JP6804874B2 - 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法 - Google Patents

流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6804874B2
JP6804874B2 JP2016108383A JP2016108383A JP6804874B2 JP 6804874 B2 JP6804874 B2 JP 6804874B2 JP 2016108383 A JP2016108383 A JP 2016108383A JP 2016108383 A JP2016108383 A JP 2016108383A JP 6804874 B2 JP6804874 B2 JP 6804874B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
response delay
flow rate
feedback
control
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016108383A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017215726A (ja
Inventor
興太郎 瀧尻
興太郎 瀧尻
篤史 家城
篤史 家城
祐紀 田中
祐紀 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Horiba Stec Co Ltd
Original Assignee
Horiba Stec Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Horiba Stec Co Ltd filed Critical Horiba Stec Co Ltd
Priority to JP2016108383A priority Critical patent/JP6804874B2/ja
Priority to KR1020170064905A priority patent/KR102333901B1/ko
Priority to CN201710395239.7A priority patent/CN107450612B/zh
Priority to US15/608,905 priority patent/US10302476B2/en
Priority to TW106117835A priority patent/TWI723170B/zh
Publication of JP2017215726A publication Critical patent/JP2017215726A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6804874B2 publication Critical patent/JP6804874B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/696Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
    • G01F1/6965Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters comprising means to store calibration data for flow signal calculation or correction
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K37/00Special means in or on valves or other cut-off apparatus for indicating or recording operation thereof, or for enabling an alarm to be given
    • F16K37/0025Electrical or magnetic means
    • F16K37/005Electrical or magnetic means for measuring fluid parameters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F15/00Details of, or accessories for, apparatus of groups G01F1/00 - G01F13/00 insofar as such details or appliances are not adapted to particular types of such apparatus
    • G01F15/005Valves
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B13/00Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion
    • G05B13/02Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric
    • G05B13/0205Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric not using a model or a simulator of the controlled system
    • G05B13/021Adaptive control systems, i.e. systems automatically adjusting themselves to have a performance which is optimum according to some preassigned criterion electric not using a model or a simulator of the controlled system in which a variable is automatically adjusted to optimise the performance
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K37/00Special means in or on valves or other cut-off apparatus for indicating or recording operation thereof, or for enabling an alarm to be given
    • F16K37/0075For recording or indicating the functioning of a valve in combination with test equipment
    • F16K37/0091For recording or indicating the functioning of a valve in combination with test equipment by measuring fluid parameters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Software Systems (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)

Description

本発明は、例えば半導体製造プロセスに用いられる材料ガスや薬液、洗浄液等の流体流量を制御するための流体制御装置に関するものである。
多くの産業プロセスにおいて、さまざまなプロセス流体の流量制御が必要とされており、そのためにプロセス流体の流路上に流量制御装置が設けられている。
このような流量制御装置は、プロセス流体の流量を所望の値(目標流量)に素早く、かつ安定に制御することが求められる。そのため、特許文献1に示すように、従来の流量制御装置においては、特許文献1に示されているように、例えば流量を調整するためのバルブや流量センサなどにできるだけ応答性の良いものを用い、応答性や安定性において最大の能力を発揮できるようにチューニングされる。
しかしながら、複数のプロセスガスをそれぞれ流量制御しながら用いるような半導体プロセスなどにおいて、既存の流量制御装置に代えて、応答性に優れた高性能の流量制御装置を導入すると、最終生成物(半導体)が所望の仕様から外れるといった不具合が生じる場合がある。
本発明者は、鋭意検討した結果、その原因を突き止めた。
すなわち、従来は、既存の流量制御装置を用いて、最終生成物(半導体)が所望の仕様性能を満たすように試行錯誤によってプロセスのレシピが決められている。プロセスのレシピとは、プロセス流体に関していえば、どのタイミングでどれだけの量のプロセス流体を流すかということであり、言い換えると、各プロセス流体の目標流量をどのように設定するかということである。
しかし、実際に流れるプロセス流体の流量は、机上のレシピに示された目標流量に正確に追随しているわけではなく、流量制御装置の応答性に依存してやや遅れたものとなっている。
したがって、既存の流量制御装置を高性能な流量制御装置に置き換えると、目標流量により精度良く追随するがゆえに、実際の流量が目標流量に十分追随していない従来の流量(実質的なレシピ)とは異なるものになってしまい、最終生成物が仕様から外れる可能性が生じるわけである。
そのため、従来、流量制御装置を新機種に置き換えるなどした場合には、プロセスガスの流量を実際に設定する現場オペレータが、レシピ、すなわち目標流量を再度試行錯誤によって修正しなければならず、特に多数のプロセス流体を用いている場合は、膨大な手間がかかってしまう。
特開2003−316442号公報
本願発明は、かかる新規な課題に鑑み、応答性を向上させるという従来観念を捨てて初めてなされたものであって、優れた応答性を有しながらも、場合によっては、既存の流量制御装置と等価な応答性となるように、オペレータが容易にダウンチューニングできるようにすることを図ったものである。
すなわち、本発明に係る流量制御装置は、測定流量が目標流量に近づくように、流体制御弁をフィードバック制御するものであって、ユーザオペレータが設定したい応答遅れを示す値である応答遅れ設定値を入力する応答遅れ入力部と、前記フィードバック制御における応答遅れを、前記応答遅れ設定値に応じて発生させる応答遅れ生成部とを具備することを特徴とする。
このようなものであれば、本来であれば速応性を求められる流量制御装置において、敢えて応答遅れを作り出すことができるうえ、その応答遅れを、ユーザーオペレータの設定入力だけで定めることができる。したがって、この流量制御装置を、例えば、既存の流量制御装置と同等な応答性に設定してこれと置き換えることが容易にできるようになる。
上述した効果、すなわち、オペレータによる随時の応答性ダウンチューニングが可能という効果は、従来、速応性を追求してきた流量制御装置の分野においては極めて画期的なものである。
一方、入力する応答遅れ設定値を性能限界まで小さくすれば、本流量制御装置が本来有する速応性を活かした利用も可能となる。
具体的な実施態様としては、前記応答遅れ設定値が、無駄時間を除いた一次遅れ、二次遅れ又は多次遅れを示す値であるものを挙げることができる。
ユーザオペレータにとって扱いやすい応答遅れ設定値としては、時定数などを挙げることができる。
新たに応答遅れを設定する場合は、過去における応答遅れとそのときのフィードバック制御係数とを参照することにより、演算が容易になる。そのためには、フィードバック制御による応答遅れを測定する応答遅れ測定部をさらに具備し、前記応答遅れ生成部が、前記応答遅れ測定部によって測定された測定応答遅れと、その時に設定されていたフィードバック制御係数とに基づいて、前記応答遅れ設定値に示された設定応答遅れとなる新規フィードバック制御係数を算出し、現在設定されているフィードバック制御係数を、前記新規フィードバック制御係数に置き換えるものであることが望ましい。
複雑な演算をすることなく、短い時間で応答遅れを設定できるようにするには、前記フィードバック制御が、少なくとも比例制御を含むものであり、IMCを用いることによって無駄時間を除く応答遅れが一次遅れとなるように設定されたものが好ましい。
このように構成した本発明によれば、本来であれば速応性を求められる流量制御装置において、敢えて応答遅れを作り出すことができるうえ、その応答遅れを、ユーザーオペレータの設定入力だけで定めることができる。したがって、この流量制御装置を、例えば、既存の流量制御装置と同等な応答性に設定してこれと置き換えることが容易にできるようになる。
本発明の一実施形態に係る流体制御装置を示す模式的全体図。 同実施形態における制御機構の機能ブロック図。 同実施形態におけるバルブ制御部の制御ブロック線図。 同実施形態における応答遅れ記憶部に記憶されたデータ(構造)を示すデータ例示図。 本発明の他の実施形態における制御ブロック線図。
本発明の一実施形態に係る流体制御装置を、図1乃至4を参照しながら説明する。
この流量制御装置100は、例えば、半導体製造用の各種材料ガスといった流体が流れる各供給流路(図示しない)上にそれぞれ設けられて、各材料ガスの流量を所定の流量に制御するために用いられるものである。なお、流体としては、ガス以外に、液体、スラリー等が挙げられる。
より具体的に説明する。
この流量制御装置100は、図1及び図2に示すように、内部に流路11が形成された概略直方体形状のボディ1と、前記ボディ1に取り付けられた熱式の流量センサ2及びバルブ3と、前記流量センサ2からの出力に基づいて前記バルブ3を制御する制御機構4とを備えている。
前記ボディ1は、その底面に流体を導入出するための導入口12及び導出口13がそれぞれ設けてあり、前記導入口12と前記導出口13との間を結ぶように前記流路11が形成してある。この流路11に対して最も下流側に前記バルブ3が設けてあり、前記バルブ3の上流に前記流量センサ2が設けてある。
前記流量センサ2は、前記流路11内に設けられた流体抵抗である分流素子21と、前記流路11から分岐し、前記分流素子21の前後を迂回するように設けられた細管22と、前記細管22に設けられた一対のコイル23a(図2に示す)からなり、流量に関連する値を検出する検出機構23と、前記制御機構4の演算機能を利用して構成され、前記検出機構23からの出力に基づいて流量を算出する流量算出部41とからなる熱式のものである。
詳述すれば、前記各コイル23aは電熱線であり、それぞれが所定温度で保たれるように温度制御回路(図示しない)が接続してある。この温度制御回路によって各コイル23aに印加される電圧値が前記検出機構23から前記流量算出部41へと出力され、それぞれの電圧値に基づいて前記流量算出部41は流量を算出する。
なお、この流量センサは、熱式のみならず、差圧式、超音波式、コリオリ式など、種々の方式のものでも構わない。
前記制御機構4は、CPU、メモリ、A/D・D/Aコンバータ、入出力手段、ドライバ等を備えた電子回路であって、前記メモリに格納されている流量制御装置用プログラムに基づいてCPUやその周辺機器が協働することにより、前記流量センサ2の構成要素である流量算出部41の他、バルブ制御部42等の演算回路としての機能を発揮する。
流量算出部41は、前述したように、前記検出機構23からの出力に基づいて流路11を流れる流体の流量を算出し、その値(以下、測定流量値という。)を出力するものである。
前記バルブ制御部42は、図2に示すように、オペレータによる入力や外部機器からの通信等によって与えられた目標流量と、前記流量算出部41から出力された測定流量とを受け付け、これらの間の偏差が小さくなるように前記バルブ3の開度をPIDフィードバック制御するものである。
より具体的に説明する。このバルブ制御部42は、図3の制御ブロック線図に示されるように、PIDコントローラ421に加えて、IMC(Internal Model Controller)422が付加された構成のものである。
同図において、Gp(s)は、実際のプロセス(バルブ3や流量センサ2を含んだ系)の伝達関数であり、機種によって異なる。
Gc(s)は、前記PIDコントローラ421の伝達関数であり、以下の式(1)で表される。
Gc(s) = Kp ( 1 + 1/Ti・s + Td・s )・・・(1)
ここで、Kpは比例ゲイン、Tiは積分時間、Tdは積分時間、sはラプラス関数である。
Gp'(s)は、プロセスモデル423の伝達関数である。
また、これらGp(s) 、Gc(s)、 Gp'(s)による伝達関数GIMC(s)で表される系が、前記IMC422である。
この実施形態では、前記プロセスモデル423を適宜設定してGIMC(s)を定めることにより、このバルブ制御部42とバルブ3及び流量センサ2とを含めたフィードバック系としての伝達関数が、無駄時間を無視すると、一次遅れとなるように構成してある。
すなわち、バルブ3の伝達関数を1 / (f1・s+1)、流量センサ2の伝達関数を1 / (e1・s+1)とすれば、前記伝達関数Gp(s)は、式(3)のようになる。
Gp(s) = (1 / (f1・s+1)) (1 / (e1・s+1)) ・・・(2)
そして、GIMC(s)を以下のように設定している
GIMC(s) = (x1・s+1)(x2・s+1) / (T・s) ・・・(3)
ここで、x1はf1、x2はe1と同じ定数となる様に設定する。
そうすると、IMC422と、バルブ3及び流量センサ2とが直列した伝達関数G1(s)は、以下の式(4)のようになる。
G1(s) = GIMC(s)・Gp(s) = 1 / (T・s) ・・・(4)
そして、前述したように、フィードバック系も含めた系全体の伝達関数G(s)が、無駄時間を無視すると、式(5)にように一次遅れとなる。
G(s) = 1 / (1+T・s) ・・・(4)
これを書き換えると、以下の式(5)のように表される。
Qout=1 / (1+T・s)・Qset = 1 / (1+1/Kp・s) ・Qset ・・・(5)
ここで、Qsetは目標流量値でQoutは測定流量である。また1/Kpは時定数Tの逆関数となっている。
しかして、この実施形態では、図2に示すように、前記制御機構4に、応答遅れ入力部43、応答遅れ測定部44、応答遅れ記憶部45、応答遅れ生成部46等としての機能をさらに付加している。
応答遅れ入力部43とは、流量制御装置100の応答遅れを示す値である応答遅れ設定値を、キーボードなどの入力手段や通信によって受け付けるものである。応答遅れ設定値とは、ユーザオペレータが指定するものであって、ここでは、目標流量に対する測定流量の応答遅れのうち、一次遅れ要素に関する値のことであり、より具体的には、時定数(流量の立ち上がりから目標流量の63%に至るまでの時間)のことである。応答遅れ設定値としては、その他、約4倍時定数(測定流量の立ち上がりから目標流量値の98%に至るまでの時間)でもよいし、あるいは、現在の応答遅れに対する比率(%)などでも構わない。以下では、応答遅れ設定値を設定時定数ともいう。
応答遅れ測定部44は、現時点での制御による応答遅れ(ここでは一次遅れの時定数であり、以下、測定時定数という。)を測定するものである。そのためにこの応答遅れ測定部44は、例えば、目標流量としてステップ信号を与え、そのときのインディシャル応答を測定することによって前記測定時定数を算出する。その他、インパルス応答やランプ応答等によって測定時定数を算出するようにしてもよい。この応答遅れ測定部44による応答遅れの測定は、実際の流量制御の始動前や休止期間に行うようにしている。
応答遅れ記憶部45は、メモリの所定領域に設定されたものであり、前記応答遅れ測定部44で測定された測定時定数が記憶される。このとき、応答遅れ記憶部45は、測定時定数と対にして、その測定時の条件、すなわり、流体の種類、温度、圧力などの周囲条件を、例えば図4に示すようなテーブル形式で記憶する。
応答遅れ生成部46は、この制御による時定数が、応答遅れ入力部43で受け付けられた設定時定数となるように、バルブ制御部42における制御パラメータを調整するものである。
具体的に説明すると、前述したように、該バルブ制御部42による応答性はIMC422によって一次遅れとなっている。したがって、PIDコントローラ421による比例ゲインKpと時定数Tとの関係は Kp =1/ T ・・・(6)
そこで、応答遅れ生成部46は、応答遅れ記憶部45を参照して、同様の測定条件における測定時定数とそのときの比例ゲインとから前記比を算出し、この比から設定時定数となる比例ゲインを算出して、既存の比例ゲインをこの新規比例ゲインに置き換える。
理論的な新規比例ゲインの算出式は、下記式(7)のようであるが、応答遅れ生成部46は、これと等価な演算を行って、新規比例ゲインを設定する。
Kp1 = Kp0・T1/T0・・・(7)
ここで、Kp1は新規比例ゲイン、Kp0は既存の比例ゲイン、T1は設定時定数、T0は測定比例ゲインである。
しかして、このような構成によれば、オペレータが所望の設定時定数を入力するだけで、この流量制御装置100による応答遅れがその設定時定数となるようにオートチューニングされる。
したがって、本実施形態に係る流量制御装置100によれば、既存の流量制御装置と同等の応答性に設定するだけで、他に例えば目標流量を再調整することなどなく、既存のものから容易に置き換えることができる。
また、従来、速応性が追求されてきた流量制御装置の分野において、かかる効果、すなわち、オペレータによる随時の応答性ダウンチューニングを初めて可能ならしめた点は、極めて画期的であるということができる。
一方、より速い応答性が求められる場合には、入力する設定時定数の値を性能限界まで小さくすればよく、この流量制御装置が本来有する性能を活かした利用も可能である。
また、応答遅れ設定値として用いている時定数は、ユーザにとって応答性を直感的に把握しやすい値なので、使い勝手が良いという効果も奏する。
加えて、本流量制御装置100と同等の機能を得るべく、入力された設定時定数(所望の応答遅れ)となるように、PID制御の各制御係数(Kp、Ti、Td)をそれぞれ算出し定めることも可能ではある。しかしながら、前記各制御係数が制御対象とは独立に自由に与えることができるものであり、現在のところ、それぞれの最適値は代数的な手法では算出できず、試行錯誤的に求めざるを得ないため、応答遅れ設定のための演算に多大な時間かかる場合がある。
これに対し、この実施形態では、PIDコントローラ421に加えてIMC422を設け、バルブ制御に係る応答性が一次遅れとなるように予め構成してあるので、上述したように、3つの制御係数のうち、比例ゲインKpのみを調整すれば、時定数を設定することができる。したがって、演算回路に大きな負担を与えることなく、応答遅れを設定時定数となるように容易に自動設定することができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
例えば、前記実施形態において、応答遅れ生成部46は、応答遅れ記憶部45を参照して、過去における同様の周囲条件での測定時定数とそのときの比例ゲインとを検索し、それをもとに比例ゲインを定めていたが、周囲条件を実際の流量制御での周囲条件と予め揃えて測定時定数を求め、これをもとに設定時定数となるように比例ゲインを算出してもよい。このようにすれば、応答遅れ記憶部に過去の周囲条件を記憶させなくともよい。
測定時定数と設定時定数との偏差が少なくなるように、比例ゲインを徐々に変えるフィードバック制御により、比例ゲインを設定するようにしてもよい。
実際の流量制御中に、流体の温度やバルブ前後での流体の圧力等が変動した場合、応答性を維持すべく、そのうちのいずれか1以上を用いて、応答遅れ生成部において、比例ゲインKp1を修正してもよい。例えば圧力pの変動による修正演算式としては、下記式(8)のようなものが挙げられる。
Kp1' = ( Xn pn + Xn-1 pn-1 +・・・+ X1 p) Kp1+b・・・(8)
ここで、X1~Xnは実験等で予め求めた係数、Kp1'は、修正演算後の比例ゲインである。
また、図5に示すように、目標流量値に対して一次遅れ等を施す演算回路であるフィルタ47を追加して時定数設定する事により応答速度を設定してもよい。この場合、目標流量値が前記フィルタ47によって補正される。
さらに、流量制御装置の応答性、特にバルブ3の応答性が、流体の圧力(バルブよりも上流側側の圧力及び/又は下流側の圧力)によって変化するため、この圧力変化をキャンセルして応答遅れが設定値に保たれるような(補償するような)制御を行えば、なお好ましい。具体的には、例えば、前記図5におけるフィルタ47の時定数が、測定された流体の圧力(ここでは上流側の圧力)に応じて変化し、圧力による応答遅れの変化が補償されるように構成すればよい。
前記応答遅れ入力部で入力できる応答遅れの値(例えば設定時定数)は、制限を設けないようにしてもよいし、制限を設けるようにしてもよい。
前者の場合、例えば応答遅れの値が0といった入力も受け付けることになるが、その場合は、流量制御装置は、その最大応答性能、すなわち最も応答遅れが小さい状態で動作することになる。言い換えると、応答遅れとして、流量制御装置の最大応答性能を超えるような値が入力されると、その値は無視され、該流量制御装置は最大応答性能で動作することとなる。
後者の場合は、例えば0といった、流量制御装置の最大応答性能を超えるような応答遅れが入力されても、これを受け付けず、再入力を促すか、もしくは、仕様上最小の応答遅れ値が表示されるなどして、その応答遅れで動作することになる。
その他、本発明はその趣旨に反しない限りにおいて様々な変形や実施形態の組み合わせを行っても構わない。
100・・・流量制御装置
3・・・流体制御弁
43・・・応答遅れ入力部
44・・・応答遅れ測定部
45・・・応答遅れ記憶部
46・・・応答遅れ生成部

Claims (9)

  1. 測定流量が目標流量に近づくように、流体制御弁をフィードバック制御する流量制御装置において、
    設定流量と、測定流量と、設定されているフィードバック制御係数に基づいて、前記流体制御弁をフィードバック制御するバルブ制御部と、
    設定したい応答遅れを示す値である応答遅れ設定値を入力する応答遅れ入力部と、
    前記フィードバック制御における応答遅れを、前記応答遅れ設定値に応じて発生させる応答遅れ生成部とを具備し、
    前記応答遅れ生成部が、前記応答遅れ設定値に応じて前記フィードバック制御係数をダウンチューニングすることを特徴とする流量制御装置。
  2. 前記応答遅れ設定値が、無駄時間を除いた一次遅れ、二次遅れ又はそれ以上の多次遅れを示す値である請求項1記載の流量制御装置。
  3. 前記一次遅れ、二次遅れ又はそれ以上の多次遅れを示す値が、時定数である請求項2記載の流量制御装置。
  4. フィードバック制御による応答遅れを測定する応答遅れ測定部をさらに具備し、
    前記応答遅れ生成部が、前記応答遅れ測定部によって測定された測定応答遅れと、その時に設定されていたフィードバック制御係数とに基づいて、前記応答遅れ設定値に示された設定応答遅れとなる新規フィードバック制御係数を算出し、現在のフィードバック制御係数を、前記新規フィードバック制御係数に置き換えるものである請求項1、2又は3記載の流量制御装置。
  5. 前記フィードバック制御が、少なくとも比例制御を含むものであり、無駄時間を除く応答遅れが、IMCを用いることによって一次遅れとなるように設定されたものである請求項1、2、3又は4記載の流量制御装置。
  6. 前記フィードバック制御が、測定流量の値そのもののみがネガティブフィードバックされて、一重のフィードバックループを構成する請求項1、2、3、4又は5記載の流量制御装置。
  7. 半導体製造プロセスに用いられる流体の流量を制御するように構成された請求項1、2、3、4、5又は6記載の流量制御装置。
  8. 測定流量が目標流量に近づくように、流体制御弁をフィードバック制御する流量制御装置に用いられるプログラムであって、
    設定流量と、測定流量と、設定されているフィードバック制御係数に基づいて、前記流体制御弁をフィードバック制御するバルブ制御部と、
    前記流量制御装置に、設定したい応答遅れを示す値である応答遅れ設定値を入力する応答遅れ入力部と、
    前記フィードバック制御における応答遅れを、前記応答遅れ設定値に応じて発生させる応答遅れ生成部としての機能を発揮させるものであり、
    前記応答遅れ生成部が、前記応答遅れ設定値に応じて前記フィードバック制御係数をダウンチューニングすることを特徴とするプログラム。
  9. 測定流量が目標流量に近づくように、流体制御弁をフィードバック制御する流量制御装置を用いた流量制御方法であって、
    設定流量と、測定流量と、設定されているフィードバック制御係数に基づいて、前記流体制御弁をフィードバック制御するバルブ制御ステップと、
    設定したい応答遅れを示す値である応答遅れ設定値を入力する応答遅れ入力ステップと、
    前記フィードバック制御における応答遅れを、前記応答遅れ設定値に応じて発生させる応答遅れ生成ステップとを具備し、
    前記応答遅れ生成ステップにおいて、前記応答遅れ設定値に応じて前記フィードバック制御係数をダウンチューニングすることを特徴とする流量制御方法。
JP2016108383A 2016-05-31 2016-05-31 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法 Active JP6804874B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108383A JP6804874B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法
KR1020170064905A KR102333901B1 (ko) 2016-05-31 2017-05-25 유량 제어 장치 및 유량 제어 장치용 프로그램이 기억된 기억 매체
CN201710395239.7A CN107450612B (zh) 2016-05-31 2017-05-26 流量控制装置和存储有流量控制装置用程序的存储介质
US15/608,905 US10302476B2 (en) 2016-05-31 2017-05-30 Flow rate control device
TW106117835A TWI723170B (zh) 2016-05-31 2017-05-31 流量控制裝置、用於流量控制裝置的程式與流量控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016108383A JP6804874B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017215726A JP2017215726A (ja) 2017-12-07
JP6804874B2 true JP6804874B2 (ja) 2020-12-23

Family

ID=60417673

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016108383A Active JP6804874B2 (ja) 2016-05-31 2016-05-31 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10302476B2 (ja)
JP (1) JP6804874B2 (ja)
KR (1) KR102333901B1 (ja)
CN (1) CN107450612B (ja)
TW (1) TWI723170B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7164938B2 (ja) * 2017-07-31 2022-11-02 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
WO2019163676A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 株式会社フジキン 流量制御装置および流量制御方法
JP7044629B2 (ja) * 2018-05-18 2022-03-30 株式会社堀場エステック 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
US11279159B2 (en) 2018-06-15 2022-03-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Determining cleaning fluid flow at a print apparatus
DK3690592T3 (da) * 2019-01-30 2021-07-05 Siemens Schweiz Ag Reguleringsventil
TWI774227B (zh) * 2020-02-21 2022-08-11 日商富士金股份有限公司 流量控制裝置、流量控制裝置的控制方法、流量控制裝置的控制程式
KR20240007170A (ko) * 2021-05-13 2024-01-16 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 제어 장치, 유체 제어 시스템, 유체 제어 장치용 프로그램, 및 유체 제어 방법

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH044778A (ja) * 1990-04-23 1992-01-09 Yaskawa Electric Corp モータ制御装置
JP2929259B2 (ja) * 1993-12-27 1999-08-03 株式会社山武 コントローラ
US5568378A (en) * 1994-10-24 1996-10-22 Fisher-Rosemount Systems, Inc. Variable horizon predictor for controlling dead time dominant processes, multivariable interactive processes, and processes with time variant dynamics
US5691896A (en) * 1995-08-15 1997-11-25 Rosemount, Inc. Field based process control system with auto-tuning
JP3971225B2 (ja) * 2002-04-05 2007-09-05 株式会社山武 フィードバック制御方法及びフィードバック制御装置
JP2003316442A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Stec Inc 圧力式流量制御装置
US7349745B2 (en) * 2004-10-20 2008-03-25 Fisher Controls International Llc. Lead-lag input filter arrangement with adjustable initial conditions for electro-pneumatic control loops
BRPI0513445A (pt) * 2004-10-20 2008-05-06 Fisher Controls Int métodos para controlar um parámetro de processo de uma malha de controle e para sintonizar de maneira otimizada ajuste de um parámetro de uma malha de controle, e, sistemas para sintonizar um parámetro de processo de uma malha de controle, a resposta de uma válvula de controle e a posição de um tampão de válvula e para implementar ajustes a um parámetro de processo
JP4587074B2 (ja) * 2005-07-28 2010-11-24 富士電機システムズ株式会社 位置決め制御装置の制御パラメータ調整方法
WO2008081643A1 (ja) * 2006-12-28 2008-07-10 Mitsubishi Electric Corporation Egrバルブ制御装置
JP4964096B2 (ja) * 2007-11-12 2012-06-27 三菱電機株式会社 サーボゲイン調整装置およびサーボゲイン調整方法
US8509954B2 (en) * 2009-08-21 2013-08-13 Allure Energy, Inc. Energy management system and method
JP5201300B2 (ja) * 2011-07-06 2013-06-05 パナソニック株式会社 モータ制御装置
JP6034231B2 (ja) * 2012-07-25 2016-11-30 株式会社Kelk 半導体製造装置用温度調整装置、半導体製造におけるpid定数演算方法、及び半導体製造装置用温度調整装置の運転方法
JP5696171B2 (ja) * 2013-03-14 2015-04-08 株式会社東芝 制御パラメータ調整方法、制御パラメータ調整システム及び制御パラメータ設定装置
CN105247434B (zh) * 2013-08-28 2019-02-05 株式会社堀场Stec 流量控制装置和流量控制方法
KR102155105B1 (ko) * 2014-07-15 2020-09-11 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 유체의 유량을 제어하는 방법, 당해 방법을 실행하는 질량 유량 제어 장치 및 당해 질량 유량 제어 장치를 사용한 질량 유량 제어 시스템
JP6415889B2 (ja) * 2014-08-01 2018-10-31 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御装置用プログラム、及び、流量制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102333901B1 (ko) 2021-12-02
JP2017215726A (ja) 2017-12-07
US20170343402A1 (en) 2017-11-30
US10302476B2 (en) 2019-05-28
TWI723170B (zh) 2021-04-01
KR20170135708A (ko) 2017-12-08
CN107450612B (zh) 2022-06-07
CN107450612A (zh) 2017-12-08
TW201743155A (zh) 2017-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6804874B2 (ja) 流量制御装置、流量制御装置に用いられるプログラム、及び、流量制御方法
JP6423792B2 (ja) 流量制御装置及び流量制御プログラム
JP6249024B2 (ja) 複数の流体の種類に亘って改善された性能のためのマスフローコントローラ及び方法
US10705545B2 (en) Fluid control device and flow rate ratio control device
JP5091821B2 (ja) マスフローコントローラ
KR20120049148A (ko) 매스 플로우 컨트롤러 및 유량 제어 프로그램이 저장된 저장 매체
JP2014137205A (ja) 給湯装置
CN108536180B (zh) 流体控制装置和流体控制装置用程序存储介质
JP2020021176A (ja) 流量制御装置
JP6220699B2 (ja) 流量制御装置及び流量制御装置用プログラム
US20180120864A1 (en) Nonlinear control of mass flow controller devices using sliding mode
JP2019219821A (ja) 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
JP2020013269A (ja) 流量制御装置
US11698649B2 (en) Vaporization system and concentration control module used in the same
JP2004280689A (ja) マスフローコントローラ
CN109564119B (zh) 压力式流量控制装置、其流量算出方法以及流量控制方法
JP7054297B2 (ja) 流体制御装置及び流体制御装置用プログラム
KR20170137640A (ko) 적어도 하나의 템퍼링 원의 적어도 하나의 제어값을 제어하기 위한 폐쇄 루프 제어 장치
KR101889379B1 (ko) 유량제어시스템
JP2023080611A (ja) 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
TW200523532A (en) Device, method, and system for controlling fluid flow
JP2012168822A (ja) 流体制御装置
JP2022073411A5 (ja)
JP2019145047A (ja) 流体制御装置、制御プログラム及び流体制御システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190416

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200428

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200622

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20201126

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20201203

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6804874

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250