JP6815746B2 - 半導体装置及びその作製方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 527
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 182
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 110
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 110
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 76
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 43
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 22
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1078
- 239000010408 film Substances 0.000 description 388
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 126
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 71
- 230000006870 function Effects 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 59
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 54
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 47
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 42
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 40
- -1 Lantern (La) Chemical compound 0.000 description 39
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 38
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 38
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 37
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 34
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 34
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 34
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 33
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 32
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 31
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 27
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 25
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 19
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 19
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 16
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 14
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 14
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 12
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 12
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 11
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 8
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 5
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011276 addition treatment Methods 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 3
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N methane tetrahydrofluoride Chemical compound C.F.F.F.F VMTCKFAPVIWNOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910009369 Zn Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007573 Zn-Mg Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 210000005252 bulbus oculi Anatomy 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- 201000003373 familial cold autoinflammatory syndrome 3 Diseases 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000002042 time-of-flight secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 2
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002925 A-like Anatomy 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGGIJBXUDZZLPN-UHFFFAOYSA-N [N].[N].[C]=O Chemical compound [N].[N].[C]=O MGGIJBXUDZZLPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002156 adsorbate Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N cadmium zinc Chemical compound [Zn].[Cd] CEKJAYFBQARQNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L disodium methyl arsenate Chemical compound [Na+].[Na+].C[As]([O-])([O-])=O SDIXRDNYIMOKSG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N ethyl(methyl)azanide;hafnium(4+) Chemical compound [Hf+4].CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C.CC[N-]C NPEOKFBCHNGLJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000000415 inactivating effect Effects 0.000 description 1
- UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K indium(3+);phosphate Chemical compound [In+3].[O-]P([O-])([O-])=O UJXZVRRCKFUQKG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229940127554 medical product Drugs 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M mercury(1+);iodide Chemical compound [Hg]I QKEOZZYXWAIQFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)alumanyl]-n-methylmethanamine Chemical compound [Al+3].C[N-]C.C[N-]C.C[N-]C CUZHTAHNDRTVEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 1
- BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N silver zinc Chemical compound [Zn].[Ag] BSWGGJHLVUUXTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明の一態様は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層、およびドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、第2の酸化物絶縁層、ゲート絶縁層およびゲート電極層上の第2の絶縁層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、および第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、を有し、第2の絶縁層は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接する領域を有すること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層、およびドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、第2の酸化物絶縁層、ゲート絶縁層およびゲート電極層上の第2の絶縁層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、および第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、を有し、第2の絶縁層は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接する領域を有し、上面方向から見たときのゲート絶縁層の端部は、ゲート電極層の端部から50nm以上10μm以下離間していること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上の第2の酸化物絶縁層と、第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極層と、酸化物半導体層、およびゲート電極層上の第2の絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、第1の領域乃至第3の領域を有し、第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域を有し、第1の領域は、第2の領域と第3の領域の間の領域であって、第2の領域および、第3の領域は、第1の領域に比して抵抗が低く、第2の絶縁層は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接する領域を有すること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、第1の酸化物絶縁層と、第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層およびドレイン電極層と、酸化物半導体層上の第2の酸化物絶縁層と、ソース電極層、およびドレイン電極層上の第1の絶縁層と、第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極層と、第1の絶縁層、第2の酸化物絶縁層、ゲート絶縁層、およびゲート電極層上の第2の絶縁層と、を有し、第1の絶縁層は、酸化物半導体層に達する溝部を有し、第2の酸化物絶縁層、ゲート絶縁層、ゲート電極層は、溝部の側面および底面に沿って配置され、第2の酸化物絶縁層は、第1の絶縁層の側面と接する領域を有し、第2の絶縁層は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接する領域を有すること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、(1)乃至(4)のいずれか一において、第2の絶縁層は、アルミニウム、ハフニウム、シリコンのいずれか一を有すること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、(1)乃至(5)のいずれか一において、第2の絶縁層は、厚さが3nm以上30nm以下であること、を特徴とする半導体装置である。
本発明の別の一態様は、第1の絶縁層を形成し、第1の絶縁層上に、第1の酸化物絶縁層、酸化物半導体層、および第1の導電層を島状に形成し、第1のマスクを用いて第1の導電層の一部を第1のエッチングをすることにより、酸化物半導体層上にソース電極層、およびドレイン電極層を形成し、第1の絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層上に第2の酸化物絶縁膜を形成し、第2の酸化物絶縁膜上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、第2のマスクを用いて、第2の導電膜、および第1の絶縁膜の一部を第2のエッチングをすることにより、ゲート電極層、およびゲート絶縁層を形成し、第2のエッチングにより、ゲート絶縁層は、上面または側面の一部を露出させ、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、およびゲート電極層上に第2の絶縁膜を形成し、第3のマスクを用いて、第2の絶縁膜、第2の酸化物絶縁膜の一部を第3のエッチングすることにより、第2の絶縁層、および第2の酸化物絶縁層を形成する半導体装置の作製方法であって、第2の絶縁膜は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接触する領域を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(7)において、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、第2の絶縁層上に、第3の絶縁膜を形成すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(7)または(8)において、第2の絶縁膜を熱CVD法により成膜すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(7)乃至(9)のいずれか一において、第2の絶縁膜をALD法によりに成膜すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(7)乃至(10)のいずれか一において、第2の絶縁膜としてアルミニウム、ハフニウム、シリコンのいずれか一を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(7)乃至(11)のいずれか一において、第2の絶縁膜の厚さが3nm以上30nm以下であること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(8)乃至(12)のいずれか一において、第3の絶縁膜を、酸素を含むガスを用いてスパッタリング法により成膜すること、を特徴とする半導体装置の製造方法である。
本発明の別の一態様は、(1)乃至(6)のいずれか一に記載の半導体装置と、筐体と、スピーカーと、を有することを特徴とする電子機器である。
本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
以下では、本明細書等における語句の定義について説明する。
本明細書において、AとBとが接続されている、とは、AとBとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気的に接続されているとは、AとBとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、AとBとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置と、その製造方法について図面を用いて説明する。
絶縁層172には、酸素(O)、窒素(N)、フッ素(F)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)などを有することができる。例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化マグネシウム(MgOx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、窒化シリコン(SiNx)、酸化ガリウム(GaOx)、酸化ゲルマニウム(GeOx)、酸化イットリウム(YOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化ランタン(LaOx)、酸化ネオジム(NdOx)、酸化ハフニウム(HfOx)および酸化タンタル(TaOx)を一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層172は上記材料の積層であってもよい。
絶縁層170には、酸素(O)、窒素(N)、フッ素(F)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)などを有することができる。例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化マグネシウム(MgOx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、窒化シリコン(SiNx)、酸化ガリウム(GaOx)、酸化ゲルマニウム(GeOx)、酸化イットリウム(YOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化ランタン(LaOx)、酸化ネオジム(NdOx)、酸化ハフニウム(HfOx)および酸化タンタル(TaOx)を一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層170は上記材料の積層であってもよい。
なお、酸化物絶縁層(例えば酸化物絶縁層121、酸化物絶縁層123)とは、基本的に絶縁性を有し、ゲート電界又はドレイン電界が強くなった場合に半導体との界面近傍において電流が流れることのできる酸化物絶縁層をいう。
なお、トランジスタにおけるチャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース(ソース領域またはソース電極)とドレイン(ドレイン領域またはドレイン電極)との間の距離をいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
チャネル幅とは、例えば、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域の長さをいう。なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが重なる領域における見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅(SCW:Surrounded Channel Width)」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面TEM像などを取得して、その画像を解析することなどによって、値を決定することができる。
半導体装置を高集積化するにはトランジスタの微細化が必須である。一方、トランジスタの微細化によりトランジスタの電気特性が悪化することが知られており、チャネル幅が縮小するとオン電流が低下する。
以下に本実施の形態のトランジスタのその他各構成について示す。
基板100には、例えば、ガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムからなる化合物半導体基板、SOI(Silicon On Insulator)基板などを用いることも可能であり、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを用いてもよい。基板100は、単なる支持材料に限らず、他のトランジスタなどのデバイスが形成された基板であってもよい。この場合、トランジスタのゲート電極層160、ソース電極層130、およびドレイン電極層140の一つは、上記の他のデバイスと電気的に接続されていてもよい。
絶縁層110は、基板100からの不純物の拡散を防止する役割を有するほか、酸化物120に酸素を供給する役割を担うことができる。したがって、絶縁層110は酸素を含む絶縁膜であることが好ましく、化学量論組成よりも多い酸素を含む絶縁膜であることがより好ましい。例えば、TDS法にて、酸素原子に換算しての酸素放出量が1.0×1019atoms/cm3以上である膜とする。なお、上記TDS分析時における膜の表面温度としては100℃以上700℃以下、または100℃以上500℃以下の範囲が好ましい。また、上述のように基板100が他のデバイスが形成された基板である場合、絶縁層110は、層間絶縁膜としての機能も有する。その場合は、表面が平坦になるように化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法等で平坦化処理を行うことが好ましい。
酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123は、In若しくはZnを含む酸化物半導体膜であり、代表的には、In−Ga酸化物、In−Zn酸化物、In−Mg酸化物、Zn−Mg酸化物、In−M−Zn酸化物(MはAl、Ti、Ga、Y、Sn、Zr、La、Ce、Mg、Hf、またはNd)がある。
酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、および酸化物絶縁層123に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になると共に、酸素が脱離した格子(または酸素が脱離した部分)に酸素欠損を形成する。当該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合がある。したがって、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。
また、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面において、第14族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、および酸化物絶縁層123において酸素欠損が増加し、n型領域が形成されてしまう。このため、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面におけるシリコン、および炭素濃度は、低減することが望ましい。例えば、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面においてSIMSにより得られるシリコンや炭素の濃度は、1×1016atoms/cm3以上1×1019atoms/cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3以上5×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上2×1018atoms/cm3以下とすることが望ましい。この結果、トランジスタ10は、しきい値電圧がプラスとなる電気特性(ノーマリーオフ特性ともいう。)を有する。
また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属は、酸化物半導体と結合するとキャリアを生成する場合があり、トランジスタのオフ電流が増大してしまうことがある。このため、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面におけるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を低減することが好ましい。たとえば、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面において、二次イオン質量分析法により得られるアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、1×1018atoms/cm3以下、好ましくは2×1016atoms/cm3以下とすることが望ましい。これにより、トランジスタ10は、しきい値電圧がプラスとなる電気特性(ノーマリーオフ特性ともいう。)を有することができる。
また、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面に窒素が含まれていると、キャリアである電子が生じ、キャリア密度が増加し、n型領域が形成されてしまう。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。したがって、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123およびそれぞれの界面において、窒素はできる限り低減されていることが好ましい。例えば、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびそれぞれの界面においてSIMSにより得られる窒素濃度は、1×1015atoms/cm3以上5×1019atoms/cm3以下、好ましくは1×1015atoms/cm3以上5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1015atoms/cm3以上1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1015atoms/cm3以上5×1017atoms/cm3以下にすることが好ましい。これにより、トランジスタ10は、しきい値電圧がプラスとなる電気特性(ノーマリーオフ特性ともいう。)を有することができる。
酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、および酸化物絶縁層123の不純物を低減することで、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、および酸化物絶縁層123のキャリア密度を低減することができる。このため、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、および酸化物絶縁層123は、キャリア密度が1×1015個/cm3以下、好ましくは1×1013個/cm3以下、さらに好ましくは8×1011個/cm3未満、より好ましくは1×1011個/cm3未満、最も好ましくは1×1010個/cm3未満であり、1×10−9個/cm3以上とする。
ここで、バンド図について説明する。バンド図は、理解を容易にするため、図2(A)、図2(B)に示すように絶縁層110、酸化物絶縁層121、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層123、およびゲート絶縁層150の伝導帯下端のエネルギー準位(Ec)を示す。
ソース電極層130、ドレイン電極層140には、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)などの材料からなる単体、もしくは合金、またはこれらを主成分とする酸素、窒素、フッ素、シリコン、などの化合物を含む導電層の単層または積層とすることが好ましい。たとえば、積層する場合に、酸化物半導体層122と接触する下側の導電層は酸素と結合しやすい材料を有し、上側の導電層には耐酸化性の強い材料を有することができる。また、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
ゲート絶縁層150には、酸素(O)、窒素(N)、フッ素(F)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、シリコン(Si)、ガリウム(Ga)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、チタン(Ti)などを有することができる。例えば、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化マグネシウム(MgOx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、窒化シリコン(SiNx)、酸化ガリウム(GaOx)、酸化ゲルマニウム(GeOx)、酸化イットリウム(YOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化ランタン(LaOx)、酸化ネオジム(NdOx)、酸化ハフニウム(HfOx)および酸化タンタル(TaOx)を一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、ゲート絶縁層150は上記材料の積層であってもよい。なお、ゲート絶縁層150に、ランタン(La)、窒素、ジルコニウム(Zr)などを、不純物として含んでいてもよい。
ゲート電極層160には、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、銀(Ag)、タンタル(Ta)およびタングステン(W)、シリコン(Si)などの材料を用いることができる。また、当該ゲート電極層160は、積層とすることができる。例えば、上記材料を単独、または組み合わせて用いてもよいし、上記材料の窒化物など、窒素を含んだ材料を組み合わせて用いてもよい。
絶縁層180には、例えば、酸化マグネシウム(MgOx)、酸化シリコン(SiOx)、酸化窒化シリコン(SiOxNy)、窒化酸化シリコン(SiNxOy)、窒化シリコン(SiNx)、酸化ガリウム(GaOx)、酸化ゲルマニウム(GeOx)、酸化イットリウム(YOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化ランタン(LaOx)、酸化ネオジム(NdOx)、酸化ハフニウム(HfOx)および酸化タンタル(TaOx)、酸化アルミニウム(AlOx)を一種以上含む絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層180は上記材料の積層であってもよい。絶縁層180は、化学量論組成よりも多くの酸素を有することが好ましい。絶縁層180から放出される酸素はゲート絶縁層150、絶縁層170、絶縁層172を経由して酸化物120のチャネル形成領域に拡散させることができることから、チャネル形成領域に形成された酸素欠損に酸素を補填することができる。したがって、安定したトランジスタの電気特性を得ることができる。
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について図5乃至図10を用いて説明する。なお、上記トランジスタの構成において説明した部分と重複する部分については、省略する。また、図5乃至図10に示すA1−A2方向は図1(A)、図1(B)に示すチャネル長方向と呼称する場合がある。また、図5乃至図10に示すA3−A4方向は、図1(A)および図1(C)に示すチャネル幅方向と呼称する場合がある。
熱CVD法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成されることが無いという利点を有する。
従来のCVD法を利用した成膜装置は、成膜の際、反応のための原料ガス(プリカーサ)の1種または複数種がチャンバーに同時に供給される。ALD法を利用した成膜装置は、反応のためのプリカーサが順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行う。例えば、それぞれのスイッチングバルブ(高速バルブとも呼ぶ)を切り替えて2種類以上のプリカーサを順番にチャンバーに供給し、複数種のプリカーサが混ざらないように第1のプリカーサの後に不活性ガス(アルゴン、或いは窒素など)などを導入し、第2のプリカーサを導入する。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第1のプリカーサを排出した後、第2のプリカーサを導入することができる。
また、プラズマALD法により成膜することで、熱を用いたALD法(熱ALD法)に比べてさらに低温での成膜が可能となる。プラズマALD法は、例えば、100℃以下でも成膜速度を低下させずに成膜することができる。また、プラズマALD法では、N2をプラズマによりラジカル化することができるため、酸化物のみならず窒化物を成膜することができる。
図4(A)にALD法を利用する成膜装置の一例を示す。ALD法を利用する成膜装置は、成膜室(チャンバー1701)と、原料供給部1711a、原料供給部1711bと、流量制御器である高速バルブ1712a、高速バルブ1712bと、原料導入口1713a、原料導入口1713bと、原料排出口1714と、排気装置1715を有する。チャンバー1701内に設置される原料導入口1713a、1713bは供給管やバルブを介して原料供給部1711a、1711bとそれぞれ接続されており、原料排出口1714は、排出管やバルブや圧力調整器を介して排気装置1715と接続されている。
また、図4(A)に示す成膜装置を少なくとも一つ有するマルチチャンバーの製造装置の一例を図4(B)に示す。
まず、基板100上に絶縁層110を成膜する。絶縁層110は、プラズマCVD法、熱CVD法(MOCVD法、ALD法)、またはスパッタリング法等により、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、またはこれらの混合材料を用いて形成することができる。また、上記材料の積層であってもよく、少なくとも後に酸化物絶縁層121となる第1の酸化物絶縁膜と接する積層の上層は酸化物半導体層122への酸素の供給源となりえる過剰な酸素を含む材料で形成することが好ましい。
続いて、絶縁層110上に、後に酸化物絶縁層121となる第1の酸化物絶縁膜、後に酸化物半導体層122となる酸化物半導体膜を成膜する。第1の酸化物絶縁膜と、酸化物半導体層122となる酸化物半導体膜は、スパッタリング法、MOCVD法、PLD法などにより形成することができ、スパッタリング法を用いて形成することがより好ましい。スパッタリング法としては、RFスパッタリング法、DCスパッタリング法、ACスパッタリング法等を用いることができる。また、スパッタリング法において、対向ターゲット方式(対向電極方式、気相スパッタリング方式、VDSP(Vapor Deposition Sputtering)方式ともいう)により作成することにより、成膜時のプラズマダメージを低減することができる。
次に、酸化物半導体層122上にソース電極層130、ドレイン電極層140となる第1の導電膜を形成する。第1の導電膜は、スパッタリング法、化学気相堆積(CVD)法(有機金属化学気相堆積(MOCVD)法、メタル化学気相堆積法、原子層成膜(ALD)法あるいはプラズマ化学気相堆積(PECVD)法を含む。)、蒸着法、パルスレーザー堆積(PLD)法等を用いて形成することができる。
次に、リソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、当該レジストマスクを用いて、第1の導電膜の一部をエッチングし、導電層130bを形成する。続いて、導電層130b上のレジストを除去し、導電層130bをハードマスクとして、酸化物半導体層122となる酸化物半導体膜、第1の酸化物絶縁膜の一部をそれぞれエッチングし、酸化物半導体層122、酸化物絶縁層121を島状に形成することができる(図5参照)。なお、エッチング方法としては、ドライエッチング法を用いることができる。なお、導電層130bをハードマスクとして用いて酸化物半導体層122となる酸化物半導体膜、第1の酸化物絶縁膜をエッチングすることで、レジストマスクと比べてエッチングした後の酸化物半導体層122、酸化物絶縁層121のエッジラフネスを低減することができる。
次に、第1の導電膜上にリソグラフィ法によりレジストマスクを形成する。
次に、酸化物半導体層122、ソース電極層130、ドレイン電極層140上に酸化物絶縁層123として用いられる第2の酸化物絶縁膜を成膜する。当該第2の酸化物絶縁膜は、第1の酸化物絶縁膜と同様の方法で成膜することができるし、別の材料、別の方法を成膜してもよい。第2の酸化物絶縁膜は、酸化物半導体層122となる酸化物半導体膜よりも電子親和力が小さくなるように材料を選択することができる。
次に、第2の酸化物絶縁膜上にゲート絶縁層150となる第1の絶縁膜を形成する。第1の絶縁膜には、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどを用いることができる。なお、第1の絶縁膜は、上記材料の積層であってもよい。第1の絶縁膜は、スパッタ法、CVD法(プラズマCVD法、MOCVD法、ALD法など)、MBE法、などを用いて形成することができる。また、第1の絶縁膜は、絶縁層110と同様の方法を適宜用いて形成することができる。
次に、第1の絶縁膜上にゲート電極層160となる第2の導電膜を成膜する。第2の導電膜としては、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、銀(Ag)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、シリコン(Si)またはこれらを主成分とする合金材料を用いることができる。第2の導電膜は、スパッタリング法やCVD法(プラズマCVD法、MOCVD法、ALD法など)、MBE法、蒸着法、めっき法などにより形成することができる。また、第2の導電膜としては、窒素を含んだ導電膜を用いてもよく、上記導電膜と窒素を含んだ導電膜の積層を用いてもよい。
次に、第2の導電膜上に、リソグラフィ法を用いてレジストマスクを形成し、ドライエッチング法により選択的にエッチングすることで、ゲート電極層160を形成することができる。同様に、ゲート電極層をハードマスクとして用いて、ドライエッチング法により第1の絶縁膜の一部をエッチングすることにより、ゲート絶縁層150を形成することができる(図7参照)。
次に、絶縁層110、ソース電極層130、ドレイン電極層140、およびゲート電極層160上に、絶縁層172となる第2の絶縁膜を形成する。第2の絶縁膜は、熱CVD法(MOCVD法、ALD法)、により形成することが好ましい。また、第2の絶縁膜として、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、またはこれらの混合材料を用いて形成することができる。また、上記材料の積層であってもよい。
次に、絶縁層110、ソース電極層130、ドレイン電極層140、絶縁層172上に、絶縁層170形成する(図9参照)。絶縁層170は、プラズマCVD法、熱CVD法(MOCVD法、ALD法)、またはスパッタリング法等により、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物絶縁膜、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁膜、またはこれらの混合材料を用いて形成することができる。また、上記材料の積層であってもよい。
次に、絶縁層170上に絶縁層180を成膜する。絶縁層180は、絶縁層110と同様の方法で成膜することができる。
また、余剰酸素を添加する処理は、絶縁層170を成膜することによってすることに限らない。酸素を添加する処理は、絶縁層110、絶縁層180に行ってもよいし、第1の酸化物絶縁膜、第2の酸化物絶縁膜に対して行ってもよいし、その他の絶縁層に行ってもよい。添加する酸素として、酸素ラジカル、酸素原子、酸素原子イオン、酸素分子イオン等のいずれか一以上を用いる。また、酸素を添加する方法としては、イオンドーピング法、イオン注入法、プラズマ浸漬イオン注入法等がある。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ11について、図14を用いて説明する。
導電層165には、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ルテニウム(Ru)、銀(Ag)、タンタル(Ta)およびタングステン(W)、シリコン(Si)などの材料を用いることができる。また、導電層165は、積層とすることができる。例えば、上記材料を単独、または組み合わせて用いてもよいし、上記材料の窒化物など、窒素を含んだ材料を組み合わせて用いてもよい。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ12について、図15を用いて説明する。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ13について、図16を用いて説明する。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ14について、図17を用いて説明する。
また、トランジスタ14において、ソース電極層130と、ドレイン電極層140の端部の位置を酸化物半導体層122の外側に有するトランジスタ15の構造としてもよい(図18参照)。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ16について、図19を用いて説明する。
なお、イオンの添加処理の材料として、水素、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ホウ素、リン、タングステン、アルミニウムなどを用いることができる。添加する方法としては、イオンドーピング法、イオン注入法、プラズマ浸漬イオン注入法などを用いることができる。微細化したトランジスタの作製工程においては、イオン注入法により所定のイオン以外の不純物の添加を抑えることができるので望ましい。また、イオンドーピング法、プラズマ浸漬イオン注入法は、大面積を処理する場合に優れている。
また、トランジスタ16において、ソース電極層130と、ドレイン電極層140の端部の位置を酸化物半導体層122の外側に有するトランジスタ17の構造としてもよい(図20参照)。
また、ソース電極層130と、ドレイン電極層140をゲート電極層160より上側に設けるトランジスタ18の構造としてもよい(図21参照)。
図1に示すトランジスタ10と形状の異なるトランジスタ19について、図22を用いて説明する。
<酸化物半導体の構造>
以下では、酸化物半導体の構造について説明する。
まずは、CAAC−OSについて説明する。
次に、nc−OSについて説明する。
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した回路の一例について図面を参照して説明する。
図28(A)に本発明の一態様の半導体装置の断面図を示す。図28(A)において、X1−X2方向はチャネル長方向、Y1−Y2方向はチャネル幅方向を示す。図28(A)に示す半導体装置は、下部に第1の半導体材料を用いたトランジスタ2200を有し、上部に第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100を有している。図28(A)では、第2の半導体材料を用いたトランジスタ2100として、先の実施の形態で例示したトランジスタを適用した例を示している。なお、一点鎖線より左側がトランジスタのチャネル長方向の断面、右側がチャネル幅方向の断面である。
上記構成において、トランジスタ2100やトランジスタ2200の電極を適宜接続することにより、様々な回路を構成することができる。以下では、本発明の一態様の半導体装置を用いることにより実現できる回路構成の例を説明する。
図28(B)に示す回路図は、pチャネル型のトランジスタ2200とnチャネル型のトランジスタ2100を直列に接続し、且つそれぞれのゲートを接続した、いわゆるCMOSインバータの構成を示している。
また、図28(C)に示す回路図は、トランジスタ2100とトランジスタ2200のそれぞれのソースとドレインを接続した構成を示している。このような構成とすることで、いわゆるCMOSアナログスイッチとして機能させることができる。
本発明の一態様であるトランジスタを使用し、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い半導体装置(記憶装置)の一例を図29に示す。
以下では、本発明の一態様に係る撮像装置について説明する。
図31に示すように、撮像装置200が有する1つの画素211を複数の副画素212で構成し、それぞれの副画素212に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
以下では、シリコンを用いたトランジスタと、酸化物半導体を用いたトランジスタと、を用いて画素を構成する一例について説明する。
<RFタグ>
本実施の形態では、先の実施の形態で説明したトランジスタ、または記憶装置を含むRFタグについて、図34を用いて説明する。
本実施の形態では、先の実施の形態で説明した記憶装置を含むCPUについて説明する。
図35に示すCPUは、基板1190上に、ALU1191(ALU:Arithmetic logic unit、演算回路)、ALUコントローラ1192、インストラクションデコーダ1193、インタラプトコントローラ1194、タイミングコントローラ1195、レジスタ1196、レジスタコントローラ1197、バスインターフェース1198、書き換え可能なROM1199、およびROMインターフェース1189を有している。基板1190は、半導体基板、SOI基板、ガラス基板などを用いる。書き換え可能なROM1199およびROMインターフェース1189は、別チップに設けてもよい。もちろん、図35に示すCPUは、その構成を簡略化して示した一例にすぎず、実際のCPUはその用途によって多種多様な構成を有している。例えば、図35に示すCPUまたは演算回路を含む構成を一つのコアとし、当該コアを複数含み、それぞれのコアが並列で動作するような構成としてもよい。また、CPUが内部演算回路やデータバスで扱えるビット数は、例えば8ビット、16ビット、32ビット、64ビットなどとすることができる。
図36は、レジスタ1196として用いることのできる記憶素子の回路図の一例である。記憶素子1200は、電源遮断で記憶データが揮発する回路1201と、電源遮断で記憶データが揮発しない回路1202と、スイッチ1203と、スイッチ1204と、論理素子1206と、容量素子1207と、選択機能を有する回路1220と、を有する。回路1202は、容量素子1208と、トランジスタ1209と、トランジスタ1210と、を有する。なお、記憶素子1200は、必要に応じて、ダイオード、抵抗素子、インダクタなどのその他の素子をさらに有していても良い。
本実施の形態では、本発明の一態様のトランジスタを利用した表示装置の構成例について説明する。
図37(A)は、本発明の一態様の表示装置の上面図であり、図37(B)は、本発明の一態様の表示装置の画素に液晶素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。また、図37(C)は、本発明の一態様の表示装置の画素に有機EL素子を適用する場合に用いることができる画素回路を説明するための回路図である。
また、画素の回路構成の一例を図37(B)に示す。ここでは、一例としてVA型液晶表示装置の画素に適用することができる画素回路を示す。
画素の回路構成の他の一例を図37(C)に示す。ここでは、有機EL素子を用いた表示装置の画素構造を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置を適用した表示モジュールについて、図40を用いて説明を行う。
図40に示す表示モジュール6000は、上部カバー6001と下部カバー6002との間に、FPC6003に接続されたタッチパネル6004、FPC6005に接続された表示パネル6006、バックライトユニット6007、フレーム6009、プリント基板6010、バッテリー6011を有する。なお、バックライトユニット6007、バッテリー6011、タッチパネル6004などは、設けられない場合もある。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置の使用例について説明する。
図41(A)に、リードフレーム型のインターポーザを用いたパッケージの断面構造を表す斜視図を示す。図41(A)に示すパッケージは、本発明の一態様に係る半導体装置に相当するチップ1751が、ワイヤボンディング法により、インターポーザ1750上の端子1752と接続されている。端子1752は、インターポーザ1750のチップ1751がマウントされている面上に配置されている。そしてチップ1751はモールド樹脂1753によって封止されていてもよいが、各端子1752の一部が露出した状態で封止されるようにする。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
本発明の一態様の半導体装置を用いて、電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の半導体装置を用いて、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また本発明の一態様の半導体装置を用いて、タッチセンサの検出感度が向上した電子機器や照明装置を作製できる。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る半導体装置を用いたRFタグの使用例について図45を用いながら説明する。
RFタグの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図45(A)参照)、乗り物類(自転車等、図45(B)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図45(C)参照)、記録媒体(DVDやビデオテープ等、図45(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、薬品や薬剤を含む医療品、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図45(E)、図45(F)参照)等に設けて使用することができる。
サンプルは、実施の形態1において説明した方法により作製した。
断面観察は、走査型透過電子顕微鏡(STEM)により行い、装置は日立ハイテクノロジーズ社製HD−2300を用いた。図46にトランジスタの断面STEM観察結果を示す。
トランジスタのId−Vg特性結果を図47(A)、(B)に示す。図47(A)と図47(B)は、トランジスタの密度が異なり、図47(A)は、0.02個/μm、図47(B)は、0.89個/μmである。
11 トランジスタ
12 トランジスタ
13 トランジスタ
14 トランジスタ
15 トランジスタ
16 トランジスタ
17 トランジスタ
18 トランジスタ
19 トランジスタ
20 表示装置
21 表示領域
22 周辺回路
24 表示装置
50 トランジスタ
52 トランジスタ
60 容量素子
62 容量素子
70 発光素子
80 液晶素子
100 基板
103 偏光板
105 保護基板
110 絶縁層
115 絶縁層
120 酸化物
121 酸化物絶縁層
122 酸化物半導体層
123 酸化物絶縁層
124 低抵抗領域
130 ソース電極層
130b 導電層
140 ドレイン電極層
150 ゲート絶縁層
160 ゲート電極層
165 導電層
170 絶縁層
172 絶縁層
173 余剰酸素
174 溝部
175 絶縁層
180 絶縁層
190 導電層
195 導電層
200 撮像装置
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
210 画素部
211 画素
212 副画素
212B 副画素
212G 副画素
212R 副画素
220 光電変換素子
230 画素回路
231 配線
247 配線
248 配線
249 配線
250 配線
253 配線
254 フィルタ
254B フィルタ
254G フィルタ
254R フィルタ
255 レンズ
256 光
257 配線
260 周辺回路
270 周辺回路
280 周辺回路
290 周辺回路
291 光源
300 シリコン基板
310 層
320 層
330 層
340 層
351 トランジスタ
352 トランジスタ
353 トランジスタ
360 フォトダイオード
361 アノード
362 カソード
363 低抵抗領域
365 フォトダイオード
366 半導体
367 半導体
368 半導体
370 プラグ
371 配線
372 配線
373 配線
374 配線
380 絶縁層
400 基板
402 保護基板
403 偏光板
410 導電層
415 導電層
418 遮光層
420 絶縁層
430 絶縁層
440 スペーサ
445 隔壁
450 EL層
460 着色層
470 接着層
473 接着層
474 接着層
475 接着層
476 接着層
480 導電層
490 液晶層
510 異方性導電層
530 光学調整層
601 プリカーサ
602 プリカーサ
700 基板
701 画素部
702 走査線駆動回路
703 走査線駆動回路
704 信号線駆動回路
710 容量配線
712 走査線
713 走査線
714 信号線
716 トランジスタ
717 トランジスタ
718 液晶素子
719 液晶素子
720 画素
721 スイッチング用トランジスタ
722 駆動用トランジスタ
723 容量素子
724 発光素子
725 信号線
726 走査線
727 電源線
728 共通電極
800 RFタグ
801 通信器
802 アンテナ
803 無線信号
804 アンテナ
805 整流回路
806 定電圧回路
807 復調回路
808 変調回路
809 論理回路
810 記憶回路
811 ROM
1189 ROMインターフェース
1190 基板
1191 ALU
1192 ALUコントローラ
1193 インストラクションデコーダ
1194 インタラプトコントローラ
1195 タイミングコントローラ
1196 レジスタ
1197 レジスタコントローラ
1198 バスインターフェース
1199 ROM
1200 記憶素子
1201 回路
1202 回路
1203 スイッチ
1204 スイッチ
1206 論理素子
1207 容量素子
1208 容量素子
1209 トランジスタ
1210 トランジスタ
1213 トランジスタ
1214 トランジスタ
1220 回路
1700 基板
1701 チャンバー
1702 ロード室
1703 前処理室
1704 チャンバー
1705 チャンバー
1706 アンロード室
1711a 原料供給部
1711b 原料供給部
1712a 高速バルブ
1712b 高速バルブ
1713a 原料導入口
1713b 原料導入口
1714 原料排出口
1715 排気装置
1716 基板ホルダ
1720 搬送室
1750 インターポーザ
1751 チップ
1752 端子
1753 モールド樹脂
1800 パネル
1801 プリント配線基板
1802 パッケージ
1803 FPC
1804 バッテリー
2100 トランジスタ
2200 トランジスタ
2201 絶縁体
2202 配線
2203 プラグ
2204 絶縁体
2205 配線
2207 絶縁体
2211 半導体基板
2212 絶縁体
2213 ゲート電極
2214 ゲート絶縁体
2215 ソース領域およびドレイン領域
3001 配線
3002 配線
3003 配線
3004 配線
3005 配線
3200 トランジスタ
3300 トランジスタ
3400 容量素子
4000 RFタグ
6000 表示モジュール
6001 上部カバー
6002 下部カバー
6003 FPC
6004 タッチパネル
6005 FPC
6006 表示パネル
6007 バックライトユニット
6008 光源
6009 フレーム
6010 プリント基板
6011 バッテリー
7101 筐体
7102 筐体
7103 表示部
7104 表示部
7105 マイク
7106 スピーカー
7107 操作キー
7108 スタイラス
7302 筐体
7304 表示部
7311 操作ボタン
7312 操作ボタン
7313 接続端子
7321 バンド
7322 留め金
7501 筐体
7502 表示部
7503 操作ボタン
7504 外部接続ポート
7505 スピーカー
7506 マイク
7701 筐体
7702 筐体
7703 表示部
7704 操作キー
7705 レンズ
7706 接続部
7901 電柱
7902 表示部
8000 カメラ
8001 筐体
8002 表示部
8003 操作ボタン
8004 シャッターボタン
8005 結合部
8006 レンズ
8100 ファインダー
8101 筐体
8102 表示部
8103 ボタン
8121 筐体
8122 表示部
8123 キーボード
8124 ポインティングデバイス
8200 ヘッドマウントディスプレイ
8201 装着部
8202 レンズ
8203 本体
8204 表示部
8205 ケーブル
8206 バッテリー
9700 自動車
9701 車体
9702 車輪
9703 ダッシュボード
9704 ライト
9710 表示部
9711 表示部
9712 表示部
9713 表示部
9714 表示部
9715 表示部
9721 表示部
9722 表示部
9723 表示部
Claims (10)
- 第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、
前記第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の、ソース電極層およびドレイン電極層と、
前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、
前記第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第2の酸化物絶縁層、前記ゲート絶縁層および前記ゲート電極層上の第2の絶縁層と、
前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、を有し、
前記第2の絶縁層は、前記ゲート絶縁層の上面と接する領域を有し、
平面視において、前記ゲート絶縁層の端部は、前記ゲート電極層の端部から50nm以上10μm以下離間しており、
前記第3の絶縁層は、前記第2の絶縁層の側面に接する領域と、前記第2の酸化物絶縁層の側面に接する領域と、前記第1の絶縁層の上面に接する領域と、を有する、半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2の酸化物絶縁層は、前記酸化物半導体層の側面に接する領域と、前記第1の酸化物絶縁層の側面に接する領域と、を有する半導体装置。 - 請求項1又は2において、
前記第2の絶縁層は、アルミニウム、ハフニウム、シリコンのいずれか一を有すること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記第2の絶縁層は、厚さが3nm以上30nm以下であること、を特徴とする半導体装置。 - 第1の絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層上に、第1の酸化物絶縁層、酸化物半導体層、および第1の導電層を島状に形成し、
第1のマスクを用いて前記第1の導電層の一部を第1のエッチングをすることにより、前記酸化物半導体層上に、ソース電極層およびドレイン電極層を形成し、
前記第1の絶縁層、前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層上に、第2の酸化物絶縁膜を形成し、
前記第2の酸化物絶縁膜上に第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に第2の導電膜を形成し、第2のマスクを用いて、前記第2の導電膜、および前記第1の絶縁膜の一部を第2のエッチングをすることにより、ゲート電極層、およびゲート絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記ゲート電極層上に、第2の絶縁膜を形成し、
第3のマスクを用いて、前記第2の絶縁膜、前記第2の酸化物絶縁膜の一部を第3のエッチングすることにより、第2の絶縁層、および第2の酸化物絶縁層を形成し、
前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第2の絶縁層上に、第3の絶縁膜を形成し、
前記第2のエッチングにより、前記ゲート絶縁層の側面が露出し、
前記第2の絶縁層は、前記ゲート絶縁層の側面と接する領域を有し、
前記第3の絶縁膜は、前記第2の絶縁層の側面に接する領域と、前記第2の酸化物絶縁層の側面に接する領域と、前記第1の絶縁層の上面に接する領域と、を有する、半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記第2の絶縁膜を熱CVD法により成膜する、半導体装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記第2の絶縁膜をALD法によりに成膜する、半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至7のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜はアルミニウム、ハフニウム、シリコンのいずれか一を有する、半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至8のいずれか一において、
前記第2の絶縁膜の厚さが3nm以上30nm以下である、半導体装置の作製方法。 - 請求項5乃至9のいずれか一において、
前記第3の絶縁膜を、酸素を含むガスを用いてスパッタリング法により成膜する、半導体装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015094493 | 2015-05-04 | ||
JP2015094493 | 2015-05-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016213457A JP2016213457A (ja) | 2016-12-15 |
JP6815746B2 true JP6815746B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=57221977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016092448A Active JP6815746B2 (ja) | 2015-05-04 | 2016-05-02 | 半導体装置及びその作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10505051B2 (ja) |
JP (1) | JP6815746B2 (ja) |
KR (1) | KR102549926B1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1962408B1 (en) * | 2006-11-16 | 2015-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Radio field intensity measurement device, and radio field intensity detector and game console using the same |
JP6884569B2 (ja) | 2015-12-25 | 2021-06-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその作製方法 |
KR20190032414A (ko) | 2016-07-26 | 2019-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
WO2018150295A1 (ja) * | 2017-02-15 | 2018-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102512106B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2023-03-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 표시 장치 |
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KR102396978B1 (ko) | 2018-11-16 | 2022-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
JP7377025B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-11-09 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 検出装置 |
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Family Cites Families (152)
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---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
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CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
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US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
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-
2016
- 2016-04-27 KR KR1020160051757A patent/KR102549926B1/ko active IP Right Grant
- 2016-05-02 US US15/144,123 patent/US10505051B2/en active Active
- 2016-05-02 JP JP2016092448A patent/JP6815746B2/ja active Active
-
2019
- 2019-12-04 US US16/703,175 patent/US10797180B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10505051B2 (en) | 2019-12-10 |
US20160329434A1 (en) | 2016-11-10 |
KR102549926B1 (ko) | 2023-06-29 |
KR20160130708A (ko) | 2016-11-14 |
JP2016213457A (ja) | 2016-12-15 |
US20200105942A1 (en) | 2020-04-02 |
US10797180B2 (en) | 2020-10-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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