JP6839525B2 - SiC単結晶複合体及びSiCインゴット - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を提供する。
まずSiC単結晶複合体10の製造方法について説明する。
Claims (6)
- 平面視中央に位置する中央部と、
前記中央部の外周を囲繞する外周部と、を備え、
前記中央部と前記外周部とは、結晶面が傾いており、
前記中央部と前記外周部との間には境界があり、
結晶成長する際のオフセット方向と平行で中心を通る直線と、前記境界との交点において、前記中央部と前記外周部の結晶面が互いに、前記中央部と前記外周部との境界面に対し垂直な方向を軸に2°以上傾いている、SiC単結晶複合体。 - 平面視中央に位置する中央部と、
前記中央部の外周を囲繞する外周部と、を備え、
前記中央部と前記外周部とは、結晶面が異なっており、
前記中央部と前記外周部との間には境界があり、
前記中央部の結晶面が(000−1)C面であり、前記外周部の結晶面が(0001)Si面である、SiC単結晶複合体。 - 前記中央部の結晶成長面が、{0001}面に対し2°以上20°以下のオフセット角を有する請求項1または2に記載のSiC単結晶複合体。
- 前記境界が、外周端から直径の5%以上内側に設けられている請求項1〜3のいずれか一項に記載のSiC単結晶複合体。
- 平面視中央に位置する第1単結晶と、
前記第1単結晶の外周を囲繞する第2単結晶と、
前記第1単結晶と前記第2単結晶を接続する接合部と、を有し、
前記第1単結晶を構成する結晶の方向と、前記第2単結晶を構成する結晶の方向とが、前記接合部を境に異なっており、
前記第1単結晶と前記第2単結晶のポリタイプが異なる、SiCインゴット。 - 平面視中央に位置する第1単結晶と、
前記第1単結晶の外周を囲繞する第2単結晶と、
前記第1単結晶と前記第2単結晶を接続する接合部と、を有し、
前記第1単結晶を構成する結晶の方向と、前記第2単結晶を構成する結晶の方向とが、前記接合部を境に異なっており、
前記第1単結晶のオフセット方向と平行で中心を通る直線と、前記接合部との交点において、前記第1単結晶と前記第2単結晶の結晶面が互いに、前記接合部に対し垂直な方向を軸に2°以上傾いている、SiCインゴット。
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