。図1Aは、実施形態に係るリードフレーム1のおもて面2側の平面図であり、図1Bは、実施形態に係るリードフレーム1の裏面3側の平面図である。図1Aおよび図1Bに示すリードフレーム1は、SON(Small Outline Non-leaded package)タイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームである。
つづいて、図2Aおよび図2Bを参照しながら、実施形態に係る粗面化処理の概要について説明する。図2Aは、実施形態に係る粗面化処理装置30を説明するための図である。
・電解液組成:0.6M水酸化カリウム+0.3M水酸化マグネシウム
・電流密度:30(A/cm2)
・処理温度:55(℃)
つづいて、実施形態における粗面化処理後の工程、特にモールド工程の概要について説明する。上述の粗面化処理の後には、リード12の先端部を覆うフォトレジストを剥離するとともに、おもて面2における粗面化処理を行った部位を保護体で被膜する。そして、おもて面2におけるリード12の先端部に対してめっき処理(たとえば、Agめっき)を行い、その後、粗面化処理を行った部位を覆う保護体を剥離する。
つづいて、上述の実施形態における各種変形例について説明する。
・電解液組成:硫酸銅(CuSO4・5H2O)溶液
・銅イオン濃度:5〜70(g/L)
・電流密度:300〜700(A/cm2)
・処理時間:10〜40(s)
2 おもて面
3 裏面
3a 第1部位
3b 第2部位
4 スリット
5 パイロット孔
6 酸化膜
7 めっき膜
10 単位リードフレーム
11 ダイパッド
12 リード
13 ダイパッド支持部
20 貫通孔
30 粗面化処理装置
31 処理槽
32 陽極
33 陰極
34、35 直流電源
36 電解液
41 上部金型
42 下部金型
43 モールドランナー
100 半導体装置
101 半導体チップ
102 モールド樹脂
Claims (6)
- 半導体チップが搭載されるおもて面と、前記おもて面とは反対側の裏面とを有し、
ダイパッドと複数のリードとが形成される単位リードフレームが複数並んで設けられ、
前記裏面は、前記単位リードフレームが設けられる第1部位と、当該第1部位以外の部位である第2部位とから構成され、
前記第1部位は、前記おもて面より表面粗さが小さく、
前記第2部位は、前記第1部位より表面粗さが小さいこと
を特徴とするリードフレーム。 - 前記単位リードフレームが設けられる部位以外の部位に、モールド樹脂を突き上げて剥離させる際に用いられる貫通孔が形成されること
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 半導体チップが搭載されるおもて面と、前記おもて面とは反対側の裏面とを有し、
ダイパッドと複数のリードとが形成される単位リードフレームが複数並んで設けられるリードフレームに対して、
前記裏面における前記単位リードフレームが設けられる第1の部位、および、前記おもて面に粗面化処理が行われ、
前記第1の部位は、前記おもて面より表面粗さが小さいこと
を特徴とするリードフレームの製造方法。
- 前記粗面化処理は、
表面粗さの大きい酸化膜を形成する電解処理であること
を特徴とする請求項3に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記粗面化処理は、
表面粗さの大きいめっき膜を形成する電解処理であること
を特徴とする請求項3に記載のリードフレームの製造方法。 - 請求項1または2に記載のリードフレームをモールド樹脂で封止するモールド工程を含み、
前記第2部位に接するように前記モールド樹脂を流通させるモールドランナーが配置されること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017110200A JP6850202B2 (ja) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
PCT/JP2018/019792 WO2018221340A1 (ja) | 2017-06-02 | 2018-05-23 | リードフレーム、リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
KR1020197035872A KR102346708B1 (ko) | 2017-06-02 | 2018-05-23 | 리드 프레임, 리드 프레임의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
CN201880032553.1A CN110622304B (zh) | 2017-06-02 | 2018-05-23 | 引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法 |
TW107118517A TWI711129B (zh) | 2017-06-02 | 2018-05-30 | 引線框架、引線框架的製造方法和半導體裝置的製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017110200A JP6850202B2 (ja) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018206920A JP2018206920A (ja) | 2018-12-27 |
JP6850202B2 true JP6850202B2 (ja) | 2021-03-31 |
Family
ID=64456131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017110200A Active JP6850202B2 (ja) | 2017-06-02 | 2017-06-02 | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6850202B2 (ja) |
KR (1) | KR102346708B1 (ja) |
CN (1) | CN110622304B (ja) |
TW (1) | TWI711129B (ja) |
WO (1) | WO2018221340A1 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03295262A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | リードフレームおよびその製造方法 |
JP2004158513A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及びその製造方法 |
JP2006093559A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Sumitomo Metal Mining Package Materials Co Ltd | リードフレームおよびその製造方法 |
JP4698708B2 (ja) * | 2008-08-19 | 2011-06-08 | 新光電気工業株式会社 | パッケージ部品及び半導体パッケージ |
JP2013105849A (ja) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2013225595A (ja) * | 2012-04-20 | 2013-10-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リードフレーム及び半導体パッケージ並びにそれらの製造方法 |
JP2014007363A (ja) * | 2012-06-27 | 2014-01-16 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP6650723B2 (ja) * | 2015-10-16 | 2020-02-19 | 新光電気工業株式会社 | リードフレーム及びその製造方法、半導体装置 |
-
2017
- 2017-06-02 JP JP2017110200A patent/JP6850202B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-23 WO PCT/JP2018/019792 patent/WO2018221340A1/ja active Application Filing
- 2018-05-23 CN CN201880032553.1A patent/CN110622304B/zh active Active
- 2018-05-23 KR KR1020197035872A patent/KR102346708B1/ko active IP Right Grant
- 2018-05-30 TW TW107118517A patent/TWI711129B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI711129B (zh) | 2020-11-21 |
KR20200003884A (ko) | 2020-01-10 |
KR102346708B1 (ko) | 2021-12-31 |
TW201911493A (zh) | 2019-03-16 |
JP2018206920A (ja) | 2018-12-27 |
WO2018221340A1 (ja) | 2018-12-06 |
CN110622304B (zh) | 2023-07-14 |
CN110622304A (zh) | 2019-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101113891B1 (ko) | 리드 프레임 및 리드 프레임 제조 방법 | |
JP6838104B2 (ja) | 半導体装置用基板および半導体装置 | |
JP2016105432A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
CN108352376B (zh) | 引线框架、引线框架封装、以及它们的制造方法 | |
US8937378B2 (en) | Lead frame and semiconductor package including the same | |
JP6850202B2 (ja) | リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2014078658A (ja) | 半導体パッケージ用基板、及びその製造方法 | |
JP2012049323A (ja) | リードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法 | |
JP7119574B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JP2002231871A (ja) | リードフレームの製造方法及びリードフレーム | |
US20170040244A1 (en) | Method of producing integrated circuits and corresponding circuit | |
JP2007180247A (ja) | 回路部材の製造方法 | |
JP6327427B1 (ja) | 半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びに半導体素子搭載用基板の製造方法 | |
US10763184B2 (en) | Power module substrate, power module, and method for manufacturing power module substrate | |
JP6869602B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN105489542A (zh) | 芯片封装方法及芯片封装结构 | |
JP2019114738A (ja) | リードフレームの製造方法、リードフレーム、樹脂付きリードフレームおよび半導体装置 | |
JP6626639B2 (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
JP2012164936A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5302140B2 (ja) | 置換めっき層の剥離方法 | |
JP2018081961A (ja) | 半導体装置用リードフレームとその製造方法および樹脂封止型半導体装置 | |
JP6846484B2 (ja) | 半導体装置用基板及びその製造方法、半導体装置 | |
JP2017130522A (ja) | 樹脂付リードフレーム基板 | |
JP2021090070A (ja) | 半導体装置用基板及び半導体装置 | |
JP2005116886A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210302 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210305 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6850202 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |