JP6682870B2

JP6682870B2 - マイクロ波照射装置、排気浄化装置、加熱装置及び化学反応装置

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Publication number: JP6682870B2
Application number: JP2016007943A
Authority: JP
Inventors: 忠紘今田
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Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2016-01-19
Filing date: 2016-01-19
Publication date: 2020-04-15
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Description

本発明は、マイクロ波照射装置、排気浄化装置、加熱装置及び化学反応装置に関するものである。

現在、排気に含まれるＰＭ（Particulate matter）等の微粒子を捕集する装置として、ＤＰＦ（Diesel Particulate Filter）が用いられた排気浄化装置が実用化されている。このような排気浄化装置は、使用によりＤＰＦにＰＭ等の微粒子が堆積するため、ＤＰＦを再生することが求められる。ＤＰＦを再生する方法としては、例えば、マイクロ波照射装置から放射されたマイクロ波等の高周波電磁波を用いる方法が開示されている（例えば、特許文献１〜３）。具体的には、この方法は、ＤＰＦにマイクロ波等の電磁波を照射することにより、ＤＰＦに堆積しているＰＭ等の微粒子を加熱し、燃焼させることにより、ＤＰＦの再生を行う方法である。

また、マイクロ波照射装置は、食品を加熱する食品加熱装置や化学反応装置等においても用いられている。

特開２００６−１４００６３号公報特開平４−１７９８１７号公報特許第４９９５３５１号公報特許第２６８９７２２号公報特開２００２−７０５３０号公報

上述した排気浄化装置では、ＤＰＦの再生は、ＤＰＦにマイクロ波等の電磁波を照射することにより、ＰＭ等の微粒子が誘電加熱され、酸化分解されることにより行われる。しかしながら、ＤＰＦ内に均一な強度でマイクロ波を照射することは困難であり、ＤＰＦ内では、マイクロ波の強度の強い部分と弱い部分とが生じるため、温度むらが生じる。このため、ＤＰＦ内において、ＰＭ等の微粒子が除去される領域とあまり除去されない領域とが生じ、ＤＰＦの再生が完全にはなされない。

ところで、照射されるマイクロ波の強度を均一にする方法として、２つのアンテナより位相の異なるマイクロ波を照射する方法がある。しかしながら、この方法では、アンテナ近くのマイクロ波の波長の半分以下のところでは、照射されるマイクロ波は弱くなるため、マイクロ波の強度の弱い部分が生じ、この部分においては、被加熱物が加熱されにくく、均一には加熱されない。このようにマイクロ波を照射した際に、マイクロ波の強度の強い部分と弱い部分が生じることは、食品加熱装置や化学反応装置等においても同様である。

このため、照射されるマイクロ波の強度の強い部分と弱い部分が生じにくく、被加熱物を均一に加熱することのできるマイクロ波照射装置が求められている。

本実施の形態の一観点によれば、被加熱物が入れられる筐体部と、前記筐体部の周囲に設けられた複数のマイクロ波共振器と、前記複数のマイクロ波共振器同士を接続するマイクロ波伝導部と、周波数の異なるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部において発生させるマイクロ波の周波数を制御する制御部と、前記被加熱物の温度を測定する計測器と、を有し、前記マイクロ波共振器は、前記マイクロ波発生部において発生させた前記マイクロ波共振器の共振周波数のマイクロ波を共振させ、前記筐体部に入れられた前記被加熱物に照射するものであって、前記複数のマイクロ波共振器のうちの一のマイクロ波共振器と、他の一のマイクロ波共振器とは、共振周波数が異なるものであって、前記制御部は、前記計測器により測定した前記被加熱物の温度に基づき、前記被加熱物の温度が低い部分においてマイクロ波が強くなるような周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生部において発生させることを特徴とする。

開示のマイクロ波照射装置によれば、被加熱物を均一に加熱することができる。

第１の実施の形態におけるマイクロ波照射装置の構造の説明図第１の実施の形態におけるマイクロ波照射装置の構造の要部拡大図導波管共振器の構造の説明図マイクロ波発生装置に用いられる半導体装置の構造図第１の実施の形態における排気浄化装置の構造の説明図排気浄化装置における温度分布の説明図（１）排気浄化装置における温度分布の説明図（２）第２の実施の形態における加熱装置の構造図第３の実施の形態における化学反応装置の構造図

実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。

〔第１の実施の形態〕
第１の実施の形態におけるマイクロ波照射装置について図１に基づき説明する。図１（ａ）は、本実施の形態におけるマイクロ波照射装置の断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図である。本実施の形態におけるマイクロ波照射装置は、被加熱物１０が入れられている金属等の材料により形成された筐体部２０と、筐体部２０の外側の周囲に設けられた複数の導波管共振器３０ａ〜３０ｈを有している。複数の導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、各々がマイクロ波共振器となるものである。各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、マイクロ波導波管４１及びマイクロ波同軸管４２により接続されており、更に、マイクロ波導波管４１の１つがマイクロ波発生部５０が接続されている。本実施の形態においては、複数のマイクロ波導波管４１とマイクロ波同軸管４２とにより、マイクロ波を伝搬させるマイクロ波伝導部４０が形成されている。

具体的には、各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいて、筐体部２０と接続されている側の反対側には、各々にマイクロ波導波管４１が接続されており、各々のマイクロ波導波管４１同士が、マイクロ波同軸管４２により接続されている。マイクロ波発生部５０において発生したマイクロ波は、マイクロ波伝導部４０であるマイクロ波導波管４１及びマイクロ波同軸管４２を伝搬し、各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈに供給される。

複数の導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、共振するマイクロ波の周波数が相互に異なるように形成されている。マイクロ波発生部５０は、制御部６０における制御により、発生させるマイクロ波の周波数を変化させることができるものであり、各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおける共振周波数となるマイクロ波を発生させることができる。

導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、例えば、図３における導波管共振器３０に代表して示されるように、四角い筒状で形成されており、内部は空洞となっている。導波管共振器３０は、両端の入口と出口の開口は若干狭くなっており、入口と出口とにおいてマイクロ波の反射が繰り返されることにより、マイクロ波の共振器として機能する。このような導波管共振器３０においては、導波管共振器３０の長さＬを変えることにより、共振周波数を変えることができる。

各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、出口が筐体部２０と接続されており、入口がマイクロ波導波管４１と接続されている。導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいては、導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいて共振した周波数のマイクロ波は、筐体部２０の内部に設置されている被加熱物１０に向けて放射され、被加熱物１０が加熱される。

本実施の形態においては、被加熱物１０の温度分布を計測する不図示の放射温度計が設けられていてもよい。このような、放射温度計により、被加熱物１０の温度分布を計測し、不図示の制御部における制御により、マイクロ波発生部５０において温度が低い部分のマイクロ波が強くなるような周波数のマイクロ波を発生させる制御を行ってもよい。

本実施の形態におけるマイクロ波照射装置においては、複数の導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、共振周波数がすべて異なるものであってもよく、また、複数の導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおける一部と他の一部における共振周波数が異なるものであってもよい。

また、マイクロ波発生部５０は、発生させるマイクロ波の周波数を変化させることができるものであるため、マイクロ波発生部５０には、半導体素子、具体的には、窒化物半導体を用いたＨＥＭＴ等が用いられている。

窒化物半導体を用いたＨＥＭＴは、図４に示されるように、ＳｉＣ等の基板２１０の上に、窒化物半導体層を積層することにより形成されている。即ち、基板２１０の上に、ＡｌＮにより形成された核形成層２１１、電子走行層２１２、電子供給層２１３が順に積層されている。電子走行層２１２は、ＧａＮにより形成されており、電子供給層２１３は、ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮにより形成されている。これにより、電子走行層２１２において、電子供給層２１３との界面近傍には２ＤＥＧ２１２ａが生成される。ゲート電極２３１、ソース電極２３２、ドレイン電極２３３は、電子供給層２１３の上に形成される。

本実施の形態における排気浄化装置においては、マイクロ波発生部５０において、発生させるマイクロ波の周波数を変化させている。このようにマイクロ波発生部５０において周波数を変化させて発生させたマイクロ波は、導波管共振器３０ａ〜３０ｈのいずれかにおいて共振し、共振したマイクロ波が筐体部２０内に放射される。マイクロ波の周波数を変えることにより、マイクロ波が共振する導波管共振器が変わるため、各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいて共振した周波数のマイクロ波が、マイクロ波が共振した導波管共振器より、筐体部２０内に放射される。これにより、筐体部２０内に設置されている被加熱物１０を均一に加熱することができる。

次に、第１の実施の形態における排気浄化装置について図５に基づき説明する。図５（ａ）は、本実施の形態における排気浄化装置の排気が流れる方向に沿った断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）における一点鎖線５Ａ−５Ｂにおいて切断した断面図である。

本実施の形態における排気浄化装置は、本実施の形態におけるマイクロ波照射装置を含むものである。即ち、本実施の形態における排気浄化装置は、被加熱物となる微粒子捕集部１１０、筐体部１２０、導波管共振器３０ａ〜３０ｈ、マイクロ波導波管４１、マイクロ波同軸管４２、マイクロ波発生部５０、制御部６０、放射温度計７０等を有している。円筒状の筐体部１２０の周囲には、導波管共振器３０ａ〜３０ｈが設けられており、導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいて共振したマイクロ波が、筐体部１２０の内部に設置された微粒子捕集部１１０に向けて放射されるように形成されている。尚、導波管共振器３０ａ〜３０ｈは、好ましくは排気浄化装置の排気が流れる方向の下流側に設けられている。

微粒子捕集部１１０は、ＤＰＦ等により形成されている。ＤＰＦは、例えば、隣り合う通気口が交互に閉じられたハニカム構造により形成されており、排気は入口の通気口とは異なる通気口より排出される。

筐体部１２０は、ステンレス等の金属材料により形成されており、微粒子捕集部１１０の周囲を覆う筐体本体部１２０ａ、筐体本体部１２０ａに接続されている吸入口１２０ｂ及び排出口１２０ｃを有している。本実施の形態における排気浄化装置においては、エンジン等からの排気ガス等の排気は、破線矢印Ａに示される方向より、吸入口１２０ｂから筐体部１２０内に入り、筐体本体部１２０ａ内に設置されている微粒子捕集部１１０を通ることにより浄化される。この後、微粒子捕集部１１０において浄化された排気は、排出口１２０ｃより破線矢印Ｂに示される方向に排出される。

本実施の形態における排気浄化装置においては、マイクロ波発生部５０において、発生させるマイクロ波の周波数を変化させている。このようにマイクロ波発生部５０において発生させたマイクロ波は、導波管共振器３０ａ〜３０ｈのいずれかにおいて共振し、共振したマイクロ波が筐体部１２０内に放射される。マイクロ波の周波数を変えることにより、マイクロ波が共振する導波管共振器が変わるため、各々の導波管共振器３０ａ〜３０ｈにおいて共振した周波数のマイクロ波が、マイクロ波が共振した導波管共振器より、筐体部１２０内に放射される。これにより、筐体部１２０内に設置されている微粒子捕集部１１０を均一に加熱することができ、
放射温度計７０は、微粒子捕集部１１０における温度を各々の領域ごとに測定することができるものである。放射温度計７０は、制御部６０に接続されており、放射温度計７０において測定した温度分布の情報に基づき、制御部６０は、マイクロ波発生部５０において発生させる周波数の制御を行ってもよい。尚、放射温度計７０に代えて、複数の熱電対を微粒子捕集部１１０に埋め込み、微粒子捕集部１１０における各々の領域の温度を測定するものであってもよい。

次に、微粒子捕集部１１０を加熱した際に最高となる温度の温度分布のシミュレーション結果について説明する。図６は、本実施の形態における排気浄化装置において、マイクロ波発生部５０において周波数を変化させながらマイクロ波を発生させた場合の微粒子捕集部１１０における最高となる温度の温度分布を示す。尚、導波管共振器３０ａにおける共振周波数は２．４２ＧＨｚであり、導波管共振器３０ｂにおける共振周波数は２．４３ＧＨｚであり、導波管共振器３０ｃにおける共振周波数は２．４４ＧＨｚである。導波管共振器３０ｄにおける共振周波数は２．４５ＧＨｚであり、導波管共振器３０ｅにおける共振周波数は２．４６ＧＨｚであり、導波管共振器３０ｆにおける共振周波数は２．４７ＧＨｚである。導波管共振器３０ｇにおける共振周波数は２．４８ＧＨｚであり、導波管共振器３０ｈにおける共振周波数は２．４９ＧＨｚである。このため、マイクロ波発生部５０において発生させるマイクロ波の周波数は、２．４２ＧＨｚ〜２．４９ＧＨｚの範囲で変化させている。

図７は、マイクロ波発生部５０において発生させるマイクロ波の周波数が単一の場合の微粒子捕集部１１０における最高となる温度の温度分布を示す。具体的には、図７に示される排気浄化装置は、被加熱物となる微粒子捕集部１１０、筐体部１２０、マイクロ波伝導部２４０、マイクロ波発生部２５０等を有している。筐体部１２０とマイクロ波発生部２５０とは、マイクロ波伝導部２４０により接続されている。マイクロ波発生部２５０において発生させた２．４５ＧＨｚのマイクロ波は、マイクロ波伝導部２４０を介し、筐体部１２０の内部に設置された微粒子捕集部１１０に照射される。

図６に示されるように、本実施の形態における排気浄化装置においては、微粒子捕集部１１０を加熱した際に最高となる温度は、４００℃〜５００℃の範囲であり、微粒子捕集部１１０の全体が略均一に加熱されている。また、筐体部１２０の近傍となる微粒子捕集部１１０の周辺部分の温度も４００℃以上となっている。従って、微粒子捕集部１１０の中心部分においても、周辺部分においても、堆積しているＰＭ等の微粒子を略均一に燃焼させて除去することができる。よって、堆積しているＰＭ等の微粒子を殆ど残すことなく、微粒子捕集部１１０の再生を完全、または、完全に近い状態で行うことができる。

一方、図７に示されるように、単一の周波数のマイクロ波を照射した場合では、微粒子捕集部１１０の温度は、筐体部１２０の近傍となる周辺部分が３５０℃以下であり、中心部分の４５０℃〜５００℃と比べて低くなっている。このため、微粒子捕集部１１０において、温度の高い中心部分では、堆積しているＰＭ等の微粒子を燃焼させて除去することができるが、周辺部分では、温度が低いため、堆積しているＰＭ等の微粒子を燃焼させて除去することが十分には行われない。このため、微粒子捕集部１１０の再生は、不完全なものとなる。

以上のように、本実施の形態におけるマイクロ波照射装置においては、被加熱物となる微粒子捕集部１１０を略均一に加熱することができる。

〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態における加熱装置について説明する。本実施の形態における加熱装置は、第１の実施の形態におけるマイクロ波照射装置と同様のマイクロ波照射装置を有しているものであり、食品等を加熱する際に用いられる。

具体的には、図８に示されるように、本実施の形態における加熱装置は、被加熱物３１０が入れられている金属等の材料により形成された筐体部３２０と、筐体部３２０の外側の周囲に設けられた複数の導波管共振器３３０ａ〜３３０ｃを有している。複数の導波管共振器３３０ａ〜３３０ｃは、各々がマイクロ波伝導部４０により接続されており、更に、マイクロ波発生部５０が接続されている。

複数の導波管共振器３３０ａ〜３３０ｃは、共振するマイクロ波の周波数が相互に異なるように形成されている。具体的には、導波管共振器３３０ａにおける共振周波数は周波数ｆ_１、導波管共振器３３０ｂにおける共振周波数は周波数ｆ_２、導波管共振器３３０ｃにおける共振周波数は周波数ｆ_３となるように形成されており、周波数ｆ_１、ｆ_２、ｆ_３は相互に異なっている。

マイクロ波発生部５０は、制御部６０における制御により、発生させるマイクロ波の周波数を変化させることができる。例えば、被加熱物３１０が弁当等であって、弁当には、ご飯３１０ａ、肉３１０ｂ、野菜３１０ｃが入っている場合について考える。本実施の形態においては、被加熱物３１０である弁当に入れられているご飯３１０ａと肉３１０ｂは加熱するが、野菜３１０ｃは加熱しない場合について説明する。被加熱物３１０となる弁当は、筐体部３２０の内部において、導波管共振器３３０ａの上にご飯３１０ａ、導波管共振器３３０ｂの上に肉３１０ｂ、導波管共振器３３０ｃの上に野菜３１０ｃが位置するように置く。

この後、マイクロ波発生部５０において、周波数ｆ_１を発生させる。周波数ｆ_１は導波管共振器３３０ａにおける共振周波数であるため、周波数ｆ_１のマイクロ波は、導波管共振器３３０ａにおいて共振し、被加熱物３１０である弁当のご飯３１０ａに向けて照射される。尚、周波数ｆ_１は、導波管共振器３３０ｂ及び導波管共振器３３０ｃにおける共振周波数ではないため、導波管共振器３３０ｂ及び導波管共振器３３０ｃからは、マイクロ波は殆ど照射されない。従って、被加熱物３１０である弁当のご飯３１０ａのみを加熱することができる。

次に、マイクロ波発生部５０において、周波数ｆ_２を発生させる。周波数ｆ_２は導波管共振器３３０ｂにおける共振周波数であるため、周波数ｆ_２のマイクロ波は、導波管共振器３３０ｂにおいて共振し、被加熱物３１０である弁当の肉３１０ｂに向けて照射される。尚、周波数ｆ_２は、導波管共振器３３０ａ及び導波管共振器３３０ｃにおける共振周波数ではないため、導波管共振器３３０ａ及び導波管共振器３３０ｃからは、マイクロ波は殆ど照射されない。従って、被加熱物３１０である弁当の肉３１０ｂのみを加熱することができる。

これにより、被加熱物３１０となる弁当において、ご飯３１０ａと肉３１０ｂは加熱されるが、野菜３１０ｃは加熱されないようにすることができる。また、本実施の形態においては、放射温度計７０により温度測定を行いながら、制御部６０における制御により、マイクロ波発生部５０において発生させるマイクロ波の周波数を変化させてもよい。

尚、上記外の内容については、第１の実施の形態と同様である。

〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態における化学反応装置について説明する。本実施の形態における化学反応装置は、第１の実施の形態におけるマイクロ波照射装置を有しているものでる。

具体的には、図９に示されるように、本実施の形態における化学反応装置は、不図示の被加熱物が入れられている金属等の材料により形成された筐体部４２０と、筐体部４２０の外側の周囲に設けられた複数の導波管共振器４３０を有している。複数の導波管共振器４３０は、各々がマイクロ波伝導部４０により接続されており、更に、マイクロ波発生部５０が接続されている。

複数の導波管共振器４３０は、共振するマイクロ波の周波数が異なるように形成されている。本実施の形態においては、放射温度計７０により、筐体部４２０の内部における温度分布を測定し、温度が低い部分においては、マイクロ波が強くなるような周波数のマイクロ波をマイクロ波発生部５０において発生させる。このような制御は、制御部６０において行われる。

本実施の形態においては、放射温度計７０を用いた場合について説明したが、被加熱物が加熱の状態や温度により、色等が変化する場合には、光等の電磁波を検出するための素子、例えば、受光素子や撮像素子等を用いてもよい。

以上、実施の形態について詳述したが、特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。

上記の説明に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
被加熱物が入れられる筐体部と、
前記筐体部の周囲に設けられた複数のマイクロ波共振器と、
前記複数のマイクロ波共振器同士を接続するマイクロ波伝導部と、
周波数の異なるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
を有し、
前記マイクロ波共振器は、前記マイクロ波発生部において発生させた前記マイクロ波共振器の共振周波数のマイクロ波を共振させ、前記筐体部に入れられた前記被加熱物に照射するものであって、
前記複数のマイクロ波共振器のうちの一のマイクロ波共振器と、他の一のマイクロ波共振器とは、共振周波数が異なるものであることを特徴とするマイクロ波照射装置。
（付記２）
前記マイクロ波発生部において発生させるマイクロ波の周波数を制御する制御部と、
前記被加熱物の温度を測定する計測器と、
を有し、
前記制御部は、前記計測器により測定した前記被加熱物の温度に基づき、前記被加熱物の温度が低い部分においてマイクロ波が強くなるような周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生部において発生させることを特徴とする付記１に記載のマイクロ波照射装置。
（付記３）
前記計測器は、温度計であることを特徴とする付記２に記載のマイクロ波照射装置。
（付記４）
前記計測器は、電磁波を検出する素子であることを特徴とする付記２に記載のマイクロ波照射装置。
（付記５）
マイクロ波発生部は、窒化物半導体により形成された半導体素子を含むものであることを特徴とする付記１から４のいずれかに記載のマイクロ波照射装置。
（付記６）
前記複数のマイクロ波共振器における共振周波数は、すべて異なることを特徴とする付記１から５のいずれかに記載のマイクロ波照射装置。
（付記７）
前記マイクロ波共振器は、導波管共振器であることを特徴とする付記１から６のいずれかに記載のマイクロ波照射装置。
（付記８）
付記１から７のいずれかに記載のマイクロ波照射装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口と、を備えた筐体部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記微粒子捕集部には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射されることを特徴とする排気浄化装置。
（付記９）
付記１から７のいずれかに記載のマイクロ波照射装置を有し、
前記被加熱物には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射され、加熱されることを特徴とする加熱装置。
（付記１０）
付記１から７のいずれかに記載のマイクロ波照射装置を有し、
前記被加熱物には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射され、加熱されることを特徴とする化学反応装置。

１０被加熱物
２０筐体部
３０ａ〜３０ｈ導波管共振器
４０マイクロ波伝導部
４１マイクロ波導波管
４２マイクロ波同軸管
５０マイクロ波発生部
６０制御部
７０放射温度計
１１０微粒子捕集部
１２０筐体部
１２０ａ筐体本体部
１２０ｂ吸入口
１２０ｃ排出口

Claims

被加熱物が入れられる筐体部と、
前記筐体部の周囲に設けられた複数のマイクロ波共振器と、
前記複数のマイクロ波共振器同士を接続するマイクロ波伝導部と、
周波数の異なるマイクロ波を発生させるマイクロ波発生部と、
前記マイクロ波発生部において発生させるマイクロ波の周波数を制御する制御部と、
前記被加熱物の温度を測定する計測器と、
を有し、
前記マイクロ波共振器は、前記マイクロ波発生部において発生させた前記マイクロ波共振器の共振周波数のマイクロ波を共振させ、前記筐体部に入れられた前記被加熱物に照射するものであって、
前記複数のマイクロ波共振器のうちの一のマイクロ波共振器と、他の一のマイクロ波共振器とは、共振周波数が異なるものであって、
前記制御部は、前記計測器により測定した前記被加熱物の温度に基づき、前記被加熱物の温度が低い部分においてマイクロ波が強くなるような周波数のマイクロ波を前記マイクロ波発生部において発生させることを特徴とするマイクロ波照射装置。
前記計測器は、温度計であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ波照射装置。
マイクロ波発生部は、窒化物半導体により形成された半導体素子を含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロ波照射装置。
請求項１から３のいずれかに記載のマイクロ波照射装置と、
排気に含まれる微粒子を捕集する微粒子捕集部と、
前記微粒子捕集部を覆う筐体本体部と、前記筐体本体部に接続されている前記排気の吸入口及び排出口と、を備えた筐体部と、
を有し、
前記微粒子捕集部が前記被加熱物であって、
前記微粒子捕集部には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射されることを特徴とする排気浄化装置。
請求項１から３のいずれかに記載のマイクロ波照射装置を有し、
前記被加熱物には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射され、加熱されることを特徴とする加熱装置。
請求項１から３のいずれかに記載のマイクロ波照射装置を有し、
前記被加熱物には、前記マイクロ波照射装置からマイクロ波が照射され、加熱されることを特徴とする化学反応装置。