JP6733275B2 - マイクロ波加熱装置及び排気浄化装置 - Google Patents
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Description
(マイクロ波加熱装置及び排気浄化装置)
第1の実施の形態におけるマイクロ波加熱装置及び排気浄化装置について図1に基づき説明する。尚、本実施の形態における排気浄化装置には、本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置が搭載されている。
Mp=k×ln(P1/(a×P2))・・・・(1)
温度測定部70は、筐体部20に取り付けられており、筐体部20内における微粒子捕集部10の温度を測定する。温度測定部70は、放射温度計等であって、微粒子捕集部10における温度分布を測定することのできるものであってもよい。制御部80は、本実施の形態における排気浄化装置の制御を行う。
次に、本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置及び排気浄化装置の制御について、図3に基づき説明する。尚、本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置及び排気浄化装置の制御は、制御部80により行われる。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、電磁波発生部が複数設けられているマイクロ波加熱装置及び排気浄化装置である。本実施の形態におけるマイクロ波加熱装置及び排気浄化装置について図4に基づき説明する。
(付記1)
被加熱物が入れられる筐体部と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波とは異なる周波数の電磁波を発生させる電磁波発生部と、
前記電磁波発生部より前記筐体部に入射し、前記被加熱物を透過した電磁波のパワーを測定する電磁波センサと、
前記電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーに基づき、前記マイクロ波発生部におけるマイクロ波の発生を制御する制御部と、
を有することを特徴とするマイクロ波加熱装置。
(付記2)
前記電磁波発生部において発生させる電磁波は、前記マイクロ波よりも周波数が高いことを特徴とする付記1に記載のマイクロ波加熱装置。
(付記3)
被加熱物が入れられる筐体部と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波とは異なる周波数の電磁波を発生させる電磁波発生部と、
前記電磁波発生部より前記筐体部に入射する電磁波のパワーを測定する第1の電磁波センサと、
前記電磁波発生部より前記筐体部に入射し、前記被加熱物を透過した電磁波のパワーを測定する第2の電磁波センサと、
前記第1の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーと、前記第2の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーに基づき、前記マイクロ波発生部におけるマイクロ波の発生を制御する制御部と、
を有することを特徴とするマイクロ波加熱装置。
(付記4)
前記電磁波発生部において発生させる電磁波は、前記マイクロ波よりも周波数が高いことを特徴とする請求項3に記載のマイクロ波加熱装置。
(付記5)
前記電磁波発生部において発生させる電磁波は、10GHz以上、10THz以下の電磁波であることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
(付記6)
前記電磁波発生部は複数設けられていることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
(付記7)
前記被加熱物の温度を測定する温度測定部を有し、
前記制御部は、前記温度測定部において測定した温度が、所定の温度範囲の場合には、前記マイクロ波発生部においてマイクロ波を発生させる制御を行うことを特徴とする付記1から6のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
(付記8)
前記マイクロ波発生部において発生させたマイクロ波が、前記筐体部に入射する入射波のパワーと反射波のパワーとを測定するマイクロ波センサが設けられており、
前記マイクロ波センサにおいて測定された前記入射波のパワーと前記反射波のパワーに基づき、前記反射波のパワーが低くなるようなチューニングを行うチューナーが設けられていることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
(付記9)
マイクロ波発生部は、窒化物半導体により形成された半導体素子を含むものであることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
(付記10)
付記1から9のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記筐体部は、前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口が設けられており、
前記微粒子捕集部には、前記マイクロ波加熱装置からマイクロ波が照射されることを特徴とする排気浄化装置。
(付記11)
付記3または4に記載のマイクロ波加熱装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記筐体部は、前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口が設けられており、
前記制御部は、前記第1の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーと、前記第2の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーに基づき前記微粒子捕集部に堆積している微粒子の堆積量を算出し、前記微粒子の堆積量が所定の堆積量以上である場合には、前記マイクロ波発生部においてマイクロ波を発生する制御を行うことを特徴とする排気浄化装置。
(付記12)
前記電磁波発生部において発生させる電磁波は、10GHz以上、10THz以下の電磁波であることを特徴とする付記11に記載の排気浄化装置。
(付記13)
前記被加熱物の温度を測定する温度測定部が設けられており、
前記制御部は、前記温度測定部において測定した温度が、所定の温度範囲の場合には、前記マイクロ波発生部においてマイクロ波を発生させる制御を行うことを特徴とする付記11または12に記載の排気浄化装置。
11 酸化触媒部
20 筐体部
20a 筐体本体部
20b 吸入口
20c 排出口
30 マイクロ波発生部
41 電磁波発生部
50 マイクロ波センサ
51 第1の電磁波センサ
52 第2の電磁波センサ
60 チューナー
61 チューナー
70 温度測定部
80 制御部
Claims (7)
- 被加熱物が入れられる筐体部と、
マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波とは異なる周波数の電磁波を発生させる第1の電磁波発生部及び第2の電磁波発生部と、
前記第1の電磁波発生部より前記筐体部に入射する電磁波のパワーと、前記第2の電磁波発生部より前記筐体部に入射し、前記被加熱物を透過した電磁波のパワーと、を測定する第1の電磁波センサと、
前記第2の電磁波発生部より前記筐体部に入射する電磁波のパワーと、前記第2の電磁波発生部より前記筐体部に入射し、前記被加熱物を透過した電磁波のパワーと、を測定する第2の電磁波センサと、
前記第1の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーと、前記第2の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーに基づき、前記マイクロ波発生部におけるマイクロ波の発生を制御する制御部と、
を有することを特徴とするマイクロ波加熱装置。 - 前記第1の電磁波発生部及び前記第2の電磁波発生部において発生させる電磁波は、前記マイクロ波よりも周波数が高いことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波加熱装置。
- 前記第1の電磁波発生部及び前記第2の電磁波発生部において発生させる電磁波は、10GHz以上、10THz以下の電磁波であることを特徴とする請求項1または2に記載のマイクロ波加熱装置。
- 前記第1の電磁波発生部及び前記第2の電磁波発生部は、各々複数設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置。
- 請求項1から4のいずれかに記載のマイクロ波加熱装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記筐体部は、前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口が設けられており、
前記微粒子捕集部には、前記マイクロ波加熱装置からマイクロ波が照射されることを特徴とする排気浄化装置。 - 請求項1または2に記載のマイクロ波加熱装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記筐体部は、前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口が設けられており、
前記制御部は、前記第1の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーと、前記第2の電磁波センサにおいて検出された電磁波のパワーに基づき前記微粒子捕集部に堆積している微粒子の堆積量を算出し、前記微粒子の堆積量が所定の堆積量以上である場合には、前記マイクロ波発生部においてマイクロ波を発生する制御を行うことを特徴とする排気浄化装置。 - 前記第1の電磁波センサと前記第2の電磁波センサは、前記微粒子捕集部を介し対向する位置に設けられていることを特徴とする請求項5または6に記載の排気浄化装置。
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